蚀刻液稳定性的研究
不锈钢蚀刻速率影响因素研究
构复 杂的一些 元件 ， 如微 型热交 换器 、 微型气 体反应
器等 。 由于 金属薄 片加工 是金 属迭 片技术 的一个重
主要 仪 器 ： 磁力 搅拌 器 、 温水 浴 槽 、 密 电 子 恒 精
天平 、 吹风机 。
要 环节 。 目前 ， 其加 工方 法有很 多 ， 电火花 、 如 激光 、
ｃ ｅ ｓ ｄ ｗｉ ｔ ｎ ｒ ａ ｅ ｏ Ｃ１ ｎ ｒ ａ ｅ ｔ ｈｅ ｉ ｃ ｅ ｓ ｆＦｅ ３ａ ｄ ＨＮＯ３ｃ ｎ ｅ ｔａ ｉｎ ｓｗｅｌａ ｈ ｅ ｅ ａ ｕ ｅ ｈ ｏ ｃ ｎ ｒｔｏ ｓａ ｌ ｔ ｅ ｔｍｐ ｒ ｔ ｒ ．Ｈｏ ｖ ｒ，ｆ ｒｔ ｅ ｓ ｗｅ ｅ ｏ ｈ ｃ ｓ ｆＨＣ１ ｈｅ ｅｃ ｎ ａｅ ｉ ｃ ｅ ｓ ｄ ａ ｒｔａ ｄ ｔ ｅ ｅ ｒ ａ ｅ ｔ ｈ ｎ ｒ ａ ｅ ｏ ｈ ｏ ｃ ｎｒ ｔｏ ａ ｅｏ ，ｔ ｔｈｉｇ ｒ ｔ ｎ ｒ ａ ｅ ｔｆｓ ｎ ｈ ｎ ｄ ｃ ｅ ｓ ｄ ｗｉｈ ｔ ｅ ｉ ｃ ｅ ｓ ｆｔ ｅ ｃ ｎ ｅ ｔａｉｎ． ｉ Ｂｅ ｉｅ ｈ ｅ ｓａ ｉｉａ ｉｎ ｏ ｔｈａ ｔｗａ ｍｐ ｏ ｅ ｙ ｉ ｃ ｅ ｓｎ ｈ Ｃ１ ｏ ｃ ｎ ｒ ｔ ｎ． ｓｄ ｓ，ｔ ｔｂ ｌｚ ｔ ｆｅｃ ｎ ｓｉ ｒ ｖ ｄ ｂ ｎ ｒ ａ ｉ ｇ ｔ ｅ Ｆｅ ３ｃ ｎ０ ｅ ．２ １
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文章编 号 ：０ １３ ４ （ ０ ０ ０ —０ ４ ０ １０ — ８ ９ ２ １ ）２ ０ ３ — ３
泛 。该 技术 可 以加 工 出管道 直 径 小达 几 个 微米 ， 结
显示行业用蚀刻液资料
显示行业用蚀刻液资料蚀刻液是一种应用广泛的材料，特别在显示行业中发挥着重要的作用。
它被用于制作各种类型的显示器，如液晶显示器和有机发光二极管（OLED）等。
蚀刻液通过化学反应将薄膜材料从基底材料上去除，从而形成显示器的不同层次。
本文将探讨蚀刻液在显示行业中的应用和相关材料。
首先，让我们来了解一下液晶显示器的制造过程中蚀刻液的应用。
液晶显示器是一种通过对液晶分子的电场调控来实现像素显示的技术。
蚀刻液在液晶显示器制造过程中的作用是去除掩膜层和导电层上多余的材料，以便电流能准确地通过液晶分子。
通过蚀刻液的处理，液晶显示器的分辨率和图像质量得以提高，同时节约了生产成本。
除了液晶显示器，蚀刻液还在OLED显示器的制造过程中起着重要作用。
OLED显示器是一种能够发光的薄膜材料，它能够提供更高的对比度和更鲜艳的颜色。
蚀刻液的应用主要集中在OLED显示器的有机材料层的制造中。
有机材料层是由多层有机薄膜组成的，通过蚀刻液的处理，能够去除杂质和调整有机材料的厚度，从而实现更精确的光控制和发光效果。
在显示行业中，对蚀刻液的材料要求极高。
高质量的蚀刻液必须具备良好的蚀刻性能、可选择性和稳定性。
蚀刻液的蚀刻性能指的是其对于特定材料的腐蚀作用，必须能够快速而准确地去除多余材料。
可选择性是指蚀刻液只对目标材料起作用，不对其他材料产生影响。
稳定性是指蚀刻液在制造过程中能够保持一致的性能和效果。
以氟化物为基础的化学物质常被用于蚀刻液的制造，因为它们具有强腐蚀性，可以高效去除多种材料。
蚀刻液的研发和制造需要借助先进的技术和设备。
现代的制造工艺不断创新，为蚀刻液提供了更高的制造精度和更好的生产效率。
例如，光刻技术是一种常用的工艺，能够在蚀刻过程中进行高精度的图案转移。
电子束曝光技术则更进一步，通过控制电子束的路径和强度，实现更精细的图案制作。
这些创新推动了蚀刻液的进一步发展和应用。
总之，在显示行业中，蚀刻液是一种不可或缺的材料，它通过化学反应去除多余材料，实现显示器的精确制造。
硝酸型酸性蚀刻液蚀刻工艺探讨
硝酸型酸性蚀刻液蚀刻工艺探讨作者：宫小龙黄秀武来源：《环球市场》2018年第16期摘要：本文对以硝酸为主要成分的酸性蚀刻液进行了研究，利用静态刻蚀的方式，对印刷电路板铜箔的蚀刻速率以及侧蚀水平进行了测定，考察了几个因素对蚀刻效果的影响。
希望为相关研究人员提供一定的参考，使针对硝酸型酸性蚀刻液蚀刻工艺的研究更加深入，并优化该工艺。
关键词：酸性蚀刻液；硝酸；蚀刻工艺PCB技术的不断发展令印刷电路板的线宽和线距都逐渐变小，对蚀刻液提出了更高的要求。
传统的印刷电路板的制造中应用较为广泛的蚀刻液是酸性和碱性氯化铜蚀刻液，然而此类含有氯元素的蚀刻液容易生成铜络离子，造成严重的侧蚀问题。
研发蚀刻效果更佳、侧蚀程度更低的蚀刻液是一项亟待解决的任务。
采用硝酸为基础的蚀刻液可以有效降低侧蚀程度，本文对硝酸型酸性蚀刻液的工艺条件和组成成分进行了探讨。
一、硝酸型酸性蚀刻液蚀刻流程利用硝酸型酸性蚀刻液进行蚀刻的原理利用硝酸铜中铜离子的氧化性将印刷电路板上的铜氧化为化合价为一价的铜。
该蚀刻手段具有一系列优势，首先蚀刻液可以保持较为稳定的状态，从而便于操作人员控制蚀刻速率，最终的蚀刻质量较高。
另外，该种蚀刻手段可以溶解大量的铜元素，并且蚀刻液的回收和再生利用较为容易，在充分利用资源的同时能有效减少环境污染。
以硝酸作为蚀刻液进行蚀刻时按照如下流程进行：首先清洗材料表面，用洗涤剂除去表面的油污，继而用流动的纯水清洗材料。
接下来去掉材料表面的氧化物薄膜，采用浓度为1%的稀盐酸浸泡一分钟左右。
氧化物薄膜去掉后用去离子水再次清洗材料，并用温度较高的风源对其进行干燥。
随之用天平称重材料，并进行蚀刻过程。
蚀刻完成后再次用热风烘干材料并称重材料的重量。
二、蚀刻速率的影响因素衡量蚀刻效果的一个重要指标是蚀刻速率，蚀刻速率指的是一定时间内材料被蚀刻液蚀刻掉的厚度，为了探究硝酸型酸性蚀刻液蚀刻工艺的效果受到哪些因素影响，本文用实验进行了验证。
本实验选用的材料是具有一定面积的线路板铜箔。
酸性蚀刻废液制备纳米铜粉及其稳定性研究
的存 在 下 ， 接 还 原 难 以 得 到 高 纯 度 的 铜 粉 。介 绍 了 直
３ 结 果 与 分 析
３ １ 直接还 原蚀 刻 废液 氯离 子的 影响 ．
稳 定性进行 了比较 分析 。
关键 词 ： 酸 性蚀刻 废液 ； 纳米 铜粉 ； 氯离子 ； 稳定 性 中图分类号 ： Ｏ６ ４ １ 文献标 识码 ： Ａ
文章 编号 ：０ １９ ３ 【 ０ ７ ０ —９ ６０ １０ — ７ １ ２ ０ ） ６０ ８ —３
１ 引 言
随着 电子 工业 的 发展 ， 刷线 路 板 加 工 过程 中铜 印 蚀刻废 液排放 量 日益 增 大 。废 液 含 铜 量 达 ｌＯ ／ 以 Ｏ ｇＬ 上， 如不 能很好 回收利用 ， 将导 致铜 资源 的 大量 流 失和
该铜粉 可用 于制备 导 电涂 料或 电磁 屏蔽 材 料 等 的导 电 填料 － ｌ。 ｏ
样 品洗 涤过 程 中 Ｃ Ｃ 的水 解 ［］ ｕｌ １ 所致 ， 二 可 能是 新 １ 其 制备 的铜粉 粒 径小 ， 具有 较强 的吸 附活性 ， 吸附 活性 较 高的 氯离子 ， 降低 了金属 粉体 的耐 腐蚀性 ， 致水 中溶 导
图 ｌ ｌ２ 、 样 品的 Ｘ 射线衍 射 图谱
Ｆｉ ｇ ｌＸＲＤ ａ ｔ ｒ ｓｆ ｒｓ ｍ ｐ ｅ ｉｅ ｔｙ ｄ ｏ ｉ ｉｅ ｙ ｐ ｔ ｅ ｎ ｏ ａ ｌ ｓｄ ｒ ｃ ｌ ｅ ｘ ｄ ｚ ｄ ｂ ｚｎ ｎ ｙ ｒ ｚ ｎ ｙ ｒ ｔ ｉ ｃａ ｄ ｈ ｄ ａ ｉ ｅ ｈ ｄ ａ ｅ
备铜粉 ， 产品标记为 ｌ２ 方法 ２ 稀释蚀刻废液， 、 ； ： 加入 定量 的氨 水 ， 氢 氧 化 钠 调 节 溶 液 的 ｐ 值 ， 入 用 Ｈ 加 Ｐ 。再用 水 合 肼 溶 液 还 原 制 备 铜 粉 ， 品 标 记 为 ＶＰ 产
蚀刻液
目前已经使用的蚀刻液类型有六种类型：酸性氯化铜碱性氯化铜氯化铁过硫酸铵硫酸/铬酸硫酸/双氧水蚀刻液。
编辑本段各种蚀刻液特点酸性氯化铜蚀刻液1) 蚀刻机理：Cu+CuCl2→Cu2Cl2Cu2Cl2+4Cl-→2(CuCl3)2-2) 影响蚀刻速率的因素：影响蚀刻速率的主要因素是溶液中Cl-、Cu+、Cu2+的含量及蚀刻液的温度等。
a、Cl-含量的影响：溶液中氯离子浓度与蚀刻速率有着密切的关系，当盐酸浓度升高时，蚀刻时间减少。
在含有6N的HCl溶液中蚀刻时间至少是在水溶液里的1/3，并且能够提高溶铜量。
但是，盐酸浓度不可超过6N，高于6N盐酸的挥发量大且对设备腐蚀，并且随着酸浓度的增加，氯化铜的溶解度迅速降低。
添加Cl-可以提高蚀刻速率的原因是：在氯化铜溶液中发生铜的蚀刻反应时，生成的Cu2Cl2不易溶于水，则在铜的表面形成一层氯化亚铜膜，这种膜能够阻止反应的进一步进行。
过量的Cl-能与Cu2Cl2络合形成可溶性的络离子(CuCl3)2-，从铜表面上溶解下来，从而提高了蚀刻速率。
b、Cu+含量的影响：根据蚀刻反应机理，随着铜的蚀刻就会形成一价铜离子。
较微量的Cu+就会显著的降低蚀刻速率。
所以在蚀刻操作中要保持Cu+的含量在一个低的范围内。
c、Cu2+含量的影响：溶液中的Cu2+含量对蚀刻速率有一定的影响。
一般情况下，溶液中Cu2+浓度低于2mol/L时，蚀刻速率较低；在2mol/L时速率较高。
随着蚀刻反应的不断进行，蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。
当铜含量增加到一定浓度时，蚀刻速率就会下降。
为了保持蚀刻液具有恒定的蚀刻速率，必须把溶液中的含铜量控制在一定的范围内。
d、温度对蚀刻速率的影响：随着温度的升高，蚀刻速率加快，但是温度也不宜过高，一般控制在45~55℃范围内。
温度太高会引起HCl过多地挥发，造成溶液组分比例失调。
另外，如果蚀刻液温度过高，某些抗蚀层会被损坏。
碱性氯化铜蚀刻液1) 蚀刻机理：CuCl2+4NH3→Cu(NH3)4Cl2Cu(NH3)4Cl2+Cu→2Cu(NH3)2Cl2) 影响蚀刻速率的因素：蚀刻液中的Cu2+浓度、pH值、氯化铵浓度以及蚀刻液的温度对蚀刻速率均有影响。
碱性蚀刻子液在线路板蚀刻过程中提高蚀刻均匀性的研究
碱性蚀刻子液在线路板蚀刻过程中提高蚀刻均匀性的研究[摘要]蚀刻线路板期间，通过用蚀刻子液补充配合自动化添加装置来代替固体氯化传统铵补充的工艺，对线路板所在表面蚀刻实际均匀性的提升可起到促进作用，并促进线路板整体生产工艺能力的提高。
[关键词]碱性；子液；线路板；蚀刻；均匀性；前言：碱性蚀刻，属于印制的线路板实际生产加工全过程当中的关键步骤或者内容，指借助化学药水有效作用之下，刻掉覆铜板上并不需要的所有铜蚀，保留需保留的部分铜，以形成线路。
蚀刻操作工序常由蚀刻机与蚀刻液配合完成。
该蚀刻操作工序，在印制的线路板总体生产进程中往往至关重要，蚀刻操作工序做得好坏与否，将对印制的电路板总体性能及质量产生直接影响。
伴随着近几年电子产品逐渐小型化发展，对线路板实际制作精度逐渐从原有线宽与间距0.2mm，持续提高到0.1mm。
缩小线宽与间距，对线路板布线的密集度可产生提升作用，对于固体传统氯化铵与氨水的蚀刻液整个体系有着较高要求。
线路板传统蚀刻，主要是用固体的氯化铵于氨水，补充添加蚀刻液。
在蚀刻的速率呈下降趋势时，一定量的氨水、氯化铵便会补加到蚀刻机所在储液槽内，经循环溶解之后便可实现继续应用。
该种方法存在着较高药液浓度，较大密度波动及不稳定的蚀刻速率等特征。
本次课题研究的根本意图在于，选用石油化工的设计研究院所研制添加抗侧蚀剂、氧化剂、稳定剂、液体蚀刻的补充子液，借助密度的控制系统，来自动添加药液，把实际密度控制1.170-1.190范围，处于狭窄工艺的窗口当中，促使碱性蚀刻实际均匀性能够有所提升，并逐步提高蚀刻的精度，达到连续生产这一目的，望此次课题研究所得出的结论能够为相关专家及学者对这一课题的深入研究提供有价值的参考或者依据。
1、实验研究1.1实验仪器设备选用德国所生产SCHMID型号碱性的蚀刻机；德国的菲希尔所生产MPOＲ型号涂层的测厚仪；SGO-3230型号正置金相的显微镜；HK-43高速碱性的蚀刻子液、40%氨水、生益科技所生产双面的覆铜板（铜厚为70μm）、蚀刻母液；各项工艺参数设置情况如下：蚀刻机实际运转速度设定为3.0m/min、下喷设定为25Psi。
基于干法蚀刻半导体材料加工机床的加工过程稳定性改进方法研究
基于干法蚀刻半导体材料加工机床的加工过程稳定性改进方法研究在半导体材料的加工过程中，干法蚀刻被广泛应用于生产制造。
然而，蚀刻过程的稳定性常常受到多种因素的影响，如温度变化、气体流动和高频能量输入等。
为了改善加工过程的稳定性，需要研究并实施一些切实可行的改进方法。
首先，针对温度变化对加工过程稳定性的影响，可以采取以下措施。
首先，对加工设备进行优化，提高其散热性能以降低温度波动。
其次，安装温度传感器，实时监测加工过程中的温度变化，并通过自动控制系统进行温度调节。
此外，可以加入冷却装置，通过冷却工质来稳定加工环境温度。
其次，气体流动对加工稳定性的影响也不可忽视。
为了改善气体流动状况，可以采取以下方法。
首先，通过增加干法蚀刻设备中的气流调节装置来优化气流分布，确保均匀的气体流动。
其次，对设备内的管道进行改良，减少气体泄露和阻力，提高气流稳定性。
此外，可通过精确控制气体流量，确保加工过程中的稳定性。
此外，高频能量输入也会对加工过程的稳定性产生影响。
为了改善高频能量输入的稳定性，可以采取以下方法。
首先，对加工设备进行优化，提高高频能量输入的精度和稳定性。
其次，使用更先进、更稳定的高频发生器，确保能量输入的稳定性。
此外，可以增加高频能量传感器，实时监测能量输入情况，并通过反馈控制来调节能量输出水平。
除了以上方面的改进方法，还可以考虑以下几个方面对加工过程的稳定性进行改进。
首先，选择合适的蚀刻参数，如加工速度、功率和时间等。
这需要进行实验研究和优化，以确保蚀刻过程的稳定性和效果。
其次，对蚀刻设备进行定期维护和保养，以确保其正常运行和长期稳定性。
此外，对操作人员进行培训和指导，提高其对加工过程稳定性的认识和掌握。
总结起来，改善干法蚀刻半导体材料加工机床的加工过程稳定性需要从多个方面进行研究和实施改进方法。
通过优化温度控制、改善气体流动和提高高频能量输入的稳定性，以及选择合适的蚀刻参数和定期维护设备，可以有效提高加工过程的稳定性和加工质量。
蚀刻液(氯化铜)危险、有害特性表
引燃温度／℃：无意义
禁忌物：钠、钾、潮湿空气。
危险特性：本身不能燃烧。遇钾、钠剧烈反应。受高热分解产生有毒的腐蚀性烟气。具有腐蚀性。
灭火方法：消防人员必须穿全身耐酸碱消防服。灭火时尽可能将容器从火场移至空旷处。然后根据着火原因选择适当灭火剂灭火。
毒性
急性毒性：LD50：无资料;LC5无资料
健康
危害
侵入途径：吸入、食入、皮肤接触、眼镜接触。健康危害：对眼、皮肤和呼吸道有刺激性。遇热产生铜烟尘，吸
入引起金属烟雾热。口服引起出血性胃炎及肝、肾、中枢神经系统损害及溶血等，重者死于休克或肾衰。
急救
皮肤接触：脱去污染的衣着，用大量流动清水冲洗。
眼睛接触：提起眼睑，用流动清水或生理盐水冲洗。就医。
蚀刻液（氯化铜）危险、有害特性表
标识
中文名：氯化铜
英文名：copper chloride
分子式：CuCl2
分子量：134.44
CN号：83503
UN编号：2802
CAS号：7447-39-4
理化
性质
性状：黄棕色吸湿性粉末。
熔点／℃：498
溶解性：易溶于水，溶于内酮、醇、醚、氯化铵。
沸点／℃：993
相对密度（水=1）：3.386
手防护：戴橡胶耐酸碱手套。
应急
处理
隔离泄漏污染区，限制出入。建议应急处理人员戴防尘口罩，穿防腐防毒服。不要直接接触泄漏物。小量泄漏：用洁净的铲子收集于干燥、洁净、有盖的容器中。大量泄漏：收集回收或运至废物处理场所处置。
储运
储存于阴凉、通风的库房．远离火种、热源。防止阳光直射。包装必须密封，切勿受潮。应与钠、钾、食用化学品等分开存放，切忌混储。储区应备有合适的材料收容泄漏物。
微蚀刻液中过氧化氢的稳定性探讨
２００２年第５期广东化工２ｌ摘要分析微蚀液中影响Ｈ２０２分解的因素，探讨其稳定机理。
关键词印制电路板，微蚀，稳定剂１前言在印制电路板加工过程中，许多工艺都需要进行微粗化前处理，如化学沉铜、全板电镀、图形电镀、内层黑氧化，热风整平等等。
微粗化效果的好坏往往影响下一道工序的质量。
在众多微蚀体系中，Ｈ２Ｓ０４偈０２体系是较优越的一种，它具有微蚀速率恒定，容铜量大，后处理简单，无污染等优点，被越来越多的厂家所采用。
在Ｈ２Ｓ０４／Ｈ２０２体系微蚀液中，Ｈ２０２的稳定是粗化效果好坏的关键。
因此对Ｈ２０２的稳定性研究是很重要的。
本文通过分析微蚀液中影响Ｈ２０２分解的因素及其机理，探讨其稳定机理，从而达到寻找高效稳定剂的目的。
２影响Ｈ２０２分解的因素从热力学上看，Ｈ２０２的歧化分解本身是一个放热、熵增的反应，因此在水溶液中，Ｈ２０２的分解是不可避免的。
在微蚀液中，影响Ｈ２Ｑ的分解速率的主要因素是温度和铜离子的催化。
２．１温度的影响３０量２５‘、２０＼警１５肼１０墓；０２０４０６０温度（℃）图１不同温度下的Ｈ２０２分解速率ｏＨ’＋Ｈ２０２＋Ｈ２Ｕ＋ＨＵ’２２ＨＯ。
２一Ｈ２０２＋０２因此，加热会使Ｈ２Ｑ加速分解。
我们的实验证明（见图１），当微蚀液的温度升高，Ｈ２０２分解速率加快。
２．２铜离子的催化金属离子对Ｈ２０２的催化分解机理，至今还没有确切的结论，一般认为，在酸性溶液中，Ｃｕ２＋分解Ｈ２Ｑ是包括以下步骤的链反应④：引发：Ｈ２０２一Ｈ＋＋Ｈ呀Ｃｕ２＋＋Ｈ０ｆ—Ｃｕ＋＋Ｈ０２·传递：Ｃｕ＋＋Ｈ２０２一Ｃｕ２＋０Ｈ·＋ＯＨ—ＯＨ·＋Ｈ２０２一Ｈ０２·＋Ｈ２０Ｃｕ２＋＋Ｈ０｜·—，Ｃｕ＋＋Ｈ＋＋０｜终止：Ｃｕ＋＋０Ｈ·一Ｃｕ２＋＋ＯＨ一０Ｈ一＋Ｈ＋一Ｈ２０从实验数据可知，随铜离子浓度的增大，Ｈ２Ｑ的分解速率加大（见图２）。
—：２００二１５０＼ｂｏ占１００褂鞋５０套Ｏ铜离子浓度（ｇ／Ｌ）图２不同铜离子浓度下的的Ｈ２０２分解速率３Ｈ２０２稳定机理的探析当Ｈ２０２受热时，Ｈ２０２先分解成两个ＯＨ自从分解的机理分析可知，无论何种因素，ＲＱ由基：在分解过程中都会产生活性自由基［Ｈ０·２］，［ＨＤ·２］Ｈ２Ｑ一２０Ｈ。
真空电镀中对液面稳定性的研究
真空电镀中对液面稳定性的研究随着科技的不断发展，真空电镀技术在现代工业中得到了广泛应用。
作为一种重要的表面处理技术，在产品的外观、质量和性能优化方面发挥着重要的作用。
在真空电镀过程中，控制液面稳定性是一个至关重要的因素。
本文将探讨液面稳定性在真空电镀中的作用和影响，并介绍一些提高液面稳定性的方法。
一、液面稳定性在真空电镀中的重要性在真空电镀过程中，电解液的稳定性对于制品的表面质量和良率有着十分重要的影响。
稳定的电解液液面可以更好地控制电解液之间的距离和厚度，从而确保镀层的均匀性和不变性。
否则，液面波动和不稳定会导致电解液和固体之间的距离和镀层厚度不均，从而产生镜子效应、虹彩效应以及一些其他的缺陷和不良。
液面稳定性的好坏直接影响真空电镀的效果，因此，要想确保高质量的镀层，就必须保证液面的稳定性。
尤其是对于一些大尺寸、复杂形状的制品，如电视、汽车、手机等，对液面的稳定性要求更加严格。
二、影响液面稳定性的因素除了电解液的性质和制品的形状外，影响液面稳定性的因素还包括气体环境、真空度和气泡的产生等。
气体环境和真空度的差异会导致电解液液面的波动，而气泡的产生和漂浮也会导致电解液液面的不稳定。
此外，电解液中的杂质和离子浓度的变化也会影响液面的稳定性。
缺乏保护剂和添加剂下的电解液会更容易受到杂质的影响，从而导致液面的波动。
三、提高液面稳定性的方法为了保证液面的稳定性，需要针对上述因素采取相应的措施：1.选择合适的电解液电解液的选择对于液面的稳定性有着重要的影响。
应根据制品的形状和要求选择适合的电解液，并添加适量的添加剂和保护剂，以保证电解液的稳定性。
如氨基酸镍电解液可提高液面的稳定性，酸化铜电解液也可能起到同样的效果。
2.控制真空度和气体环境稳定真空度和控制气体环境也是提高液面稳定性的重要措施。
在真空电镀过程中，需要控制真空度和清除气体，特别是对于通气或开口较多的制品，要加强控制，避免气体干扰电解液液面的稳定。
磷酸蚀刻液行业_研究报告_概述及范文模板
磷酸蚀刻液行业研究报告概述及范文模板1. 引言1.1 概述磷酸蚀刻液是一种在电子制造和材料加工行业中广泛应用的化学物质。
它具有强蚀刻能力，可以在导电材料表面进行精确而可控的蚀刻过程，被广泛用于半导体制造、光伏产业以及微电子领域等。
随着电子设备的迅速发展和需求的不断增长，磷酸蚀刻液行业也呈现出快速发展的趋势。
1.2 文章结构本报告将对磷酸蚀刻液行业进行详细的研究和分析，全面探讨其定义、背景、市场规模和趋势、行业发展历程、组成与特性分析以及应用与市场前景展望。
通过系统性的数据收集与分析，旨在提供给读者对该行业的全面了解。
报告内容按如下顺序组织：引言部分为本章节，概述了整篇文章的主要内容和结构。
第二章将对磷酸蚀刻液行业进行概述，包括定义和背景、市场规模和趋势以及行业发展历程等内容。
第三章将详细介绍研究方法与数据收集的原理和过程，包括研究方法介绍、数据来源与收集方式以及数据分析与处理等方面。
第四章将对磷酸蚀刻液的组成与特性进行分析，包括成分及其功能介绍、蚀刻过程理论解析以及液体性质评估指标及测试方法介绍等方面。
第五章将重点探讨磷酸蚀刻液行业的应用领域和市场前景展望，包括主要应用领域介绍、市场需求现状及发展趋势预测以及技术创新驱动的发展机遇与挑战等方面。
最后，第六章为结论部分，总结了本文的主要研究内容，并提供了结论和建议。
1.3 目的本报告旨在全面了解磷酸蚀刻液行业，并深入探讨其组成、特性、应用领域以及市场前景。
通过对该行业进行概述和分析，可以帮助相关从业人员更好地了解行业发展趋势，把握市场机遇，制定合理的发展策略和决策。
同时，本报告也为行业研究提供了一个范文模板，可供其他行业的研究者参考。
通过本报告的撰写和阅读，希望能够提高对磷酸蚀刻液行业的认识和理解。
2. 磷酸蚀刻液行业概述2.1 定义和背景磷酸蚀刻液是一种常用的化学处理液，用于将金属表面的氧化物去除，以便在制造过程中进行清洁、腐蚀或改变物体外观。
磷酸蚀刻液通常由磷酸、硝酸和水混合而成，具有强酸性质以及强烈的氧化性。
一种酸性蚀刻液及提高其蚀刻精度的控制方法[发明专利]
![一种酸性蚀刻液及提高其蚀刻精度的控制方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/6b4dcd16bdd126fff705cc1755270722192e59a7.png)
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202011630645.5(22)申请日 2020.12.31(71)申请人 惠州市鸿宇泰科技有限公司地址 516008 广东省惠州市惠城区龙丰螺山地段螺山加油站旁边(72)发明人 徐刚 吴国汉 雷廷龙 陈国明 舒利红 (74)专利代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102代理人 谭映华(51)Int.Cl.C23F 1/18(2006.01)(54)发明名称一种酸性蚀刻液及提高其蚀刻精度的控制方法(57)摘要本发明公开了提供一种酸性蚀刻液及提高其蚀刻精度的控制方法，方法包括以下步骤：在蚀刻槽内放置需要蚀刻的含铜产品，往蚀刻槽内添加酸性蚀刻液，所述酸性蚀刻液包括二价铜离子、氢离子、氧化剂和络合剂，所述络合剂为乙二胺四乙酸；反应过程中，实时监测蚀刻槽内二价铜离子、络合剂和氢离子的浓度，控制二价铜离子的浓度在145～155g/L的范围内，控制氢离子的浓度在0.6～1当量的范围内，控制络合剂的浓度在200～600ppm的范围内，控制氧化剂的浓度在1～5g/L的范围内。
本发明酸性蚀刻液的蚀刻因子高，蚀刻时反应平稳，能够提高蚀刻精度，从而提高蚀刻效果；反应容易控制，确保反应的稳定性，提高了蚀刻的精度，从而提高蚀刻后产品的品质。
权利要求书1页 说明书4页CN 112831784 A 2021.05.25C N 112831784A1.一种酸性蚀刻液，其特征在于：包括浓度为145～155g/L的二价铜离子、0.6～1当量的氢离子、氧化剂1～5g/L和浓度为200～600ppm的络合剂，所述络合剂为乙二胺四乙酸。
2.根据权利要求1所述的一种酸性蚀刻液，其特征在于：所述二价铜离子的浓度为150g/L。
3.根据权利要求1所述的一种酸性蚀刻液，其特征在于：所述氢离子的浓度为0.8当量。
4.根据权利要求1或3所述的一种酸性蚀刻液，其特征在于：所述氢离子由盐酸溶液提供。
干法蚀刻半导体材料加工机床的加工过程稳定性研究
干法蚀刻半导体材料加工机床的加工过程稳定性研究摘要：干法蚀刻是一种常用的半导体材料加工方法，它通过化学反应来去除材料表面的一层或多层。
本研究旨在探讨干法蚀刻机床的加工过程稳定性，并分析影响稳定性的因素。
通过对加工参数、机床结构和刀具等因素的优化，提出了一种改善干法蚀刻机床加工过程稳定性的方法。
实验结果表明，通过合理的控制和优化，能够提高加工过程的稳定性，提高加工精度和效率。
1. 引言半导体材料加工是制造电子元器件的重要步骤。
其中，干法蚀刻是一种常用的半导体材料加工方法，其通过在低压下施加高温和气体的化学反应来去除材料表面的一层或多层。
干法蚀刻具有加工速度快、加工质量高、对材料损伤小的优点。
然而，干法蚀刻过程中存在着加工过程不稳定的问题，这将直接影响加工结果的精度和效率。
因此，研究干法蚀刻机床的加工过程稳定性具有重要意义。
2. 加工参数对稳定性的影响2.1 温度温度是干法蚀刻过程中一个重要的参数，它直接影响反应速率和物质的扩散。
温度过高会引起反应过度和材料损伤，温度过低则会导致蚀刻速度过慢。
因此，控制好加工温度对于保持加工过程的稳定性非常重要。
2.2 功率功率是干法蚀刻过程中控制加工速度和精度的重要参数。
功率过高会导致加工过程不稳定，功率过低则会影响加工效率。
因此，需要在有效范围内控制加工功率，以获得稳定的加工过程。
2.3 气体流量气体流量是干法蚀刻过程中反应物质传输的重要因素。
气体流量过大会导致物质扩散过快，难以控制加工过程；气体流量过小则会影响蚀刻速度和加工质量。
因此，需要通过调节气体流量来保持加工过程的稳定性。
3. 机床结构对稳定性的影响3.1 刀具刀具作为干法蚀刻机床的重要组成部分，其选择对于加工过程稳定性具有重要影响。
刀具的材料、形状和尺寸等参数需要根据具体情况进行选择，并进行适当的磨削和处理，以保证刀具在加工过程中的稳定性和耐磨性。
3.2 加工速度加工速度是干法蚀刻过程中的一个重要控制参数。
蚀刻液均匀性与蚀刻因子测试报告1月
SUB：碱性蚀刻测试报告一﹑试验目的：为了验证碱性蚀刻线的均匀性与蚀刻因子，是否满足公司生产要求，制作样板进行测试。
二、试验的要求：1、板材要求：FR4板料，板厚1.5MM ，铜厚分为1/3OZ，H/HOZ，1/1OZ三种。
三﹑试验的流程：1、开料→钻孔→沉铜→板电（5~8微米）→线路→图电→蚀刻→切片检测2、参数控制：3.新蚀刻液化验测结果：分析项目控制范围 1.18白班 1.18晚班 1.19白班 1.19晚班 1.20白班 1.20晚班175±187.44 190.00 188.86 188.86 187.44 190 CL-15(g/L)140±141.05 142.0 139.78 138.51 143.6 143.6 CU2+20(g/L)PH8.3±38.38 8.22 8.32 8.4 8.3 8.3结论：从以上化验分析结果看药水稳定无异常。
4.蚀刻因子测试结果：蚀刻因子要求：≥2前左角：1/3oz底铜蚀刻因子为15.96 前右角：1/3oz底铜蚀刻因子为15.96后左角：1/3oz底铜蚀刻因子为11.48 后右角：1/3oz底铜蚀刻因子为9.79板中：1/3oz底铜蚀刻因子为9.79小结：1/3oz底铜蚀刻因子9.79-15.96合格。
前左角：H/Hoz底铜蚀刻因子为5.36 前右角：H/Hoz底铜蚀刻因子为6.2后左角：H/Hoz底铜蚀刻因子为5.39 后右角：H/Hoz底铜蚀刻因子为4.85板中：H/Hoz底铜蚀刻因子为6.88小结：H/Hoz底铜蚀刻因子4.85-6.88合格。
前左角：1/1oz底铜蚀刻因子为5.31 前右角：1/1oz底铜蚀刻因子为5.03后左角：1/1oz底铜蚀刻因子为5.03 后右角：1/1oz底铜蚀刻因子为5.18板中：1/1oz底铜蚀刻因子为5.29小结：1/1oz底铜蚀刻因子5.03-5.31合格。
5、蚀刻均匀性测试：（1）蚀刻上喷: (COV要求≤8%)■上喷 (um)编号: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 AVEA 27.1 29.27 27.16 26.94 26.76 28.34 27.8 27.81 29.1 29.1 27.94B 29.46 29.37 27.68 26.99 27.86 28.24 28.45 28.95 30.59 30.59 28.82C 28.7 27.32 26.82 26.17 26.02 27.36 29.24 27.9 29.67 29.67 27.89D 30.86 28.96 26.66 27.16 27.65 28.84 28.19 29.12 31.01 31.01 28.95E 30.45 28.88 27.31 28.55 28.62 27.87 27.21 28.72 30.06 30.06 28.77F 30.48 28.56 27.48 28.97 27.66 27.41 27.35 28.42 29.87 29.12 28.53G 30.03 28.02 27.37 27.81 26.14 27.4 27.47 27.88 28.15 28.15 27.84H 30.03 28.27 28.13 28.82 27.61 28.44 27.77 27.37 28.82 28.82 28.41 AVE 29.64 28.58 27.33 27.68 27.29 27.99 27.94 28.27 29.66 29.57MAX 31.01 AVE 28.39 R值 4.99MIN 26.02 STDEV 1.19 COV 4.19%小结：蚀刻上喷平均蚀铜量28.39um,R值：4.99，COV：4.19 %合格；(2)蚀刻下喷：(COV要求≤10%)■下喷 (um)编号: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 AVEA 30.54 28.09 28.4 27.92 29.56 28.46 28.47 28.57 28.4 29.06 28.75B 30.35 28.37 28.28 27.78 29.71 29.07 28.69 29.63 30.97 30.81 29.37C 29.23 27.77 26.77 29.35 28.66 28.85 28.57 29.35 29.9 29.89 28.83D 30.34 27.88 28.52 29.36 27.66 29.18 27.31 28.5 29.12 29.77 28.76E 29.13 27.12 28.16 28.11 27.93 29 27.23 28.01 29.04 29.65 28.34F 25.81 26.57 27.23 26.38 27.26 27.34 26.17 25.91 27.71 27.82 26.82G 25.41 27.24 27.05 27.04 27.23 27.5 27.31 26.94 28.27 28.37 27.24H 25.27 29.08 29.23 30.11 29.51 29.41 29.21 26.89 27.24 25.9 28.19 AVE 28.26 27.77 27.96 28.26 28.44 28.60 27.87 27.98 28.83 28.91MAX 30.97 AVE 28.29 R值 5.7MIN 25.27 STDEV 1.28 COV 4.51%小结：蚀刻下喷平均蚀铜量28.29um,R值：5.7，COV：4.51 %合格；四、测试结果：1、跟进化验分析结果，药水稳定无异常。
纳米刻蚀工艺中的刻蚀液稳定性研究
纳米刻蚀工艺中的刻蚀液稳定性研究一、引言纳米刻蚀工艺是制造纳米级结构的重要手段，而刻蚀液作为刻蚀过程中的关键介质，其稳定性直接影响到刻蚀工艺的质量和效率。
因此，对刻蚀液稳定性的研究具有重要意义。
二、实验方法1. 样本选择：选择几种常用的纳米刻蚀液作为实验样本，确保样本具有一定的代表性和稳定性。
2. 实验环境：确保实验环境稳定，避免温度、湿度、光照等因素对实验结果的影响。
3. 实验过程：对刻蚀液进行定期检测，观察其pH值、离子浓度等关键指标的变化情况。
同时，记录刻蚀效果和刻蚀速率的变化。
4. 数据分析：对实验数据进行整理和分析，找出影响刻蚀液稳定性的因素。
三、结果与讨论1. 结果：通过对实验数据的分析，我们发现刻蚀液的稳定性受到多种因素的影响，如pH值、离子浓度、温度、光照等。
其中，离子浓度和pH值的变化对刻蚀液的稳定性和刻蚀效果影响最为显著。
2. 讨论：根据实验结果，我们可以得出以下几点结论：(1) 离子浓度和pH值的变化对刻蚀液的稳定性具有重要影响，因此应定期检测和控制这些指标。
(2) 温度和光照也是影响刻蚀液稳定性的重要因素，因此应尽可能保持实验环境的稳定。
(3) 在选择刻蚀液时，应综合考虑其稳定性、刻蚀效果和成本等因素。
目前市场上存在多种纳米刻蚀液，性能和价格存在较大差异，需要根据具体应用场景选择合适的刻蚀液。
(4) 通过优化刻蚀工艺参数和操作流程，可以提高刻蚀液的稳定性，减少刻蚀过程中的误差和浪费，提高生产效率和产品质量。
四、结论通过对纳米刻蚀工艺中刻蚀液稳定性的研究，我们发现影响刻蚀液稳定性的因素包括离子浓度、pH值、温度、光照等。
为了提高刻蚀液的稳定性，需要定期检测和控制这些指标，并优化刻蚀工艺参数和操作流程。
此外，选择合适的纳米刻蚀液也是至关重要的。
通过综合考虑性能、价格和稳定性等因素，我们可以选择出最适合特定应用场景的纳米刻蚀液，从而提高生产效率和产品质量。
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0 前 言化学蚀刻以其操作简单，成本低，加工周期短等优点，在加工领域得到了广泛的应用。
近几年，化学蚀刻为航天航空、船舶等行业的精密零件加工解决了很多难题，如加工码盘等[1]。
因此，对其工艺研究越来越多。
蚀刻液的性能是影响蚀刻加工效果的决定因素之一，其主要考核指标为腐蚀速率和稳定性。
其中稳定性是指蚀刻液在蚀刻过程中能保持腐蚀速率在一定范围内的性能，它最终将影响产品蚀刻效果的一致性[2]，所以对蚀刻液稳定性的分析是非常重要的。
但是，目前对蚀刻液稳定性的研究很少。
本文采用王水型蚀刻体系，以高Ni 不锈钢为蚀刻材料，确定了一种研究蚀刻液的稳定性的方法。
1 实验部分蚀刻液稳定性的研究傅玉婷，巴俊州，蒋亚雄，颜飞雪（中国船舶重工集团公司第七一八研究所，河北 邯郸，056027）摘 要：为了得到更好的蚀刻效果，研究蚀刻液的稳定性具有必要性，其实验研究方法显得尤为重要。
采用原子发射光谱法得出蚀刻液中Ni2+浓度，间接计算出腐蚀量的数据采集方法，研究了3组不同成分浓度蚀刻液的稳定性，将考察蚀刻速率—腐蚀量的关系与蚀刻速率—时间的关系这2种方法进行了对比实验。
实验结果证明：通过蚀刻速率—腐蚀量的关系来考察蚀刻液的稳定性具有可行性和优越性；同时得到，3种蚀刻液中，1B42稳定性最好，且该蚀刻液的最大金属腐蚀量为3g/L 。
关键词：化学蚀刻；蚀刻液；稳定性中图分类号：TG 176；TN305.7 文献标识码：AA Method of Studying the Stability of Etching SolutionFu Yu-ting, Ba Jun-zhou, Jiang Ya-xiong, Yan Fei-xue(The 718th Research Institute of CSIC, Handan 056027, China)Abstract: In order to improve the effect of etching, it needed to study the stability of etching solution, and its method of studying was more important. Obtained the concentration of Ni 2+ by ICP-AES ,then obtained the weight of etched metal , studied the stability of three types of solution with different concentration, found the relations between etching rate and etched weight, as well as etching rate and etching time, then compared the both of them. it showed that the relations between etching rate and etched weight had superiority and was viable for evaluating the stability of etching solution. Meanwhile, the stability of 1B42 is the best, and the solution’s maximum of etched metal was more than 3g/L 。
Keywords: Chemic etching ；etching solution ；stability舰 船 防 化2010年第3期，27~29 CHEMICAL DEFENCE ON SHIPS №3, 27~29图1 腐蚀量与Ni 2+浓度的关系Fig. 1 Relation between etched weight and concentration of Ni 2+1.1 实验原理与方法现有资料考察蚀刻液的稳定性一般是建立蚀刻速率与时间的关系，但是由于样品的表面积大小与蚀刻速率相互影响，因此在蚀刻过程中，不同蚀刻液中蚀刻相同时间的工件表面积不同，其蚀刻速率不仅受蚀刻液的影响，还会受到表面积大小的影响，所以，在同一时间点上比较不同蚀刻液的蚀刻速率具有一定的误差，蚀刻速率-时间的关系不能够客观地反映蚀刻液的稳定性。
在蚀刻过程中，氧化物浓度降低，氧化产物（如Ni 2+、Fe 3+等）离子浓度增加，这是影响蚀刻液蚀刻能力的本质因素[3]。
其他外界条件相同的情况下，同一种蚀刻液中氧化物离子浓度一定时，其蚀刻速率是一定的。
所以，建立蚀刻速率-腐蚀量的关系可以考察蚀刻液的稳定性，不同蚀刻液之间也具有可比性。
由于间歇称重法对蚀刻腐蚀过程有干扰作用，所以本实验中首先测出蚀刻液中Ni 2+含量与腐蚀量的标准关系曲线，得到关系式，再采用定时抽样，原子发射光谱检测蚀刻液中Ni 2+含量，通过关系式，间接得到某时刻金属的腐蚀量。
1.2 实验步骤1.2.1 蚀刻液的选取以高Ni 不锈钢（1Cr18Ni9Ti ）为蚀刻材料，采用正交实验法确定3组腐蚀速率适中的王水型蚀刻液，具体成分及腐蚀速率见表1。
表1不同浓度的蚀刻液Tab.1 Etching solution with different concentration1.2.2 腐蚀量m 与Ni2+浓度变化关系的确定将相同的不锈钢样品分别放入4个装有相同体积同种蚀刻液的烧杯中，设定搅拌速率为400 rad/min ，浸泡时间分别为15min 、30min 、45min 、60min,每组实验最终得到一组对应的腐蚀量m 与Ni 2+浓度数据。
反应时间一到，取出不锈钢样品称重，直接得出腐蚀量；同时采用原子发射光谱测量反应后该蚀刻液中的Ni 2+浓度；做出不锈钢样品的腐蚀量m 随蚀刻液中Ni 2+浓度的变化关系曲线，并通过对曲线进行拟合，得到腐蚀量m 与Ni 2+浓度的对应关系式。
1.2.3 稳定性实验按照1B41，1B42，1B43 3种配方配制1L 蚀刻液进行实验，设定搅拌速率为400rad/min ，每隔4min 从蚀刻液抽取1mL 的溶液，尽量保证每次抽取的位置相同且靠近不锈钢材料，试验时间为1h 。
通过原子发射光谱仪分析得到不同时间蚀刻液中Ni 2+的浓度，并通过腐蚀量m 与Ni 2+浓度的关系式换算得到对应的腐蚀量m ，再将腐蚀量m 与时间t 作图，通过拟合求导得到蚀刻速率v=dm/ d t ，最终得到v 随腐蚀量m 变化的关系曲线，即可分析蚀刻液的稳定性。
2 实验结果与分析2.1腐蚀量m 与Ni 2+浓度变化关系通过实验测得腐蚀量m 与Ni 2+浓度的关系，如图1所示，从图中可以看出，两者大致呈直线关系，通过对实验数据的拟合可得到关系式为：m = 1.146×C Ni 2+ – 0.030 （1） 式中：m 为腐蚀量，C Ni 2+为Ni 2+浓度。
用同样的方法得到1B42、1B43两种蚀刻液的关系式分别为m = 1.056C Ni 2+ – 0.018，m = 1.162×C Ni 2+ – 0.053。
· 28 · 舰 船 防 化 2010年第3期2.2 建立稳定曲线根据1.2.3中的方法得到3中蚀刻液中m 与时间t 、蚀刻速率v 与时间t 、蚀刻速率v 与腐蚀量m 的关系曲线，分别见图2、图3、图4。
图3中，3种蚀刻液的蚀刻速率随时间变化均未出现明显的稳定区，3条曲线无法进行对比。
而图4则可以明显的看出蚀刻速率随腐蚀量变化出现的稳定区域，并可以对3种蚀刻液的稳定性进行对比。
图2 时间对腐蚀量的影响Fig.2 Influence of temperature on etched weight图3 时间对蚀刻速率的影响Fig. 3 Influence of time on etching rate图4 腐蚀量对蚀刻速率的影响Fig. 4 Influence of etched weight on etching rate从图4中可以看出，1B41最高蚀刻速率高达0.25 g/min ，但是其整体速率不稳，呈一条抛物线，稳定性效果不好；1B43最高蚀刻速率不高，低于0.2g/min ，而且速率不稳定，在失重量为1 g/L 时，速率就呈下降趋势；1B42的稳定性效果最理想，最高速率也可达到0.2g/min ，而且，速率平台区比较长，直到3g/L 才呈现下降。
实验还可以得出，1B42蚀刻液对1Cr18Ni9Ti 不锈钢的最大金属腐蚀量为3g/L ，可以作为生产中更换或再生蚀刻液的一个指标。
3 结 论1）摸索出了一套考察蚀刻液稳定性的实验方法，其具有操作简单，可靠性好的优点，适用于实验室操作。
2）对三种蚀刻速率适中的蚀刻液中，筛选出了稳定性最好的一组蚀刻液1B42，可以将其作为后续实验的依据。
3）定量得到了1B42蚀刻液的最大金属腐蚀量为3g/L 。
参 考 文 献[1] 周翠花，李代学．光蚀刻不锈钢码盘制作中存在的问题及解决办法[J]．光电工程，2002,29(2)：42～44[2] Dale L. Hook, Thomas J. Engler. High energy DF chemicallaser gain generator and related method for its fabrication[P].United States Patent ：US 6,813,304 B2, 2003-07～24[3] 田波.微带蚀刻工艺影响因素探讨[J].表面技术，2004，33（4）：50～51作者简介：傅玉婷（1984～ ），女，河北邯郸，在读硕士研究生，主要从事光化学蚀刻工艺研究2010年第3期 蚀刻液稳定性的研究 · 29 ·。