给工作人士用的--集成电路制造中级工程师考试资料

半导体芯片制造中级工程师职业鉴定

目录

半导体芯片制造中级工程师职业鉴定 (1)

基础知识 (4)

1.第一代半导体材料：硅、锗； (4)

2.导体、绝缘体、半导体 (4)

3.半导体材料特征 (4)

4.N型半导体 (5)

5.P型半导体 (5)

6.单晶、多晶 (5)

7.半导体晶体结构 (5)

8.常用半导体材料的晶体生长方向 (5)

9.电导率和电阻率 (6)

10.迁移率 (6)

11.方块电阻 (6)

12.晶体缺陷 (6)

13.弹性形变 (7)

14.范性形变 (7)

15.位错 (7)

16.层错 (7)

17.半导体材料表征参数 (7)

18.单晶材料制备方法 (8)

19.化合物半导体制备方法 (8)

20.砷化镓单晶材料的应用 (8)

21.InP单晶的主要应用 (8)

22.常用清洗剂的配方 (8)

23.衬底清洗过程 (8)

24.石英器具清洗过程 (9)

25.抛光片检测项目 (9)

26.抛光片质量要求 (9)

27.砷化镓抛光片的清洗 (9)

28.InP抛光片的清洗 (9)

29.外延片优点及用途 (10)

30.外延片检测项目 (10)

31.外延生长 (10)

32.同质外延 (10)

33.异质外延 (10)

34.外延生长种类 (10)

35.化学气相外延概述 (11)

36.硅化学气相外延概述 (11)

37.硅外延生长工艺 (11)

38.原位气相腐蚀抛光 (11)

39.硅外延片质量要求 (11)

40.硅外延反应源 (12)

35.影响外延生长速度因素 (12)

36.影响反应速度因素 (12)

37.硅外延片应用 (12)

38.离子概念 (13)

39.离子注入概念 (13)

40.离子注入优点 (13)

41.离子注入能量损失机构 (13)

42.沟道效应 (13)

43.沟道离子、非沟道离子、准沟道离子 (14)

44.离子注入机主要组成部分及相应作用 (14)

45.离子注入的能量和能量单位 (14)

47.半导体芯片制造厂对厂房洁净度的要求（见教材31页）。 (15)

48.洁净区工作人员注意事项 (15)

49.化学清洗的去污原理 (15)

50.石英器皿如何清洗 (16)

51.台面工艺 (16)

52.平面工艺 (16)

53.氧化工艺 (17)

54.二氧化硅主要用途 (17)

55.氯化氢氧化（掺氯氧化） (17)

56.选择氧化 (17)

57.增密工艺 (17)

58.二氧化硅制备方法 (17)

59.氧化工艺质量的要求 (18)

60.目检可以检测的氧化工艺的质量 (18)

61.测量二氧化硅膜厚度的方式 (18)

62.扩散工艺 (18)

63.闭管扩撒 (19)

64.开管携带气体扩撒 (19)

65.箱法扩散 (19)

66.气态源扩散 (19)

67.液态源扩撒 (19)

68.固态源扩撒 (19)

69.扩散工艺的要求 (20)

70.目检可以观察的扩散工艺的质量 (20)

71.测量结深的方式 (20)

72.测量方块电阻（薄层电阻）的方法 (20)

73.隔离工艺 (20)

74.PN结隔离 (21)

75.介质隔离 (21)

76.空气隔离 (21)

77.V型槽隔离 (21)

78.光刻工艺 (21)

79.光刻工艺七大步骤 (21)

80.正胶、负胶 (22)

81.光刻工艺对掩膜版的要求 (22)

83.接触式曝光 (22)

84.接近式曝光 (22)

85：投影式曝光 (22)

87.湿法腐蚀二氧化硅和氮化硅 (23)

88.铝的腐蚀 (23)

89.真空蒸发 (23)

90.溅射工艺 (23)

91.直流溅射 (24)

92.磁控溅射 (24)

93.反应溅射 (24)

94.金属剥离工艺 (24)

95.表面钝化工艺 (24)

96.钝化膜质量要求 (24)

基础知识

（1）半导体材料基础知识；

（2）晶体管原理基本知识；

（3）半导体集成电路基本知识；

（4）半导体器件工艺原理基本知识；

（5）半导体常用设备、仪器、仪表的基本知识；

（6）安全防护知识；

（7）产品质量法、环境保护法相关知识；

1.第一代半导体材料：硅、锗；

硅是现代最主要的半导体材料，锗是现代最重要的半导体材料之一。

目前商用硅单晶片直径为12~16英寸（300~400mm)。

第二代半导体材料：砷化镓、磷化铟。

特点：更高的频率、更高的增益、更低的噪声；

用途：数字移动通信、光纤通信、导航领域等；

缺点：化合物半导体至少由两种元素组成，故杂质缺陷比单质半导体要多，而且结构更加复杂。同时由于磷化铟单晶的制备工艺还不够成熟，磷化铟所具备的超高频率、超高速度和低噪声的性能还没有得到很好的发挥，如何控制化合物半导体材料的化学配比是提高第二代半导体材料质量的关键。

2.导体、绝缘体、半导体

导体：金属、石墨、人体、大地及各种酸、碱、盐的水溶液；

绝缘体：橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷、纯水、油、空气等；

半导体：硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等；

注：云母是含锂、钠、钾、镁、铝、锌、铁、钒等金属元素并具有层状结构的含水铝硅酸盐族矿物的总称。

3.半导体材料特征

（1）导电能力介于导体与绝缘体之间；

（2）其纯度较高时，温度系数为正；金属导体则相反，电导率温度系数为负；

（3）有电子和空穴参与导电；

（4）晶体各向异性；