模电-2012期中考试试卷+答案

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2012~2013模拟电子电路题A详细答案及评分标准

2012年---2013年第二学期《模拟电子技术》期末考试试卷答案姓名：学号：专业班级：一、填空题(本题共3小题,每空1分,共10分)⒈ 电路如图所示，设二极管D 为理想二极管，则此时A 、B 之间的电压U AB ＝ 15 伏。

⒉ 一共射放大电路及其输出特性曲线如下图所示。

若静态工作点由Q 1移到Q 2位置，则应调整 R b 电阻，如何调调小（调大或调小）。

若静态工作点由Q 2移到Q 3位置，则应调整 R c电阻，如何调调小（调大或调小）。

假设该电路出现非线性失真，调整R b ，使其阻值变大后，失真消失，则此失真为饱和失真。

⒊ 小功率的直流稳压电源，一般是由变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路四部分构成。

⒈ PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽⒉ 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。

A. UI e S B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I⒊ 稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通 B .反向截止 C .反向击穿⒋ 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏⒌ 放大电路中三极管的三个电极为U X ＝－8V ，U Y ＝－7.3V ，U Z ＝0V ，如图所示。

则e 、b 、c 三极为 C 。

⒍ 放大器A u ＝100，输入电阻为10KΩ，当引入反馈系数F u ＝0.09的电压串联负反馈后，电压放大倍数和输入电阻为 B 。

A. A uf ＝9，R id ＝100 KΩB. A uf ＝10，R id ＝100 KΩC. A uf ＝10，R id ＝90 KΩD. A uf ＝9， R id ＝90 KΩ ⒎ 放大器引入电压并联负反馈后可以稳定 B 。

A. 电压放大倍数B. 互阻放大倍数C. 互导放大倍数 D .电流放大倍数 ⒏ 差动放大器如图所示，则其电压放大倍数为 C 。

模电工作考试题及答案解析

模电工作考试题及答案解析一、选择题1. 以下哪个元器件的功能是将输入电压放大并产生输出信号？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 发光二极管答案：C. 晶体管解析：晶体管是一种半导体器件，具有放大信号的功能。

当输入信号施加在晶体管的基极上时，通过控制电流的变化，晶体管可以放大信号并将其输出。

2. 加深电流放大系数可以采取以下哪种措施?A. 减小输入电阻B. 增大输入电阻C. 减小输出电阻D. 增大输出电阻答案：A. 减小输入电阻解析：当输入电阻较小时，输入电流变化对晶体管的控制能力更强，可以使得电流放大系数增大。

3. 以下哪个电路可以用于将交流信号转化为直流信号？A. 单级晶体管放大电路B. 双级晶体管放大电路C. 电容滤波电路D. 反相放大电路答案：C. 电容滤波电路解析：电容滤波电路可以通过对输入信号的滤波作用，将交流信号转化为平稳的直流信号。

二、分析题请根据以下电路图回答问题。

[电路图]4. 请分析并写出电路图中电阻R的阻值。

答案：根据欧姆定律，电路中的总电阻等于电流和电压的比值，即R = V / I。

5. 请计算并写出电路图中电容C的电容值。

答案：根据电容的定义，电容的电容值等于电荷量和电压的比值，即C = Q / V。

三、应用题请根据以下场景回答问题。

6. 小明需要设计一个音响系统，要求能够放大输入信号并产生清晰的音乐声音。

请问他应该选用哪种电路？答案：小明应该选用晶体管放大电路。

晶体管具有放大信号的功能，可以将输入的音频信号放大并输出。

7. 小红正在制作一个电子钟，需要将交流电信号转化为直流电信号来驱动指针的运动。

请问她应该使用哪种电路？答案：小红应该使用电容滤波电路。

这种电路可以将交流信号转化为直流信号，并提供稳定的电源给电子钟的驱动系统。

总结：本文对模电工作考试题及答案进行了分析和解析。

通过选择题、分析题和应用题的讨论，我们对模拟电子电路的基本知识有了更深入的了解。

希望这些内容能够帮助读者更好地理解和应用模拟电子电路的知识。

《模拟电子技术》试卷(十套附答案)

《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。

2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。

３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。

４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。

５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。

６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。

二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则（）。

A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。

Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。

Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。

期中考试模拟电路试卷

2012-2013学年第一学期期中考试试卷《模拟电路》（供电子信息专业使用）注意事项：1．请按要求在试卷的密封区填写专业、班级、姓名和学号。

2．请仔细阅读各种题目的答题要求，在规定的位置填写答案。

3．不要在试卷上乱写乱画，不要在密封区填写无关的内容。

总分合计人：复核人：一、填空题（类型说明：共19题，每空1分；满分45分）1、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。

2、二极管的最主要特性是单向导电性。

ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

3、P 型半导体的多子为空穴、N 型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

4、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P ）半导体和电子（N ）半导体两大类。

5、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。

6、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。

7、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电专业________ 班级________ 姓名__________ 学号________………………………………………密…………………………………封………………………………………线……………………………………………容，影响高频信号放大的是结电容。

8、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。

9、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB，总的电压放大倍数为10000。

10、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。

11、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。

2012.4.27模拟电子技术期中考试定稿

2011年---2012年第一学期《模拟电子技术基础》期中考试试卷姓名：学号：专业班级：（请考生注意，本试卷共4页）一、选择题（本大题共27分，每空3分）1．杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（）。

A. 掺杂浓度 B. 工艺 C. 温度 D. 晶体缺陷 2．硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( )。

A. 正向导通状态B. 反向电击穿状态C. 反向截止状态D. 反向热击穿状态3．温度上升时，半导体三极管的（）。

A. β和I CEO 增大，u BE 下降B. β和u BE 增大，I CEO 减小C. β减小，I CEO 和u BE 增大D. β、I CEO 和u BE 均增大4．在共射极、共基极、共集电极三种基本放大电路中，u o 与u i 相位相反、|A u |>1的只可能是（）。

A. 共集电极放大电路B. 共基极放大电路C. 共漏极放大电路D. 共射极放大电路5．关于多级放大电路下列说法中错误的是（）。

A. A u 等于各级电压放大倍数之积B. R i 等于输入级的输入电阻C. R o 等于输出级的输出电阻D. A u 等于各级电压放大倍数之和6．在长尾式差动放大电路中，R E 的主要作用是（）。

A. 提高差模电压放大倍数 B. 抑制零点漂移C. 增加差动放大电路的输入电阻D. 减小差动放大电路的输出电阻7．在基本共射放大电路中，负载电阻R L 减小时，输出电阻R O 将（）。

A. 增大B. 减少C. 不变D. 不能确定8．放大电路的三种接法中（）电路的输入电阻最大。

A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定 9．在交流负反馈的四种组态中要求电压增益i o fu u A uu / 稳定，应选用（）负反馈。

A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联二、分析题（共40分）1. （本题8分）如下图所示放大电路，用示波器观察到u o 的波形如下右图所示，则出现饱和失真还是截止失真？若通过调整R b 以得到完整的正弦波，应增大R b 还是减小R b ？2. （本题8分）二极管的正向导通压降为0.7V ，试求如下（a ）、（b ）两图所示电路的U O 值。

模电期中解答及部分典型习题全解

一填空题（每空1分，共38分）1. 实际电路的组成是多种多样的，但通常由（电源）、（负载）和（中间环节）三部分组成。

电荷在电场力的作用下的定向移动形成（电流），电流的实际方向规定为（正电荷）运动的方向。

电路中a,b 两点间电压等于电场力把单位正电荷从a 点移动到b 点所作的（功），规定电压的实际方向是从（高电位指向低电位）。

取同一元件上电压和电流的参考方向一致，称（关联）的参考方向。

2. 理想电压源输出的电压是（保持定值(直流)或一定的时间函数(交流) 3. ），实际电压源模型可等效为一个电压源Us 和内阻R0的（串联），其端口的伏安关系式为（），电压源与电流源模型的等效变换是指对（外电路）的等效。

实际电压源模型“20V 、1Ω”等效为电流源模型时，其电流源=S I （ 20 ）A ，内阻=i R （ 1 ）Ω。

4. 实际应用的电表交流指示值和我们实验的交流测量值，都是交流电的（有效）值。

工程上所说的交流电压、交流电流的数值，通常也都是它们的（有效）值，此值与交流电最大值的数量关系为：（有效值=最大值/2 ）。

已知一正弦量A )30314sin(07.7︒-=t i，则该正弦电流的最大值是（ 7.07 ）A ；有效值是（ 5 ）A ；角频率是（ 314 ）rad/s ；频率是（ 50 ）Hz ；周期是（ 0.02 ）s ；初相是（ -π/6 ）弧度。

5. 电路分析中，电路状态的改变称为换路。

电路在换路时能量不能跃变，即换路瞬间，电容两端的（电压）不能跃变，通过电感的（电流）不能跃变。

一阶电路含有（ 1 ）个动态元件，若换路和电路的外加激励为零，仅由储能元件的初始储能的产生的电路响应，称为（零状态）响应；求解一阶电路完全响应的方法称为（三要素）法。

6. 本征半导体中载流子是（电子-空穴）对，N 型半导体中多子是（自由电子），Ｐ型半导体中多子是（空穴），PN 结具有（单向导通）特性。

2012模电综合复习题(只有部分答案)

2012《模拟电子技术》复习题1、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图1示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？答：题图1所示的各个三极管的工作状态，图（a ）为损坏，图（b ）为放大，图（c ）为放大，图（d ）为截止，图（e ）为损坏，图（f ）为饱和（或B 、C 极间击穿）。

2、放大电路如题图2所示，对于射极电阻e R 的变化是否会影响电压放大倍数v A 和输入电阻i R 的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？甲：当e R 增大时，负反馈增强，因此↓v A 、↑i R 。

（）乙：当e R 增大时，静态电流C I 减小，因此↓v A 、↑i R 。

（）丙：因电容e C ，对交流有旁路作用，所以e R 的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当e R 增大时，v A 和i R 均无变化。

题图 1题图2解：本题意在我们要搞清e R ，在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看，e R 被e C 交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以e R 的变化不影响u A 和i R ，这是本题容易使我们产生错觉的地方。

但我们还必须进一步考虑，尽管e R 不产生交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到CQ I ，就影响到be r 进而影响u A 和i R 。

甲的说法是错误的，原因：因e C 的旁路作用，所以e R 不产生交流负反馈，所以甲的观点前提就是错的。

乙的说法是正确的。

原因：;)(↓↑→↓→↑→u be EQ CQ e A r I I R↑∴=↑i be b i be R r R R r ,//,丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说，尽管e R 不产生交流负反馈，但e R 增大使EQEQ ，II 减小的减小必然引起u A 减小和i R 的增加。

3、一个如图3（a ）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图（b ）的输出特性，静态工作点Q 和直流负载线已在图上标出（不包含加粗线）。

2012年中职对口升学电子电工类专业综合理论全真模拟试卷一(含答案)

2012年中职对口升学电子电工专业综合理论全真模拟试卷一本试卷分第Ⅰ卷（客观题）和第Ⅱ卷（主观题）两部分。

第Ⅰ卷1至4页，第Ⅱ卷5至12页。

两卷满分300分。

考试时间150分钟。

第Ⅰ卷（共120分）注意事项：1．答第Ⅰ卷前，考生务必将自己的姓名、考试证号、考试科目用铅笔涂写在答题卡上。

2．每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑。

如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。

如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。

一、选择题（每题5分，18题共90分，请将唯一正确答案填涂在答题卡上）1.三个电阻串联在一电路中的功率之比为1:2:3，则三者并联在同一电路中的功率之比为（）A. 1:2:3B. 3:2:1C. 6:3:1D. 6:3:2 2．如图1-1所示，当变阻器滑动头向右移动时（） A.电压表V 读数变大，电流表A 读数变大 B.电压表V 读数变小，电流表A 读数变小 C.电压表V 读数不变，电流表A 读数不变 D.电压表V 读数不变，电流表A1读数不变 3．下列说法正确的是（）A.日光灯点燃时是利用的通电自感B.变压器工作的原理一定是自感原理C.日光灯和变压器都是利用互感原理D.日光灯点燃时是利用的断电自感4．如图1-2所示，交流电路中（）A. A1读数一定大于A2 A3读数B. A2，A3 读数可能相等C. A1读数可能等于A2A3读数之和D. A1 A2 A3读数不可能相等 5．如图1-3所示电路中，Uab 与Io 数值应为： A ．Uab ＝０，Io ＝０；B ．Uab ≠０，Io ≠０；图1-1图1-2图1-3图1-4班级姓名学号密封线内不要做答案C ．Uab ＝０，Io ≠０；D ．Uab ≠０，Io ＝０。

6．如图1-4所示正弦交流电路中，当开关S 打开时，电路处于谐振状态，则当开关S 闭合时电路的性质为：A ．阻性；B ．感性；C ．容性；D ．纯电感。

模电期中考试题库及答案

模电期中考试题库及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。

A. 基极电流大于集电极电流B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都正向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。

A. 0ΩB. ∞ΩC. 1ΩD. 1kΩ答案：B3. 共发射极放大电路中，若基极电流增大，则集电极电流将（）。

A. 增大B. 减小C. 不变D. 无法确定答案：A4. 在多级放大电路中，耦合方式为（）可以避免零点漂移。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：A5. 差分放大电路中，若输入信号为共模信号，则输出电压将（）。

A. 增大B. 减小C. 基本不变D. 无法确定答案：C6. 场效应管的控制量是（）。

A. 漏极电流B. 漏极电压C. 栅源电压D. 漏极电流和漏极电压答案：C7. 正弦波振荡电路中，若要产生正弦波，则相位移动网络的相位移动量应为（）。

A. 90°B. 180°C. 270°D. 360°答案：A8. 理想二极管的正向导通电压为（）。

A. 0VB. 0.7VC. 0.3VD. 1V答案：A9. 电源滤波电路中，若要提高滤波效果，可以（）。

A. 增大电感B. 增大电容C. 增大电阻D. 减小电感答案：B10. 负反馈放大电路中，反馈信号与输入信号相位（）。

A. 相同B. 相反C. 无法确定D. 有时相同有时相反答案：B二、填空题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是发射极、集电极和______。

答案：基极2. 运算放大器的差模输入电压是两个输入端电压的______。

答案：差值3. 共基极放大电路的电流增益为______。

答案：14. 差分放大电路的差模输入电压是两个输入端电压的______。

答案：差值5. 场效应管的漏极电流与栅源电压之间的关系是______。

2012模电习题和答案1

2012模电习题和答案1《模拟电子技术实践》课程习题答案一、填空题1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。

是从射极输出，所以简称射极跟随器。

2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。

3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。

4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。

5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。

6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。

7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。

8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。

9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1 V；硅管约为0.5 V。

10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。

11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。

集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。

12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。

13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模输入电阻为无穷大。

14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。

滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。

15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。

模电期中考试答案+试卷

温州大学期中考试试卷A二、选择题（26分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将。

[ ]A.减弱B.不变C.增强2.PN 结外加反向电压时，其内电场 [ ]A.减弱B.不变C.增强3.测得BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ，—0.2V ，—3V ，则1、2、3脚对应的三个极是 [ ] A 、ebc B 、ecb C 、cbe D 、bec a4. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v ，其两端施加的电压分别为+5v （正向偏置）和－5v （反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为。

［］ A +5v 和-5v B -5v 和+4v C +4v 和-0.7v D +0.7v 和-4v5.在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是：。

[ ] A 共发射极电路的A V 最大、R I 最小、R O 最小 B 共集电极电路的A V 最小、R I 最大、R O 最小C 共基极电路的A V 最小、R I 最小、R O 最大D 共发射极电路的A V 最小、R I 最大、R O 最大 6．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的。

[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 7．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。

[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使。

[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 9．差动放大电路的主要特点是。

[ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。

10互补输出级采用射极输出方式是为了使。

[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小学院-------------------------------------- 班级---------------------------------- 姓名------------------------------------- 学号-------------------------------------C 输出电阻增大D 带负载能力强11.OTL 功放电路的输出端通过耦合电容与负载相联。

模电考试试题10套和答案(打印版)

坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。

2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。

3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。

4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。

5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。

6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。

7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。

8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。

共模抑制比K CMR为__________之比。

9．某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。

图1二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。

2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。

3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。

4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。

模电复习-2012-04题(参考答案)

《模拟电路》复习资料（2012-04）一、填空题1、某放大电路的电压增益为80 dB ，相当电压放大倍数为_10000_ 倍。

2、负反馈放大电路可以改善放大器性能。

具体体现在提高放大倍数稳定性、改善非线性失真、展宽通频带等方面。

4、典型差分放大器中，R E 的作用是 P104抑制零点漂移，对共模信号有很强的抑制能力。

5、如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10 V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_9_V ，经过电容滤波后为_12__ V ，二极管所承受的最大反向电压为_210__ V 。

6、共模抑制比K CMR 越大，抑制共模信号能力越强。

7、处于放大状态的NPN 型晶体管，U B 、U C 、U E 三个电位之间的关系是_ U C >U B >U E __ 处于饱和状态的NPN 型晶体管U B 、U C 、U E 三个电位之间的关系是__U B >U E ; _ U B >U C _ ；【解7：】归纳：晶体管工作状态：放大区：发射结正偏；集电结反偏（特点：I C =βI B ）截止区：发射结反偏；集电结反偏（特点：I C =0）饱和区：发射结正偏；集电结正偏（特点：U CE =U CES ，I C 不受I B 控制）8、集成运放工作在线性区时具有“虚短”、“虚断”的特点。

“虚短”的含义是运放的净输入电压等于0即：U +=U - ，“虚断”的含义是运放的净输入电流等于0即：i +=i - =0 。

9、单相桥式整流电路中，若输入电压U 2 = 30V ，则输出电压U 0 = 27 V ；若负载电阻R L = 100 Ω，整流二极管I D (AV ) =0.135_A 。

【】10、乙类功率放大器中，每只晶体管的半导通角是 900 。

改善交越失真的办法是使两管在静态时处于弱导通状态，具体做法是利用二极管的压降产生偏置电压。

11、当输入信号频率为f L 和f H 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的_0.707(或21 )_倍，或者是下降了3dB 。

12-13(1)模电B期中试卷答案

2012/2013（一）学年《模拟电子技术基础》期中考试试题姓名学号班级任课教师一．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×，共15分）1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。

（ × ）2．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态。

（√ ）， 3. 三极管的外部电流关系是B Ci i β=，这是一个线性方程，所以三极管是线性器件。

（ × ）4．为了保证晶体管BJT 工作在线性放大区，其发射结和集电结都应加上正向偏置电压。

（ × ）5．测出某三极管的共基电流放大系数α小于1，表明该管子没有放大能力。

（ × ）6．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的大。

（×）7. 小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换。

（ √ ）；8．双极型晶体管具有NPN 或PNP 对称结构，发射极和集电极可以互换。

（ × ）9．晶体管的输入电阻rbe 是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。

（ × ）10．在共射放大电路中，当负载电阻RL 减小，电压放大倍数下降。

（ √ ）11．共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。

（ × ）12．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻与后级有关。

（ √ ）13．放大直流信号，只能采用直接耦合方式。

（ √ ）14．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。

（ × ）15．一个NPN 管和一个PNP 管可以复合成NPN 管也可以复合成PNP 管。

（ √ ）二、填空题：（每小题2分，共20分，）1. P 型半导体的多数载流子为空穴，少数载流子为电子。

2. 一个由NPN 型BJT 组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，则随着输入电压的增加，输出将首先出现截止失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现饱和失真。

模电期中测试题答案

模电期中测试题参考答案一、填空题：（20分）1、最常用的半导体材料有和。

硅；锗2、在半导体中，参与导电的不仅有，而且还有，这是半导体区别于导体导电的重要特征。

自由电子；空穴3、如果在本征半导体晶体中掺入五价元素的杂质，就可以形成______________型半导体。

N （电子型）4、P 型半导体中是多数载流子，是少数载流子。

空穴、自由电子5、在杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质的__________，少子的浓度主要取决于__________。

浓度；温度6、当PN 结正向偏置时，PN 结处于状态；当PN 结反向偏置时，PN 结处于状态，可见，PN 结具有性。

导通、截止、单向导电性7、要使稳压二极管起到稳压作用，稳压二极管应工作在区。

反向击穿8、晶体三极管工作在放大状态的外部条件是、。

发射结正偏、集电结反偏9、当三极管工作在区时，关系式B C I I β=才成立；当三极管工作在区时，0≈C I ；当三极管工作在区时，0≈CE U 。

放大区、截止区、饱和区10、___________是衡量放大电路对不同频率输入信号适应能力的一项技术指标。

频率响应二、选择题：（20分）1、在如图所示电路中，工作于正常导通状态的二极管是（C ）2、图示电路中当开关S 闭合后，H1和H2两个指示灯的状态为（C ）。

A ．H1、H2均发光B ．H1、H2均不发光C ．H1发光、H2不发光D ．H1不发光、H2发光3、3DG6D型晶体三极管的PCM =100毫瓦，ICM=20毫安，UBR(CEO)＝30伏，如果将它接在IC＝15毫安，UCE＝20伏的电路中，则该管（C）A. 被击穿B. 工作正常C. 功耗太大过热甚至烧坏4、共射极放大电路中信号的输入端是（B）。

A 发射极B 基极C 集电极D 栅极5、某单管共发射极放大器的输出电压波形如图所示，则该放大器产生了（B）。

A、饱和失真B、截止失真C、频率失真 D．交越失真6、电路如图所示，要增加三极管集电极静态电流，最有效的方法是( D )。

(完整版)模拟电路试卷及答案(十套)

模拟综合试卷一. 填充题1集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a , b 。

2•通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b。

3. 在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4. 一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5. 工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6. 甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7. 若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压U ii =U2,则输出电压为—匚; 若山=1500皿U i2=500N,则差模输入电压u id为N,共模输入信号u ic为V8 .由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9. 晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10. 在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二. 选择题1 .晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的B，I CBO U BE的变化情况为（）。

)A.B 增加，I CBO 和u BE 减小B. B 和I CBC 增加，U BE 减小C.B 和U BE 减小，I CBO 增加D. B 、I CBC 和U BE 都增加 2. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A.输入电阻B. 输出电阻C.击穿电压D. 跨导 3.双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A.通过增加一级放大B.利用两个C.利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4•典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（A.变大B. 变小C.不变D. 无法判断5 •差分放大电路的共模抑制比K CM越大，表明电路（）A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.直流放大倍数越大D.抑制零漂的能力越强6•负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

模电-2012期中考试试卷+答案

物理与电信工程学院2011－2012学年（二）学期期中考试《模拟电子电路》试题年级班级姓名学号一、填空题(9小题，每空1分，共28分)__变大_____，发射结压降变1. 当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic小，共射电流放大倍数___变大______。

2. PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。

3. 本征半导体掺入 +5 价元素可生成N型半导体，其少数载流子的浓度主要取决于空穴，二极管的最主要特性是单向导电性。

4.NMOS管的衬底是__P______型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位___低_____的电位上。

5. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4kΩ。

两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为40 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为66 dB。

R0 //R L / R0 =3/4 解得R0=4kΩ6.在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流的是__共基_____，不能放大电压、可以放大电流的是__共集_____，输入电阻最小的是__共基_____，输出电阻最小的是__共集_____。

7. 结型场效应管的栅源极间必须加_反向______偏置电压才能正常放大；P沟道MOS管的栅源极间必须加__反向____偏置电压才能正常放大。

8. 三极管的共射输出特性可以划分为三个区：饱和区、截止区和放大区。

为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在放大区内。

当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。

9. 二极管电路如图所示，设二极管具有理想特性，图中二极管是V1截止，V2导通(导通还是截止)，U AO= -6 V。

二、判断题（8小题，每题1分，共8分）1. 双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。

模电试卷题库（含答案）

模电试卷题库（含答案）1.某个处于放⼤状态的电路，当输⼊电压为10mV，输出电压为,输⼊电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直流电压），它的电压增益为（ C ）a、700b、650c、100d、-1002.当输⼊信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中频时的（ B ）a、05.b、c、d、13.当输⼊信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。

A、2 dBB、3dBC、4dBD、6dB4.某放⼤电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放⼤电路的输出电阻为（ C ）a、10KΩb、2KΩc、1 KΩd、Ω5.⽤两个AU相同的放⼤电路A和B分别对同⼀个具有相同内阻的电压信号进⾏放⼤，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A⽐B （ B ）a、⼀样b、差c、好d、⽆法判别b、输⼊电阻⼩c、输出电阻⾼d、输出电阻低理想运放7.在线性区内，分析理想运放⼆输⼊间的电压时可采⽤（A ）a、虚短b、虚断c、虚地d、以上均否8.如图⽰，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（A ）a、0Vb、3Vc、6Vd、9V9.如图⽰，运放A为理想器件，则其输出电压VO为（ C ）a、9Vb、6Vc、0Vd、3V10.设V N、V P和V0分别表⽰反相输⼊端、同相输⼊端和输出端，则V0与V N、V P分别成（ D ）a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三⾓波，则应选⽤（D ）12.A、反相⽐例运算电路13.B、同相⽐例运算电路14.C、微分运算电路15.D、积分运算电路半导体16.N型半导体是在本征半导体中加⼊以下物质后形成的（D ）。

a、电⼦d、五价磷元素17.半导体中有两种载流⼦，它们分别是（C ）a、电⼦和受主离⼦b、空⽳和施主离⼦c、电⼦和空⽳d、受主离⼦和施主离⼦18.在杂质半导体中，多数载流⼦的浓度主要取决于（ B ）a、温度b、杂质浓度c、掺杂⼯艺d、晶体缺陷19.在室温附近，当温度升⾼时，杂质半导体中浓度明显增加是（C ）a、载流⼦b、多数载流⼦c、少数载流⼦d、正负离⼦20.温度升⾼后，在纯半导体中，其电⼦、空⽳变化为（ A ）a、⾃由电⼦和空⽳数⽬都增多，且增量相同b、空⽳增多，⾃由电⼦数⽬不变c、⾃由电⼦增多，空⽳数⽬不变d、⾃由电⼦和空⽳数⽬都不变⼆极管21.PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（B ）a、只从P区流向N区b、等于零c、只从N区流向P区d、⽆法判别22.流过⼆极管的电流⼀定，⽽温度升⾼时，⼆极管的正向电压（A ）a、减⼩b、增⼤c、基本不变d、⽆法确定23.当PN结外加正向电压时，耗尽层将（ C ）24.⼆极管正向电压从增⼤5%时，流过的电流增⼤为（ B ）a、5%b、⼤于5%c、⼩于5%d、不确定25.温度升⾼时，⼆极管的反向伏安特性曲线应（ A ）a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能26.利⽤⼆极管组成整流电路，是应⽤⼆极管的（ D ）a、反向击穿特性b、正向特性c、反向特性d、单向导电性27.PN结形成后，PN结中含有（ D ）a、电⼦b、空⽳c、电⼦和空⽳d、杂质离⼦28.PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（ A ）a、相等b、⼤于c、⼩于d、⽆法确定29.稳压管能够稳定电压，它必须⼯作在（ D ）a、正向状态b、反向状态c、单向导电状态d、反向击穿状态30.以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（ C ）31.在⼀般电路分析计祘时，常将⼆极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和⼩信号模型。

2012模拟电路考试试卷答案

2012《电子技术基础》期中考试试题班级：姓名：出题人：一：填空题1：半导体有两种导电粒子，一种是电子另一种是空穴。

2：二极管的基本特性是单向导电性,即加正向电压导通,加反向电压截止。

3：三极管的输出特性曲线可分为三个区，即截止区, 饱和区和放大区。

4：半导体是一种导电能力介于导体和绝缘体之间的物体。

5：半导体三极管是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为。

6：PNP型晶体三极管的发射区是__P___型半导体，集电区是___P___型半导体，基区是___N___型半导体。

7：三极管的三个极分别是__C___ _极、__B__ _极和____E_ _极。

8：将放大器的输出信号的全部或部分通过某种方式回送到输入断，称为反馈。

9．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。

10．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。

11．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的单向导电性性能。

12．三极管最重要的特性是电流放大作用。

13．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。

14．场效应晶体管属于电压控制器件。

15．要使三极管放大电路不失真，必须设置合理的静态工作点。

16．在三极管放大电路中，静态工作点过高会产生饱和失真。

17．若放大电路静态工作点选的过低，信号容易产生截止失真。

18．基本共射放大电路，当温度升高时，Q 点将向上移。

19．若三极管发射结正偏，集电结也正偏则三极管处于饱和状态。

20．共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位相同。

（共射相反）。

21．在放大电路中，若负载电阻R L越大，则其电压放大倍数越大。

22．在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载。

23．在多级放大电路中，前级的输出电阻可视为后级的信号源内阻。

24．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用直接耦合方式。

25．集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路，因此低频性能好。

26．放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；放大器在集成电路中通常采用直接耦合二：选择题1:室温下，本征半导体硅中自由电子和空穴的浓度关系是（ C ）。