分压式偏置放大电路

（7-16）
而由图可知，将电路中短接，负载开路后，受控源电流 为零，相当于开路，则有
Ro= Rc
由上可知，输出电阻与未加分压偏置时一样。
电工电子技术
接Re，使达到自动稳定静态工作点的目的，如图7.8所示为基
极分压式偏置放大电路，又称射极偏置放大电路。就是利用
Rb1和Rb2的分压作用来固定基极电位UB，从而稳定静态工作点。
VCC
I1
(+12V)
Rb1
Rc
C2
c
C1
IB
IC
b I2
T
e
I E I B I C uo
RL 4KΩ
ui
Rb2
Re
Ce
图7.8 基极分压式偏置放大电路
其稳定过程如图7.9所示：
β
ToC
ICBO
IC
IE
VE
VB恒定 UBE（UB-UE）
UBE IC
Re的接入 IB
由于Re的存在，使ui不能全加在be两端，造成了电压放大 倍数下降。解决的方法是，在Re旁边并联一个大电容Ce——旁
路电容，从交流通路看，它接近短路，而不对静态工作点产生
RL'
•
Au
•
Uo
•
Ui
•
Ib
•
Ib
RL'
•
rbe (1 )Ib Re
rbe
RL' (1 )Re
••
•
•
•
Ui Ib rbe Ie Re Ib rbe (1 )Ib Re
（7-14）
上式与式（7-8）相比分母增加了一项（1+β）Re。Re的
接入，使放大倍数减小了许多。而前面所讲的并联旁路电容
要求输入电阻Ri，需先计算Ri＇
Ri' rbe (1 )Re
Ri Ri' // Rb1 // Rb2 [rbe (1 )Re]// Rb （7-15）
式中，Ｒb = Rb1 // Rb2 ,由该式可见,接入Re后输入电阻增 大了。
若Re并接了旁路电容Ce ，则
Ri rbe // Rb1 // Rb2 rbe // Rb
2.动态分析
利用基极分压式偏置放大电路的小信号模型电路如图
7.10所示进行分析。
•
I i
•
I
b
b
T
rbe
•
U i
Rb1
Rb2
e
Re
•
I
来自百度文库
c
c
•
βI b
Rc
•
I e
•
U o RL
Ri
Ri＇
Ro
图7.10 基极分压式偏置放大电路的小信号模型电路
由图可得
•
Uo
•
Ic(Rc
//
RL )
•
Ic
RL'
•
Ib
以图7.7（a）所示的共射极放大电路为例，分析温度对 晶体管参数的影响：
（1）当温度升高时，基极门限电压UBE减小。由电路的输入 回路VCC = IBRb + UBE可知, UBE下降，IB增大，因而IC增加。
（2）当温度升高时，电流放大系数β增大，即IC增加。
（3）当温度升高时，ICEO增大，IC增加。
的方法可在交流时使Re被短接，此时的电压放大倍数公式就
和式（7-8）完全相同，即放大倍数没有减小。
由于（1+β）Re » rbe ，且β » 1，所以有
•
Au
rbe
RL' (1 )Re
RL' (1 )Re
RL' Re
RL' Re
由上式可知，管子的放大系数β和温度的变化对Au无多大
影响，这种电路性能较稳定且对维修更换管子较为方便。
电工电子技术
分压式偏置放大电路
1.1 分压式偏置放大电路的组成
一个放大电路的性能与静态工作点Q的位置有着十分密切 的关系，而静态工作点是由晶体管参数和放大器偏置电路共同 决定的。晶体管是一个对温度非常敏感的器件，当环境温度改 变时，其参数会随之改变。这样，放大器的静态工作点将发生 变化，从而引起性能发生改变。因此，晶体管电路的温度稳定 性，是必须重视的问题。
综上所述，ICBO、β、UBE随温度升高的结果，都集中表现 在静态电流IC增加。如果在温度变化时，能设法使IC近似维
持恒定，就可解决问题。
针对ICBO的影响，设法使基极电流 IB 随温度的升高而自动 减小，可对基极电压采用固定分压式；针对UBE的影响，设法
使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小，可在发射极加
影响。
1.2 分压式偏置放大电路的分析
1.静态分析
估算基极分压式偏置放大电路的静态工作点应从计算
UB入手。在直流通路中有
UB
Rb 2 Rb1 Rb2
VCC
（7-11）
且
IC
IE
UB
U BE Re
UB Re
（7-12）
UCE VCC IC Rc I E Re VCC IC(Rc Re ) （7-13）