芯片容量识别
内存芯片参数介绍
内存芯片参数介绍具体含义解释：例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256MBit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
主流DDR2编号识别方法
随着内存技术的进步，现在DDR2已经渐成主流，虽然在很多人的眼中，DDR2仍然有着这样或那样的不足，但在业界主力厂商的大力推广下，在CPU平台不断向更高频率冲刺的时候，DDR2代替原有的DDR已经不可避免。
以下为各大品牌的DDR内存的测评报告。
三星（SAMSUNG）三星电子DDR2内存芯片外观三星电子有关DDR2内存芯片的编号规则如下：三星的编号还第16、17、18三位，我们没在此说明。
因此，这三位编号并不常见，一般用于OEM与特殊的领域，因而在此就不介绍了。
以前面的芯片照片为例，可以看出这是一枚容量为512Mbits、位宽为8bit、4个逻辑Bank、SSTL/1.8V接口、采用FBGA封装的DDR2-400芯片，并且是第三代产品。
海力士（Hynix）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。
因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
尔必达（ELPIDA）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。
因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
内存识别电阻原理
内存识别电阻原理
内存识别电阻，也称为内存芯片电阻或内存电阻，是一种用于识别内存模块或内存芯片的电阻器。
内存识别电阻的原理基于电阻值的编码。
每个内存模块或内存芯片上通常会有一个或多个电阻器，这些电阻器的阻值会根据特定的编码方式进行设置。
通过检测这些电阻器的阻值，计算机系统或主板可以识别出内存模块或内存芯片的相关信息，例如容量、速度、类型等。
内存识别电阻的阻值通常是在制造过程中设置的，并且可以通过特定的电路或软件来读取和解析这些阻值。
这样，计算机系统就可以自动识别并配置与之兼容的内存模块或内存芯片。
内存识别电阻的存在有助于确保内存模块与计算机系统之间的兼容性，并提供了一种简单而有效的方式来识别和配置不同类型的内存。
具体的内存识别电阻原理和实现方式可能因不同的内存技术和计算机系统而有所差异。
从芯片上看内存大小
Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：
FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；
-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；
AMIR是内部标识号.
红色金条是PC133内存；
金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；
绿色金条是PC100内存；
蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；
蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；
银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.
金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
HITACHI（日立HITACHI）
日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！
HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HM代表日立.
2、52代表SDRAM，51则为EDO
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.
主板上其它芯片识别
、主板上其它芯片识别1、电源管理芯片电源管理芯片又称电源IC，又叫脉宽调制芯片（PWM），主板用的叫：可编程脉宽调制芯片，主要负责控制CPU的主供电，一般位于CPU插座附近，可看型号识别。
常见型号：RT系列：RT9238、RT9241…RC系列：RC5051、RC5057…LM系列：LM2637、LM2638…SC系列：SC2643、SC1189…ISL系列：ISL6524、ISL6556B…HIP系列：HIP6021、HIP6301…ADP系列：ADP3168、ADP3418…AIC系列：AIC1569…CS系列：CS5165…2、I/O芯片I/O芯片主要负责控制软件驱、打印口、键盘鼠标口。
I/O芯片的常见品牌：Winbond 华邦TTE 联阳ALI 杨智SMSC等。
I/O芯片常见型号：W83627HF、IT8712F、IT8705F，这三种芯片中集成了监控功能；还有一些集成了电源管理功能（但不能控制主供电）如：W83627F/TF/EF、W83697F、IT8712F、IT8702F、8671F。
注：370主板上南桥为VT82C686A、VT82C686B、VT82C686C，集成了I/O，主板上没有I/O芯片。
3、串口芯片串口芯片负责控制主板上的串口（COM口）常见型号：GD75232、GD75185、HT6571、IT8687R，前三种为20针，一个芯片负责管理一个串口；IT8687R为48针，一个芯片同时管理二个串口。
4、时钟芯片是(RTC)时钟芯片与14.318晶振连接在一起，是主板上所有设备的时钟信号产生源。
时钟芯片给主板所有设备提供频率，（以时钟晶振的频率为基础，进行频率的叠加和分频，提供给主板的其它设备，PCI、AGP、内存、CPU）。
时钟芯片受南桥控制，常见型号ICSXXX，时钟芯片和时钟晶振连在一起。
常见型号：ICS系列：950213AF、93725AF、950208BF、9248DF-39…Winbond系列：W83194AR-96、W83194R-39A…其它系列：W211BH、W144H…5、声卡芯片板载声卡一般有软声卡和硬声卡之分。
内存编号识别解读
内存编号识别解读Samsung具体含义解释：例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
u盘芯片识别
u盘芯片识别
U盘芯片识别是指通过一系列的测试和比较，确定U盘中使用的芯片型号和生产厂家。
U盘作为一种外部存储设备，拥有便携性高，容量大，易于携带和使用等优点，在现在的数字化时代被广泛应用。
不同厂家生产的U盘芯片有着不同的特点和性能，因此对U盘芯片的识别是非常有必要的。
首先，在U盘芯片识别过程中，我们可以通过查看U盘外壳上的相关信息来初步判断芯片的生产厂家。
一些知名的U盘品牌会在外壳上标注芯片的厂商和型号，如山寨盘通常不会标注。
此外，通过外观的细节和质感也可以辨别出U盘的品质和工艺水平，从而有助于判断芯片的质量。
其次，在U盘芯片识别过程中，我们可以借助一些电脑软件来进行深入的分析。
目前市面上有一些专门用于U盘芯片识别的软件，如ChipGenius和UDTools等。
通过这些软件，我们可以获取到芯片的详细信息，包括厂家信息、型号信息、序列号等。
此外，这些软件还可以测试芯片的性能和稳定性，帮助用户更好地了解U盘的实际使用情况。
另外，通过查阅厂家官网和相关资料，我们也可以获得有关U 盘芯片的更多信息。
许多芯片厂商都会公开自己的产品信息和技术规格，用户可以通过这些渠道获取到芯片的产品手册、数据表和技术支持等。
这些资料对于了解芯片的性能、功能和适用范围都有很大帮助。
总结起来，U盘芯片识别是一个涉及外观观察、软件分析和资料查询等多个方面的过程。
通过综合利用这些方法，我们可以较为准确地判断U盘中所使用的芯片型号和生产厂家，从而对其性能、质量和可靠性有一个基本的了解和评估。
这对于用户选择和使用U盘具有重要意义，有助于避免购买低劣品质的山寨U盘，提高数据传输的速度和稳定性。
内存常用颗粒识别
内存颗粒编号识别内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。
现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。
其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low V oltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。
但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。
而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。
一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。
现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。
虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。
这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。
从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
芯片要求标准表
芯片要求标准表
一、容量和速度要求
1.1容量是16GB以下（含16GB，不含256MB）的芯片，速度和容量必须满足C类以上标准为合格，其它特殊情况时由订单要求决定，但不能低于D类标准。
1.2容量是32GB（含32GB）以上的芯片，速度和容量必须满足B类以上标准为合格，其它特殊情况时由订单要求决定，但不能低于D类标准。
1.3容量是256MB的满足D类以上标准为合格。
二、H2测试要求
2.1容量是2GB以下（含2GB）的芯片，H2测试必须100%过。
2.2容量是4GB以上（含4GB）的芯片，H2测试不良率低于5%且不良中的数据丢失小于500KB。
*功能测试参数标准表—A类
*功能测试参数标准表--B类
*功能测试参数标准表--C类
*功能测试参数标准表—D类。
内存芯片识别方法
1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的标识；GM72V*****1**T**GM为LGS产品；72为SDRAM；第1，2个*代表容量，16为16Mbit，66为64Mbit；第3，4个*代表数据位宽，一般为4，8，16等，不补0；第5个*代表bank，2代表2个，4代表4个；第6个*代表是第几个版本的内核；第7个*如果是L就代表低功耗，空白为普通；“T”为TSOP II封装；“I”为BLP封装；最后的**代表速度：7：7ns(143MHz)7：7.5ns(133MHz)8：8ns(125MHz)7K：10ns(PC100 CL2&3)7J：10ns(PC100 CL3)10K：10ns(100MHz)12：12ns(83MHz)15：15ns(66MHz)2．Hyundai：现代的SDRAM芯片的标识HY5*************-**HY为现代产品，5*表示芯片类型，57为SDRAM，5D为DDR SDRAM；第2个*代表工作电压，空白为5伏，“V”为3；3伏，“U”为2；5伏；第3-5个*代表容量和刷新速度：16：16Mbit，4k Ref64：64Mbit，8k Ref65：64Mbit，4k Ref128：128Mbit，8k Ref129：128Mbit，4k Ref256：256Mbit，16k Ref257：256Mbit，8K Ref第6，7个*代表数据位宽，40，80，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；第8个*代表bank，1，2，3分别为2，4，8个bank；第9个*一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口；第10个*可为空白或A，B，C，D等，代表内核，越往后越新；第11个*如为L则为低功耗，空白为普通；第12，13个*代表封装形式；最后几位为速度：7：7ns(143MHz)8：8ns(133MHz)10P：10ns(PC100 CL2/3)10S：10ns(Pc100 CL3)10：10ns(100MHz)12：12ns(83MHz)15：15ns(66MHz)3．Micron：Micron的SDRAM芯片的标识；MT48****M**A*TG-***MT为Micron的产品；48代表SDRAM，其后的**如为LC则为普通SDRAM；M后的**表示数据的位宽；4，8，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；Micron的容量要自己算一下，将M前的**和其后的**相乘，得到的结果为容量；A*代表write recovery（tWR），如A2表示tWR=2clkTG为TSOP II 封装，LG为TGFP封装；最后的**代表速度：7：7ns(143MHz)75：7.5ns(133MHz)8*：8ns(125MHz)，其中*为A-E，字母越往后越好；10：10ns(100MHz CL=3)；例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。
内存品牌及识别内存
如图4-11所示为HYUNDAI内存。
如图4-9所示为三星DDRAM内存。 图4-9
Micron美光
• SDRAM • Rambus • DDR SDRAM
Micron（美光）是美国最大的内存颗粒 制造商。
其 SDRAM 芯 片 编 号 格 式 为 MT48abcdMefAgTG-hij ， 其 中 MT 代 表 Micron 的 产 品 ， 48 代 表 产 品 家 族 （ 48=SDRAM 、 4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）， ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS），cdMef设 备 号 码 （ 深 度 × 宽 度 ） ， 无 字 母 =bit ， K=Kilobit （ KB ） ， M=Megabit （ MB ） ， G=Gigabit（GB）Mricron的容量=cd×ef；ef表 示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、 16 位 和 32 位 ) ； Ag 代 表 Write Recovery[Twr] （A2=Twr=2clk）；
DDR SDRAM
在Micron DDR SDRAM内存上，内 存芯片上的参数含义如下：-8支持PC200 （CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B （ CL=2.5 ） -7 支 持 PC200 （ CL2 ） ， PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例 如 MT48LC16M8A2TG-75L_ES 表 示 美 光的SDRAM，16M8=16×8MB=128MB， 133MHz。
闪存芯片识别
闪存芯片识别闪存芯片是一种用于存储数据的芯片，其独特之处在于它能够在没有电源的情况下保持存储数据的状态。
闪存芯片的识别是指对闪存芯片进行检测和确认其型号、容量和制造商等相关信息的过程。
下面将介绍闪存芯片识别的几种常见方法。
首先，通过查看芯片的外观特征来判断闪存芯片的类型。
闪存芯片通常采用较小的封装形式，如Dual In-line Package (DIP)、Small Outline Integrated Circuit (SOIC)等。
根据外观特征，可以初步判断出芯片的类型，然后结合容量等因素，可以进一步确定芯片的具体型号。
其次，可以通过读取闪存芯片上的标签或刻印来识别相关信息。
通常情况下，闪存芯片的制造商会在芯片上标注型号、容量、工作电压等信息，以便用户查询。
在识别过程中，可以使用放大镜等工具来清晰地查看芯片上的标签或刻印，进而获取所需的信息。
另外，可以借助专门的识别软件来识别闪存芯片。
这些软件通常通过与芯片进行通信，读取芯片内部存储的信息，然后将其解析成可读取的形式。
通过识别软件，可以获取芯片的型号、容量、工作状态等详细信息。
部分闪存芯片还具备烧录功能，可以通过识别软件进行固件升级和数据传输等操作。
此外，可以通过查阅闪存芯片的型录和数据手册来识别其相关信息。
闪存芯片的型录和数据手册中通常会提供芯片的详细规格参数、功能特点、操作方式等信息，通过查阅这些资料，可以了解芯片的具体特性和使用条件。
此方法适用于对某一具体型号的闪存芯片进行识别和查询。
最后，如果以上方法无法识别芯片，还可以向相关的芯片代理商或制造商咨询。
这些企业通常拥有专业的技术支持团队，可以根据芯片的外观特征、序列号等信息提供准确的识别和查询结果。
通过与芯片代理商或制造商的沟通，可以得到更详细和准确的芯片信息。
综上所述，闪存芯片的识别是通过观察外观特征、读取标签或刻印、使用识别软件、查阅型录及数据手册以及咨询芯片代理商或制造商等方式进行的。
内存芯片型号
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
计算机内存容量识别方法
如果遇到这样的带罩子的，一般多是高端内存，可以翻过来看看背面，如下图（金士顿4G DDR3标识）：
计算机内存容量识别方法
• 一、通过内存标签识别
如果遇到这样的带罩子的，一般多是高端内存，可以翻过来看看背面，如下图（金士顿4G DDR3标识）：
计算机内存容量识别方法
• 二、通过内存颗粒型号识别
如果没有上文标签标识（一般低端内存都不会 标），我们还可以通过内存颗粒进行识别，虽然 内存家家都能做，但是内存颗粒还有之前介绍的 CPU，不是这些一般厂家能做的，全世界内存颗 粒厂家就那么几个，如下表，列出主要的内存颗 粒厂家及目前主流的内存颗粒型号：
另外，还要注意图中的第六和第七位，是Bit Organization，是指该芯片的数据位宽，目前内存 至少都要支持64位系统，所以如果使用8位芯片， 至少要8颗内存颗粒，比如如果使用K4B1G0846E 设计，那么标准上至少要8个颗粒才能组成支持 64位1G内存，当然如果是放16个就是2G内存 （如果不能级联应该还需要加上控制器，具体没 细看）。对于支持ECC内存，还应该再加上8位 ECC校验颗粒。
计算机内存容量识别方法
• 二、通过内存颗粒型号识别
三星DDR3颗粒的识别方法，如下图：
计算机内存容量识别方法 左图中的K4H1G0438A-UCCC就是芯
• 二、通过内存颗粒型号识别
片型号Part Number，从左图识别方 法可以判断是1G Density。
计算机内存容量识别方法
• 二、通过内存颗粒型号识别
计算机内存容量识别方法
计算机内存容量识别方法
计算机内存容量识别方法
计算机内存容量识别方法
计算机内存容量识别方法
计算机内存容量识别方法
辨别内存大小
给个解释这是NAND闪存芯片, 一般都是SAMSUNG或Hynix芯片。
SAMSUNG闪存的型号及对应容量：K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)K9xAGxxxxx = 2x K9K8G08U0M = 16Gb (GigaBit) = 2048MB (MegaByte)(1 Byte = 8 bits)Hynix闪存的型号及对应容量：HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)(1 Byte = 8 bits)内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。
看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB摩托罗拉MOTOROLA：MCM MA TSUSHITA：MN OKI：MSM美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD或TC日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPDIBM：BM NPNX：NN一.日本产系列：主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。
内存颗粒识别
内存颗粒识别存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon（英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT（晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard（世界先进）、Nanya（南亚）。
有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR时代采用的也不多了。
显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。
另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR的管脚数量为33X2=66。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
SAMSUNG目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X XX - X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
存储芯片的技术指标
存储芯片的技术指标
存储芯片是计算机的重要组成部分，其性能指标影响了计算机的整体性能。
下面是存储芯片的几个关键技术指标：
1. 容量：存储芯片的容量指其可以存储的数据量，通常以字节为单位。
随着科技的发展，存储芯片的容量越来越大，目前主流的存储芯片容量已经达到TB级别。
2. 速度：存储芯片的速度指其读写数据的能力，通常以Mbps或GB/s为单位。
存储芯片的速度越快，计算机的响应速度就越快。
3. 延迟：存储芯片的延迟指的是从请求数据到响应数据所需要的时间，通常以纳秒为单位。
存储芯片的延迟越小，计算机的响应速度就越快。
4. 寿命：存储芯片的寿命指其可以正常工作的时间长短，通常以写入次数或小时数为单位。
随着存储芯片的使用次数增加，其寿命会逐渐缩短。
5. 可靠性：存储芯片的可靠性指其不出现故障的概率，通常以MTBF（平均无故障时间）为单位。
存储芯片的可靠性越高，计算机的稳定性就越好。
6. 成本：存储芯片的成本指其制造成本和销售价格。
随着存储芯片技术的进步，其成本逐渐下降，但高性能存储芯片的成本仍然较高。
以上是存储芯片的几个关键技术指标，这些指标的不同组合可以满足不同应用场景的需求。
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* K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)
* K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)
* K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)
K9F1G08U0M-VIB0 128MB
K9F1G08U0M-FIB0 128MB
K9K2G08U0M-YCB0 256MB
量 128MB。工作电压2.4～2.9Vቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
芯片编号K9F5608U0A，32M×8bit规格50ns速度，单颗容量32MB。工作电压2.7～3.6V，内部分成块写区
域 大小（16K＋512）。
三星型号详解
K9×××××：Nand Flash
K8×××××：Nor Flash
samsung K9F4G08U0M 512M y
samsung K9F4G08U0A 512M y
samsung K9K8G08U0M 1G y
samsung K9K8G08U0A 1G n
samsung K9WAG08U1M 2G y
samsung K9G4G08U0M 512M n
samsung K9L8G08U0M 1G n
samsung K9HAG08U1M 2G n
Hynix HY27UG084G1M 512M y
Hynix HY27UG084G2M 512M y
Hynix HY27UH084G1M 512M n
Hynix HY27UH084G2M 512M y
HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte);
HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte);
HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)
Hynix HY27UG088G2M 1G y
Hynix HY27UG088G5M 1G n
Hynix HY27UG088GDM 1G n
Hynix HY27UH088G2M 1G y
Hynix HY27UH088GDM 1G n
Hynix HY27UH08AG5M 2G n
K9K1G08U0A-YCB0 128MB
K9K1G08U0M-YCB0 128MB
K9K1G08U0M-VIB0 128MB
K9K4G08U0M-YCBO(90nm) 512MB
K9K4G08U0M-PIB0(90nm) 512MB
K9W8G08U1M-YCB0(90nm) 1GB
K9W8G08U1M-YIB0(90nm) 1GB
K9F1208U0A-YCB0 64MB
K9F1208U0A-YIB0 64MB
K9F1208U0A-VCB0 64MB
HY27UF084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIX
HY27UT084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIX
HY27UH088G2M-TPCB 1Gx8 HYNIX
HY27UU085G2M-TPCB 1Gx8 HYNIX
Hynix闪存的型号及对应容量:
HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte);
HY27US08121M TPIB 407T 64MB
HY27US08121M TCB 416A 64MB
HY27US08121M TCB 422A 64MB
K9F1G08U0M-YCB0 128MB
K9F1G08U0A-YCB0 128MB
K9F1G08U0M-VCB0 128MB
K9K2G08U0A-FIB0 (90nm) 256MB
K9K2G08U0M-VCB0 256MB
K9K2G08U0M-VIB0 256MB
K9K2G08U0A-VIB0 (90nm) 256MB
K9F2G08U0M-YCB0 (90nm) 256MB
K9K4G08U0M-YCB0 (90nm) 512MB
K7×××××：Sync SRAM(同步SRAM，带clock，速度快，网络产品，6个晶体管)
K6×××××：Aync SRAM(异步SRAM，不带clock，速度快，手机产品，6个晶体管)
K5×××××：MCP（相当于K1+K8+K9）
K4×××××：DRAM
K3×××××：Mask Rom
* K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)
* (1 Byte = 8 bits)
SAMSUNG K9F2808U0B-YCB0 32MB
K9F2808U0C-VCB0 32MB
Hynix闪存的型号及对应容量:
HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)
HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)
HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)
1G 、2G代表2G、4G代表4G、8G代表8G、00代表没有。第6～7位表示闪存结构，00代表没有、08代表×8.
16代表×16. 32代表×32。
闪存芯片的容量=闪存密度×闪存结构÷8
通过上述公式就可以计算出闪存芯片的真实容量了
编号为K9K1G08U0M-YC80的SUMSUNG闪存芯片。这块闪存芯片的规格为：128M×8bit、50ns速度，单颗容
K9WAG08U1M 2GM
NAND闪存芯片, 一般都是Samsung 或Hynix 芯片.
SAMSUNG闪存的型号及对应容量:
K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)
Hynix HY27US08561M VPCB 428A 32MB
HY27US08561M TPIB 427A 32MB
HY27US08121M TCB 64MB
HY27US08121A-T(P)CB 64Mx8 HYNIX
HY27UF081G2M-T(P)CB 128Mx8 HYNIX
HY27UF082G2M-T(P)CB 256Mx8 HYNIX
HY27UF082G2A-TPCB 256Mx8 HYNIX
HY27UG084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIX
ATJ2051/ATJ2085主控支持的闪存FLASH型号列表
品牌 型号 内存 ATJ2085(2051)
samsung K9K4G08U0M 512M y
samsung K9W4G08U1M 512M y
samsung K9W8G08U1M 1GB y
K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)
K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)
K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)
(1 Byte = 8 bits)
K9F5608U0B-YCB0 16MB
K9F5608U0C-YCB0 16MB
K9F1208U0M-YCB0 64MB
HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)
(1 Byte = 8 bits)
Part No Description Mfg
NANDFLASH
HY27US08281A-T(P)CB 16Mx8 HYNIX
HY27US08561A-T(P)CB 32Mx8 HYNIX
从闪存芯片编号识容量电工常识汇编 2008-10-06 16:07:45 阅读770 评论0 字号：大中小 订阅 .
根据芯片编号识容量
三星的闪存芯片均以K9打头，与容量相关的字段是从第4位到第7位。第4～5位表示闪存密度，12代
表512M、16代表16M、28代表128M、32代表32M、40代表4M、56代表256M、64代表64M、80代表8M、1G代表
K2×××××：FRAM
K1×××××：utRAM(使用SRAM技术，但只有2个晶体管跟1个电容，所以比SRAM功耗大，但成本低)
samsung 编号：K9LAG08U0M，容量为2G，以K9L为开头的三星闪存一般都为MLC闪存，使用MLC闪存是大势
所趋
* K9K8G(1GB)、K9W8G(1GB)、K9WAG(2GB)
Hynix HY27UH08AGDM 2G n
Hynix HY27UF084G2M 512M y
Hynix HY27UG088G5M 1GB n
Hynix HY27UU088G5M 1G n
Hynix HY27UV08AG5M 2G n
Hynix HY27UT084G2A, 512M n
Hynix HY27UT084G2M 512M n
Hynix HY27UU088G 1GB n
Hynix HY27UU8G5M(MLC) 1GB n
Hynix HY27UT4G2M(MLC) 512M n
Hynix HY27UVAG5M(MLC) 2GB n