微电子工艺基础光刻工艺
光刻的基本流程
光刻的基本流程光刻技术是微电子工艺中的一项重要技术，它在集成电路制造、光学元件制造、微纳米加工等领域都有着广泛的应用。
光刻技术的基本流程包括准备工作、感光胶涂覆、曝光、显影、清洗等步骤。
首先，准备工作是光刻技术中非常重要的一步。
在进行光刻之前，需要对光刻设备进行检查和维护，确保设备的正常运转。
同时，还需要准备好感光胶、掩模板、曝光机、显影液、清洗溶剂等材料和设备。
接下来是感光胶涂覆的步骤。
感光胶是光刻技术中的关键材料，它的质量直接影响到光刻的效果。
在涂覆感光胶时，需要控制涂覆厚度和均匀性，确保感光胶能够均匀地覆盖在基片表面。
然后是曝光步骤。
曝光是将掩模板上的图形投射到感光胶上的过程，通过曝光机将紫外光线照射到感光胶上，使感光胶发生化学反应。
在曝光过程中，需要控制曝光时间和曝光能量，确保感光胶的曝光效果符合要求。
接着是显影步骤。
显影是将曝光后的感光胶进行去除的过程，通过显影液将未曝光部分的感光胶去除，留下曝光部分形成的图形。
在显影过程中，需要控制显影时间和显影温度，确保显影效果符合要求。
最后是清洗步骤。
清洗是将显影后的感光胶残留物进行清除的过程，通过清洗溶剂将感光胶残留物去除，留下清洁的基片表面。
在清洗过程中，需要控制清洗时间和清洗温度，确保清洗效果符合要求。
通过以上几个步骤，光刻技术可以实现对基片表面的精细加工，形成所需的图形和结构。
光刻技术的基本流程虽然看似简单，但其中涉及到许多工艺参数和操作技巧，需要操作人员具备丰富的经验和严谨的工作态度。
总的来说，光刻技术的基本流程包括准备工作、感光胶涂覆、曝光、显影、清洗等步骤，每个步骤都需要严格控制工艺参数，确保光刻的效果符合要求。
光刻技术在微电子工艺中有着重要的应用，它的发展将进一步推动微纳米加工技术的发展，为微纳米器件的制造提供有力支持。
光刻的概念
光刻的概念
光刻是一种用于精密制造微电子芯片的关键工艺。
它是将光源通过掩膜形成的图案，映射在光刻胶层上的过程。
光刻是半导体工艺中最重要的步骤之一，常用于制造芯片、平板显示器和其他微加工领域。
光刻的过程主要包括光源、掩膜、光刻机和光刻胶四个部分。
首先，光源产生高能紫外光，并通过光学系统聚焦到掩膜上。
掩膜是一张玻璃板上刻有芯片设计图案的薄膜，它将设计图案投影到光刻胶层上。
当紫外光通过掩膜时，它会被掩膜上的图案部分阻挡，只有透过空白区域的光能够通过。
这样，光刻胶层上的光敏物质会发生化学反应，使得光刻胶在暴露部分变得溶解性，而未暴露的部分保持不变。
下一步是将光刻胶进行显影，即将光刻胶层中溶解的部分去除，只保留需要的图案。
然后，在光刻胶层的图案上进行材料的蚀刻或沉积，从而形成芯片所需的结构。
最后，去除剩余的光刻胶，留下清晰的图案，完成光刻。
光刻技术的精度和分辨率决定了芯片的制造质量。
目前，随着微电子技术的不断发展，光刻技术也得到了不断的改进。
例如，通过使用更高分辨率的掩膜和更强的光源，可以实现更小的芯片特征尺寸，提高芯片的集成度和性能。
总而言之，光刻是微电子制造中至关重要的工艺，它通过将光源的图案映射到光刻胶层上，实现微芯片的精确加工。
它在信息技术、通信、医疗设备等领域都发挥着重要的作用，并为我们带来了丰富的科技创新与发展。
0.35um光刻工艺
0.35um光刻工艺1. 光刻工艺概述，光刻工艺是微电子制造过程中的一项关键技术，通过将光刻胶涂覆在硅片上，然后使用光刻机将图形投射到光刻胶上，最后通过化学腐蚀等步骤来转移图形到硅片上。
0.35um光刻工艺是指在这个过程中所使用的光刻胶的分辨率为0.35微米。
2. 分辨率，分辨率是光刻工艺中一个重要的指标，它决定了工艺可以实现多细小的结构。
0.35um的分辨率意味着该工艺可以制造出最小线宽为0.35微米的结构。
3. 应用领域，0.35um光刻工艺在微电子制造中有广泛的应用。
它适用于制造一些较为简单的电子元件和集成电路，例如逻辑门电路、存储器等。
虽然在现代微电子制造中，0.35um光刻工艺已经相对较老，但在一些特定的应用领域仍然具有一定的市场需求。
4. 工艺特点，0.35um光刻工艺具有一些特点。
首先，相对于更高分辨率的工艺，0.35um光刻工艺更容易实现，成本相对较低。
其次，0.35um工艺的制造设备和工艺流程已经相对成熟，稳定性较高，可靠性较好。
然而，由于分辨率相对较低，0.35um工艺无法满足现代微电子制造对更高集成度和更小尺寸的要求。
5. 工艺发展趋势，随着科技的不断进步，微电子制造对更高分辨率的需求不断增加。
因此，0.35um光刻工艺已经逐渐被更先进的工艺所取代，例如0.25um、0.18um、0.13um甚至更小的工艺。
这些更高分辨率的工艺可以实现更小尺寸的结构，提高集成度和性能。
综上所述，0.35um光刻工艺是一种用于微电子制造的工艺，它具有一定的应用领域和特点。
然而，随着技术的进步，更高分辨率的工艺已经逐渐取代了0.35um工艺。
希望以上回答能满足你的需求。
微电子制造工艺流程解析
微电子制造工艺流程解析微电子制造工艺流程是指通过一系列的加工步骤，将原材料转化为微小电子器件的过程。
在这个过程中，需要经过晶圆制备、薄膜沉积、光刻、蚀刻、离子注入等关键步骤，以及其他一些辅助性的工艺步骤。
本文将对微电子制造工艺流程进行详细解析。
一、晶圆制备晶圆制备是微电子制造中的第一步，主要是通过硅材料生长来制备晶圆。
晶圆一般使用单晶硅材料，它具有良好的电性能和机械性能，适合作为微电子器件的基底。
在这一步骤中，需要对硅材料进行去杂、融化、再结晶、拉晶等加工过程，最终得到高质量的单晶硅晶圆。
二、薄膜沉积薄膜沉积是微电子制造中的重要步骤，通过在晶圆表面沉积薄膜来控制电子器件的性能和功能。
常用的薄膜沉积技术包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)等。
这些技术可以在晶圆表面沉积各种功能性薄膜，如硅氧化物、金属、半导体等。
三、光刻光刻是一种重要的微电子制造工艺，通过光照和显影的方式，在薄膜表面形成微细的图案。
这个图案将作为后续工艺步骤中蚀刻、离子注入等的参考依据。
光刻通常使用光刻胶来实现，根据需要选择合适的光源和掩膜，通过光刻曝光机进行精确的图案转移。
四、蚀刻蚀刻是一种去除不需要的材料的工艺步骤，通常将薄膜表面的某些区域通过化学或物理方式进行选择性地去除。
常见的蚀刻方式有湿蚀刻和干蚀刻两种。
湿蚀刻使用化学液体进行腐蚀，而干蚀刻则是利用等离子体来实现。
通过蚀刻，可以形成微细的结构，如通道、线路等。
五、离子注入离子注入是一种将外部离子引入器件材料中的工艺步骤。
通过加速器将离子加速到高速，并射入目标材料中，从而改变其电学或物理特性。
离子注入可以用于掺杂、形成pn结、获得特定的电子特性等。
具体的离子注入方式包括浸没注入、离子束注入等。
以上所述的晶圆制备、薄膜沉积、光刻、蚀刻和离子注入等工艺步骤只是微电子制造流程中的一部分，整个流程还包括清洗、测试、封装、探针测试等其他步骤。
每个步骤都需要精细的设备和技术支持，以确保最终制造出的微电子器件具有稳定的性能和可靠的品质。
电子科大微电子工艺(第五章)光刻工艺
Example Viper defect clips
p
Hot Plate
Spin Station
光刻机
Track Robot
Developer dispenser
Hot Plate
Track
思考题： 如果使用了不正确型号的光刻胶进行光刻 会出现什么情况？
5.3 光学光刻
光学光刻是不断缩小芯片特征尺寸的主要限制因 素。 光源 光的能量能满足激活光刻胶，成功实现图形转移 的要求。光刻典型的曝光光源是紫外（UV ultraviolet）光源以及深紫外（DUV）光源、极 紫外（EUV）光源。 1.高压汞灯 2.准分子激光
美国的gca日本的canonnikon及荷兰的asml用较小的透镜尺寸获得较大的曝光场从而获得较大的芯片尺寸扫描过程调节聚焦透镜缺陷硅片平整度变化自动补偿步进扫描光刻机系统工作过程nsr2005i9c型nikon光刻机步进式序号性能参数参数要求分辨率045m焦深07m套刻精度110nm最大曝光面积2020mm曝光光强600mwcmnsr2005i9c型nikon光刻机主要性能指标nsr2005i9c型nikon光刻机光刻关键尺寸sem照片1nsr2005i9c型nikon光刻机光刻关键尺寸sem照片255硅片平坦化cmp减小表面的凹凸度显出边缘的相移层阻挡层1111硅片上光强上电场硅片上电场相移掩膜技术psm光学邻近修正级次衍射级次衍射针孔掩膜投影光学系统wafer离轴照明极紫外光刻技术示意图步进扫描承步进扫描4倍反射投影掩膜版大功率激光靶材料euv等离子多层涂层镜投影掩膜版的14图形真空腔电子束步进扫描静电透镜系统4
平均曝光 干涉增强 强度 过曝光 干涉相消 欠曝光
光刻胶表面
/nPR
衬底表面
微电子工艺的流程
微电子工艺的流程
1. 硅片制备：
从高纯度的多晶硅棒开始，通过切割、研磨和抛光等步骤制成具有一定直径和厚度的单晶硅片（晶圆）。
2. 氧化层生长：
在硅片表面生长一层二氧化硅作为绝缘材料，这通常通过热氧化工艺完成。
3. 光刻：
使用光刻机将设计好的电路图案转移到光刻胶上，通过曝光、显影等步骤形成掩模版上的图形。
4. 蚀刻：
对经过光刻处理的硅片进行干法或湿法蚀刻，去除未被光刻胶覆盖部分的硅或金属层，形成所需的结构。
5. 掺杂：
通过扩散或离子注入技术向硅片中添加特定元素以改变其电学性质，如N型或P型掺杂，形成PN结或晶体管的源极、漏极和栅极。
6. 薄膜沉积：
包括物理气相沉积（PVD，如溅射）和化学气相沉积（CVD），用于在硅片上沉积金属互连、导体、半导体或绝缘介质层。
7. 平坦化：
随着制作过程中的多次薄膜沉积，可能需要进行化学机械平坦化（CMP）处理，确保后续加工时各层间的均匀性。
8. 金属化与互联：
制作金属连线层来连接不同功能区，通常采用铝、铜或其他低电阻金属，并利用过孔实现多层布线之间的电气连接。
9. 封装测试：
完成所有芯片制造步骤后，对裸片进行切割、封装以及质量检测，包括电气性能测试、可靠性测试等。
光刻与刻蚀工艺流程
光刻与刻蚀工艺流程光刻和刻蚀是微电子加工过程中常用的两个工艺步骤。
光刻用于创建芯片上的图案，而刻蚀则用于移除不需要的材料。
以下是光刻和刻蚀的工艺流程。
光刻工艺流程：1.沉积光刻胶：首先，在硅片上沉积一层光刻胶。
这是一个具有高度选择性和可重复性的光敏聚合物材料，能够在曝光过程中改变化学性质。
2.乾燥和前处理：将光刻胶乾燥，然后对其进行前处理，例如去除表面的污垢和残留物。
3.涂布光刻胶：用涂胶机将光刻胶均匀地涂布在硅片的表面。
4.烘烤：将涂覆有光刻胶的硅片进行烘烤，以去除溶剂并使光刻胶层变得坚硬和耐久。
5.对位：将掩模对位仪对准硅片上的光刻胶层，确保光刻胶上的图案与所需的芯片图案完全一致。
6.曝光：通过紫外线照射机将光传递到光刻胶上，使其形成与掩模图案相同的图案。
7.显影：使用显影液处理光刻胶，显影液会将未曝光的部分光刻胶溶解掉，只留下曝光过的部分。
刻蚀工艺流程：1.腐蚀栅极：首先，通过化学腐蚀将栅极区域的金属材料去除，只保留未覆盖的部分，以便后续步骤。
2.沉积绝缘层：然后，在晶圆上沉积一层绝缘层材料，用以隔离电路的不同层次。
3.涂胶和曝光：使用同样的光刻胶工艺，在绝缘层表面涂覆光刻胶，并将掩模对位仪对准绝缘层上的光刻胶层。
4.显影：通过显影液处理光刻胶，保留所需的图案，暴露绝缘层。
5.刻蚀绝缘层：使用化学腐蚀或物理刻蚀技术，将未被光刻胶保护的绝缘层材料去除，使其与下方的层次保持相同的图案。
6.清洗和检验：最后，对晶圆进行清洗，以去除残留的光刻胶和刻蚀剂。
然后，对刻蚀图案进行检验，确保其质量和精确度。
这就是光刻和刻蚀的工艺流程。
通过这些步骤，可以在微电子芯片上创建复杂的电路和结构，以实现功能丰富的科技产品。
微电子工艺的流程
微电子工艺的流程一、工艺步骤1. 材料准备：微电子工艺的第一步是准备好需要的材料，这些材料包括硅片、硼化硅、氧化铝、金属等。
其中，硅片是制造半导体芯片的基本材料，它具有优良的导电性和导热性能，而硼化硅和氧化铝则用于作为绝缘层和保护层。
金属材料则用于连接不同的电路元件。
2. 清洗：在进行下一步的工艺之前，需要对硅片进行清洗，以去除表面的杂质和污垢。
常用的清洗方法包括浸泡在溶剂中、超声波清洗等。
清洗后的硅片表面应平整光滑，以便后续的工艺步骤能够顺利进行。
3. 刻蚀：刻蚀是微电子工艺中的重要步骤，它用于在硅片表面上形成需要的电路图案。
刻蚀一般采用化学法或物理法，化学法包括湿法刻蚀和干法刻蚀，物理法包括离子束刻蚀、反应离子刻蚀等。
刻蚀后，硅片表面将形成不同深度和形状的电路结构。
4. 清洗：刻蚀后的硅片需要再次进行清洗，以去除刻蚀产生的残留物，并保证表面的平整度和清洁度。
清洗一般采用流动水冲洗、超声波清洗等方法。
5. 沉积：沉积是在硅片表面上沉积一层薄膜来形成电路元件或连接线的工艺步骤。
常用的沉积方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、离子束沉积等。
沉积后，硅片表面将形成具有特定性能和功能的导电膜或绝缘膜。
6. 光刻：光刻是将需要的电路图案投射在硅片表面上的工艺步骤。
光刻过程中，先在硅片表面涂上感光胶，然后利用光刻机将光阴影形成在感光胶上，最后用化学溶液溶解感光胶，形成需要的电路结构。
光刻过程需要高精度的设备和技术支持。
7. 离子注入：离子注入是将控制的离子注入硅片表面形成电子器件的重要工艺步骤。
通过控制注入的离子种类、注入能量和注入剂量，可以形成不同性能和功能的电子器件。
离子注入是微电子工艺中的关键技术之一。
8. 清洗和检测：在工艺步骤完成后，硅片需要再次进行清洗和检测，以确保电路结构和性能符合要求。
清洗和检测一般采用高精度的设备和技术支持，包括扫描电子显微镜、原子力显微镜等。
二、工艺参数和设备微电子工艺需要严格控制各种工艺参数，包括温度、压力、流量、时间等。
光刻工艺步骤介绍
光刻工艺步骤介绍光刻工艺是一种重要的微电子制造技术，用于将电子芯片的图案转移至硅片上。
下面我将详细介绍光刻工艺的步骤。
第一步：准备硅片在光刻工艺开始之前，首先需要准备好硅片。
这包括清洗硅片表面以去除任何杂质，并在其表面形成一层薄的光刻胶。
光刻胶一般是由聚合物（如光刻胶），溶剂和添加剂组成的混合物。
第二步：涂覆光刻胶准备好的硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶涂覆在硅片表面。
旋涂机会以高速旋转硅片，使光刻胶均匀地覆盖在整个表面上。
涂覆的光刻胶会在硅片上形成一层均匀的薄膜。
第三步：预烘烤涂覆光刻胶后，硅片需要进行预烘烤。
预烘烤的目的是将光刻胶中的溶剂挥发掉，使光刻胶更加稳定。
预烘烤是在较低的温度下进行的，一般在90-100°C之间。
第四步：对准和曝光在对准和曝光步骤中，使用光刻机将芯片的图案转移到光刻胶层上。
首先，在光刻机的对准系统下，将硅片和图案的掩膜进行对准。
对准系统使用电子束或激光进行确切的对准。
一旦对准完成，光刻机会使用紫外线光源照射光刻胶。
光刻胶的激发使其发生化学反应，形成了曝光图案。
第五步：后烘烤曝光完成后，硅片需要进行后烘烤。
后烘烤的目的是将光刻胶中的曝光图案进行固化，并增强其耐久性。
后烘烤的温度和时间会根据光刻胶的类型和用途而有所不同。
第六步：显影显影是将曝光图案从光刻胶中暴露出来的步骤。
使用化学溶液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，只留下曝光图案。
这一步骤在洗涤机中进行，确保均匀地清洗掉不需要的光刻胶部分。
第七步：清洗显影完成后，硅片需要通过化学溶液进行清洗，以去除任何剩余的光刻胶和杂质。
清洗过程往往需要使用多种溶液和机械清洗的步骤，以确保硅片表面干净。
第八步：测量和检验最后一步是对光刻结果进行测量和检验。
使用显微镜、扫描电子显微镜（SEM）等设备，检查光刻图案是否与设计要求相符。
测量和检验可以帮助确认制造过程中的任何错误或缺陷，以便及时进行修正。
微电子制造工艺技术
微电子制造工艺技术微电子制造工艺技术是指用于制造微电子器件的一系列工艺技术，主要包括光刻、薄膜沉积、离子注入、蚀刻和扩散等步骤。
这些工艺技术在现代电子器件制造中起着至关重要的作用，直接影响着微电子器件的性能和可靠性。
首先，光刻是微电子制造中的关键步骤之一。
它通过使用光刻胶和光刻机等设备，在硅片表面上形成微细的图案。
光刻胶光敏剂的遮蔽能力和图案的精度决定了光刻的质量。
光刻的目标是将芯片上的微米级图案转移到硅片上，以创建集成电路的不同功能区域。
其次，薄膜沉积是微电子制造过程中不可或缺的步骤之一。
它通过在硅片表面上沉积各种材料薄膜，例如金属、氧化物和多晶硅等，来实现各种电子器件所需的结构和功能。
薄膜的质量和厚度均匀性对器件的性能和可靠性起着重要作用。
离子注入是一种常用的微电子制造工艺技术，它用于调节硅片的电学性能。
通过将离子注入硅片，可以改变硅片的电导率和掺杂浓度，从而实现不同类型的电子器件的制造。
离子注入的精度和均匀性是确保器件性能一致性的关键因素。
蚀刻技术在微电子制造中也起着重要作用。
它通过使用蚀刻液将不需要的材料从硅片上去除，以形成所需的结构和图案。
蚀刻的选择性和精度对器件的性能和可靠性有着重要的影响。
最后，扩散是微电子制造中的一种关键工艺技术。
它通过在硅片表面扩散掺杂物，例如硼和磷等，来改变硅片的导电性能。
扩散的时间和温度控制非常重要，以确保所得到的电子器件具有一致的性能。
总结起来，微电子制造工艺技术是实现集成电路制造的基础。
它们的精度、均匀性和可重复性对微电子器件的性能和可靠性具有重要影响。
随着微电子技术的不断发展，对工艺技术的要求也越来越高。
因此，不断改进和创新微电子制造工艺技术，提高制造效率和器件性能，是当前微电子制造领域面临的重要挑战。
光刻基本流程
光刻基本流程一、概述光刻技术是半导体工业中最基本的制造工艺之一，也是微电子工业中最为重要的制造工艺之一。
光刻技术是利用高能量紫外线或电子束将芯片上的图案投影到硅片上，形成微米级别的芯片结构。
光刻技术在现代半导体工业中扮演着至关重要的角色。
二、准备工作在进行光刻之前，需要进行准备工作。
具体步骤如下：1. 准备硅片：首先需要将硅片清洗干净，并进行表面处理，以便于后续步骤的进行。
2. 制作掩膜：掩膜是用来将芯片上的图案投影到硅片上的关键部件，因此需要精确制作。
掩膜可以使用光刻机器制作或者购买现成的。
3. 准备光刻胶：在硅片表面涂覆一层光刻胶，然后通过曝光和显影等过程形成芯片结构。
因此，在进行光刻之前需要准备好适合自己需求的光刻胶。
三、曝光曝光是整个光刻过程中最关键的步骤之一。
曝光的具体步骤如下：1. 将硅片放置在光刻机器中，并将掩膜放置在硅片上。
2. 打开光源，照射到掩膜上，通过掩膜上的图案将光线投影到硅片表面。
3. 硅片表面涂覆的光刻胶会因为受到光线的影响而发生化学反应，形成一个芯片结构。
四、显影显影是将曝光后的芯片结构从硅片表面剥离出来的过程。
显影的具体步骤如下：1. 将曝光后的硅片放入显影液中，使得未被曝光过的部分被溶解掉，而曝光过的部分则保留下来。
2. 将硅片从显影液中取出，并进行清洗和干燥等处理，以便于后续步骤进行。
五、刻蚀刻蚀是将芯片结构从硅片表面转移到芯片材料内部的过程。
刻蚀分为干法和湿法两种方法。
其中湿法刻蚀主要用于玻璃等非晶体材料，而干法刻蚀则主要用于硅片等晶体材料。
1. 干法刻蚀：将硅片放入刻蚀机器中，通过高能量粒子或化学反应等方式将芯片结构从表面转移到材料内部。
2. 湿法刻蚀：将硅片放入湿法刻蚀液中，使得芯片结构从表面转移到材料内部。
六、清洗和检测最后一步是清洗和检测。
在进行清洗之前需要对芯片进行检测，以确保芯片的质量符合要求。
具体步骤如下：1. 将芯片进行清洗和干燥等处理，以便于后续步骤的进行。
MEMS工艺-光刻技术
控制尺寸和形状
通过调整光刻参数，如波长、曝光时 间和焦距等，可以精确控制微结构的 尺寸和形状，以满足MEMS器件的性 能要求。
光刻技术能够将设计好的微结构高精 度地复制到光敏材料上，确保批量生 产的稳定性和一致性。
光刻技术在mems工艺中的优势
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高精度
光刻技术能够实现高精度 的微结构复制，有利于提 高MEMS器件的性能和稳 定性。
重要性
光刻技术是微电子制造中的关键环节，其精度和效率直接决定了集成电路或 MEMS器件的性能和成本。随着MEMS器件尺寸的不断减小，光刻技术的重要 性越来越突出。
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mems工艺简介
mems工艺的定义和特点
定义
MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）工艺是一种制造微小机械和电子系 统的技术，其尺寸通常在微米或纳米级别。
电子束光刻技术
电子束光刻技术具有极高的空间分辨 率和制程能力，能够制造出高精度的 微结构，但制程效率相对较低。
mems工艺中的光刻技术发展趋势
极紫外光刻技术
极紫外光刻技术具有更高的分辨率和制程能力，是下一代 光刻技术的发展方向之一，将为MEMS工艺带来更大的 发展空间。
纳米压印光刻技术
纳米压印光刻技术是一种新型的光刻技术，具有较高的制 程效率和较低的成本，是未来MEMS工艺中制造高精度 微结构的重要手段之一。
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光刻技术的不断进步将推动 MEMS工艺的发展，实现更高精 度、更高性能的MEMS器件制造。
随着人工智能、物联网等新兴领 域的发展，MEMS器件的应用需 求将不断增长，光刻技术将发挥 更加重要的作用。
光刻技术的未来发展将更加注重 环保和可持续发展，推动绿色制 造的进程。
微电子工艺流程
微电子工艺流程1. 概述微电子工艺是处理微尺寸的电子器件的制造过程，它涉及到一系列精细的工艺步骤。
在本文档中，我们将介绍微电子工艺的基本流程，包括光刻、沉积、腐蚀、离子注入等关键步骤。
了解微电子工艺流程的基本原理和步骤对于微电子设备的制造和理解至关重要。
2. 光刻光刻是微电子工艺中的关键步骤之一，用于在半导体材料上定义图案和结构。
下面是光刻的基本流程：1.准备基片：首先，选择合适的半导体材料作为基片，并进行清洗和处理，以确保表面的纯洁度和平坦度。
2.胶涂覆：将光刻胶涂覆在基片表面上，利用旋涂机或涂覆机来均匀地涂布光刻胶。
3.预烘烤：将涂覆了光刻胶的基片放入烘箱中进行预烘烤，以去除胶液中的溶剂和气泡。
4.对准与曝光：使用光刻机将掩膜对准和曝光到光刻胶表面，通过可见光或紫外光刺激光刻胶，形成所需图案。
5.显影：将曝光后的光刻胶基片浸泡在显影液中，显影液会将未曝光部分的光刻胶溶解掉，形成所需的图案。
6.后烘烤：将显影后的光刻胶基片进行后烘烤，以去除残留的显影液和增强光刻胶的附着力。
7.清洗：使用溶剂将光刻胶残留物彻底清洗干净，以保证基片表面的纯净度。
3. 沉积沉积是微电子工艺中另一个重要的步骤，用于在基片上沉积薄膜材料。
以下是典型的沉积过程：1.基片准备：与光刻类似，首先需要准备基片，并确保表面的平整度和清洁度。
2.选择沉积方法：根据需要沉积的材料和要求，选择合适的沉积方法，包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等。
3.沉积薄膜：将基片放入沉积室中，并通过提供适当的气体或蒸发源来沉积所需的薄膜材料。
4.监控和控制：在沉积过程中，通过监控和调整沉积速率、温度和气体浓度等参数，以确保薄膜的质量和厚度符合要求。
5.结束和清洗：当沉积达到预定的厚度后，停止供气或蒸发，将基片取出并清洗，以去除表面的残留物。
4. 腐蚀腐蚀是微电子工艺中的一种重要的加工方法，用于去除或改变薄膜或基片的部分区域。
以下是典型的腐蚀流程：1.基片准备：与前面的过程类似，准备基片并确保表面的清洁和平整。
光刻工艺流程
光刻工艺流程光刻工艺流程是制备微电子器件的关键步骤之一，它的主要目的是通过光照和化学腐蚀的方法在硅片表面形成所需的图形，从而制造出微小而精确的电子元件。
下面是一个典型的光刻工艺流程示例。
1. 硅片准备：在光刻工艺开始前，首先需要对硅片进行准备。
这包括清洗硅片表面，去除上面的杂质和残留物，并确保硅片表面光滑和干净。
2. 底部防反射涂层（BARC）涂覆：为了减少光的反射和增强图案的对比度，需要在硅片表面涂覆一层BARC。
这层涂层通常是一种光阻材料，可以有效地防止光的反射。
3. 光刻胶涂覆：在硅片表面涂覆一层光刻胶，光刻胶是一种特殊的聚合物材料，它可以在光照后发生化学反应，并形成所需的图案。
4. 预烘烤：为了去除光刻胶中的溶剂和使其固化，需要将硅片进行预烘烤。
这个步骤通常在约100摄氏度的温度下进行。
5. 光刻胶暴光：使用光刻机器将硅片表面的光刻胶进行曝光。
光刻机器通过照射光的特定波长和强度，实现对光刻胶的化学反应。
6. 显影：在曝光后，需要将硅片进行显影，即将未暴露到光的区域的光刻胶去除。
通常使用化学溶液来实现显影，溶剂的选择会根据光刻胶的化学性质进行调整。
7. 后烘烤：在显影后，需要将硅片进行后烘烤，以去除残存的光刻胶，并使得图案更加精确。
后烘烤的温度和时间根据光刻胶的要求进行调整。
8. 金属蒸镀：在完成光刻后，通常需要对硅片表面进行金属蒸镀。
金属蒸镀是将金属材料蒸发到硅片表面，以形成所需的电子元件。
9. 后处理：最后，需要对完成的硅片进行后处理。
这包括去除任何残留的脏污和残留物，清洗硅片表面，并对器件进行测试和检验。
以上是一个典型的光刻工艺流程示例。
实际的光刻工艺会因器件的具体要求和工艺的不同而有所不同。
然而，这个示例提供了一个基本的框架，描述了光刻工艺的一般步骤。
光刻工艺是制备微电子器件的关键步骤之一，对于微电子工业和科研领域都具有重要的意义。
光刻工艺步骤介绍
光刻工艺步骤介绍光刻工艺是半导体工艺中关键的步骤之一，它用于制造各种微细结构，如晶体管、光栅、电容或电阻等。
光刻工艺具有高分辨率、高精度和高可重复性的特点，被广泛应用于微电子、光电子、光伏等领域。
下面将对光刻工艺的步骤进行详细介绍。
1.掩膜设计：在光刻工艺中，需要首先进行掩膜设计。
掩膜是一种光刻胶的图形模板，确定了最终要形成的微细结构的形状和位置。
掩膜设计常用计算机辅助设计软件进行，设计完成后生成掩膜模板。
2.光刻胶涂覆：在光刻工艺中，需要将光刻胶均匀涂覆在待制作器件表面，这是为了保护器件表面免受光刻过程中的腐蚀或损伤。
涂覆一般使用旋涂机或喷涂机进行，确保光刻胶均匀薄膜的形成。
3.预烘烤：涂覆光刻胶后，需要进行烘烤步骤来消除光刻胶中的溶剂，使光刻胶能够形成均匀的薄膜层。
预烘烤也有助于增加光刻胶的附着力和稳定性，并使其更容易与待制作器件表面结合。
4.曝光：曝光是光刻工艺的核心步骤，也是形成微细结构的关键。
在曝光过程中，掩膜模板被置于光源下，通过透过模板的局部区域将光刻胶暴露于紫外线或可见光源。
光刻胶对光线的敏感性使其在接受曝光后发生化学或物理变化，形成暴光区域。
曝光完毕后，去除掩膜模板。
5.显影：显影是指将曝光后的光刻胶通过溶液处理，使其在暴露区域溶解去除，形成所需的微细结构。
显影液对未曝光区域没有任何溶解作用，所以它只会溶解曝光区域中的光刻胶。
显影的时间和温度需要根据光刻胶的特性和所需结构来进行控制。
6.后烘烤：显影后的光刻胶需要进行后烘烤，以固化和增加其机械强度。
后烘烤可以通过烤箱、烘干机或者其他热源进行。
在烘干的过程中，通过将温度升高，光刻胶中的溶剂会完全挥发并交联，形成具有所需形状和特性的微细结构。
7.检查和测量：制作微细结构后，需要对其进行检查和测量，以确保其满足设计规格。
常见的检查和测量方法有光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜等，这些设备可以对微细结构的尺寸、形状和位置等进行分析和评估。
微电子制造中的先进工艺技术研究
微电子制造中的先进工艺技术研究一、引言微电子制造技术是当今信息科学技术中最为重要的技术之一。
微电子制造中的先进工艺技术是保持微电子制造技术先进性的关键。
本文将介绍微电子制造中的先进工艺技术研究进展。
二、光刻工艺光刻是微电子制造中最为关键的工艺之一，在微电子产品制造中具有至关重要的作用。
对于高性能微处理器等微型芯片的制造，要求相当高的精度和高分辨率，这就需要采用高级光刻工艺。
当前，先进光刻工艺的研究已经达到了一定程度，采用的是超光刻技术，可以实现更高分辨率。
另外，沉积不同材料的复杂技术，也成为了目前研究热点。
三、离子注入工艺离子注入工艺是微电子制造过程中的另一项重要的技术，通过离子注入的方式将材料输送到电子器件的表面，可以改变其物理特性。
离子注入等物理过程的改进可以提高电子器件的性能。
离子注入技术的不断创新和改进，对于制造微型芯片具有重要意义。
四、化学气相沉积工艺化学气相沉积工艺是微电子制造过程中用于沉积薄膜的关键技术之一。
在此过程中，利用一种或多种反应物质与基片表面反应产生一定的反应物从气相中得到沉积，以此生长出所需的薄膜。
这个工艺对微型芯片的工艺性能及制造厂家的竞争力是十分重要的。
当前，化学气相沉积技术已经取得了巨大的发展。
五、电子束光刻技术电子束光刻技术是近年来情形极为火爆的一个研究方向。
这项技术是基于电子束控制的原理，在微键制造中是非常关键的技术。
电子束光刻技术可以大幅度提高微型芯片电路的精度。
但是，电子束光刻技术的瓶颈在于限制它的高价格以及技术成熟度不足的情况。
六、热处理技术热处理技术在微电子制造过程中也是至关重要的，因为它可以改变微型芯片器件的电学性能区等特性。
热处理过程主要包括两个部分：一个是分析器热处理，包括：氧化、退火、硅化；另外一个是化学气相沉积。
热处理技术可以改变器件的物理、化学基本特性，从而更好的保证了微型芯片电路的性能。
七、总结本文主要介绍了微电子制造中的先进工艺技术研究进展。
光刻技术流程
光刻技术流程光刻技术是现代微电子制造中一项重要的工艺技术，用于将电路图案转移到硅片上。
它是一种光学投影技术，通过使用光源和掩模来实现图案的精细转移。
光刻技术流程包括光刻胶涂覆、烘烤预处理、曝光显影、清洗和检查等步骤。
一、光刻胶涂覆光刻胶涂覆是光刻技术流程的第一步，其目的是将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
首先，将硅片放置在涂覆机的台面上，并将光刻胶倒入涂覆机的涂覆盆中。
然后，涂覆机会将光刻胶从涂覆盆中吸取并均匀涂覆在硅片上。
涂覆完成后，硅片会经过旋转以除去多余的光刻胶。
最后，硅片会被放置在烘烤机中进行烘烤预处理。
二、烘烤预处理烘烤预处理是为了使涂覆在硅片上的光刻胶变得更加坚硬和稳定。
在烘烤过程中，硅片会被放置在烘烤机中，加热一段时间。
烘烤的温度和时间根据所使用的光刻胶的特性而定。
烘烤后，光刻胶会形成一层坚硬的薄膜，以便进行下一步的曝光显影。
三、曝光显影曝光显影是光刻技术流程中的核心步骤，通过使用光源和掩模将电路图案转移到硅片上。
首先，将硅片放置在曝光机的台面上，并将掩模放置在硅片上方。
然后，通过控制曝光机的光源，将光照射到掩模上，形成一个投影的图案。
光线通过掩模的透明部分照射到光刻胶上，使其发生化学反应。
曝光完成后，硅片会被放置在显影机中进行显影。
显影过程中，使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，暴露出硅片表面。
显影液的成分和浓度根据光刻胶的特性而定。
显影时间也需要根据所需的图案精度进行控制。
显影完成后，硅片会被清洗以去除残留的显影液。
四、清洗和检查清洗是为了去除硅片表面的污染物和残留的光刻胶。
清洗过程中，硅片会被浸泡在一系列的清洗液中，以去除表面的污染物。
清洗液的成分和浓度根据具体的清洗要求而定。
清洗后，硅片会被烘干以去除水分。
硅片会经过检查以确保图案转移的质量。
检查会使用显微镜或其他检测设备来观察图案的清晰度和精度。
如果发现问题，需要进行修复或重新进行光刻。
光刻技术流程包括光刻胶涂覆、烘烤预处理、曝光显影、清洗和检查等步骤。
简述光刻工艺的基本流程
简述光刻工艺的基本流程光刻工艺是一种制造微电子器件的关键工艺，其基本流程包括掩膜制备、光刻涂覆、曝光、显影和清洗等步骤。
首先，掩膜制备是光刻工艺的第一步。
在制造出所需的电路图之后，需要将电路图转换成光刻掩膜。
掩膜通常由二氧化硅或是金属等材料制成，这些材料对光的反应特性和刻蚀性能有相对明显的区别。
其次，将制作好的掩膜安装在光刻装置上，并进行光刻涂覆。
光刻涂覆是将光刻胶涂覆在待加工的衬底上的过程。
首先清洗待加工衬底的表面，然后将光刻胶倒入光刻涂覆装置中，并通过旋转或舀取的方式将光刻胶均匀覆盖在衬底上。
光刻胶的厚度和涂覆的均匀性对于后续的曝光质量有着至关重要的影响。
接下来是曝光过程。
将光刻装置调整至曝光模式，控制所需的光刻图形，然后通过光刻装置的曝光光源对光刻胶进行照射。
曝光过程中，光刻胶受到光子能量的激发，产生化学或物理反应。
在曝光过程中，掩膜上的图形通过光刻胶转移到光刻胶层上，形成曝光图形。
曝光的目的是通过光照射将掩膜上的图形转移到光刻胶层上，形成被曝光部分和未被曝光部分。
曝光后，进行显影处理。
显影是将不固化的光刻胶溶解并去除的过程。
使用显影液对已曝光部分的光刻胶进行溶解处理，而未曝光部分的光刻胶不受影响。
显影的目的是去除不需要的光刻胶层，暴露出需要加工的衬底表面。
显影处理后，可形成所需的光刻图形，准备进行下一步的加工。
最后，进行清洗和质检。
清洗是将显影后的衬底进行清洗，去除残留的光刻胶和显影液等杂质。
清洗后的衬底需要经过严格的质检，检查光刻图形是否与预期相一致，以及是否存在缺陷或错误等问题。
如果质检通过，则可进行下一步的加工步骤；如果存在问题，则需要返回到适当的步骤进行修正。
总结来说，光刻工艺的基本流程是：掩膜制备、光刻涂覆、曝光、显影和清洗。
这一系列的步骤使得光刻工艺能够将所需的图形转移到光刻胶层上，从而实现微电子器件的制造。
光刻工艺的流程和工艺参数的选择对于制造高质量的微电子器件至关重要，因此需要在实践中进行不断探索和改进。
光刻工艺流程
光刻工艺流程光刻工艺是指利用光刻胶和光刻机将电子设计图案转移到硅片上的一种微细制造工艺。
光刻工艺被广泛应用于集成电路制造、微电子器件制造等领域。
下面将介绍一个典型的光刻工艺流程。
光刻工艺流程主要包括：准备硅片、涂覆光刻胶、暴光、显影、蚀刻和去胶等环节。
首先，准备硅片。
硅片是光刻工艺的基础，通常是由高纯度单晶硅制成的圆片。
在制造过程中，硅片需要经过酸洗、去菌、去胶等处理，确保表面的洁净和平整。
其次，涂覆光刻胶。
光刻胶是一种覆盖在硅片表面的敏感树脂。
通过旋涂机将光刻胶均匀涂覆在硅片表面，形成一层均匀的光刻胶膜。
然后，进行暴光。
将经过电子设计的掩膜放置在光刻机上，与硅片上的光刻胶膜对齐。
然后，利用紫外光源照射在掩膜上，通过透过掩膜上的光刻图案的部分，将光刻胶进行曝光。
在曝光后，光刻胶会发生化学变化，形成暴光区域和未暴光区域。
接下来，进行显影。
显影是将暴光后的光刻胶膜中的未暴光部分溶解掉，以显示出图案。
将硅片放置在显影液中，未暴光的光刻胶会溶解掉，暴光的光刻胶会保留下来。
经过显影后，图案的形状和尺寸就会出现在光刻胶膜上。
然后，进行蚀刻。
蚀刻是将暴光后的光刻胶膜作为掩膜，将硅片表面不需要的部分进行刻蚀。
通过将硅片置于蚀刻液中，蚀刻液会将暴露在外的硅片进行化学反应，使其被蚀刻掉。
而由于光刻胶的保护，光刻胶下方的硅片不会被蚀刻。
最后，去除光刻胶。
在蚀刻后，需要将光刻胶膜从硅片上去掉。
通过化学方法或机械方法去除光刻胶。
去除光刻胶后，就得到了一个具有预定图案的硅片。
整个光刻工艺流程中，每一步都十分关键，需要严格控制各个参数。
例如，在涂覆光刻胶时，需要确保涂覆的厚度均匀；在暴光时，需要保证掩膜与硅片的对位精度；在蚀刻过程中，需要控制蚀刻液的浓度和蚀刻时间等。
总之，光刻工艺是一项十分复杂且精细的微细制造工艺，它在集成电路制造、微电子器件制造等领域发挥着重要的作用。
通过严格控制每个步骤，可以获得高精度和高质量的微细图案。
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微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 1、光刻胶的组成、分类
（2）光刻胶的组成
光刻胶里面有4种基本成分：（参见教材P135）
① 聚合物 ② 溶剂 ③ 光敏剂 ④ 添加剂
光刻胶中对光和能量敏感的物质； 其作用是使胶具有一定的粘度，能均匀涂覆； 有时也称为增感剂； 达到特定效果；
微电子工业基础
第8章光刻工艺
一、概述 2、光刻的目的
光刻的目的就是：在介质薄膜（二氧化硅、氮化 硅、多晶硅等）、金属薄膜或金属合金薄膜上面 刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现 选择性扩散和金属薄膜布线的目的。
微电子工业基础
第8章光刻工艺
一、概述 3、光刻的目标（教材P130最上部分）
（1）尽可能接近特征图形尺寸。 （2）在晶圆表面正确定位图形（称为 Alignment或者Registration），包括套刻准 确。
第8章 光刻工艺
微电子工艺基础
第8章 光刻工艺
本章目标：
1、熟悉光刻工艺的流程 2、能够区别正胶和负胶 3、了解对准和曝光的光学方法 4、解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点
微电子工业基础
第8章 光刻工艺
一、概述 二、光刻胶 三、曝光、显影阶段 四、刻蚀、去胶阶段
微电子工业基础
第8章 光刻工艺
微电子工艺基础
实验室匀胶机
微电子工艺基础
光刻胶旋涂机
EBR: Edge bead removal边缘修复
微电子工艺基础
硅片自动输送轨道系统；真空卡盘吸住硅片；胶盘 排气系统；可控旋转马达；给胶管和给胶泵 边缘清洗（去边）
微电子工艺基础
滴胶
微电子工艺基础
光刻胶吸回
微电子工艺基础
光刻胶旋涂
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶
4、对准和曝光 （4）曝光方法
① 光学曝光 A：接触式（教材P156）
接触式曝光需要人工在显 微镜下观察和套准图形并 使硅片与掩膜版紧贴，光 刻精度受到光学和机械系 统以及操作者的熟练程度 的限制。
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 4、对准和曝光 （4）曝光方法
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、光刻胶的参数
（1）感光度 用于表征光刻胶感光性能的。
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第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、光刻胶的参数
（2）分辨率 指用某种光刻胶光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。 它是表征光刻精度或清晰度能力的标志之一。 分辨率通常以每毫米内能刻蚀出可分辨的最多线条数目 来表示。 通常正胶的分辨率高于负胶。
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第8章光刻工艺
二、光刻胶
4、对准和曝光 （2）对准
对准原则： （教材P155最下面）
①第一个掩膜版的对准是把 掩膜版上的y轴与晶圆上的平 边成90度放置； ②后续的掩膜版都用对准标 记与上一层带有图形的掩膜 对准。
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 4、对准和曝光 （2）对准
对准误差： （教材P155最下面） ① X或Y方向的平移； ② 转动
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第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、光刻胶的参数
（5）针孔密度 单位面积上针孔数目称为针孔密度。光刻胶膜上的 针孔在刻蚀过程中会传递到衬底上，危害极大。 光刻胶层越薄，针孔越多，但太厚了又降低光刻胶的 分辨率。
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、光刻胶的参数
（6）留膜率 留膜率是指曝光显影后的非溶性胶膜厚度与曝光前 的胶膜厚度之比。 刻蚀时起掩蔽作用的是显影后非溶性的胶膜，所以希 望光刻胶的留膜率越高越好。
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、光刻胶的参数
（3）抗蚀性
在湿法刻蚀中，要求光刻胶能较长时间的经受酸、碱的浸蚀； 在干法刻蚀中，要求光刻胶能较长时间的经受等离子体的作用。
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、光刻胶的参数
（4）粘附性 光刻胶与衬底（二氧化硅、金属等）之间粘附的牢 固程度直接影响到光刻的质量。
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶
5、X-射线抗蚀剂
在电子抗蚀剂如PMMA中加入铯、铊等，能增加抗蚀 剂对X-射线的吸收能力，可以使之作为X-射线抗蚀剂 。
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第8章 光刻工艺
三、曝光、显影阶段
1、表面准备 2、涂光刻胶 3、前烘 4、对准和曝光 5、显影
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第8章 光刻工艺
一、概述
1、光刻的定义 2、光刻的目的 3、光刻的目标 4、光刻工艺步骤概述
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第8章光刻工艺
一、概述 1、光刻的定义
光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄 膜上制备图形的精密表面工艺技术。 英 文 术 语 是 Photolithography( 照 相 平 板 ) ， Photomasking（光掩模）等。
第8章光刻工艺
二、光刻胶
4、对准和曝光 （4）曝光方法
参见教材P154图8.43
① 光学曝光 A：接触式 B：接近式 C：投影式 D：步进式
② 非光学曝光 A：电子束 B：X射线
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶
4、对准和曝光 （4）曝光方法
由于衍射极限的限制，在超大规模集成电路的生产上 光学光刻已逐渐被电子束光刻，X-射线光刻等新技术 代替。但是光学光刻在对分辨率要求不高的器件和电 路上仍被普遍采用。
① 光学曝光 A：接触式（教材P156）
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶
3、正胶、负胶的比较（*）
正胶
负胶
①
不易氧化
易氧化而使光刻胶膜变薄
②
成本高
成本低
③ 图形边缘整齐、陡直，无溶胀现象
易吸收显影液而溶涨
④
分辨率更高
⑤
去胶较容易
⑥
抗蚀性强于正胶
微电子工业基础
微电子工艺基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶
4、电子抗蚀剂
正性抗蚀剂
在电子束辐射下发生胶联反应，由于
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 1、光刻胶的组成、分类
光刻时接受图像的介质称为光刻胶，以光刻胶构成的 图形作为掩膜对薄膜进行腐蚀，图形就转移到晶片表 面的薄膜上了，所以也将光刻胶称为抗蚀剂。 （1）光刻胶的分类 ① 根据曝光源和用途 A. 光学光刻胶（主要是紫外线）
B. 电子抗蚀剂 C. X-射线抗蚀剂
微电子工艺基础
预烘和底胶蒸气涂覆
微电子工艺基础
脱水烘培
第8章光刻工艺
二、光刻胶
4、对准和曝光 （1）概述
对准和曝光(A&E)： （教材P153最下） ① 把所需图形在晶圆表面上定位或对准 ② 通过曝光灯或其他辐射源将图形转移到光刻胶涂层上 光刻胶是光刻工艺的材料核心 A&E则是光刻工艺的设备核心。
微电子工业基础
第8章光刻工艺
一、概述 4、光刻工艺步骤概述（**）
（1）图形转移的两个阶段 ② 图形从光刻胶层转移到晶圆层
微电子工业基础
4、光刻工艺步骤概述（**） （2）十步法
第8章 光刻工艺
一、概述
微电子工业基础
第8章 光刻工艺
二、光刻胶
1、光刻胶的组成、分类 2、光刻胶的参数 3、正负胶比较 4、电子抗蚀剂 5、X-射线抗蚀剂
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 1、光刻胶的组成、分类
（3）正胶
当前常用的正胶由以下物质组成的：酚醛树脂、光敏剂 邻 重 氮 醌 和 溶 剂 二 甲 氧 基 乙 醛 等 。 响 应 波 长 330430nm，胶膜厚1-3μm，显影液是氢氧化钠等碱性物 质。曝光的光刻胶光分解后易溶于显影液，未曝光的胶 膜难溶于碱性显影液。
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 3、正、负胶的比较
（1）正、负胶和掩膜版极性的结合（参见教材P131和P132）
掩模板的 图形是由 不透光的 区域决定
的
在掩膜板上 的图形是用 相反的方式 微电子编工码业的基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 3、正、负胶的比较
（2）负胶
负胶大多数由长链高分子有机物组成。 例如：由顺聚异戊二烯、对辐照敏感的交联剂以及溶剂组成的 负胶，响应波长330-430nm，胶膜厚度0.3-1μm，显影液是 有机溶剂如二甲苯等。曝光的顺聚异戊二烯在交联剂作用下交 联，成为体形高分子并固化，不再溶于有机溶剂构成的显影液， 而未曝光的长链高分子溶于显影液，显影时被去掉。
微电子工艺基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、涂光刻胶
要求： ① 胶膜均匀（均匀性达到正负0.01微米的误差） ② 达到预期的厚度 ③ 与衬底薄膜粘附性好 ④ 无灰尘和夹杂物 ⑤ 使用黄光或红光照明，防止光刻胶失效
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、涂光刻胶
（1）静态涂胶工艺
在光刻胶被分散开之后，高速旋转还要持续一段时间以便使 光刻胶干燥。
三、曝光显影阶段 1、表面准备
（1）微粒清除 （2）保持衬底表面的憎水性（P144最下部分）
① 室内湿度保持在50%以下，并尽可能快地进行光刻 ② 把晶圆存储在干净的氮气净化过的干燥器 ③ 采用HF结尾的清洗工艺 ④ 脱水烘培 ⑤ 涂底胶（六甲基乙硅烷HMDS）（沉浸式或旋转式）
微电子工业基础
Wafer Clean Process（新方法）
微电子工艺基础
Photoresist Spin Coating
微电子工艺基础
Photoresist Spin Coating