最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一引言金属氧化物半导体场效应管（MOS管）是现代电子器件中最重要的元件之一。
其简单可靠的特性使得它被广泛应用于各种电路中。
本文将详细介绍MOS管的工作原理及其在电路中的应用。
MOS管基本结构MOS管由金属-氧化物-半导体结构组成。
它包括一个P型或N型基底（S）和负电压 gate 之间的氧化层与金属电极（G）以及源（D）和漏极（S）两个接触点。
氧化层通常由二氧化硅材料构成。
MOS管工作原理MOS管的工作原理是基于栅极电场对电荷载体浓度的控制。
当施加在栅极上的电压发生变化时，电场会改变二氧化硅层下的电荷载体浓度。
这将导致了漏极和源极区域之间的电流的控制。
MOS管的工作可以分为三个区域：割开区（cutoff）、线性区（linear）和饱和区（saturation）。
割开区当栅极电压低于阈值电压时，MOS管处于割开区，漏极和源极之间的电流几乎没有流动。
在这个区域内，MOS管相当于一个开断的开关，不导通任何电流。
线性区当栅极电压超过阈值电压，但不足以将MOS管推入饱和区时，MOS管处于线性区。
在这个区域内，漏极和源极之间的电流与栅极电压成正比。
可以调节栅极电压来控制电流的大小。
饱和区当栅极电压足以将MOS管推入饱和区时，MOS管处于饱和区。
在这个区域内，电流几乎不再与栅极电压有关，而主要取决于漏极和源极之间的电压差。
MOS管在饱和区工作时，可提供稳定的电流放大功能。
MOS管电路应用MOS管由于其优越的特性，广泛应用于各种电路中。
以下是几个常见的MOS管电路应用示例：开关电路MOS管作为开关元件的应用十分广泛。
在数字电路中，MOS管可用于实现逻辑门电路，通过调节栅极电压来控制电流的开关状态。
，MOS管还可用于交流电源开关、电机驱动器等电路中。
放大电路MOS管可用作放大电路的关键组件。
在放大电路中，MOS管的饱和区工作特性使得其能够提供高增益的放大功能。
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一
引导八年级物理教案：如何使用万能表测量电压？为了能够更好地学习物理知识，电学部分是非常重要的一点。
在电路中测量电压是我们必须掌握的基本技能之一。
在测量电压的时候，我们使用的是万能表来完成这个操作。
如何使用万能表来测量电压呢？在本文中，我们会为大家详细地介绍万能表的使用方法和测量电压的注意事项。
1. 什么是万能表？万能表是一种电器测量仪器，也是我们在学习电学物理的时候必不可少的一种工具。
它可以测量电压、电流、电阻等基本电性质。
这个仪器由表头、选择旋钮、测试探针等部分组成。
表头是测量元件，它通过测试探针与要测量的元件相连。
选择旋钮则通过不同的旋钮来选择要测试的电量种类。
2. 如何使用万能表测量电压？万能表测量电压可以分为两种情况：测量直流电（DC）电压和测量交流电（AC）电压，下面我们会为大家详细地介绍这两种情况下的使用方法。
2.1 测量直流电（DC）电压第一步：准备工作在进行测量前，我们需要先确定正负电极的位置和要测量的电压范围。
一般来说，我们应该选择稍大于被测电压的最大量程。
第二步：选择直流电压档位在选择万能表测量直流电压时，需要手动选择直流电压档位。
通常我们选择最接近被测电压的档位，以避免电表由于过大电压量程而被烧毁。
第三步：连接万用表本步骤是将万用表的探针连接到电路中以读取电压。
一般来说，我们需要用黑色探针连接电路中任意地点（一般来说是接地），白色探针则连接需要测量电压的电路部分。
第四步：读取数据在上述步骤完成后，我们只需在万用表的显示屏上读取结果，以得到被测的电压值。
2.2 测量交流电（AC）电压当我们需要测量交流电的电压时，与测量直流电时相比，增加了一个步骤。
第一步：准备工作我们需要先了解被测电路中使用的是交流电，以及要测量的电压范围。
第二步：选择交流电压档位直流电传输的方向是不变的，而交流电的方向是改变的。
在使用万用表测量交流电时，我们需要选择交流电压档位。
第三步：测量电压和测量直流电一样，我们需要将万用表的探针连接到电路中以读取电压，并读取显示屏上的结果。
MOS管工作原理详细讲解
MOS管工作原理详细讲解MOS管（Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种重要的电子器件，广泛应用于电子领域中。
它采用了金属-氧化物-半导体结构，具有高度的集成度、低功耗和快速开关速度等优点。
下面将详细讲解MOS管的工作原理。
MOS管的结构一般由P型或N型半导体基底、N型或P型沟道、金属栅极和绝缘层构成。
基底扮演着支撑的作用，而绝缘层则用于隔离栅极和沟道之间，通常是用氧化硅（SiO2）材料制备。
当栅极施加正电压时，栅极和沟道之间会形成一个电场。
根据栅极电压的不同，MOS管可以工作在三种模式下：截止区、线性区和饱和区。
1.截止区：在截止区，栅极电压低于沟道引起的阈值电压。
此时，沟道中的电子和空穴不能形成导电通道。
整个沟道的电阻非常大，电流基本上是不流动的。
MOS管处于截止状态，不导电。
2.线性区：当栅极电压高于阈值电压时，沟道中的电子和空穴被弯曲，形成了一个导电通道。
这个导电通道具有可变电阻，称为沟道电阻。
当在沟道两端施加一个电压时，电流会通过沟道流过。
此时，MOS管处于线性状态，电流与电压成正比。
3.饱和区：当栅极电压继续增加，逐渐超过了一定的阈值电压，并且沟道已经完全形成。
这时，栅极电场已经无法影响到沟道中的电子和空穴。
电流的增长不再与栅极电压相关。
MOS管处于饱和状态，电流基本上保持不变，称为饱和电流。
MOS管的控制是通过栅极电压来实现的。
当栅极电压变化时，会引起沟道的电压和电流的变化。
MOS管的沟道电流与栅极电压的平方成正比。
因此，可以通过改变栅极电压来控制电流的大小。
MOS管的开关速度非常快，因为它的结构中不包含PN接头和载流子的注入。
当栅极电压施加或者移除时，沟道不会存在大量的载流子重新注入或排出的时间延迟。
这种快速的开关速度使得MOS管在高频率应用中表现出色。
另外，MOS管还具有低功率消耗的特点。
mos管工作原理详细讲解
mos管工作原理详细讲解金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的工作原理MOSFET是一种四端器件，由三个端子组成：源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
它是一种单极型晶体管，这意味着它只使用一种类型的载流子（电子或空穴）。
工作原理MOSFET的工作原理基于在绝缘层（通常是二氧化硅）上形成的场效应。
当栅极电压施加到绝缘层时，它会在半导体基底中产生一个感应电荷。
这个感应电荷会吸引相反极性的载流子（少数载流子）进入半导体基底，形成一个导电通道。
这个通道连接源极和漏极，允许电流流过。
增强型MOSFET大多数MOSFET是增强型MOSFET，这意味着当栅极电压为零时，器件处于截止状态。
当栅极电压超过一定阈值时，导电通道开始形成，器件进入导通状态。
耗尽型MOSFET耗尽型MOSFET与增强型MOSFET相反。
当栅极电压为零时，导电通道已经存在，器件处于导通状态。
当栅极电压为负时，通道变窄，器件进入截止状态。
MOSFET的控制栅极电压决定了MOSFET的导通状态。
通过调节栅极电压，可以控制源极和漏极之间的电流。
这使得MOSFET成为电子电路中非常有用的开关和放大器件。
MOSFET的特性MOSFET具有以下特性：高输入阻抗：栅极与源极和漏极之间是绝缘的，因此输入阻抗非常高。
低输出阻抗：导通时，MOSFET的源极和漏极之间具有很低的电阻。
高增益：栅极电压对源极-漏极电流有很大的影响，因此MOSFET具有很高的增益。
快速的开关时间：MOSFET可以快速地开关，这使得它们适用于高频应用。
应用MOSFET在电子电路中广泛应用，包括：开关：控制电流或电压的流动。
放大器：放大微小的信号。
模拟电路：构建滤波器、振荡器和传感器。
数字电路：构建逻辑门和存储器。
功率电子：用于控制大功率应用中的电流和电压。
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一最经典MOS管电路工作原理及详解第一章引言MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种重要的主动元件，广泛应用于各种电路中。
本文将详细介绍MOS管的工作原理及其相关知识。
第二章 MOS管的基本结构MOS管由金属氧化物半导体（MOS）结构构成，主要由金属电极（Gate）、绝缘层（Oxide）和半导体材料（Semiconductor）组成。
其中，绝缘层通常采用氧化硅（SiO2）第三章 MOS管的工作原理1.导通状态当Gate电极施加正向偏置电压时，会在绝缘层下形成一个电荷压积区，使半导体材料导电区域（Channel）形成N型导电层。
此时，MOS管处于导通状态。
2.截止状态当Gate电极施加负向偏置电压时，电荷压积区减小，导电区域几乎消失，MOS管处于截止状态。
第四章 MOS管的基本参数1.阈值电压（Vth）：________在Gate电极施加一定电压时，MOS管刚刚处于导通状态和截止状态之间的电压。
2.转导：________当MOS管导通时，Gate与Source电压之间的变化引起Drn电流的变化。
3.输出电阻：________反映MOS管输入和输出特性之间的关系。
输出电阻越小，MOS管的放大能力越强。
第五章常见MOS管电路1.CMOS电路：________由N型MOS管和P型MOS管组成的互补结构，广泛应用于数字电路中。
2.放大电路：________利用MOS管的放大特性，设计各种放大电路，如共源极放大电路、共漏极放大电路等。
3.开关电路：________利用MOS管的导通截止特性，设计开关电路，如开关电源、交流开关等。
第六章附件本文档涉及的附件包括MOS管的示意图、工作曲线图等，可在附件文件中查看详细内容。
第七章法律名词及注释1.MOS管：________金属氧化物半导体场效应管，是一种主动元件。
2.Gate：________MOS管的控制电极，用于控制MOS管的导通截止状态。
MOS管电路工作原理及详解
PMOS管则和NMOS条件刚好相反。
电路符号
回顾前面的例子，你找到它们的规律了吗？
小提示: MOS管中的寄生二极管方向是关键。
电路符号
小结: “MOS管用作开关时在电路中的连接方法”
NMOS管: D极接输入； S极接输出。
PMOS管: S极接输入； D极接输出。
输出端
S极
G极
N沟道
D极
输入端
导通时
输入端
S极
G极
P沟道
D极
输出端
导通时
电路符号
在笔记本主板上用到的NMOS可简单分作两大类: 信号切换用MOS管: UG比US大3V---5V即可，实际上只
要导通即可，不必须饱和导通。 比如常见的: 2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FD
电压通断用MOS管: UG比US应大于10V以上，而且开通 时必须工作在饱和导通状态。
常用接法: D极接输入，UD=5V。 S极接输出。
截止条件: UG=US=0V。
导通条件: UG比US大10V以上， UG=US+10V=15V。 （导通时，US=5V）
电路符号
示例3:
PMOS管: AOD425
作用: 电压通断（开关）
+19V S极
常用接法: S极接输入，US=19V。 D极接输出。
电路符号
示例1: 19V
Adapter
MOS管电路工作原理及详解没有之一
MOS管电路工作原理及详解没有之一MOS管电路工作原理及详解没有之一MOS管（MOSFET）是一种主要用于电子设备中的电子器件，它是根据金属-氧化物-半导体结构工作的。
MOS管的工作原理如下：MOS管由四个区域组成：栅极（G）、漏极（D）、源极（S）和绝缘层（SiO2）。
绝缘层将栅极与漏源区隔离，只有电子在栅极上施加电压时才能从栅极穿过绝缘层进入漏源区。
当栅极施加正电压时，栅极与源极之间形成正电压差，这样形成的电场使得绝缘层下的沟道区域变得导电。
这个导电区域连接了漏极和源极，电流可以通过沟道流过。
当栅极上施加的电压为零或负电压时，栅极与源极之间形成负电压差，导致沟道区域的电场变弱或消失，沟道中没有电子流动，导致漏极和源极之间没有电流通过。
MOS管的工作原理基于半导体中的载流子（电子）的移动。
当栅极施加正电压时，电子受到栅极-源极电压的驱动，进入沟道区域并流向漏极，形成导电。
当栅极电压为零或负电压时，电子无法穿过绝缘层进入漏源区，导致没有电流通过。
MOS管有几个特点使得它在电子设备中广泛应用：1.高输入电阻：由于绝缘层的存在，栅极驱动能在非常小的电流下开启和关闭MOS管，使得MOS管具有高输入电阻，能够实现灵敏的信号调节和放大功能。
2.低功耗：在工作时，MOS管的功率损耗非常低，能够有效地降低电路的能耗。
3.高电流放大：MOS管的电流放大能力很强，能够在小电流输入下输出较大的电流。
4.高开关速度：MOS管的开关速度很快，能够在纳秒级别的时间内响应输入信号的变化。
5.可靠性好：MOS管的工作稳定性和寿命较长，能够在各种环境和工作条件下稳定工作。
总之，MOS管的工作原理是基于栅极控制沟道导电性的原理，通过栅极施加电压的变化来控制MOS管的导通与截止，实现对电流的调节和放大。
它具有高输入电阻、低功耗、高电流放大、高开关速度和可靠性好的特点，在电子设备中有广泛的应用。
MOS管基本原理(经典图文动画)
MOS场效应管一、二极管三极管MOS器件基本原理P-N结及其电流电压特性晶体二极管为一个由p 型半导体和n 型半导体形成的p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流：。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0 。
当外加的反向电压高到一定程度时，p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN 结。
正向偏置的EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流IC 。
在共发射极晶体管电路中, 发射结在基极电路中正向偏置, 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
由于VBE 很小，所以基极电流约为IB= 5V/50 k Ω= 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β= IC / IB =100, 集电极电流IC= β*IB=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅G 电压VG 增大时，p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一
S极
N沟道MOSFET
G极 箭头指向G极的是N沟道
D极
电路符号
S极
P沟道MOSFET
G极 箭头背向G极的是P沟道
D极
当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极性。
电路符号
小测试： 先判断是什么沟道，再判断三个脚极性。
G极 1
1 S极
2 D极
D极 2
电路符号
19V
Adapter
BAT 12V
Q1 Q2 隔离
19V 3. 适配器+电池
问题：如果不用Q2隔离，同时插上适配器和电池会怎样？
现象是： 大电流。 当然这只有在维修稳压电源上才可以看到：电流直接达到 稳压电源的最大值6A以上，短路灯狂闪。
电池充电不就是用较高的电压加到电池上来进行的吗？ 那么，你觉得，为什么会出现这样的现象呢？
常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702， MDV1660，
AON6428L，AON6718L，AO4496，AO4712，AO6402A，AO3404，SI3456DDV， MDS1660URH，MDS2662URH，RJK0392DPA，RJK03B9DP。
PMOS管则和NMOS条件刚好相反。
作用： 电压通断（开关）
常用接法： D极接输入，UD=5V。 S极接输出。
截止条件： UG=US=0V。
导通条件： UG比US大10V以上， UG=US+10V=15V。 （导通时，US=5V）
电路符号
示例3：
PMOS管： AOD425
作用： 电压通断（开关）
+19V S极
MOS管工作原理详细讲解
MOS管工作原理详细讲解
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常见的场
效应晶体管，其工作原理可以分为三个主要部份：栅极控制、沟道形成和电流传输。
1. 栅极控制：MOS管的栅极是通过栅极电压来控制沟道中的电流流动。
当栅
极电压为零时，沟道中没有电流流动，即处于截止状态。
当栅极电压增加到临界电压（阈值电压）以上时，栅极和沟道之间的氧化物层下形成一个正负电荷分布，这个电荷分布会在栅极电场的作用下改变沟道的导电性质。
栅极电压越高，沟道的导电性越好，电流流动越大。
2. 沟道形成：当栅极电压高于阈值电压时，沟道中会形成一个导电通道，这个
通道是由沟道区的材料（通常是n型或者p型半导体）构成的。
沟道的导电性质由栅极电压决定，当栅极电压高于阈值电压时，沟道的导电性会增强，而当栅极电压低于阈值电压时，沟道的导电性会减弱或者消失。
3. 电流传输：当沟道形成后，源极和漏极之间就可以传输电流了。
当漏极施加
一个较高的电压时，电子会从源极进入沟道并流向漏极，形成漏极电流。
这个电流的大小取决于沟道的导电性质和源漏电压之间的差异。
当源漏电压增加时，电流也会随之增加。
总结起来，MOS管的工作原理是通过栅极电压控制沟道的导电性质，从而控
制源漏之间的电流传输。
栅极电压高于阈值电压时，沟道形成并导电；栅极电压低于阈值电压时，沟道消失并截止电流。
这种栅极控制的特性使得MOS管在集成电
路中广泛应用。
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P沟道： UG<US时导通。 （简单认为）UG=US时截止。
但UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？
电路符号
饱和导通问题：
UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？
这要看具体的MOS管，不同MOS管需要的压差不同。
作用： 电压通断（开关）
常用接法： D极接输入，UD=5V。 S极接输出。
截止条件： UG=US=0V。
导通条件： UG比US大10V以上， UG=US+10V=15V。 （导通时，US=5V）
电路符号
示例3：
PMOS管： AOD425
作用： 电压通断（开关）
+19V S极
常用接法： S极接输入，US=19V。 D极接输出。
S极 3
P沟道MOSFET
3 G极
N沟道MOSFET
电路符号
3 寄生二极管的方向如何判定？
接下来，是寄生二极管的方向判断：
S极
寄生二极管
S极
G极
N沟道 G极
P沟道
D极
D极
它的判断规则就是：
N沟道，由S极指向D极； P沟道，由D极指向S极。
电路符号
S极 G极
D极 S极 G极
N沟道
上面方法不太好记， 一个简单的识别方法是：
电路符号
小结：“MOS管的开关条件”
前面解决了MOS管的接法问题，接下来谈谈MOS管的 开关条件：
控制极电平为“ ？V ” 时MOS管导通（饱和导通）？ 控制极电平为“ ？V ” 时MOS管截止？
这个问题涉及到MOS管原理，我们这里不谈，只记结果：
不论N沟道还是P沟道MOS管， G极电压都是与S极做比较。
NMOS管正确接法：
D极接输入；S极接输出。
假如：
S接输入，D接输出呢？
输入
S极
G极
N沟道
D极
输出
由于寄生二极管直接导通，因此 S极电压可以无条件到D极，MOS 管就失去了开关的作用。
PMOS管正确接法：
S极接输入；D极接输出。
假如反接：
D接输入，S接输出。
输出
S极
G极
P沟道
D极
输入
同样失去了开关作用。
电路符号
电路符号篇
电路符号
开始之前，一个小测试：
请回答： 哪个脚是S（源极）？
哪个脚是D（漏极）？
G（栅极）呢？
是P沟道还是N沟道MOS？
如果接入电路， D极和S极，哪一个该接输 入，哪个接输出？ 你答对了吗？
电路符号 再来一个，试试看：
哪个脚是S（源极）？
哪个脚是D（漏极）？
G（栅极）呢？ 是P沟道还是N沟道MOS？ 依据是什么？
电路符号
示例1：
NMOS管： 2N7002E
作用： 信号切换（开关）
D极 05V
G极
3V
导通
S极
常用接法： S极接地，US=0V。
截止条件： UG=US=0V。
导通条件： UG比US大3V---5V即可， UG=3V。
电路符号
示例2：
NMOS管： AON7406
D极 5V
+15V G极
S极
导通
05V
回顾前面的例子，你找到它们的规律了吗？
小提示： MOS管中的寄生二极管方向是关键。
电路符号
小结：“MOS管用作开关时在电路中的连接方法”
NMOS管：
D极接输入； S极接输出。
PMOS管：
S极接输入； D极接输出。
输出端
S极
G极
N沟道
输入端
S极
G极
P沟道
D极
输入端
导通时
D极
输出端
导通时
电路符号
反证：
三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N沟道了：
S极
N沟道MOSFET
G极 箭头指向G极的是N沟道
D极
电路符号
S极
P沟道MOSFET
G极 箭头背向G极的是P沟道
D极
当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极性。
电路符号
小测试： 先判断是什么沟道，再判断三个脚极性。
G极 1
1 S极
2 D极
D极 2
PQ27控制脚为低电平
5V
导通
0V
截止
电路符号
开关作用(1): PQ27控制脚为高电平
3V
此处电压 不被拉低
GND
0V
截止
导通
电路符号
以上MOS开关实现的是信号切换（高低电平切换）。 再来看个MOS开关实现电压通断的例子吧。
截止
0V
0V
由+1.5V_SUS产生+1.5V电路（1）
电路符号
MOS开关实现电压通断的例子：
如果接入电路， D极和S极，哪一个该接输 入，哪个接输出？
这次怎么样？
电路符号 1 三个极怎么判定 ？
MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方 。
S极
G极，不用说比较好认。
S极，
G极
不论是P沟道还是N沟道，
两根线相交的就是；
D极，
不论是PБайду номын сангаас道还是N沟道，
D极
是单独引线的那边。
电路符号 2 他们是N沟道还是P沟道？
常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702， MDV1660，
AON6428L，AON6718L，AO4496，AO4712，AO6402A，AO3404，SI3456DDV， MDS1660URH，MDS2662URH，RJK0392DPA，RJK03B9DP。
PMOS管则和NMOS条件刚好相反。
导通
+1.5V
+15V
由+1.5V_SUS产生+1.5V电路（2）
电路符号
看过前面的例子，你能总结出“MOS管用做开关时在电路 中的连接方法”吗？
其实关键就是： 确定哪一个极连接输入端；哪个极连接输出端。 控制极电平为“ ？V ” 时MOS管导通（饱和导通）？ 控制极电平为“ ？V ” 时MOS管截止？
在笔记本主板上用到的NMOS可简单分作两大类： 信号切换用MOS管： UG比US大3V---5V即可，实际上只
要导通即可，不必须饱和导通。 比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。
电压通断用MOS管： UG比US应大于10V以上，而且开通 时必须工作在饱和导通状态。
++169VV G极
截止条件：
导通
UG=US=19V。
D极 +01V9V
导通条件： UG比US小10V以上， UG=US-13V=6V。
电路符号
隔离作用：
如果我们想实现线路上电流的单向流通， 比如只让电流由A-B，阻止由B-A
请问可以怎么做？
A
B
方法1：加入一个二级管
A
B
电路符号
（想像DS边的三节断续线是连通的）
P沟道
不论N沟道还是P沟道MOS管， 中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭 头方向总是一致的：
要么都由S指向D， 要么都由D指向S。
D极
电路符号
4 它能干吗用呢？
在我们天天面对的笔记本主板上，
MOS管有两大作用：
此处电压
被拉低
开1关. 开作用关(作1)用: ；
2. 隔离作用。