电子技术基础 模拟部分 第五版 康华光 期末考试 重点
康光华第五版答案电子技术基础(模拟部分)
第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求vo的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l所示，温度 T＝300 K。
VDD-2vD(10-2⨯0.7)V==8.6⨯10-3A=8.6mA3R1⨯10ΩVO=2VD=2⨯0.7V=1.4V ID=当rd1=rd2=rd时，则rd=VT26mV=≈3.02ΩID8.6mA2rd2⨯3.02Ω=±1V⨯=±6mVR+2rd(1000+2⨯3.02Ω)vO的变化范围为(VO+∆vO)~(VO-∆vO)，即1.406V～1.394V。
∆vO=∆VDD2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。
设二极管是理想的。
解图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故 D处于正向偏置而导通，VAO=–6 V。
图b：D的阳极电位为－15V，阴极电位为－12V，D对被反向偏置而截止，VAO＝－12V。
图c：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。
图d：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO ＝－6V。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有VA=10kΩ⨯15V=1V(140+10)kΩVB=D被反偏而截止。
图b：将D断开，以“地”为参考点，有2kΩ5kΩ⨯10V+⨯15V=3.5V(18+2)kΩ(25+5)kΩVA=10kΩ⨯15V=1V(140+10)kΩ2kΩ5kΩ⨯(-10V)+⨯15V=1.5V(18+2)kΩ(25+5)kΩ VB=D被反偏而截止。
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康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）配套模拟试题及详解（一）一、选择题（15×2，共,30分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（）。
A ．19kΩB ．2kΩC ．4kΩD ．3kΩ【答案】C【解析】输出电压为原输出电压的34，所以分压电阻值为原电阻值的34，即1231244k k k Ω=Ω+Ω2．图1电路工作于放大状态，为了使静态工作点I CQ 增大，应该（）。
A ．减小电阻R 和电容CB ．换成β大的管子C ．增大电阻R E 的阻值D ．减小R B1阻值图1【答案】D【解析】电路是一个典型的利用直流电流串联负反馈稳定静态工作点的三极管分压式偏置电路。
由于i C≈i E，则由上述公式可以看出在题目给出的4个选项中，只有D项能满足题目的要求。
3．和TTL电路相比CMOS电路最突出的优势在（）。
A．可靠性高B．抗干扰能力强C．速度快D．功耗低【答案】D【解析】TTL电路以速度见长，CMOS以功耗低而著名。
4．单端输出的差分放大器，能够抑制零点漂移，原因是（）。
A．电路参数的对称性B．采用了正负两个直流电源供电C．射级电阻R EE（或恒流源动态电阻）的差模负反馈作用D．射级电阻R EE（或恒流源动态电阻）的共模负反馈作用【答案】A【解析】在差分电路中，无论是温度变化，还是电源电压的波动都会引起两管集电极电流以及相应的集电极电压相同的变化，其效果相当于在两个输入端加入了共模信号，由于电路的对称性和恒流源偏置，在理想情况下，可以使输出电压不变，从而抑制零点漂移。
5．由理想运放构成如图2所示电路，试判断电阻R f反馈的类型属于（）。
图2A．串联电压负反馈B．串联电流负反馈C．并联电压负反馈D．并联电流负反馈【答案】A【解析】利用瞬时极性法。
输入为正，输出也为正，反馈电压也为正，使运放的输入减小，所以为负反馈。
康光华《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(模拟集成电路)【圣才出品】
在电路中，当电源电压VCC 和 VEE 发生变化时， IREF 以及 VBE 也将发生变化，由于
Re的值一般为数千欧，使 IC2 的变化远小于 IREF 的变化，因此，电源电压波动对工作电流
IC2 的影响不大。同时，T0对T1有温度补偿作用，所以 IC1 的温度稳定性也较好。
- VEE
图6-2 微电流源
IIB (IBN IBP ) / 2
输入偏置电流的大小，在电路外接电阻确定之后，主要取决于运放差分输入级BJT的
性能，当它的β值太小时，将引起偏置电流增加。
3．输入失调电流
当输入电压为零时，流入放大器两个输入端的静态基极电流之差称为输入失调电流
IIO：
4．温度漂移
由于温度变化引起的输出电压产生的漂移，通常把温度升高一度输出漂移折合到输入
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第 6 章 模拟集成电路
6.1 复习笔记
一、集成电路中的直流偏置技术
所谓电流源是指电流恒定的电源。电流源电路直流电阻小，交流电阻大，具有温度补
偿作用。它除了可为电路提供稳定的直流偏置外，还可以作为放大电路的有源负载以获得
W4 W1
/ /
L4 L1
I REF
电流源的基准电流为
I REF I D0 Kn0 (VGS 0 VT 0 )2
（3）JFET 电流源
图 6-4 MOSFET 多路电流源
3 / 51
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台
如图 6-5（a）所示，如将 N 沟道结型场效应管的栅极直接与源极相连，则可得到简
射极耦合差分式放大电路对共模信号有相当强的抑制能力，但它的差模输入阻抗很低。 （2）带有源负载的射极耦合差分式放大电路
《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。
）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。
（理想模型、恒压降模型、折线模型）。
（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
（由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。
）小信号模型中h ie和h fe含义。
）用h参数分析共射极放大电路。
（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。
）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。
各种组态的特点及用途。
P147。
（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。
康华光电子技术基础数字部分第五版
2. 反演规则：
对于任意一个逻辑表达式L，若将其中所有的与（• ）换成或（+），或（+）换 成与（•）；原变量换为反变量，反变量换为原变量；将1换成0，0换成1；则得 到的结果就是原函数的反函数。
例2.1.1 试求
LABCD 0 的非函数
解：按照反演规则，得
L ( A B (C ) D )1 (A B )C ( D )
2、基本公式的证明
(真值表证明法)
例 证明 A B A B ， AB A B
列出等式、右边的函数值的真值表
A B A B A+B
00 01 10 11
11 10 01 00
0+0=1 0+1=0 1+0=0 1+1=0
A B AB A+B
1 0·0 = 1 1 0 0·1 = 1 1 0 1·0 = 1 1 0 1·1 = 0 0
康华光电子技术基础数字部分第五版
2.1.3 逻辑函数的代数法化简
1、逻辑函数的最简与-或表达式
在若干个逻辑关系相同的与-或表达式中，将其中包含的与项数 最少，且每个与项中变量数最少的表达式称为最简与-或表达式。
LACCD = A CC D
(AC)(CD)
“与-或” 表达式 “与非-与非”表达式 “或-与”表达式
康华光电子技术基础数字部分第五版
3. 对偶规则：
对于任何逻辑函数式，若将其中的与（• ）换成或（+），或（+）换成与（•）；并将1
换成0，0换成1；那么，所得的新的函数式就是L的对偶式，记作 L。
例: 逻辑函数 L ( A B)( A C) 的对偶式为
L AB AC
(完整word版)数字电子技术基础-康华光第五版答案
第一章数字逻辑习题1．1 数字电路与数字信号1。
1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4 一周期性数字波形如图题所示，试计算:(1）周期;(2)频率；(3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 (ms)解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0。
01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100％=10％1.2 数制1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于2−4（2）127 （4)2。
718 解：(2）（127）D= 27 —1=(10000000）B—1=（1111111）B=（177)O=（7F）H（4)(2。
718)D=(10.1011）B=（2.54）O=（2。
B）H1。
4 二进制代码1。
4。
1 将下列十进制数转换为 8421BCD 码：（1)43 (3）254。
25 解：(43）D=（01000011)BCD1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28(1）+ （2)＠（3）you (4)43解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制数表示.（1）“+”的ASCⅡ码为 0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为 1000000,(01000000）B=（40）H(3）you 的ASCⅡ码为本 1111001,1101111,1110101，对应的十六进制数分别为 79,6F，75(4)43 的ASCⅡ码为 0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为 34,331.6 逻辑函数及其表示方法1。
6。
1 在图题 1. 6.1 中，已知输入信号 A,B`的波形，画出各门电路输出 L 的波形。
解: （a)为与非, （b）为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式（3)A⊕ =B AB AB+(A⊕B)=AB+AB解：真值表如下由最右边2栏可知，A⊕B与AB+AB的真值表完全相同。
康光华电子技术基础(模拟部分)第五版习题选解资料
1.2.1解：正弦波电压表达式为)sin()(θω+=t V t v m ，由于0=θ，于是得 （1）))(102sin(5)(4V t t v π⨯= （2）))(100sin(2220)(V t t v π= （3）))(2000sin(05.0)(V t t v π= （4）))(1000sin(125.0)(V t t v = 1.2.2解：（1）方波信号在电阻上的耗散功率RV dt TRV dt R t v T P S TS T S 2)(1220202===⎰⎰（2）可知直流分量、基波分量、三次谐波分量分别为2S V 、πS V 2、π32S V，所以他们在电阻上的耗散功率为直流分量：R V R V P S S O 4/222=⎪⎭⎫⎝⎛=基波分量：R V R V P S S22212/212ππ=⎪⎭⎫ ⎝⎛•=三次谐波分量：R V R V P S S222392/2132ππ=⎪⎭⎫ ⎝⎛•= （3）三个分量占电阻上总耗散功率的百分比： 前三者之和为：RV R V R V R V P P P P S S S S 2222223103~0475.09224≈++==++=ππ所占百分比：%95%1002//475.0%100)/(223~0=⨯≈⨯R V RV P P S S S 1.4.1解：由图可知，i vo LO Lo i s i i s v A R R R v R R R v v •+=+=),(，所以（1）O L S i R R R R 10,10==时，i i s i i s v R R R v v 1011)(=+=， i i vo L O L o v v A R R R v 101110⨯=•+=，则源电压增益为26.810/1111/100≈==i i s o vs v v v v A 。
同理可得 （2）5.225===iis o vs v v v v A （3）0826.01111/10≈==i i s o vs v v v v A （4）826.010/1111/10≈==i i s o vs v v v v A 1.5.1解：电压增益 200005.01===VV v v A i o v dB A v 46200lg 20lg 20≈=电流增益 1001052000/16=⨯Ω==-AV i i A i o i dB A i 40100lg 20lg 20≈=功率增益 ()200001051052000/1632=⨯⨯⨯Ω==--AV V P P A i o p dB A p 4320000lg 10lg 10≈= 1.5.2解：设负载开路时输出电压为'o v ，负载电阻Ω=k R L 1时输出电压为o v ，根据题意 ()''8.0%201o o o v v v =-= 而 ()L O L oo R R R v v +=//'则 ()()Ω=Ω⨯⨯-=-=25010118.0/11/3'L oo O R v v R1.5.3解：设'o v 为负载电阻断开时的输出电压，即V v o 1.1'=；负载电阻Ω=k R L 1时，输出电压V v o 1=。
模电第五版康华光复习大纲
40 带宽 20 0 2 20 fL 2 102 2 103 2 104 fH f/Hz
第三章 二极管及其基本电路
1、理解半导体中有两种载流子 电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后， 共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴 2、理解本征半导体和本征激发 本征半导体——化学成分纯净的半导体 •两种载流子参与导电，自由电子 数（n）=空穴数（p） 本征激发的特点—— •外电场作用下产生电流，电流大 小与载流子数目有关 •导电能力随温度显著增加
第五章 场效应管放大电路
双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。 1、能够根据转移特性判别场效应管的类型（P237 表5.5.1） 结型场效应管 N型：VGS＜0 VDS＞0夹断电压VP＜0 P型：VGS＞0 VGS＜0夹断电压VP＞0 N型：VGS＞0 VDS＞0开启电压VT＞0 P型： VGS＜0 VGS＜0开启电压VT＜0
4、熟练掌握PN结 形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空 间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存 在漂移运动，达到动态平衡。 单向导电性 —— 不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0 加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD 加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的 漂 移运动 形成反向电流 特性方程：iD=IS（eVo/VT-1） 特性曲线 ： 正向导通：死区、导通区 反向截止：截止区、击穿区
3、正确理解变压器反馈式，电容三点式，电感三点式LC 正弦波振荡电路的结构和工作原理 4、了解石英晶体正弦振荡电路的工作原理及特点 5、能够利用相位平衡条件判断电路是否振荡。 6、电压比较器及电压传输特性。 习题9.6.1；9.6.2；9.7.1；9.7.2；
电子技术基础数字部分(第五版)(康华光)全书总结归纳
1. 掌握单稳态触发器、施密特触发器、多谐振荡器的逻辑功能；
2. 掌握单稳态触发器、施密特触发器MSI器件的逻辑功能和应用；
3. 理解555定时器的工作原理，掌握由555定时器组成的单稳态触 发器、施密特触发器、多谐振荡器的电路结构、工作原理和参数 计算。
8. 脉冲波形的变换与产生
知识点
1. 单稳态触发器：单稳态触发器的工作特点，可重复触发和不
7. 存储器
教学要求
1. 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念；
2. 理解半导体存储器芯片的关键引脚的意义，掌握半导体存储
器的典型应用；
3. 掌握半导体存储器的扩展方法；
4. 了解存储器的组成及工作原理； 5. 了解CPLD和FPGA的基本结构及实现逻辑功能的原理。
7. 存储器
知识点
可重复触发单稳态触发器，单稳态触发器的应用。
2. 施密特触发器：同相输出和反相输出的施密特触发器，正向
阈值电压 VT+和负向阈值电压 VT-的意义。
3. 多器谐振荡：多器谐振荡的功能。 4. 555定时器：由555定时器组成的多谐、单稳、施密特触发器 的电路、工作原理。
9. 模数与数模转换器
章节内容
2. 掌握三态门、OD门、OC门和传输门的逻辑功能和应用；
3. 掌握CMOS、TTL逻辑门电路的输入与输出电路结构，输入 端高低电平判断。 4. 掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题； 5. 了解半导体器件的开关特性以及逻辑门内部电路结构。
3. 逻辑门电路
知识点 1. CMOS电路功耗低，抗干扰能力强，广泛应用。
消除的方法。
3. 典型组合逻辑集成电路：各种 MSI 器件的功能，阅读其功能
电子技术基础模拟部分(第五版)康华光总复习课件
vi 2
5 4
vi1
2vi 2
18
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示，求输出电压：vo的表达式。
令 vi1= vi2 = vi4 =0,
R1 40kΩ
R6
vi1
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ
–
vn
+
vp
vi4
R4 20kΩ
vo''
(1
R6 ) R1 // R2
R4 // R5 R3 R4 // R5
（2）同相输入加法运算电路
RP R11 // R12 // R RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
)( RP R11
ui1
RP R12
ui2 )
当 RP = RN时，
uo
Rf R1
ui1
Rf R2
ui2
3、减法运算电路
RP R2 // R3 RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示，求输出电压vo的表达式。
解： 利用“虚短”、“虚断” 和叠加
R1 40kΩ
R6
vi1
原理 令 vi3= vi4 =0, 可看作是求和电路
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ
–
vn
+
vp
R4 20kΩ
vi4
R5
30kΩ
vo
vo'
R6 R1
vi1
R6 R2
iE
–
静态分析： 直流通路
IBQ
VCC Rb
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耦合电容：通交流、隔直流
直流电源：内阻为零
直流电源和耦合电容对交流相当 于短路
Rb
Rc T
+ VCC
+ C b2 +
+
C b1
+
+
+
vi +
RL
vo
-
+
T Rb Rc RL
+
vi +
vo -
9
( R // R ) V I O c c L A V r V I i b be ( Rc // RL ) rbe
19
运放电路
基本线性运放电路
虚假短路
vp
vo
R2
vi
由理想运放的参数可知：
vn
vo Avo (vp vn )
Avo
vo为有限值
ri vi / ii ri vi为有限值
R1
vp vn 0
两输入端的电位约相等，称为虚短
ii 0
ip in 0
两输入端的电流约为零，称为虚断
反馈放大电路 的输入信号
基本放大电路的输入 信号（净输入信号）
输出信号
xI
+
– xF
x ID
基本放大 电路A
xO
反馈信号
反馈网络 F
24
+ vi –
+ vid – + vf –
Av
+ vo –
io RL
+ vi –
+ vid – + vf –
Ag
+ vo –
io RL
Fv
Fr
电压串联 电流串联 电压并联 电流并联
vCE
较小时，IB对IREF的分流作用影响镜像对称度。若需减小输
出电流，必要求R的值很大
-VEE
31
集成运放
BJT电流源电路
2.微电流源(widlar current source) 利用发射结电压对集电极电流的影响作用。 T2的射极电阻使其发射结电压减小， 从而减小其集电极电流IC2 +VCC R IREF IC1 T1 T2 Re2 -VEE
ii + vo – io RL
iid
Ar
ii
iid
Ai
+ vo –
io RL
if
if
Fg
Fi
25
V
－
vo
ii
i id
+
Rf RL
is
Rs
if
电压并联负反馈 Voltage-shunt negative feedback
V
Rs vs vi
vid
+
－
io
RL
vf
V
Rf
电流串联负反馈 Current-series negative feedback
Rc
+
－
vo
RL
T1 T2 Rb I
－VEE
Rf
电压并联负反馈
BJT电流源电路
1.镜像电流源(mirror current sources ) 动态输出 电阻 +VCC R
I B2
iC2 ro v CE2
1
IREF IC1 T1
2IB
iC2 T2
IO与IREF相等，构成镜像关系，改变R值，可 以获得不同的IO，不受T2负载变动的影响
VGS
Rg 2 Rg1 Rg 2
Rd Rg1 Cb1 vi id d T B s
VDD
Cb2 vo
VDD
2
I D Kn VGS VT
g Rg2
VDS VDD I D Rd
根据求得的VDS判断FET工作在饱和区或可变电阻区
1. 直流偏置及静态工作点的计算
（2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路
+
R b1 C b1
+ +
Rc
+ VCC
+ C b2
T Re RL
+
VB VBE IC IE Re
vi +
R b2
vo
-
VCE VCC IC Rc I E Re VCC IC ( Rc Re )
IB IC
11
.
②电压增益
26( mV ) rbe 200 (1 ) I EQ ( mA )
36
BJT电流源电路
电流源作有源负载
镜像电流源作为T1的集电极负载
+VCC
T3 IREF R T1 T2
vO vi
可使电路在不提高电源电压的条件下， 获得较高的电压增益与较大的动态范围
有源负载是模拟集成电路的重要特征。采用有源负载的运放，有时中间只需两级放大， 就可以满足高增益的要求。这样，放大器级数减少，有利于提高多级放大器的稳定性
高输入电阻差分电路如图，求输出电压表达式。
R21
R1
vn
vi 1
R22
由叠加定理：
A1
R2
v o1
vi 2
vo 2
A2
vo 2
R2
R22 v o1 R2
R21 vo1 (1 )v i 1 R1
vo 2 vo 2 vo 2
当R1=R21时
R22
vo 2 vo 2
33
I O I C2 I E2
VBE Re2
Re2 ro rce2 1 r R be2 e2
I REF VCC VEE R
2IB
IC2
BJT电流源电路
2.微电流源(widlar current source) +VCC 例题：VCC=30V，现要求IC2 ＝10μA。 若采用镜像电流源： R IREF IC1 T1 T2 Re2
V
－
ii
i id
+
Rf
io
is
RL
Rs
if
R
电流并联负反馈
动画演示
Current-shunt negative feedback
V CC
R1
i b1
+
R3 io T2 T1
vo
is
Rs
if
R2
R
电流并联负反馈 Current-shunt negative feedback
例
VCC
Rc Rb
is Rs
输入电阻
V Ri T Rb1 // Rb2 //[rbe (1 ) Re ] I T
Ro Rc // Ro
R
o
输出电阻 当
Rc 时， Ro
»R
c
（ 一般
rce Rc ） Ro
场效应管电路
MOS放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算
（1）简单的共源极放大电路
R + D VREF R D VD VREF + vO vO
VCC
+5V
Vo=?
4.7k
（1）vI1=0V、 vI2=0V
vO
vI1 vI2
（2） vI1=0V、 vI2=5V （3） vI1=5V、 vI2=5V （4） vI1=5V、 vI2=0V
晶体管放大电路
基本共射极放大电路的工作原理
V ri T IT Rb // rbe
V Ro T RC IT
.
b
Ib
rbe .
Ic
c
Vi
+ .
Rb
+ .
+
r be
e
I b
Rc
-
RL Vo -
H参数小信号等效电路
射极偏置电路
（2） 放大电路指标分析 ①静态工作点
Rb2 VB VCC Rb1 Rb2
2IB
IC2
VCC VBE I C 2 I REF R R 2.93 M
34
BJT电流源电路
2.微电流源(widlar current source) 若采用微电流源： 选Re2 ＝11.97kΩ，利用公式： +VCC R IREF IC1 T1 T2 Re2
VBE 1 VBE 2
VGS VG VS RG 2 VDD VSS VSS RI D VSS RG1 RG 2
Rd Rg1 Cb1 g Rg2 id d T B s R
+VDD Cb2 vo
当NMOS管工作在饱和区
I D Kn VGS VT
g V R V o m gs d
Ri Rg1 || Rg2
Ro Rd
JFET放大电路
直流偏置电路
.分压器式自偏压电路
计算Q点：
+VDD
Rd
已知VP ，由
VGS Rg2 Rg1 Rg2 VDD I D R
Rg1
Cb1 + vi Rg2
－
d
g
T
s
+ C b2
+ vo
VGS 2 I D I DSS (1 ) VP
R22 R21 (1 )vi 1 R2 R1