磁畴结构与技术磁化 20101029

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磁畴结构

磁畴结构
4.2 畴壁结构和畴壁能
一.畴壁及畴壁分类: 畴壁及畴壁分类 壁的结构和畴壁能: 二.Bloch壁的结构和畴壁能 壁的结构和畴壁能 壁的结构和畴壁能: 三.Neel壁的结构和畴壁能: 壁的结构和畴壁能 四.十字壁 五.畴壁的动态性质 在讨论磁畴结构之前,我们先分析畴壁的性质,因为 畴壁的性质往往影响着磁畴的结构。 畴壁的性质往往影响着磁畴的结构
磁晶各向异性能平均密度可以近似表示为: γ k ≈ K1 Na δ=Na 为畴壁厚度,畴壁能密度为 π2 γ = γ ex + γ k ≈ AS 2 2 + K1 Na Na 求能量极小值的条件
∂γ AS π = − 2 2 + K1a = 0 a N ∂N
2 2
得到: N = S Aπ3 = Sπ A a K1a K1a
比较严格的采用变分法给出1800Bloch壁计算结果是:
z=
A1 ∫
θ
0
dθ f (θ )
2
这里: Fk = f (θ )
π
γ = 2 A1

∫π
2
f (θ )dθ
A1 =
ξ AS 2
a
见姜书P244 见姜书
六角晶系单轴各向异性: 六角晶系单轴各向异性
转角曲线,中间快 δ
Fk ≐ K1 sin 2 θ
立方晶系,易磁向〈100〉 立方晶系,易磁向〈100〉

180畴壁 畴壁
180壁 180壁 和90壁 90壁
90壁
立方晶系,易磁向 立方晶系 易磁向〈111〉,有180壁 ,71壁和109壁 易磁向
71 °
109° °
二. Bloch壁的结构特性和畴壁能 壁的结构特性和畴壁能

磁性物理学第二章 技术磁化理论--磁性材料 6

磁性物理学第二章 技术磁化理论--磁性材料 6

i j
i j
ij 为相邻两原子的自旋矢量间的夹角
磁性材料
第二章 技术磁化理论
交换作用能的物理意义:
1、原子间的交换相互作用能是铁磁性物质自发磁化的 起源;
2、当铁磁体中自旋不完全平行时,自旋取向的梯度函 数 12、 22、 32不等于零,铁磁体中的交换能密 度是增加的,因此Fex总是正值 ; 3、当不考虑自旋-轨道耦合时,铁磁体中交换相互作用 仅仅只依赖于相邻原子自旋间的夹角,而与自旋取什 么方向无关,所以交换作用能是各向同性的。
磁性材料
第二章 技术磁化理论
四、磁致伸缩
(一)、磁致伸缩现象与磁致伸缩系数 1、定义: 铁磁晶体由于磁化状态的改变,其长度或体积都要
发生微小的变化,这种现象叫磁致伸缩现象 a、磁致伸缩现象的三种表现:
纵向磁致伸缩:沿磁场方向尺寸大小的相对变化 线磁致 伸缩 横向磁致伸缩:垂直于磁场方向尺寸大小的相对变化
磁性材料
第二章 技术磁化理论
一、铁磁体中的各种相互作用能
具有静 目前认为在铁磁体内有五种主要的相互作用(对应 电性质
五种相互作用能):
的相互
1. 交换能(Fex):电子自旋间的交换相互作用产生的能量 作用能
2. 磁晶各向异性能(Fk):铁磁体内晶体场对轨道电子间的
作用、电子的轨道磁矩与自旋磁矩间的耦合效应所产生的能量
程度相差甚大——易磁化方向(最容易磁化的晶轴方向)与难磁化
磁性材料
方向
第二章 技术磁化理论
2、磁化功——铁磁体磁化时所需要的磁化能
从能量的角度而言,由于铁磁晶体的各向异性,则沿铁磁单 晶体不同的晶轴方向上,磁化到饱和时所需要的磁化能量(磁化 能)是不相同的
铁磁体磁化时所需要的磁化能(磁化

磁畴结构与技术磁化 20101029

磁畴结构与技术磁化   20101029

γ wL
17
上式表明只有磁畴宽度D为一个适当大小的数值时,才能满 足其总能量为最小值的条件,磁畴结构将处于稳定状态。由上 面两式,可以求出总能量
E = 2M s ×10 × 17.0 × γ w L
−4
仍然以铁为例来说明: MS =1.70×106 A⋅ m−1,γw =1.7×10−3 J ⋅ m−2, L =10−2 m
定性分析: 如图为单轴晶体磁畴形成图例分析
上图为单轴晶体内磁畴形成的示意图。在图(a)中,整个晶 体内的自发磁化均匀一致地取单易磁化方向,晶体表面出现了磁 极,因而,晶体内的总能量要包括新出现的退磁能。图(b)和(c) 中,为降低表面退磁场能,自发磁化分布发生变化,分成两个或 四个反向平行的磁畴,从而大大减小了表面退磁场能。
E = Ed + Ew = 1.7 × 10 M s D + γ w
D
平衡稳定状态的磁畴宽度D由总能量E的极小值决 定。由 ∂E = 0 得
∂D
1.7 × 10 M −
2 s
−7
γ wL
D
2
=0
由上式可以求出磁畴宽度D
⎛ ⎞ γ wL D=⎜ −8 2 ⎟ ⎝ 17 ×10 M s ⎠
1/ 2
104 = MS
由于外磁场的作用i畴的能量最低k畴的能量最高根据能量最小原理的要求k畴方向的磁矩将被改变成为i畴那样取向这种改变是通过畴壁进行的因为畴壁是一层磁矩方向逐渐地改变的过渡层假如畴壁厚度不变那么只能是k畴内靠近畴壁的一层磁矩由原来向下的方向开始改变方向并进入到过渡层则向上转动而逐渐地脱离畴壁过渡层加入到i畴中结果是i畴内磁矩数目增多畴的体积也增大
E
w
= γ
w
L D

磁化曲线和磁畴结构

磁化曲线和磁畴结构
00
Ms 2
对三轴晶体(K1>0的立方晶系材料)
M r 0.8312 M s
对四轴晶体(K1<0的立方晶系材料)
M r 0.866 M s
(单轴晶体)
其他因素对剩磁的影响 图8.2.3 各种磁性材料的Mr/Ms的期待值
8.3一次退磁后, H = 0, M = 0点上磁畴磁化的分布
饱和 剩磁点 反向磁化H=-(Hc+ΔH)
半顶角为30°及60° 的园锥之间的磁化矢 量发生了反转
反磁化机制为不可逆转运时
各种材料饱和磁化,反向退磁到H=-(Hc+ΔH)后, 到达 H=0,M=0状态时样品内磁化矢量的分布。
第八章 磁化曲线和磁畴结构
8.1 技术磁化的机理
(1) 三种磁化过程.
M M sVi cosi
i
退磁态 M 0 , 在外加磁场源自, 磁化强度改变为 M HM H M s cosiVi M s Vi cosi Vi cosiM s
i
i
i
Vi , 畴壁位移 DWD, cos i , 磁畴转动 DR, MS , 内禀磁化, 饱和磁化强度的增加,
撤去反向场,使H=0,M=0 正向磁化
畴壁位移反磁化情况
设反转部分最大角度为0(畴壁位移机制)
应有
0
Ms
0
cos
sind
Mr 2
Ms 4
可得
sin0
2
/
2
0
4
(单轴晶体)
对立方晶体
0 31.75 (K1 0)
0 27.73 (K1 0)
易磁化方向与外磁场 成45°角的粒子,其 磁化矢量最容易反转
磁后效 材料形状
8.2 剩磁点上磁畴磁化强度的分布

磁学中的铁磁材料的磁畴结构和磁畴壁研究

磁学中的铁磁材料的磁畴结构和磁畴壁研究

磁学中的铁磁材料的磁畴结构和磁畴壁研究引言:磁学是物理学的一个重要分支,研究物质的磁性质及其产生的磁场。

其中,铁磁材料是磁学研究的重要对象之一。

铁磁材料在外加磁场下会形成磁畴结构,而磁畴壁则是磁畴之间的界面。

本文将探讨铁磁材料的磁畴结构和磁畴壁的研究进展。

一、铁磁材料的磁畴结构铁磁材料的磁畴结构是指在无外加磁场时,铁磁材料内部的磁化状态。

磁畴是一种微观尺度的磁化区域,每个磁畴内的磁矩方向相同,但不同磁畴之间的磁矩方向可以不同。

在无外加磁场时,铁磁材料中的磁畴呈现出自发磁化的状态,这是由于材料内部存在着磁各向异性。

二、磁畴壁的研究磁畴壁是相邻磁畴之间的过渡区域,也是铁磁材料中磁畴结构的重要组成部分。

磁畴壁的研究对于理解铁磁材料的磁性质具有重要意义。

1. 磁畴壁的结构磁畴壁的结构可以分为布洛赫型和诺德沃尔型两种。

布洛赫型磁畴壁是指磁畴壁内部的磁化方向与磁畴内部的磁化方向相互垂直,而诺德沃尔型磁畴壁则是指磁畴壁内部的磁化方向与磁畴内部的磁化方向平行。

2. 磁畴壁的性质磁畴壁的宽度是研究磁畴壁性质的重要参数之一。

磁畴壁的宽度决定了磁畴结构的稳定性,宽度越大,磁畴结构越稳定。

此外,磁畴壁的移动速度也是研究的重点之一。

磁畴壁的移动速度与外界条件、材料性质等因素有关,研究磁畴壁的移动速度可以帮助我们了解材料的磁性质。

三、磁畴结构和磁畴壁的应用磁畴结构和磁畴壁的研究不仅仅是学术领域的基础研究,还具有广泛的应用前景。

1. 磁存储器件磁存储器件是利用铁磁材料的磁畴结构和磁畴壁来实现信息的存储和读取。

磁畴壁的移动可以改变磁畴结构,从而实现信息的写入和擦除。

2. 磁传感器磁传感器是利用铁磁材料的磁性质来检测磁场的变化。

磁畴结构和磁畴壁的研究可以帮助我们设计出更加敏感和稳定的磁传感器。

3. 磁性材料的设计和合成磁畴结构和磁畴壁的研究可以为我们设计和合成具有特定磁性质的材料提供指导。

通过调控磁畴结构和磁畴壁的特性,可以实现对材料磁性质的精确控制。

磁畴结构和磁化曲线

磁畴结构和磁化曲线

27
• 把畴壁近似的看作长轴为D,短轴为δ的无限长的 椭圆柱体,其长轴方向的退磁能为Ed=μ0NM2/2,N 为椭圆长轴方向的退磁因子,且N=δ/(δ+D)。 • 考虑退磁能后的畴壁能密度为:
2 M d 2 s ( F ( ) K1 Sin2 0 )dz dz 2( D)

F 2

20 2 M s 2 K1 2 2 ( D)
30
• 令∂γ/∂δ=0,可得畴壁厚度与有关参数的关系:
K1 F 2 20 M s 2 ( 2 D) 2 0 2 2 2 ( D)
• 两种极端情况下畴壁的厚度δB和畴壁能量γB,
• 铁磁薄膜指的是这样一类材料:
厚度不超过10-8-10-9m; 晶粒边界与晶体体积之比远远超过大块材料同类数 值之比 存在一个临界厚度,同样的材料,在小于临界厚度 时,磁性要发生变化
薄膜合金磁头
磁性薄膜器件-光盘
26
• 在计算Bloch壁的厚度和能量密度中,假设畴壁 与样品表面交界处不出现磁荷,实际情况是要出 现磁荷的,但一般不考虑大块样品的退磁能(大 块样品厚度D比畴壁厚度δ大得多,畴壁平面内的 退磁因子很小,所以退磁能可以忽略不计) • 如果样品是铁磁薄膜,样品厚度D比畴壁厚度δ大 得多的条件不成立,退磁能不能忽略。 • 考虑退磁能,薄膜的畴壁特性会有显著变化。
9
• 180°畴壁内的原子磁矩的排列方式:所有原子磁 矩都只在与畴壁平行的原子面上改变方向,同一原 子面的磁矩方向则相同,它们在畴壁法线方向的分 量都为零。 • 原子磁矩在畴壁内是逐渐转向的。
180°畴壁内原子磁矩方向改变示意图
10
• 如果磁化强度的取向从一个磁畴内最后一个原子 处的0°突然转变成相邻磁畴的第一个原子处的 180°(这种情况也可理解为畴壁厚度很小,甚至 为零),虽然磁化方向还是保持在磁畴的易磁化方 向,磁晶各向异性能没有变化,但却引起交换作 用能的急剧变化。

第3-2讲+磁性-磁畴与技术磁化

第3-2讲+磁性-磁畴与技术磁化
a a
rab
b
b
个电子轨道,抅成反铁磁耦合
a
b
铁磁相互作用
实验事实:铁磁性物质在居里温度以上是顺磁性;居里温度以下
原子磁矩间的相互作用能大于热振动能,显现铁磁性。 这个相互作用是什么?首先要估计这个相互作用有多
强。铁的原子磁矩为2.2MB=2.2x1.17x10-29,居里温度为103度,
而热运动能kT=1.38x10-23x103。假定这个作用等同一个磁场的作 用,设为Hm,那么
2um x 2um
500nm x 500nm
四、磁致伸缩
Fd H d dJ 0 H d dM
0 0
J
M
对于均匀材料制成的椭球样品,容易得出;
Fd 0
M
0
1 NMdM 0 NM 2 2
N 是磁化方向的退磁因子。对于非球形样品,沿不同方向磁 化时退磁场能大小不同,这种由形状造成的退磁场能随磁化 方向的变化,通常也称形状各向异性能。退磁能的存在是自



不同的磁畴方向不同,两磁畴间的区域就
称为磁畴壁 。
MFM: NG-HD
表面形貌图
Topography
表面磁力图
MFM Phase
Bit size: 150× 30nm
为什么会产生自发磁化?
• 自发磁化:在未加外磁场时,铁磁金属内部 的自旋磁矩已经自发地排向了同一方向的 现象. • “交换”作用: 直接交换作用:金属磁性材料 超交换作用:氧化物
在某些材料中过渡金属离子不是直接接触,直接接触交换 作用很小,只有通过中间负离子氧起作用。 在尖晶石结构中实际上存在A-A,B-B,A-B三种可能位置. 因而存在三种交换作用。由于各种原因,这些化合物中 只有其中的一种超交换作用占优势。

e磁性物理的基础-磁畴与技术磁化ppt课件

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因而要使坡莫小球饱和,必须加的外磁场Hex>Hd。 相当于矫顽力Hc的105倍。
空腔内的磁场:空腔表面自由磁极产生的磁场为
H in
N
I 0
N为与空腔形状相同的退磁因子,对球空腔
I H in 3 0
对空腔内的磁场方向与磁化强度方向. 相同。称为罗伦兹场(Lorentz)。
退磁能
Fd 12HdIs 12NIs2
借助于统计力学,采用与外斯理论类似的方法处理自旋团簇。这个处理 短程序的近似方法称为贝斯-皮埃尔斯(Bethe-Peierls)方法。
用伊辛模型来阐明利用该方法如何处理自旋团簇。假定在最近邻自 旋Sj的交换相互作用影响下,一个特定的自旋Si可取值+1/2或-1/2。对Sj 而言也有同样的情况,只是它与其它自旋的交换作用被等效为分子场来 处理,而分子场则由自旋S的平均值决定。这个模型称为贝斯Bethe,s第 一近似。
K是上长ห้องสมุดไป่ตู้与直径之比
( 3 )近于园盘形状的扁园形椭球
K是直径对厚度的比
.
磁化曲线的退磁场校正
当测量的磁化强度随外磁场的变化,如图虚线所 示,实线为真实的磁化曲线。因为作用在样品中 的磁场是有效场,而不是外加磁场。有效场为:
I
Heff Hex N 0
例如,磁化一个矫顽力Hc=2Am-1(=0.025Oe)的坡莫合金 小球到饱和,坡莫合金的饱和磁化强度Is=1.16T,退磁场的 饱和值( 最大值 )
H1T Tck BT 1 32k BT 1 54k BT
忽略四次方相,做H/与2的图,每一个温度T测得一曲线,
截距为
1 Tc kT T B
a
Tc
H/与2图中,相对应截距为零的曲线温度. 就是居里温度。 弱磁场下磁化率与温度的关系

磁性材料 第6章 技术磁化理论--磁性材料

磁性材料 第6章 技术磁化理论--磁性材料

C
C’
O
H
磁矩不是从饱和磁化方向回到自己原 来的易磁化轴方向,而是只回到各自 最靠近外磁场方向上的那些易磁化轴
方向,所以磁矩均匀分布在半球内
则在原来磁场方向上保留的剩
磁大小可近似为MR=MScos, 其中为外磁场与每个晶粒的
易磁化轴间的夹角
三、矫顽力HC
1、两种矫顽力的定义:
➢磁感矫顽力BHC:在B-H磁滞回线上,使 B=0的磁场强度;
域中的可逆磁化部分
剩余磁化强度MR的大小,决 定于材料从饱和磁化降到H=
0的反磁化过程中磁畴结构的 变化;它是反磁化过程中不可 逆磁化的标志,也是决定磁滞 回线形状大小的一个重要物理

以由单轴各向异性晶粒组成的多晶体为例
M
说明剩余磁化的磁畴结构变化示意图 在多晶体中,假设晶粒的单易磁化轴
A B
D
是均匀分布的,当多晶体在某个方向 磁化饱和后,再将外磁场降为零,由 于不可逆磁化的存在,各个晶粒内的
磁化过程中磁化曲线、磁滞回线上的每和一结点构都与代哪表些铁因素
磁体的平衡状态,而从热力学的观点来看,有在关平?衡状
态下,系统的总自由能等于极小值
第1节 技术磁化
Technical Magnetization
铁磁性物质的基本特征:
(1)、铁磁性物质内存在按磁畴分布的自发磁化 (2)、铁磁性物质的磁化率很大 (3)、铁磁性物质的磁化强度与磁化磁场强度之间不是单 值函数关系,显示磁滞现象,具有剩余磁化强度,其磁化率都 是磁场强度的函数
(iii)、磁畴磁矩的转动磁化阶段(较强磁场范围内)
此时样品内畴壁位移已基本完毕,要使M增加,只有靠磁畴
磁矩的转动来实现。一般情况下,可逆与不可逆磁畴转动同时发生 于这个阶段

磁性材料与器件-第三章-技术磁化

磁性材料与器件-第三章-技术磁化

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第一节 磁性材料的基本现象
1、磁晶各向异性 2、磁致伸缩
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上节内容提要
磁晶各向异性-----同一铁磁物质的单晶体,其 磁化曲线随晶轴方向不同而有所差别,即磁性随 晶轴方向而异。 磁晶各向异性存在于所有铁磁性晶体中。 沿铁磁体不同晶轴 方向磁化的难易程度 不同,磁化曲线也不 相同。
第三章
磁畴结构
技术磁化
技术磁化
磁性材料的基本现象
动态磁化
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第一节 磁性材料的基本现象
1、磁晶各向异性 2、磁致伸缩
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3.1.1 磁晶各向异性
在磁性物质中,自发磁化主要来源于自旋间的交 换作用,这种交换作用本质上是各向同性的,如 果没有附加的相互作用存在,在晶体中,自发磁 化强度可以指向任意方向而不改变体系的内能。 实际上在磁性材料中,自发磁化强度总是处于一 个或几个特定方向,该方向称为易轴。 磁各向异性 磁性材料在不同方向上具有不同磁性能的特性。 包括:磁晶各向异性,形状各向异性,感生各向 异性和应力各向异性等。
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3.2.1 磁畴的成因
Page 36
3.2.1 磁畴的成因
实际情况中,还必须考虑其他一些因素比如交换 能、磁晶各向异性能、磁致伸缩导致的磁弹性能
等的影响。真实的磁畴结构由总能量的极小值来
确定。 退磁场能+畴壁能遵 从能量最小原则
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3.2.1 磁畴的成因
Page 38
M
H dM dF F (M ) F (0)
0 0 0
Page 9
M
3.1.2 磁晶各向异性能
(1) 立方晶系
EK K1 ( ) K2

磁性材料 第6章 技术磁化理论--磁性材料

磁性材料 第6章 技术磁化理论--磁性材料

技术磁化:指施加准静态变化磁场于强磁体,使其自发磁化的
方向通过磁化矢量M的转动或磁畴移动而指向磁场方向的过程
磁性材料
第二章 技术磁化理论
2、磁化曲线的基本特征: 铁磁性、亚铁磁性磁化曲线为复杂函数关系
强磁体的磁化曲线可分为五个特征区域: M
(1)、起始磁化区(可逆磁化区域)
M=iH B= 0iH (i=1+ i)
第二章 技术磁化理论
3、磁化过程的磁化机制:
若磁体被磁化,则沿外磁场
MSVi cosi
强度H上的磁化强度MH可以表磁示畴为转:
MH
i
顺磁V0磁
畴磁化壁过位当程移外磁场强度H发生动过微磁程小化的变化ΔH,则相化应过的程磁
化强度的改变ΔMH可表示为:
MH
i
MS cosi Vi MSVi cosi Vi cosi MS
磁化过程中磁化曲线、磁滞回线上的每和一结点构都与代哪表些铁因素
磁体的平衡状态,而从热力学的观点来看,有在关平?衡状
态下,系统的总自由能等于极小值
磁性材料
பைடு நூலகம்
第二章 技术磁化理论
第1节 技术磁化
Technical Magnetization
磁性材料
第二章 技术磁化理论
铁磁性物质的基本特征:
(1)、铁磁性物质内存在按磁畴分布的自发磁化
磁性材料
第二章 技术磁化理论
磁性材料
第二章 技术磁化理论
第2节 反磁化过程
Reversal of Magnetizing Process
磁性材料
第二章 技术磁化理论
一、概述
反磁化过程:铁磁体从一个方向饱和磁化 状态变为相反方向的技术饱和磁化状态的 过程;

铁磁性材料的自发磁化理论和磁畴结构

铁磁性材料的自发磁化理论和磁畴结构

(d)
(e)
另外,我们实际使用的一般为多晶体材料,晶粒方向是杂乱的。 在同一晶粒内,各磁畴的磁化方向是有一定关系的。在不同晶粒 间,由于易磁化轴方向的不同,磁畴的磁化方向就没有一定关系 了。同时,内应力、非磁性的掺杂物、空隙等的存在以及结构限 制都决定了分畴以及磁畴不能无限增大。
15
16
6
1.物理学基础
1.3磁性起源
●方法:玻尔原子轨道模型+量子力学理论 只考虑 电子的轨道角动量 未填满壳层 电子自旋角动量 和轨道磁矩 和自旋磁矩 磁性电子壳层
e l l (l 1) 2m
(μ=﹣λP)
e s s s 1 m
原子的总角动量 和总磁矩
7
1.物理学基础
2.1 自发磁化的唯象理论
●外斯:铁磁性分子场理论 分子场假设 在有净磁矩的同时,铁磁性物质的原子磁矩还受到物
k BT J H mf k BT
质内部的“分子场”的作用,它导致了自发磁化,即 在无外加磁场时,仍然呈现出微观磁矩的有序排列。 Hmf M s (ω:分子场系数)
H mf
χ=M/H,表征材料磁化难易程度。 μ=(1+χ)=B/μ0M,表征材料导通磁力线的能力 。 表征材料反抗外磁场的能力;Heff=Hex-Hd; Hd=﹣NM,大小与磁体形状和磁极强度有关; 退磁能:Fd=1/2μ0NM^2,是磁体体现磁畴的主 要原因。
3
1.物理学基础
1.2物质磁性分类及特征
根据磁化率χ=M/H的大小和符号,分为五种: χ<0 χ>0 χ>0 χ》1 χ》1 抗磁性 顺磁性 反铁磁性 (无磁矩 ) 弱磁性 Tn (有磁矩 ) Tc 强磁性
1J85成分

材料物理课件:Chap 7.2 技术磁化

材料物理课件:Chap 7.2 技术磁化
i 1Biblioteka NK1a 2K1a 2
N
2
cos(
i 1
N
i)
由于N很大,当i从1增大到N时,余弦函数中的角度由0增大 到2,上式中第二项近似为0。
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering
K
NK1a 2
K 1
2
式中,为磁壁厚。
3.磁壁能量
畴壁的总能量为:
此时,虽然膜面上没有磁极,但是在壁两边有磁极,从而增加了 退磁能。比较形成布洛赫壁和形成涅耳壁所增加的退磁能哪个小。
对铁镍膜畴结构复杂,只有当D<200Å;为涅耳畴壁;D10000Å为布洛赫壁。
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering
2.1 磁性材料中的基本现象 2.1.1 磁晶各向异性 在测量单晶体的磁化曲线时,发 现磁化曲线的形状与单晶体的晶 轴方向有关。
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering
1. 磁晶各向异性能
铁磁体从M=0状态磁化到饱和,需要的磁化功为:
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering
湼耳畴壁:对于二维薄膜样品,但膜厚足够小时,布洛赫壁 的形成对能量降低是不利的,因为布洛赫畴壁中的磁矩在薄膜 表面产生磁极,从而增加了退磁能。下图表示涅耳壁,在这种 畴壁内,磁距的方向不是在壁平面内逐渐旋转,而是平行于薄 膜表面,逐渐旋转过去。
22
E ex AS 2 2
假定磁畴的自旋经过N个原子层,从=0转到=180o,每层转过相

第3章技术磁化1

第3章技术磁化1

所以,这种杂质和空隙越多,畴壁移动越困难,磁导率越小
单畴 ☞在大块材料中,若不形成多畴,则退磁场能量很高,所以大 块材料以多畴结构最为稳定。 ☞若材料的尺寸变得很小,成为多畴时的畴壁能比单畴的退磁 场能还要高,这时材料将不在分畴,形成单畴结构,具有更低
的能量。
☞存在单畴的临界尺寸。铁磁体大于临界尺寸时,具有多畴结 构;小于临界尺寸时,则为单畴结构。临界尺寸为铁磁体成为 单畴结构的最大尺寸。
磁致伸缩系数:
l / l
磁致伸缩的大小与外磁场强度有关 饱和磁致伸缩系数S S>0 :正磁致伸缩,如铁 S<0 :负磁致伸缩,如 镍
S
实例:
磁致伸缩产生的机制
外加磁场后,磁偶极子趋于同向排列。
与(a)图相比,(b)图处于低能状态,更加稳定 于是,由(a)态变为(b)态,产生了磁致伸缩效应
3.1.2 磁致伸缩
磁性材料由于磁化状态的改变,其长度和体积都要发生 微小的变化,这种现象称为磁致伸缩 磁致伸缩有三种表现:
☞沿着外磁场方向尺寸的相对变化 称为纵向磁致伸缩;
☞垂直于外磁场方向尺寸的相对变 化称为横向磁致伸缩; ☞磁体体积的相对变化称为体积磁 致伸缩。
线性磁致伸缩,是论 的重点
体积磁致伸缩量很 小,通常被忽略
壁和900畴壁:
☞1800畴壁 畴壁两侧的自发磁化强度方向互成1800 。单易
磁化轴晶体只有1800畴壁,多轴晶体中也有1800畴壁;
☞ 900畴壁 畴壁两侧磁畴的自发磁化强度方向间的角度不
为1800,而是900、1070和710等,一律称为900畴壁。
900畴壁示例
根据畴壁中磁矩的过渡方式,可将畴壁分为布洛赫壁和
开放型磁畴 » 又称片状磁畴结构

磁畴结构畴壁课件

磁畴结构畴壁课件
发展先进的显微观测技术,如原子力显 微镜、磁力显微镜等,实现对磁畴结构 和畴壁的直接视察,验证理论预测。
VS
畴壁的操纵和控制
研究如何通过外部磁场、电流或温度等手 段实现对畴壁的精确操纵和控制,为磁畴 结构的应用提供实验基础。
磁畴结构与畴壁的应用前景
磁存储和逻辑器件
利用磁畴结构和畴壁的特性,开 发高密度、高速的磁存储和逻辑 器件,满足信息技术领域对高性 能存储和计算的需求。
磁畴壁在自旋电子学中的应用
自旋电子学是一门利用电子自旋属性 进行信息处理和存储的新兴学科。磁 畴壁在自旋电子学中具有重要的应用 价值。
通过控制磁畴壁的运动和相互作用, 可以实现自旋电子器件中的信息传输 、逻辑运算和存储等功能,为未来信 息技术的发展提供新的思路和方向。
PART 05
磁畴结构与畴壁的研究前 景
的运动。
相互作用影响系统的整体行为
这种相互依存的关系会影响整个系统的行为。例如,在某些情况下,磁畴结构和磁畴壁 之间的相互作用可能导致系统表现出复杂的动态行为,如混沌或自组织现象。
PART 04
磁畴结构与畴壁的应用
磁记录技术
磁记录技术是一种利用磁畴结构实现 信息存储的技术。通过改变磁畴的方 向,可以表示不同的信息状态,从而 实现信息的存储和读取。
磁场传感和检测
利用磁畴结构和畴壁对磁场的敏 锐特性,开发高灵敏度、高分辨 率的磁场传感和检测技术,应用 于地球物理学、生物学等领域。
在稳定状态下,磁畴壁通常具有较低的能量状态。然而,在某些条件下,如温度升高或受到外力作用 时,磁畴壁的能量状态可能会产生变化。这种能量变化可能会影响磁畴壁的运动和稳定性,进而影响 整个磁畴结构的性质。
PART 03
磁畴结构与磁畴壁的关系
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E = Ed + Ew = 1.7 × 10 M s D + γ w
D
平衡稳定状态的磁畴宽度D由总能量E的极小值决 定。由 ∂E = 0 得
∂D
1.7 × 10 M −
2 s
−7
γ wL
D
2
=0
由上式可以求出磁畴宽度D
⎛ ⎞ γ wL D=⎜ −8 2 ⎟ ⎝ 17 ×10 M s ⎠
1/ 2
104 = MS
ΔEex = AS (
2
π
N
)2
ΔEex = AS 2φ 2
当铁磁材料晶体常数为a时,在厚度为 δ = Na ,长和宽都为1 的畴壁体积中,单位面积畴壁面上共有 1/ a 2 个原子,在单位面 积上的畴壁交换能则为
2 1 π γ ex = N 2 ΔEex = AS 2 a Na 2
(1)
2 1 π γ ex = N 2 ΔEex = AS 2 a Na 2
Ed = Fd × ( L × 1) = Fd L = 1.8 × 104 J ⋅ m −2
2 磁畴结构及其特性
磁畴的形成:如前述磁畴壁是相邻两磁畴之间磁矩按一定规律逐渐改变方 向的过渡层。在过渡层中,相邻磁矩既不平行,又离开易磁化方向,前者 增加交换能,后者增加磁晶各向异性能。因而需要形成一定厚度的磁畴 壁,畴壁的厚度是由增加的交换能与磁晶各向异性能之和为最小的条件决 定。由此显然得知,畴壁还具有畴壁能,下图表示了相邻两磁畴间磁畴壁 内磁矩方向逐渐改变的过渡方式。下面我们将通过计算磁畴壁的畴壁能量 和畴壁厚度,进一步说明铁磁体内相邻两磁畴间磁畴壁的形成以及磁畴壁 内磁矩方向变化是采用逐渐过渡方式的原因。
E
w
= γ
w
L D
Ed = 2 Fd = 1.7 × 10−7 M s2 D
式中 γW 表示单位面积的磁畴壁能量,故其又称为畴壁能量密 度。上式说明磁畴壁能量EW与磁畴宽度D成反比,而与晶体厚度L 成正比,如D越大,则磁畴壁能量 EW 就越小,这一点与退磁场能 的作用是相反的。 对于图(b) ,要使磁畴结构处于稳定状态,必须同时考虑退磁 场与磁畴壁能量所决定的总能量为极小的条件,由上面两式,总能 量可以表示为 L −7 2
γ wL
17
上式表明只有磁畴宽度D为一个适当大小的数值时,才能满 足其总能量为最小值的条件,磁畴结构将处于稳定状态。由上 面两式,可以求出总能量
E = 2M s ×10 × 17.0 × γ w L
−4
仍然以铁为例来说明: MS =1.70×106 A⋅ m−1,γw =1.7×10−3 J ⋅ m−2, L =10−2 m
一.磁畴结构 1. 磁畴形成的根本原因:
根据热力学平衡原理,稳定的磁状态一定与铁磁体内总自由能为 极小状态相对应。铁磁晶体内五种相互作用能,包括外磁场能、磁弹 性能、交换能、磁晶各向异性能、退磁场能。假设铁磁体无外磁场和 外应力作用,自发磁化的取向,应该由交换能、磁晶各向异性能和退 磁场能共同决定的总自由能为极小来决定。若交换能和磁晶各向异性 能都同时满足最小值条件,则自发磁化分布在铁磁体的一个易磁化方 向上。但是,由于实际的铁磁体有一定的几何尺寸,自发磁化的一致 排列,必然在铁磁体表面上出现磁极而产生退磁场,这样就会因退磁 场能的存在使铁磁体内的总能量增大,自发磁化的一致取向分布不再 处于稳定状态。为了减小表面退磁场能,只有改变自发磁化分布状态, 于是,在铁磁体内部分成许多自发磁化的小区域,这样的每个小区域 成为磁畴。对于不同的磁畴,其自发磁化强度的方向各不相同。 因此,铁磁体内产生磁畴,实质是自发磁化平衡分布要满足能量 最小原理的必然结果,而退磁场能最小要求是磁畴形成的根本原因。
Ed = Fd × (1× L) = Fd L = 1.8 × 104 J ⋅ m −2
对于图(b),由于形成片状磁畴结构,同时又引入了磁畴壁 能量。这时就需要考虑表面的退磁场能和分畴后出现的磁畴壁能。 如果设磁畴宽度为D,这种情况下垂直于磁化方向的晶体表面单 位面积上的退磁场能量为
Ed = 2 Fd = 2 × 0.8525 × 10−7 M s2 D = 1.7 × 10−7 M s2 D
(1)
由此可见,畴壁中包括的原子层数越多,也就是畴 壁越厚,则在畴壁中引起的交换能增量越小,所以, 为了使畴壁引起的交换能增加小一点,畴壁中原子磁 矩方向的改变只采取逐渐过渡的形式,而不能突变。 但是在畴壁中原子的磁矩方向逐渐地过渡,必然会引 起每一个原子磁矩方向离原来的磁晶各向异性能为最 低的易磁化方向,从而导致磁晶各向异性能的增加。 在上面所设的畴壁体积 V = δ (1×1) = Na 中,单位面积畴壁所具有的磁晶各向异性能可近似的 估算为(K1为磁晶各向异性常数)
• 铁磁晶体内五种相互作用能,包括 ¾ 外磁场能:指磁性体的磁化强度相对于外磁场有不 同取向时候,其磁势能不同,这一磁势能为外磁场 能; ¾ 退磁场能:铁磁体被磁化后在其表明或内部不均匀 处将产生磁荷,这种面磁荷和体磁荷在铁磁体内所 产生的磁场称为退磁场。退磁场与铁磁体磁化强度 的作用能称为退磁场能; ¾ 交换能:指的是电子自旋之间的交换能; ¾ 磁晶各向异性能:它是由晶体场与轨道电子间的作 用、电子的轨道磁矩与自旋磁矩间的作用的耦合效 应所产生的; ¾ 磁弹性能:指磁致伸缩过程中磁性与弹性之间的耦 合作用能。
2
2
φБайду номын сангаас
2
则上式变为:
1 φ 2 φ 若 φ 很小, sin = − ( ) + ⋅⋅⋅ ≈ 为级数展开的近似值, 2 2 3! 2 2
φ
φ
ΔEex = AS 2φ 2
从下图中可以看出,相邻两磁畴间畴壁内每一个原子的磁 矩方向的改变是逐渐地变化,这必然会引起铁磁体内部交 换能的增加。如果考虑图中的畴壁是由N层原子组成,畴壁 两侧磁畴内的自发磁化强度夹角为180°,自发磁化强度通 过N层原子间隔的过渡转过了180°的角度。设每层原子磁矩 转过相等的角度 φ = π / N ,则引起交换能的增量为
定性分析: 如图为单轴晶体磁畴形成图例分析
上图为单轴晶体内磁畴形成的示意图。在图(a)中,整个晶 体内的自发磁化均匀一致地取单易磁化方向,晶体表面出现了磁 极,因而,晶体内的总能量要包括新出现的退磁能。图(b)和(c) 中,为降低表面退磁场能,自发磁化分布发生变化,分成两个或 四个反向平行的磁畴,从而大大减小了表面退磁场能。
代入上两式可
D = 5.9 × 10 m, E = 5.78 J ⋅ m
−6
−2
通过比较可知铁磁晶体在分畴和没有分畴时其能量的变化情 况,其比值 E 5 .7 8 1 = ≈ Ed 1 .8 × 1 0 4 3200 铁磁体分为片状磁畴后的总能量近似为不分畴时的三千二百 分之一。所以铁磁体自发磁化后,为了降低它的退磁场能,必然 要分成若干个小区域的磁畴,而分畴后,又会增加它的磁畴壁 能,通过对磁畴的计算可以说明尽管分畴后新增加了磁畴壁能 量,但由于分磁畴使退磁场能降低,晶体内总能量仍比未分磁畴 的能量小。所以退磁场能量最小这个因素是形成磁畴的根本原因。
磁畴结构与技术磁化
主要讨论的问题: 一 磁畴结构 1 磁畴的成因 2 磁畴结构及其特性 3 畴壁厚度和畴壁能计算 二 技术磁化 1 磁化过程概述 2 可逆畴壁位移磁化过程 3 不可逆畴壁位移磁化过程
我们知道,如果磁性体内不同原子间的电子自旋存在交换作用 并且交换积分A>0时,近邻原子的磁矩取向相同,从而产生自 发磁化,自发磁化强度的大小与温度有关。 既然铁磁性物质在居里点以下存在自发磁化,那么,在未受外 磁场时为什么绝大多数铁磁体不显示宏观磁性呢? 外斯在“磁畴假说”中指出,在铁磁体内部分成许多自发磁化的 小区域,称为“磁畴”。在每个磁畴的内部自发磁化是均匀的, 但是在不同的磁畴内,自发磁化的方向不同,其结果是各磁畴 的磁矩互相抵消,因而在宏观上不显示磁性。 朗道和栗弗席兹最早从理论上证明了在铁磁体内部应当存在着 磁畴。 为什么铁磁体会形成磁畴?
S 2π 2 + K1δ γ w = γ ex + γ k = A 2 Na (3)
(1)
平衡时为 γ w
2 2 S 得: − A π + K a = 0 所以 N = S π 1 2 2 a N a
2 ∂γ w 1 2 π γ ex = N 2 ΔEex = AS = 0 最小,即 ∂N a Na 2
如果分成更多的磁畴,例如有n个,则晶体表面退磁场能可 以减少到只有原来1/n,但是,形成磁畴以后,两个相邻磁畴之 间存在着约为103 原子数量级宽度的自发磁化强度由一个畴的方 向改变到另一个畴的方向的过渡区域,在这个过渡区域内,磁矩 遵循能量最小原理,按照一定规律逐渐改变方向,这样的过渡区 域称为畴壁。畴壁内的各个磁矩取向不一致,必然增加交换能和 磁晶各向异性能而构成磁畴壁能量。 全面考虑,就不能单纯只考 虑降低表面退磁场能而分成无限个磁畴,而要考虑退磁场能的降 低和磁畴壁能量增加的利弊,即由它们共同决定的能量极小条件 来确定磁畴的数目。这就是说,在形成磁畴的过程中,磁畴的数 目和磁畴的尺寸、形状等,原则上应由退磁场能和磁畴壁能的平 衡条件来决定。磁畴的形状、大小和分布情况便构成了磁畴结 构,铁磁体的磁性参数和磁畴结构有着密切关系。
相邻两原子间的交换能可表示 Eex = −2 AS 2 cos φ
其中:S表示原子的自旋角动量,A表示交换积分。 o 当相邻两原子的磁矩平行排列时,φ = 0 其交换能为 当相邻两原子的磁矩间的夹角为φ 时,其交换能增量
Eex = −2 AS 2
2
ΔEex = 2 AS (1 − cos φ ) = 4 AS sin
γ k = K1 Na = K1δ
(2)
γ k = K1 Na = K1δ
(2)
可以看出,畴壁中的磁晶各向异性能随着畴壁厚度的增加 而增加。畴壁越厚,畴壁中的磁晶各向异性能就越大。相 反,畴壁越薄,磁晶各向异性能就越小。这和式(1)正好 γ k 和 γ ex 两者对畴壁厚度的要求是互相矛盾 相反。因此, 的。畴壁要具有一个稳定的结构必须满足畴壁中的交换能 γ ex 和磁晶各向异性能 γ k 的总和为极小的条件。由式(1)和 (2)可得单位面积畴壁中的总畴壁能量
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