第8章光电信息变换
第8章 光电成像系统上
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光 扫 电 描 成 型 像 器 件 成 像 扫 描 型
像增强管( 像增强管(图 像强度的变换) 像强度的变换)
主要由像 敏面、 敏面、电 子透镜& 子透镜& 显像面构 成
2012-2-29
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8.3 光电成像原理与电视制式
8.3.1 光电成像原理
二维光学图像 二维电气图像 一维视频信号
二维光学图象
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摄像机的基本构成
镜头、话筒、机身、寻像器、电池盒等 镜头、话筒、机身、寻像器、 镜头( 镜头(Lens)
聚焦环(Focus ); 变焦 (Zoom ) :手动与自动 ;变焦倍率:15、17、16倍; 微距(Macro );光圈(Iris )
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2009年诺贝尔奖物理学奖得主 年诺贝尔奖物理学奖得主
Fig.1贝尔实验室 贝尔实验室George 贝尔实验室 Smith和Willard Boyle将可视 和 将可视 电话和半导体存储技术结合 发明了CCD原型 发明了 原型
高锟——光纤之父 高锟——光纤之父
博伊尔&史密斯 博伊尔 史密斯—— 史密斯 发明CCD图像传感器 发明 图像传感器
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Hale Waihona Puke 摄像机结构1、光学系统(主 光学系统( 要指镜头) 要指镜头) 2、光-电转换系统 (主要指摄像管或 固体摄像器件) 固体摄像器件) 3、信号处理系统 (主要指视频处理 电路) 电路) 4、自动控制系统 5、录像系统 6、附件
光电子技术第8章
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~ 1 T Cn 2T I (t ) exp(it )dt T 2
I0 , t 2 I (t ) 0, t T 2 2
a0 1 T 1 2T I (t )dt 2 I 0 dt I 0 2 T 2 T 2 T
一、调制的基本概念
1.概念:使载波的某一参量(幅度、频率、相位)按欲 传输信号规律变化的过程。 2.优点:由于既可携带信息,又与背景辐射特征不同,
第八章 光辐射的调制
所以: ①便于抑制背景光的干扰; ②抑制各环节的固有噪声; ③抑制外部磁场的干扰。 ∴调制的光电系统在信号传输和探测过程中,具有更高的探 测能力。 3.分类:模拟、脉冲、数字调制 ㈠模拟调制: ①原理:信息信号连续改变载波的强度、频率、相位或偏振, 因此信息信号幅度与参数的幅度存在一一对应关系。 ②分类及特点:
第八章 光辐射的调制
△功率利用率高: 从信号的频谱图分析来看: 调幅系统的大部分能量集中在载频上,边频能量小。 调频系统,当 m f 1 时,能量主要集中在边频分量上,即能 量利用率高,调制效率高。 门限效应问题 2.非周期信号的频谱 ⑴单脉冲信号的频谱:
sin( / 2) I ( j ) I 0 / 2
二、调制信号的频谱
目的:利用信号频谱和噪声频谱的差异,抑制噪声,提高检 测质量,有利于电路处理。
第八章 光辐射的调制
复习以下内容: 1.周期信号的频谱: ⑴任何复杂的周期信号 I (t ) ,都可以表示为直流分量与无数 谐波分量之和,即任何周期信号都是由直流和无数不同频率 的正弦信号构成的。 n=1:基波,其基频为: 2 / T n>2:高次谐波 n=2:二次谐波 n=3:三次谐波 ⑵已知 I (t ) 求频谱叫频谱分析 特点:谱可以连续,也可以分立。 ⑶几种常见周期信号的频谱:
传感器原理与应用习题第8章光电式传感器
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《传感器原理与应用》及《传感器与测量技术》习题集与部分参考答案教材:传感器技术(第3版)贾伯年主编,及其他参考书第8章光电式传感器8-1 简述光电式传感器的特点和应用场合,用方框图表示光电式传感器的组成。
8-2 何谓外光电效应、光电导效应和光生伏特效应?答:外光电效应:在光线的作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。
光电导效应:在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,而引起材料电导率的变化的现象。
光生伏特效应:在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象。
8-3 试比较光电池、光敏晶体管、光敏电阻及光电倍增管在使用性能上的差别。
答:光电池:光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件。
它有较大面积的PN结,当光照射在PN结上时,在结的两端出现电动势。
当光照到PN结区时,如果光子能量足够大,将在结区附近激发出电子-空穴对,在N区聚积负电荷,P区聚积正电荷,这样N区和P区之间出现电位差。
8-4 通常用哪些主要特性来表征光电器件的性能?它们对正确选用器件有什么作用?8-5 怎样根据光照特性和光谱特性来选择光敏元件?试举例说明。
答:不同类型光敏电阻光照特性不同,但光照特性曲线均呈非线性。
因此它不宜作定量检测元件,一般在自动控制系统中用作光电开关。
光谱特性与光敏电阻的材料有关,在选用光敏电阻时,应把光敏电阻的材料和光源的种类结合起来考虑,才能获得满意的效果。
8-6 简述CCD图像传感器的工作原理及应用。
8-7 何谓PSD?简述其工作原理及应用。
8-8 说明半导体色敏传感器的工作原理及其待深入研究的问题。
8-9 试指出光电转换电路中减小温度、光源亮度及背景光等因素变动引起输出信号漂移应采取的措施。
8-10 简述光电传感器的主要形式及其应用。
答:模拟式(透射式、反射式、遮光式、辐射式)、开关式。
应用:光电式数字转速表、光电式物位传感器、视觉传感器、细丝类物件的在线检测。
8-11 举出你熟悉的光电传感器应用实例,画出原理结构图并简单说明原理。
第8章-光电子技术应用举例
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8.3 光盘存储
二、DVD与CD区别
DVD的特点是存储容量比现在的CD大得多 1.短波长激光 CD播放机和CD-ROM驱动器采用波长为780nm的红外光来读出盘 上的信息。DVD刻录机和播放机就需要采用波长更短的激光源。 2.大记录区域 DVD盘光道之间的间距由原来的1.6μm缩小至0.74μm,而记录信息 最小凹凸坑长度由原来的0.83μm缩小到0.4μm, DVD盘的记录区域从 CD盘的86 cm2提高到86.6 cm2。
8.2 摄像机和数码相机
单反相机是目前最流行的相机,“单反”是指用一个镜头反光, 取景和曝光共用一个镜头。在系统中,巧妙地设计了反光镜和五棱 镜。取景时,反光镜将光线反射到五棱镜上,再进入取景器,摄影 者可以直接观测到影像;拍摄时,将反光镜抬起,光线直接入射到 感光元件上。摄影和取景共用一个镜头,保证了取景时看到的景物 和拍摄的景物完全一致,解决了拥有独立取景镜头旁轴相机或双反 相机的视差问题
8.3 光盘存储
3.双面和多层记录. 使用盘片的两个面记录数据。
8.4 全息技术应用
一、全息干涉 全息干涉计量是指利用全息照相的方法获得两个光波一个光波是标 准波前,另一个光波是变形物体产生的变形波前,并使两光波进行干涉 度量比较的计量技术。 最常用的方法是单次曝光法、两次曝光法和时间平均法。
光电子技术基础
第8章光电子技术应用举例
厚德博学
求实创新
8.1光电成像系统的应用
一、线性CCD的应用
线阵CCD常用于几何量的测量,如位移、直径等。图8.1(a)所示为用投影 方式测量某小型零件直径原理图,线阵CCD放在被测对象后面,用平行光照射被
测目标,没有被被测目标遮挡的光线直接入射到CCD单元上,而被被测物体遮挡
第八章 图像信息的光电变换2-1节
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序信号;CMOS图像传感器采用顺序开通行、列开关的方式完成像
素信号的一维输出。因此,有时也称面阵CCD、CMOS图像传感 器以自扫描的方式输出一维时序电信号。
监视器或电视接收机的显像管几乎都是利用电磁场使电子束偏
转而实现行与场扫描,因此,对于行、场扫描的速度、周期等参数 进行严格的规定,以便显像管显示理想的图像。
(8-1)
式中thf为行扫描周期,而W/thf应为电子 束的行扫描速度,记为vhf,式可改写为
f=fx〃vhf
(8-2)
CCD与CMOS等图像传感器只有遵守上 述的扫描方式才能替代电子束摄像管,因
此, CCD与CMOS的设计者均使其自扫描制式与电子束摄像管相同。
8.2.2 电视制式
电视的图像发送与接收系统中,图像的采集(摄像机)与图像
当摄像管有光学图像输入时,则入射光子打到靶上。 由于本征层占有靶厚的绝大部分,入射光子大部分被本征 层吸收,产生光生载流子。且在强电场的作用下,光生载 流子一旦产生,便被内电场拉开,电子拉向N区,空穴被 拉向P区。这样,若假定把曝光前本征层两端加有强电场 看作是电容充电,则此刻由于光生载流子的漂移运动的结 果相当于电容的放电。其结果,在一帧的时间内,在靶面 上便获得了与输入图像光照分布相对应的电位分布,完成 了图像的变换和记录过程。
传感器件通过电子束扫描或数字电路的自扫描方式将二维光学图像 转换成一维时序信号输出出来。这种代表图像信息的一维信号称为 视频信号。视频信号可通过信号放大和同步控制等处理后,通过相 应的显示设备(如监视器)还原成二维光学图像信号。 视频信号的产生、传输与还原过程中都要遵守一定的规则才能 保证图像信息不产生失真,这种规则称为制式。
第二,要求相邻两场光栅必须均匀地镶嵌,确保获得最高的清晰度。
第8章 光电成像系统下
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2012-3-10 8
1.电荷存储 1.电荷存储
N型CCD 型
耗尽 区的 深度 与UG 成正 比。
在栅极G施加电压 在栅极 施加电压UG 施加电压 之前p型半导体中空穴 之前 型半导体中空穴 的分布是均匀的。 的分布是均匀的。
按信号传输功能
Linear 线性、Interline扫瞄、 线性、 扫瞄、 扫瞄 全景 Full-Frame和 Frame和 Transfer 全传
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2012-3-10
线阵CCD与面阵 线阵CCD与面阵CCD的比较 与面阵CCD的比较
1)对于面阵CCD来说,应用面较广,如面积、形 )对于面阵 来说, 来说 应用面较广,如面积、 尺寸、位置,甚至温度等的测量。面阵CCD的 状、尺寸、位置,甚至温度等的测量。面阵 的 优点是可以获取二维图像信息,测量图像直观。 优点是可以获取二维图像信息,测量图像直观。缺 点是像元总数多,而每行的像元数一般较线阵少。 点是像元总数多,而每行的像元数一般较线阵少。 2)线阵CCD结构简单,成本较低。可以同时储存 )线阵 结构简单, 结构简单 成本较低。 一行电视信号.由于其单排感光单元的数目可以做 一行电视信号 由于其单排感光单元的数目可以做 得很多,在同等测量精度的前提下, 得很多,在同等测量精度的前提下,其测量范围可 以做的较大,并且由于线阵CCD实时传输光电变换 以做的较大,并且由于线阵 实时传输光电变换 信号和自扫描速度快、频率响应高, 信号和自扫描速度快、频率响应高,能够实现动态 测量,并能在低照度下工作,所以线阵CCD广泛地 测量,并能在低照度下工作,所以线阵 广泛地 应用在产品尺寸测量和分类、非接触尺寸测量、 应用在产品尺寸测量和分类、非接触尺寸测量、条 形码等许多领域。 形码等许多领域。
光电传感器应用技术教学配套课件王庆有第8章第3节
![光电传感器应用技术教学配套课件王庆有第8章第3节](https://img.taocdn.com/s3/m/7f4114e8f605cc1755270722192e453610665bf6.png)
8.6 典型面阵CCD图像传感器
8.6.1概述
二维面阵CCD图像传感器有不同的结构与排列方式,如帧转移、隔列转 移、线转移和全帧转移等方式。
(1) 帧转移面阵CCD
如图8-31所示为 帧转移方式的面阵 CCD图像传感器的原 理结构图。
(2) 隔列转移型面阵CCD
隔列转移型面阵CCD的结构如图8-32(a)所示。
(3) 线转移型面阵CCD
如图8-33所示为线转 移方式的面阵CCD的结构 图,它与前面两种转移方 式相比,取消了存储区, 多了一个线寻址电路。
8.6.2典型帧转移型面阵CCD器件
1. TCD5130AC面阵CCD
TCD5130AC是一种帧转移型面阵CCD。常用于三管彩色 CCD电视摄像机中。它的有效像元数为754(H)×583(V);像元尺寸 (长×高)为12.0μm×11.5μm;像敏面积为9.05mm×6.70mm,一般将 它封装如图8-34所示 。各管脚的定义如图8-35所示。
8.6 若二相线阵CCD器件TCD1251D像敏单元为2700个,器 件的总转移效率为0.92,试计算它每个转移单元的最低转移效率 为多少?
8.7 设TCD1209D的驱动频率为2MHz,试计算TCD1209D 的最短积分时间为多少?当从表5-1中查到其光照灵敏度(响应 R)31v/lx.s时,试求使其饱和所需要的最低照度?
8.15 试说明隔列转移型面阵CCD的信号电荷是如何从像敏区 转移出来成为视频信号的。
8.11 TCD1251D的转移脉冲SH的下降沿落在驱动脉冲CR1还 是CR2的高电平上?这说明了什么?如果将CR1和CR2的相位颠 倒会出现怎样的情况?
8.12 为什么TCD1251D的积分时间必须大于2752个TRS (TRS为复位脉冲RS的周期)?若积分时间小于2752个TRS,输 出信号将会如何?
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第八章
![模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第八章](https://img.taocdn.com/s3/m/e230222731b765ce05081485.png)
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第八章Company number:【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改错:改正图所示各电路中的错误,使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法(共射、共基、共集)。
(a) (b)图解:(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同名端。
二、试将图所示电路合理连线,组成RC桥式正弦波振荡电路。
图解:④、⑤与⑨相连,③与⑧相连,①与⑥相连,②与⑦相连。
如解图所示。
解图三、已知图(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示,填写各电路的名称。
电路1为正弦波振荡电路,电路2为同相输入过零比较器,电路3为反相输入积分运算电路,电路4 为同相输入滞回比较器。
(a)(b)图四、试分别求出图所示各电路的电压传输特性。
(a) (b)图解:图(a)所示电路为同相输入的过零比较器;图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器,两个阈值电压为±U T =±U Z。
两个电路的电压传输特性如解图所示。
解图五、电路如图所示。
图(1)分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路;(2)求出u O1与u O 的关系曲线u O1=f (u O );(3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1);(4)定性画出u O1与u O 的波形;(5)说明若要提高振荡频率,则可以改变哪些电路参数,如何改变解:(1)A 1:滞回比较器;A 2:积分运算电路。
(2)根据12111112121()02P O O O O N R R u u u u u u R R R R =⋅+⋅=+==++ 可得:8T U V ±=±u O1与u O 的关系曲线如解图 (a)所示。
(3) u O 与u O1的运算关系式(4) u O1与u O 的波形如解图(b)所示。
光电技术第8章 液晶显示(4)
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③胆固醇液晶(Cholesteric LC) 它们大部份是由胆固醇的衍生物所生成的. 但有些没有 胆固醇结构的液晶也会具有此液晶相。这种液晶如果把它 的一层一层分开来看,会很像线状液晶。但是在Z轴方向 来看,会发现它的指向矢会随着一层一层的不同而像螺旋 状一样分布,而当其指向矢旋转360度所需的分子层厚度 就称为螺距(pitch)。正因为它每一层跟线状液晶很像,所 以也叫Chiral nematic phase。
STN(Super Twisted Nematic)型LCD STN LCD与TN型LCD在结构上是很相似的, 其主要的差 别在于 TN型的LCD,其液晶分子的排列, 由上到下旋转 的角度总共为90度. 而STN型LCD的液晶分子排列, 其旋 转的角度会大于180度, 一般为270度.(请见图12) 正因为 其旋转的角度不一样, 其特性也就跟着不一样. 从图13中TN型与STN型LCD的电压对穿透率曲线可以 知道, 当电压比较低时, 光线的穿透率很高. 电压很高 时, 光线的穿透率很低. 所以它们是属于Normal White的 偏光板配置. 而电压在中间位置的时候, TN型LCD的变化 曲线比较平缓, 而STN型LCD的变化曲线则较为陡峭. 因 此在TN型的LCD中, 当穿透率由90%变化到10%时, 相对 应的电压差就比STN型的LCD来的较大.
4.4 偏振器
4.5 TN 型LCD(Twisted Nematic Liquid crystal display)
图可以知道, 当上下两块玻璃之间没有施加电压时, 液 晶的排列会依照上下两块玻璃的配向膜而定. 对于TN型 的液晶来说, 上下的配向膜的角度差恰为90度,所以液晶 分子的排列由上而下会自动旋转90度, 当入射的光线经过 上面的偏光板时, 会只剩下单方向极化的光波. 通过液晶 分子时, 由于液晶分子总共旋转了90度, 所以当光波到达 下层偏光板时, 光波的极化方向恰好转了90度. 而下层的 偏光板与上层偏光板, 角度也是恰好差异90度。所以光线 便可以顺利的通过, 但是如果对上下两块玻璃之间施加电 压时, 由于TN型液晶多为介电系数异方性为正型的液晶 (ε// >ε⊥), 所以从图中便可以看到, 液晶分子的排列都变 成站立着的. 此时通过上层偏光板的单方向的极化光 波, 经过液晶分子时便不会改变极化方向, 因此就无法通 过下层偏光板.
复习总结
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2 .5设某光敏电阻在100lx的光照下的阻值为2KΩ,且已 知它在90~120lx范围内的γ=0.9。试求该光敏电阻在 110lx光照下的阻值?
解:
g =SgEγ
R =1/SgEγ
R /R0=(E0/E)γ
R =(E0/E)γ R0 =(100/110)0.9×2=1.84KΩ 2 .6已知某光敏电阻在500lx的光照下的阻值为550Ω,在 700lx的光照下的阻值为450Ω。试求该光敏电阻在550lx 和600lx光照下的阻值?
2013-10-24 9
1.17 在微弱辐射作用下,光电导材料的光电导灵敏度有什 么特点?为什么要把光敏电阻的形状制造成蛇形?
q 在微弱辐射作用下,半导体的光电导 g hl 2 e, 可见此时半导体材料的光电导与入射辐射通量成线性关系。 光电导灵敏度为 dg q Sg d e , hcl2
Le, m V ( ) Le,
6
1.7 一束波长为0.5145μm输出功率为3W的氩离子激光束均 匀地投射到0.2cm2的白色屏幕上。问屏幕上的光照度为多 少?若屏幕的反射系数为0.8,其光出射度为多少?屏幕每 分钟接收多少个光子?
解:φe,λ =3mW,查表得V(0.5145um)=0.6082
hc 1239 (nm) 解题思路:L Eth Eth
Eth E A
N型半导体
Eth Eg EA
P型半导体
1.11 ΔEi=Eth=1.24/13=0.095ev
1.19 Eth=1239/680=1.82ev
1.20 Eg=1.239/λL=1.239/1.4=0.886ev
光生伏特效应属于内光电效应
q I (1 e d )Φe, h
光电转换过程
![光电转换过程](https://img.taocdn.com/s3/m/99e13f64bdd126fff705cc1755270722192e59e5.png)
光电转换过程
一、光的吸收
光电转换过程的起始步骤是光的吸收。
当光照射在光敏元件上时,光子能量被吸收,导致电子从束缚态跃迁至自由态。
这个过程主要取决于光的波长和光敏材料的能带结构。
二、电子-空穴对的形成
光的吸收导致光敏材料中的电子从价带跃迁至导带,从而在价带中留下空穴。
这个过程形成了所谓的“电子-空穴对”。
三、电场的作用
在某些情况下,光敏元件内部存在电场。
这个电场会对电子和空穴施加作用力,驱使它们向相反的方向移动。
在光照下,电子和空穴分别向负极和正极移动,形成光电流。
四、产生电流
电子和空穴在电场的作用下分离并移动,从而在光敏元件的两端产生电压差。
这个电压差驱动电流的形成。
电流的大小取决于光照强度、光的波长以及光敏材料的性能。
五、信号处理
产生的电流可以被进一步处理,以提取有用的信息。
例如,通过测量电流的大小,可以推断出光照的强度或光的波长。
此外,通过将电流转换为电压或数字信号,可以进行更复杂的信号处理和分析。
总结:光电转换过程涉及光的吸收、电子-空穴对的形成、电场的作用、产生电流以及信号处理等步骤。
这个过程是许多光电器件(如太
阳能电池、光电传感器等)的基础工作原理。
深入理解光电转换过程有助于更好地设计和优化这些器件的性能。
光电式传感器PPT课件
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第8章 光电式传感器
图 8-2 光敏电阻结构 (a) 光敏电阻结构; (b) 光敏电阻电极; (c) 光敏电阻接线图
第8章 光电式传感器
2.光敏电阻的主要参数
(1) 暗电阻与暗电流 光敏电阻在不受光照射时的阻值 称为暗电阻,此时流过的电流成为暗电流。
(2) 亮电阻与亮电流 光敏电阻在受光照射时的电阻称为 亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。
在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现 象称为外光电效应。向外发射的电子叫光电子。基于外光电效 应的光电器件有光电管、 光电倍增管等。
光照射物体,可以看成一连串具有一定能量的光子轰击物 体,物体中电子吸收的入射光子能量超过逸出功A0时,电子就 会逸出物体表面,产生光电子发射, 超过部分的能量表现为逸 出电子的动能。
8.1.2
1. 结构原理
光敏二极管的结构与一般二极管相似。它装在透明玻璃外壳 中,其PN结装在管的顶部,可以直接受到光照射(见图8-8)。 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态(见图8-9),在 没有光照射时,反向电阻很大,反向电流很小,这反向电流称 为暗电流,当光照射在PN结上,光子打在PN结附近,使PN结附 近产生光生电子和光生空穴对,它们在PN结处的内电场作用下 作定向运动,形成光电流。光的照度越大,光电流越大。因此 光敏二极管在不受光照射时处于截止状态,受光照射时处于导 通状态。
第8章 光电式传感器
光敏晶体管的光电灵敏度虽然比光敏二极管高得多,但在 需要高增益或大电流输出的场合,需采用达林顿光敏管。图8-11 是达林顿光敏管的等效电路,它是一个光敏晶体管和一个晶体 管以共集电极连接方式构成的集成器件。由于增加了一级电流 放大,所以输出电流能力大大加强,甚至可以不必经过进一步 放大,便可直接驱动灵敏继电器。但由于无光照时的暗电流也 增大,因此适合于开关状态或位式信号的光电变换。
《光电信息技术》PPT课件
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目录
序 前言
第一章:光电信息技术物理基础
§1.1 理论基础 §1.1.1 半导体能带理论 §1.1.2 光电发射效应 §1.1.3 光电导效应 §1.1.4 光伏效应 §1.1.5 热释电效应
21
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专家倡导的“863计划”受信息化、数字 化、网络化浪潮的推动,中国的光电信 息市场和产业也呈现出高速增长态势, 成为拉动整个国民经济增长的第一支柱 行业。1999年底全国范围内建成了“八 横八纵”的光缆网.武汉、广东和长春
等地提出了建设中国光谷的规划。
现代信息技术的发展,迫切需要培
划的
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重点是光电子产业。据国家统计资料显 示,世纪具有代表意义的主导产业,第 一是光子产业,第二是信息通信产 业……”。 我国政府十分重视光电子技术和产 业的发展,已将它列入国民经济优先发 展的领域,把光电子产业列为国家重点 发展计划,继1986年3月王大恒等四位
8 .试设计一个用于水下作业的光纤开关系统, 用双向可控硅控制用电器。请画出全部电子线 路图。
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§4.2.2 光电遥控 §4.2.3 光纤开关 §4.3 光纤通信 §4.3.1 光纤通信原理及构成 §4.3.2 光纤通信系统 §4.3.3 光纤网络系统 §4.4 光纤传感器 §4.4.1 元件型光纤传感器 §4.4.2 传输型光纤传感器
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光电检测技术及应用 第8章光电检测常用电路
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z2
r22
(wL2
1 )2 wC2
r2
1 2
arctg
(wL2
1 wC 2
r2
)
w0 L2 r2
w w0
1 r2 w0C2
w0 w
Q2
(
w w0ห้องสมุดไป่ตู้
w0 w
)
Q2
2w w0
Q2
w0 L2 r2
为二次侧回路的品质因数,
称为广义失调
量,Z2为二次侧回路的阻抗。
w w w0 为角频率变化量。I2 的相位较U1 滞后 ,它在
电二极管处于接近开路状态,
可以得到与开路电压成正比例
的输出信号即
,A = R2 R1
v
R1
根据(8-1)式代入得
V0 AV Voc
V0
AV
kT q
ln(Se E / I 0 )
四、光电器件与集成运算放大器的连接
(3)阻抗变换型
电路的输出电压
V0 I sc R f R f Se E
当实际的负载电阻 RL 与放大器连接时,RL 远远大于R0 ,则负
常见的鉴频器有斜率鉴频器、相位鉴频器、 比例鉴频器等,对这些电路的要求主要是非线 性失真小,噪声门限低。
1.斜率鉴频器 斜率鉴频器是属于调幅调频变换型。它先通
过线性网络把等幅调频波变换成振幅与调频波 瞬时频率成正比的调幅调频波,然后用振幅检 波器进行振幅检波。
图8-10 斜率鉴频器原理框图及各环节波形图
二、放大器设计中频率及带宽的确定 在实际系统中,从提高信噪比考虑,很少
要求精确保持波形,而按实际需要适当牺牲高 频成分,保持必要的脉冲特性。图8-4说明了 所需保持波形和电路3dB带宽△f之间的关系。
第8章光电检测-王威立
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8.3 电荷耦合器件(CCD)
1、CCD光敏元件工作原理
8.3 电荷耦合器件(CCD)
2、电荷转移原理
转移脉冲电压
8.3 电荷耦合器件(CCD)
电荷转移过程
8.3 电荷耦合器件(CCD)
8.3.2 CCD器件 1、CCD线阵摄像器件工作原理
8.3 电荷耦合器件(CCD)
2、面阵ICCD
第8章 光电检测
光电效应及光电器件 光电耦合器件 电荷耦合器件(CCD)
本章主要介绍光电效应及光电器件、光电耦合 器件及电荷耦合器件(CCD)。
8.1 光电效应及光电器件
光电器件(光电元件)是一种能将光量转换为 电量的器件。光电传感器就是以光电器件为检 测元件的传感器。它先将非电量转换成光量, 再通过光电器件将光量转换成电量。光电传感 器种类很多。 8.1.1 外光电效应及器件
一、光敏电阻的结构与原理
光敏电阻的 原理结构如图示
8.1 光电效应及光电器件
φ4、φ5、φ7、 φ9、φ11、 φ12、φ20、φ25
金属壳光敏电阻
贴片光敏电阻
8.1 光电效应及光电器件
二、光敏电阻的主要参数
① 暗电阻和暗电流 ② 亮电 阻和亮电流 ③ 光电. 伏安特性 两端电压和电流的关系曲 线。
8.2 光电耦合器件
8.2.2 光电耦合器件的组合形式
8.2 光电耦合器件
8.2 光电耦合器件
8.2.3 光电耦合器件的特性曲线
光电耦合器的输 入量是直流电流 IF , 而输出量也是直流电 流 IC 。 光电耦合器的线 性较差,必要时可采 用反馈技术来校正。
光耦种类很多。多数隔离电压在2.5KV以 上,有的达8KV。有高压大电流大功率的, 也有高速高频(频率达10MHz)的。 普通光耦非线性重、简单、便宜,适合数 字信号的隔离。线性光耦线性好、复杂、价 高,主要用于模拟信号的隔离。
第8章 光学信号的调制和解调
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1. 纵向电光调制
将出射光强与入射光强相比,得:
怎么来的?
3 3 n x n y 2 n0 63 E z L 2 n0 63 V
V
2
V 3 2n0 63
33
1. 纵向电光调制
V 1 T sin ( ) [1 cos V 2V 2
第8章 光学信号的调制
8.1 光信号调制的概述 8.2 光信号调制的基本原理 8.3 光信号调制的基本方法 8.4 调制信号的解调
8.1 光信号调制的概述
光波是信息的载体,通常称为光载波。 1. 载波的特征参数? 2. 调制:一次调制和二次调制
3. 二次调制的意义
1.光载波的特征参数
--人眼和探测器起作用的是光波的电场强度
8.3.1 光信号强度的调制 8.3.2 光信号相位的调制
8.3.3 光信号频率的调制
8.3.4 光信号偏振的调制
8.3.1 光信号强度的调制
可实现强度调制典型的方法
1. 辐射源调制
2. 机电调制 3. 光电子调制
需要掌握
1.辐射源调制
--改变输入电流来实现光强度的调制 1)半导体激光器调制 --调制频率40GHz
E (t ) E sin[0 t m f sin( t )]
调制指数m 对调频波形的影响
启动虚拟仪器 LabVIEW8.6仿真信号
E (t ) E sin[0 t m f sin( t )]
调频波的频谱由载频ω0和无数对边频(ω0 ±nΩ)组成 调频波的另一特征:调频波有效带宽随调制信 号振幅增大而变宽,但与调制信号的频率基本 无关 根据对信号失真要求的不同,调频波有效 频宽不同,一般取
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1. 简单变换电路
在对测量精度要求不高的情况下测量受照面的照度 (例如测量教室课桌表面的照度)时,常采用如图(8-2) 所示的简单光电变换电路,即简单照度计的变换电路。 图(a)为不需要外接 电源的硒光电池照度计 的变换电路。
调整电位器可使微安表的指针指示出光敏面上的照度。
2. 具有温度补偿功能的变换电路
Ip=f(Q)
(8-12)
或
Up= f(Q)
(8-13)
1、光电变换电路输出的电流Ip或电压Up不仅与被测信息量Q值有关 而且与载体光度量有关。
2、为保证光电变换电路输出信号与被测信息量Q的函数关系,载 体光度量必须稳定。否则,载体光度量的变化直接影响被测信息 量。 3、电路参数的变化,尤其是电源电压的波动,放大电路的噪声、 放大倍率的变化等都影响被测信号的稳定。而光度量的稳定又与 光源、光学系统及机械结构等的性能有关。
由式(8-10)可见,用这种方式即可以检测被测物体 的位移量Δ l、运动速度v和加速度等参数,或测量物体的 宽度。例如,光电测微仪和光电投影显微测量仪等测量仪 器均属于这种方式。
当然可以用这种方式用于产品的光电计数,光控开关, 和主动式防盗报警等。
5. 信息载荷于光学量化器的方式
光学量化器是指通过光学方法将连续变化的信息变换 成有限个离散量的方法。
F = f(Q)
(7-14)
显然,数字信息量F只取决于光通量变化的频率、周期、 相位和时间间隔等信息参数,而与光的强度无关,也不 受电源、光学系统及机械结构稳定性等外界因素的影响。
因此,这类光电变换方式对光源和光电器件的要求不象模 拟光电变换那样严格,只要能使光电变换电路输出稳定的 “0”和“1”两个状态即可。
8.1.1 光电信息变换的基本形式
1. 信息载荷于光源的方式
如图(a)所示,为信息载荷于光源中的情况(或光 电信息为光源本身),如光源的温度信息,光源的频 谱信息,光源的强度信息等。根据这些信息可以进行 钢水温度的探测、光谱分析、火灾报警、夜视观察、 地形地貌普查和成像测量等的应用。
经光电传感器获得的电信号为缓变的信号或直流信号。 为克服直流放大器的零点漂移、环境温度影响和背景噪声 的干扰,常采用光调制技术或电子调制的方法将其变为交 流信号,然后再解调出被测信息。
US=ξεσT4
(8-3)
表明变换电路输出的电压信号US是温度T的函数,温度 变化必然引起电压的变化。因此,通过测量输出电压, 并进行相应的标定就能够测出物体的温度。
2. 信息载荷于透明体的方式
如图(b)所示,为信息载荷于透明体中情况。信息可 为透明体的透明度,透明体密度的分布,透明体的厚度l, 透明体的介质材料等,能对光吸收都为载荷信息的方式。 提取信息的方法常用光通过透明介质时光通量的损耗 与入射通量及材料对光吸收的规律求解。即
具有载荷量大,损耗小,速度快,失真小等特点现已广
泛地用于声音和视频图像等信息通讯中。
8.1.2 光电信息变换的类型
光电信息变换和信息处理方法可分为2类:一类称为 模拟量的光电信息变换,例如前4种变换方式;另一类称 为数字量的光电信息变换,例如后2种变换方式。
1. 模拟光电变换
被测的非电量信息(如温度、介质厚度、均匀度、溶 液浓度、位移量、工件尺寸等)载荷于光信息量时,常 为光度量(通量、照度和出射度等)的方式送给光电器 件,光电器件则以模拟电流 Ip 或电压 Up 信号的形式输出。 即输出信号量是被测信号量Q的函数,或称输出信号量与 被测信号量之间的关系为模拟函数关系。可表示为
图4所示为具有温度补偿功能的光电变换电路,图中 D1为测光光电二极管,D2为补偿光电二极管,D1、D2及 电阻、可变电阻器构成电桥。
在背景光照下调整可变电阻器使电 桥平衡,输出电压表指示为“零”。当 测光光电二极管光敏面上的光照度发生 变化时,电桥失去平衡,输出电压表将 指示出光敏面上的光照度。
补偿光电二极管D2被遮蔽并与光电 二极管D1封装在同温槽中,且要求D1与 D2的特性极为接近。 这样,温度变化使两个光电二极管的温度漂移基本相 同,又分别处于两个桥臂,相互补偿,达到消除温度对测 量电路的影响。
U s 0 e Cl
两边取自然对数后 lnUs=lnU0―μ Cl (8-7)
将变换电路的输出信号电压Us送入对数放大器后,便可以获得 与介质浓度C和介质厚度l有关信号。 1、在介质厚度l确定下,利用电压信号可以得到介质的浓度C。
2、在介质浓度C确定下,得到介质厚度l。
光信息量化的变换方式在位移量(长度、宽度和角度) 的光电测量系统中得到广泛的应用。
1、将长度或角度的信息量经光学量化装置(光栅、码盘、干涉仪 等)变为条纹或代码等数字信息量。 2、再由光电变换电路变为脉冲数字信号输出。如图(e)所示。 3、光源发出的光经光学量化器量化后送给光电器件转换成脉冲数 字信号,再送给数字电路处理或送给计算机进行处理或运算。 目前,这种变换形式已广泛地应用于精密尺寸测量、角度测量 和精密机床加工量的自动控制等方面。
图11所示的双光路单光 电器件的光电检测系统。 1、双光路单光电器件的光 电检测系统中光源发出的光 经反射镜分为两路经调制盘 的转动,使参考光与测量光
分时进入系统,并分时由光 电器件D接收。
2、光电器件D分时接收到参 考光信号和测量光信号后输 出如图12所示的信号波形, 输出的信号差即为被测信号。
图8所示为双光路双器件差分式光电变换原理结构图。 光源发出的光通过反光镜分别进入参考系统与测量系统。
D1与D2的特性参数应 尽量一致。D1与D2按图9所 示的差分电路的形式连接。 设参考系统光电器件D1的输 出电压为UD1,测量系统光 电
器件D2的输出电压为UD2, 则变换电路的输出信号电压为 UO=K(UD2-UD1) (8-22) 式中K为放大器的放大倍率。
下面用全辐射测温为例讨论信息存在于光源中这类问 题的处理方法。在全辐射测温应用中温度信息存在于光源 的辐射出射度Me, λ,由第1章中的式(1-42)可知物体的 全辐射出射度Me, λ与物体温度的关系为
Me, λ=εMe, λ,s= εσT4
(8-1)
式中Me, λ,s为同温度黑体的辐射出射度,ε为物体的发射 系数,与物体的性质、温度及表面状况有关。T为被测 体的温度,即测量的信息量。
在近距离测量时,不考虑大气的吸收,光电传感器 的变换电路输出的电压信号为
US= mτSGKMe, λ=ξMe, λ (8-2)
式中,m为光学系统的调制度,τ为光学系统的透过滤, S为光电器件的灵敏度,G为变换电路的变换系数,K为 放大器的放大倍数,ξ= mτSGK称为系统的光电变换系数。 将式(8-1)代入式(8-2)得
另一种常用的双光路双器件光电变换器如图10所示。这种光 电变换方式又称为比较差接式光电变换器。这种变换方式常用于测 色仪器。 1、测色仪的光源发出的光,分为两路,一路经透镜照射在标准色 板上,经标准色板反射后再汇聚到光电器件D1上; 2、另一路经透镜照射在被测样品上,经被测样品反射后再汇聚到 光电器件D2上。 3、 两个光电二极管的输出信号可以进行 差分比较,可测量出被测面的颜色与标准 色板的差;也可以采用分别输出的方式, 并将测量结果经A/D数据采集后送计算机 进行分析。 由于双光路双器件光电变换电路的输出信号与测量系统和参 考系统输出信号的差成正比,因此,测量系统和参考系统随温度与 光源的影响将被消除。
第8章 光电信息变换
根据信息存在于光电系统的方式,可提出理想的设计 方案。
8.l
光电信息变换的分类
光电信息变换应用于许多技术领域,对于不同的应用,光电信
息变换的内容,变换装置的组成和结构形式等均有所不同。
1、根据信息载入光电信息的方式分为6种光电信息变换的基本形式; 2、根据光电变换电路输出信号与信息的函数关系分为模拟光电变 换与模-数光电变换两类。
根据这一原理,用这种方式可以对光滑零件表面的 外观质量进行自动检测。
在检测产品外观质量时,变换电路输出的疵病信号 电压
US=E(r1-r2)Bξ
(8-8)
式中E为被测表面的照度,r1为正品(无疵病)表面的 反射系数,r2为疵病表面的反射系数,B为光电器件有 效视场内疵病所占的面积,ξ 为光电变换系数。由式 (8-8)可知,当E,r1和ξ 已知时,输出电压US是r2和 B的函数,因此,可以通过输出信号电压US的幅度判 断表面疵病的程度和面积。
6. 光通讯方式的信息变换
目前,光通讯技术正在蓬勃发展,信息高速公路的 主要组成部分为光通讯技术。光通讯技术的实质是光电 变换的一种基本形式,称为光信息通讯变换方式。 如图(f)所示,信息首先对光源进行调制,发出载有各种 信息的光信号,通过光导传送到远方的目的地,再通过 解调器将信息还原。由于光纤传输的媒体常为激光,它
0e
l
(8-4)
式中α 为透明介质对光的吸收系数,它与介质的浓度C成 正比, α=μC。 μ 为与介质性质有关的系数。 L为厚度。 可改写为 (8-5) Cl
0e
可见,当透明介质l有关,采用如图(a)所示的变换方式,变换电路 的输出信号电压Us为
3. 差分式光电变换电路
图6所示为光电测量原理图,是一种典型的差分式光电 变换电路。
其中一路经被测溶液入 射到测量光电池D1上, 另一路经反光镜到补偿 光电池D2上,由光电池 D1与D2构成电路为差分 式光电变换电路。 图7所示为光电测量的电 路原理图,由图不难看 出光电测量电路为电桥 差分式的光电变换电路。
这种方式除上述应用外,还可应用于电视摄像、文 字识别、激光测距、激光制导等方面。
4. 信息载荷于遮挡光的方式
如图(d)所示为信息载荷于遮挡光的方式,物体部分或全 部遮挡入射光束,或以一定的速度扫过光电器件的视场, 实现了信息载荷于遮挡光的过程。 例如,设光电接受器件光敏面的宽度为b,高度为h,当被 测物体的宽度大于光敏面的宽度b时,物体沿光敏面高度 方向运动的位移量为Δ l ,则被测物体遮挡入射到光敏面 上的面积变化为 Δ A=bΔ l 变换电路输出的面积变化信号电压为 Δ U=EΔ Aξ =E bξ Δ l (8-10) (8-9)