电子元器件主要参数详解
电子元器件的主要参数
电子元器件的规格参数
描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。规格参数包括标称值、允许偏差值与精度等级、额定值与极限值。
(1)标称值:电子设备的社会需求量是巨大的,电子元器件的种类及年产量则更为繁多巨大。然而,电子元器件在生产过程中,其数值不可避免地具有离散化的特点;并且,实际电路对于元器件数值的要求也是多种多样的。为了便于大批量生产,并让使用者能够在一定范围内选用合适的电子元器件,我们规定出一系列的数值作为产品的标准值,称为标称值。
在制作那些要求长期稳定工作或工作环境温度变化较大的电子产品时,应当尽可能选用温度系数较小的元器件,也可以根据工作条件考虑产品的通风、降温,以至采取相应的恒温措施。
(2)噪声电动势和噪声系数:电子设备的内部噪声主要是由各种电子元器件产生的。我们知道,导体内的自由电子在一定温度下总是处于“无规则”的热运动状态之中,从而在导体内部形成了方向及大小都随时间不断变化的“无规则”的电流,并在导体的等效电阻两端产生了噪声电动势。噪声电动势是随机变化的,在很宽的频率范围内都起作用。由于这种噪声是自由电子的热运动所产生的,通常又把它叫做热噪声。温度升高时,热噪声的影响也会加大。
(2)允许偏差值与精度等级:实际生产出来的元器件,其数值不可能和标称值完全一样,总会有一定的偏差。用百分数表示的实际数值和标称值的相对偏差,反映了元器件数值的精密程度。对于一定标称值的元器件,大量生产出来的实际数值呈现正态分布,为这些实际数值规定了一个可以接受的范围,即为相对偏差;规定了允许的最大范围,叫做数值的允许偏差(简称“允差”)。不同的允许偏差也叫做数值的精度等级(简称“精度”),并为精度等级规定了标准系列,用不同的字母表示。例如,常用电阻器的允许偏差有±5%、±10%、±20%三种,分别用字母J、K、M标记它们的精度等级(以前曾用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ表示)。精密电阻器的允许偏差有±2%、±1%、±0.5%,分别用G、F、D表示
电子元器件的规格参数知识讲解
电子元器件的规格参数123电子元器件的规格参数描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。
规格参数包括标称值、额定值和允许偏差等。
电子元器件在整机中要占有一定的体积空间，所以其外形尺寸也是一种规格参数。
电子元器件的质量系数：用于度量电子元器件的质量水平，通常描述了元器件的特性参数、规格参数环境因素变化的规律，或者划定了他们不能完成功能的边界条件。
电子工艺的质量参数一般有：温度系数、噪声电动势、高频特性及可靠性等，从整机制造工艺方面考虑，主要有机械强度和可焊性。
通常，用信噪比来描述电阻、电容、电感一类无源元件的噪声指标，对于晶体管或集成电路一类有源器件的噪声，则用噪声系数来衡量。
在设计制作接收微弱信号的高增益放大器时，应当尽量选用低噪声的电子元器件。
使用专用的“噪声测试仪”可以方便的测量出元器件的噪声指标。
电子元器件的命名与标注通常电子元器件的名称应该反映出它们的种类、材料、特征、型号、生产序号和区别代号，并且能够表示出主要的电器参数。
电子元器件的名称由字母和数字组成。
对于元件来说，一般用一个字母代表它的主称，如R表示电阻器，C代表电容，L表示电感，W表示电位器，等等；用数字或字母表示其他信息。
型号及参数在电子元器件上的标注：直标法、文字符号法和色标法。
文字符号法：①用元件的形状及其表面的颜色区别元件的种类，如在表面安装的元件中，除了形状的区别外，黑色表示电阻，棕色表示电容，淡蓝色表示电感。
②电阻的基本标注单位是欧姆，电容的基本标注单位是皮法，电感的基本标注单位是微亨；用三位数字标注元件的数值。
③对于十个基本标注单位以上的元件，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。
例如，对于电阻器上的标注，100表示其阻值为10×10^0=10,223表示其阻值为22×10^3=22K对于电容器上的标注，103表示其容量为10×10^3pf=0.01uf,475表示其容量为47×10^5=4.7uf对于电感器上的标注，820表示82×10^0=82Uh④对于十个基本标注单位以下的元件，第一位、第三位数字表示数值的有效数字，第二位用字母R表示小数点。
全部元件的参数
全部元件的参数
全部元件的参数如下：
1. 电阻：电阻的参数通常包括电阻值、功率、温度系数等。
常见的电
阻值有几欧姆到几兆欧姆不等，功率一般为1/8瓦到几瓦，温度系数
表示电阻随温度变化的程度。
2. 电容：电容的参数包括电容值、额定电压、介质材料等。
电容值一
般以法拉（F）为单位，额定电压表示电容器能承受的最大电压。
3. 电感：电感的参数通常包括电感值、额定电流、漏感比等。
电感值
一般以亨利（H）为单位，额定电流表示电感器能承受的最大电流。
4. 二极管：二极管的参数包括最大反向电压、最大正向电流、导通压
降等。
最大反向电压表示二极管能够承受的最大反向电压。
5. 三极管：三极管的参数包括最大集电电流、最大功耗、最大频率等。
最大集电电流表示三极管能够承受的最大集电电流。
6. MOS管：MOS管的参数包括最大漏极电流、最大功耗、门电压范围等。
最大漏极电流表示MOS管能够承受的最大漏极电流。
7. 集成电路：集成电路的参数包括芯片型号、工作电压、封装方式等。
不同的芯片具有不同的功能和工作要求。
8. 传感器：传感器的参数包括测量范围、精度、输出信号类型等。
不
同的传感器用于测量不同的物理量，需根据具体应用选择合适的参数。
以上列举的是一些常见元件的参数，每种元件都有不同的参数范围和要求，具体参数需根据具体元件的规格表或数据手册获取。
晶振与晶体的参数详解
晶振与晶体的参数详解晶振和晶体是电子器件中常见的元器件，被广泛应用于各种电子设备中。
下面将详细解释晶振和晶体的参数及其作用。
首先，我们来解释一些晶振的参数：1.频率：晶振频率是指晶振器产生的振荡信号的频率。
晶振的频率通常通过外部电路进行调节，可以根据需要选择不同的频率值。
2.稳定度：晶振的稳定度是指晶振器在一段时间内产生的频率变化范围。
晶振的稳定度越高，产生的频率变化越小，可以提供更稳定、可靠的时钟信号。
3.温度系数：晶振的温度系数是指晶振器频率随温度变化的比例。
温度系数越小，晶振器的频率随温度变化的影响越小。
4.驱动能力：晶振的驱动能力是指晶振器输出信号的电流或电压幅度。
不同的应用场景需要不同幅度的驱动能力。
5.电源电压：晶振器需要一定的电源电压才能正常工作，通常以工作电压范围表示。
接下来，我们来解释一些晶体的参数：1.晶体结构：晶体的结构是指晶体的原子排列方式。
晶体结构可以分为立方晶体、六方晶体、斜方晶体等。
2.晶体尺寸：晶体尺寸是指晶体的长度、宽度和厚度。
晶体的尺寸可以影响晶体的振荡频率和稳定度。
3.谐振频率：晶体的谐振频率是指晶体在特定尺寸和结构下能够实现最佳振荡的频率。
4.谐振模式：晶体的谐振模式是指晶体在振荡时所产生的振动模式，可以分为纵向谐振模式、横向谐振模式等。
5.振荡电路：晶体需要通过外部的振荡电路来产生振荡信号。
振荡电路的设计和参数设置可以影响晶体的性能和稳定度。
晶振和晶体在电子设备中具有重要的作用，主要用于提供稳定的时钟信号和振荡信号。
晶振器通过晶体的振荡产生稳定的信号，可以被用作时钟信号源，用于同步控制电路的工作。
晶振器通常被广泛应用于各种电子设备中，例如计算机、通信设备、汽车电子等。
总结起来，晶振和晶体在电子器件中扮演重要角色，他们的参数和性能直接影响着整个电子设备的稳定性和可靠性。
只有合理选择和使用晶振和晶体，才能确保电子设备的正常工作和性能表现。
电子元器件主要参数详解
fT
Transitionfrequency
特征频率
C
Collectoroutputcapacitance
共基极输出电容
C
Collectorinputcapacitance
共基极输入电容
F
Noisefigure
噪声系数
t
Turn-ontime
开通时间
t
Turn-offtime
关断时间
tr
工作结温
T
StorageTemperatureRange
存储温度
R
ThermalResistancefromJunctiontoAmbient
结到环境的热阻
PIN二极管
VR
Continuousreversevoltage
反向直流电压
IF
Continuousforwardcurrent
正向直流电流
VF
结温
T
storagetemperaturerange
存储温度
普通晶体管
V
Collector-Basevoltage
发射极开路,集电极-基极电压
V
Collector-emittervoltage
基极开路,集电极-发射极电压
V
Emitter-basevoltage
集电极开路,发射极-基极电压
IC
Collectorcurrent
工作结温
Tstg
storagetemperaturerange
存储温度
稳压管
VI
inputvoltage
输入电压
Vo
outputvoltage
输出电压
电子元件基础知识入门_电子元器件知识详解
电子元件基础知识入门_电子元器件知识详解凡是能产生电感作用的原件统称为电感原件，常用的电感元件有固定电感器，阻流圈，电视机永行线性线圈，行，帧振荡线圈，偏转线圈，录音机上的磁头，延迟线等。
以下是由店铺整理关于电子元件基础知识入门的内容，希望大家喜欢!电子元件基础知识入门1 固定电感器:一般采用带引线的软磁工字磁芯，电感可做在10-22000uh之间，Q值控制在40左右。
2 阻流圈：他是具有一定电感得线圈，其用途是为了防止某些频率的高频电流通过，如整流电路的滤波阻流圈，电视上的行阻流圈等。
3 行线性线圈：用于和偏转线圈串联，调节行线性。
由工字磁芯线圈和恒磁块组成，一般彩电用直流电流1.5A电感116-194uh频率：2.52MHZ4 行振荡线圈：由骨架，线圈，调节杆，螺纹磁芯组成。
一般电感为5mh调节量大于+-10mh.电感线圈的品质因数和固有电容(1)电感量及精度线圈电感量的大小，主要决定于线圈的直径、匝数及有无铁芯等。
电感线圈的用途不同，所需的电感量也不同。
例如，在高频电路中，线圈的电感量一般为0.1uH—100Ho电感量的精度，即实际电感量与要求电感量间的误差，对它的要求视用途而定。
对振荡线圈要求较高，为o.2-o.5%。
对耦合线圈和高频扼流圈要求较低，允许10—15%。
对于某些要求电感量精度很高的场合，一般只能在绕制后用仪器测试，通过调节靠近边沿的线匝间距离或线圈中的磁芯位置来实现o(2)线圈的品质因数品质因数Q用来表示线圈损耗的大小，高频线圈通常为50—300。
对调谐回路线圈的Q值要求较高，用高Q值的线圈与电容组成的谐振电路有更好的谐振特性;用低Q值线圈与电容组成的谐振电路，其谐振特性不明显。
对耦合线圈，要求可低一些，对高频扼流圈和低频扼流圈，则无要求。
Q值的大小，影响回路的选择性、效率、滤波特性以及频率的稳定性。
一般均希望Q值大，但提高线圈的Q值并不是一件容易的事，因此应根据实际使用场合、对线圈Q值提出适当的要求。
bcr8pm参数
bcr8pm参数BCR8PM参数详解BCR8PM是一款电子元器件，常用于电源电路中的开关管。
在使用BCR8PM时，需要了解其参数，以便正确选择和使用。
一、主要参数1. 额定电压（VDS）：指允许开关管承受的最大电压值。
一般情况下，选择VDS应该比实际工作电压高出20%以上。
2. 额定电流（ID）：指在正常工作条件下允许通过开关管的最大电流值。
如果超过额定电流，则会导致开关管过载而损坏。
3. 静态特性：包括漏极静态工作点、漏极截止电压和漏极饱和电压等参数。
4. 动态特性：包括输入/输出容量、输入/输出阻抗、反向传输比等参数。
5. 开关时间：包括上升时间（tr）和下降时间（tf），是指从0到额定值或从额定值到0所需的时间。
6. 开通/关断速度（dv/dt）：指开通或关闭时，漏极-源极间的电压随时间变化的斜率。
dv/dt越大，容易产生高峰值的干扰信号，影响其他设备的正常工作。
7. 热特性：包括最大耗散功率和热阻等参数。
二、BCR8PM的参数介绍1. 额定电压（VDS）：600V2. 额定电流（ID）：8A3. 静态特性：漏极静态工作点（IDSS）：0.1mA漏极截止电压（VGS(off)）：4V漏极饱和电压（VGS(on)）：2.5V4. 动态特性：输入/输出容量（Ciss/Coss）：800pF/160pF 输入/输出阻抗（Rg/Rd）：3.5Ω/1Ω反向传输比（tr/tf）：0.7/1.25. 开关时间：上升时间（tr）：20ns下降时间（tf）：50ns6. 开通/关断速度（dv/dt）：开通速度（dv/dt on）：<10V/ns关断速度（dv/dt off）：<5V/ns7. 热特性：最大耗散功率（Pdmax）：80W热阻（Rth(j-a)）：50℃/W三、如何选择BCR8PM？在选择BCR8PM时，需要根据具体的应用需求来确定其参数。
以下是一些常见的选择方法：1. 根据电路工作电压和电流来选择额定电压和额定电流。
常用电子元器件型号说明
常用电子元器件型号说明电子元器件是电子设备中不可或缺的组成部分。
在不同的电子设备中，我们会看到各种各样的电子元器件，它们都有不同的型号和功能。
本文将介绍一些常用电子元器件的型号及其说明。
一、电阻器电阻器是一种用来控制电流和电压的元器件。
电阻器的型号通常表示为“R”和数字，“R”代表电阻器，数字代表它的阻值。
例如R1200表示阻值为1200Ω的电阻器。
电阻器的阻值单位是欧姆（Ω），常用颜色环标记法来表示电阻器的阻值和容差。
二、电解电容器电解电容器是一种可以存储电荷的元器件，常用于平滑电源电压、滤波、耦合等电路。
电解电容器的型号通常表示为“C”和数字，数字代表电容的值，单位是微法（μF）。
例如C1000表示电容值为1000μF的电解电容器。
电解电容器的正负极需要注意，一般标注正极“+”号。
三、二极管二极管是一种具有单向导电特性的元器件，能够将电流从“正极”流向“负极”，而阻挡反向电流。
二极管的型号通常表示为“D”和数字，数字代表其型号和性能。
例如D1001表示一款具有特定性能的二极管。
常见的二极管型号有Zener二极管、肖特基二极管、光电二极管等。
四、三极管三极管是一种三极管，其由发射极、基极和集电极组成。
它可以放大电流和开关电路，常用于放大电路和低频功率放大器中。
三极管的型号通常表示为“Q”和数字，数字代表型号和性能。
例如Q8050表示一款具有特定性能的三极管。
五、晶体管晶体管是一种半导体器件，其有PN结或者NPN结构。
可以放大电流和开关电路，常用于放大电路、振荡电路和数字逻辑电路中。
晶体管的型号通常表示为“T”和数字，数字代表型号和性能。
例如TIP120表示一款具有特定性能的晶体管。
六、集成电路集成电路是将多个元器件集成于一体的电子器件，常用于制作微处理器、存储器和逻辑电路。
集成电路的型号通常表示为芯片型号，例如M65831表示Mitsubishi公司生产的某一款特定芯片。
以上是常用电子元器件的型号说明，它们都有各自的特点和应用场合，掌握这些型号能够更好地帮助我们进行电路设计和维护。
电子元器件的性能参数分析
电子元器件的性能参数分析电子元器件是电子设备中的基本组成部分，其性能参数的分析对于电子设备的设计、制造和使用都至关重要。
在电子元器件的性能参数分析中，通常需要关注以下几个方面：1. 电阻值：电阻是电子元器件中常见的性能参数之一，通常用欧姆（Ω）为单位表示。
电阻值的大小会直接影响电路的阻抗和功耗，因此在电子元器件选型和设计中需要根据具体的电路需求来选择合适的电阻值。
2. 电感值：电感是电子元器件中另一个重要的性能参数，通常用亨利（H）为单位表示。
电感值的大小会影响电路中的电感耦合和信号传输效果，因此在设计电路时需要准确分析需要的电感值。
3. 电容值：电容是电子元器件中常见的性能参数之一，通常用法拉（F）为单位表示。
电容值的大小会影响电路的响应速度和滤波效果，因此在设计电路时需要合理选择电容值以满足电路性能需求。
4. 频率响应：电子元器件的频率响应是指其对不同频率信号的响应能力，通常用频率响应曲线表示。
在分析电子元器件的频率响应时，需要关注其截止频率、增益和相位延迟等参数，以确保电路在整个频率范围内能够正常工作。
5. 温度特性：电子元器件的性能参数通常会受到温度的影响，因此在分析和设计电子元器件时需要考虑其温度特性。
通常会通过温度系数等参数来描述电子元器件在不同温度下的性能变化，以确保电路在各种工作环境下都能稳定可靠。
6. 信噪比：在某些电子元器件中，信号与噪声的比值被称为信噪比，通常用分贝（dB）为单位表示。
信噪比的大小会直接影响信号的清晰度和准确性，因此在选择和应用电子元器件时需要考虑其信噪比参数。
总之，电子元器件的性能参数分析是电子设备设计和应用中至关重要的一环，只有准确分析和理解各种性能参数，才能确保电路的性能和稳定性。
通过合理选择和设计电子元器件，可以提高电子设备的性能和可靠性，满足不同应用场景的需求。
希望以上分析能够帮助您更好地理解电子元器件的性能参数。
电子元器件参数
1.线绕精密电阻和电位器的分布参数（分布电容和分布电感） 由于线绕精密电阻和电位器存在分布参数，所以线绕精
密电阻和电位器的匝数较多时，往往采用无感绕制法绕制，即 正向绕制的匝数和反向绕制的匝数相同，以尽量减小分布电感。 2.传输电缆的分布参数 可以把一条传输电缆看成是由分布电容、分布电感和电阻联合 组成的等效电路，如图1所示
1.电容器的标称容量与允许偏差标志在电容器上的电容量称 作标称容量。
电容器的实际容量与标称容量存在一定的偏差，电容器的 标称容量与实际容量的允许最大偏差范围，称作电容器的允许 偏差。电容器的标称容量与实际容量的误差反映了电容器的精 度。精度等级与允许偏差的对应关系如表1所示。一般电容器 常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级。
电容器电容量的基本单位是法，用字母F表示。因为实际中 的电容器的容量往往比1F小得多，所以电路中常用的单位有微 法(μF)、纳法（nF）和皮法(pF)等，
其关系是: 1法=106微法 1微法=103纳法=106皮法 2.电路图形符号和电容器的作用
(1)电容器的图形符号如图1所示
(2)电容器的作用 在电子电路中，电容器通常具有滤波、旁路和耦合等功能。
5.电容器的绝缘电阻 电容器的绝缘电阻的值等于加在电容器两端的电压与通过
电容器的漏电流的比值。电容器的绝缘电阻与电容器的介质材 料和面积、引线的材料和长短、制造工艺、温度和湿度等因素 有关。
对于同一种介质的电容器，电容量越大，绝缘电阻越小。 电容器绝缘电阻的大小和变化会影响电子设备的工作性能， 对于一般的电子设备，选用绝缘电阻越大越好。
电阻的标称
电阻识别
直接标称 220Ω 4R7＝4.7Ω 103＝10*103Ω＝10K 14=1*104Ω=10KΩ
电子行业电子元器件参数表
电子行业电子元器件参数表一、引言电子行业是现代科技发展的重要领域之一，而电子元器件作为电子产品的核心组成部分，其参数表的准确性和完整性对于产品的性能和质量有着重要的影响。
本文将介绍电子元器件参数表的基本结构和要求，以及编写参数表时需要注意的事项。
二、电子元器件参数表的基本结构电子元器件参数表通常包括以下几个方面的信息：1. 元器件基本信息：包括元器件的型号、封装形式、厂家、生产日期等基本信息，以便于标识和追溯。
2. 电气参数：包括元器件的电压、电流、功率等电气特性参数，用于描述元器件在电路中的工作条件。
3. 物理参数：包括元器件的尺寸、重量、引脚排列等物理特性参数，用于描述元器件的外观和安装要求。
4. 环境参数：包括元器件的工作温度范围、湿度要求、防尘防水等环境条件，用于指导元器件的使用环境和保护措施。
5. 可靠性参数：包括元器件的寿命、可靠性指标等参数，用于评估元器件的使用寿命和可靠性。
三、电子元器件参数表的要求编写电子元器件参数表时，需要注意以下几个方面的要求：1. 准确性：参数表中的信息应准确无误，避免出现错误或模糊不清的描述。
可以通过实验测试、厂家提供的数据和相关标准进行验证和确认。
2. 完整性：参数表应包含所有必要的信息，以便用户全面了解元器件的性能和特性。
遗漏重要参数可能导致用户误解或选择错误。
3. 规范性：参数表应按照统一的规范和格式进行编写，以便用户能够方便地查找和比较不同元器件的参数。
可以参考国际标准或行业规范进行编写。
4. 可读性：参数表应排版整洁美观，语句通顺，以提高用户的阅读体验。
可以使用表格、图表等形式来展示参数，使信息更清晰易懂。
5. 更新性：电子元器件的性能和规格可能随着技术的进步而不断更新，因此参数表应定期进行更新，以保持与最新产品的一致性。
四、编写电子元器件参数表的注意事项在编写电子元器件参数表时，需要注意以下几个事项：1. 核实数据：确保参数表中的数据准确可靠，可以通过实验测试、厂家提供的数据和相关标准进行核实。
全系列三极管参数
全系列三极管参数三极管是一种常用的电子元件，主要由三个控制电极组成：基极、发射极和集电极。
它可以将小信号放大成大信号，并具有放大和开关两种应用。
下面将详细介绍三极管的各种参数。
1.DC参数：（1）E-B击穿电压：控制电极到基极之间的击穿电压，通常是5V。
（2）集电极饱和电压：集电极电压和基极电压之间的差，通常是0.2V。
（3）极化电压：基极与发射极之间的电压，一般为0.6V。
（4）漂移电流：无输入信号时集电极电流，通常为1μA。
2.小信号参数：（1）共射放大参数：-电流放大倍数：基极电流和集电极电流之比，通常为20。
-输入电阻：基极电阻，通常为50kΩ。
-输出电阻：发射极电阻，通常为100Ω。
-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为300。
-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽：能够通过的频率范围。
（2）共集放大参数：-电流放大倍数：发射极电流和集电极电流之比，通常为1-输入电阻：发射极电阻，通常为10Ω。
-输出电阻：集电极电阻，通常为10kΩ。
-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为1-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽：能够通过的频率范围。
（3）共基放大参数：-电流放大倍数：基极和集电极电流之比，通常为0.99-输入电阻：集电极电阻，通常为10kΩ。
-输出电阻：发射极电阻，通常为0.1Ω。
-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为0.99-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽：能够通过的频率范围。
3.大信号参数：（1）最大集电极电流：集电极电流的最大值。
（2）最大功率：集电极电流和集电极电压之积的最大值。
（3）最大集电极电压：集电极电压的最大值。
（4）开关时间：从信号输入到放大器开关的时间，一般小于1μs。
4.噪声参数：（1）噪声系数：直流电流吸收后引起的输出噪声。
（2）输出噪声电压：由于内部噪声而引起的输出电压。
以上是三极管的一些重要参数，这些参数可以帮助我们了解三极管的性能和适用范围。
电子元器件的认识及电气性能参数
机能的电子部品.
电阻的形状
电阻形状及单位
电阻的单位
Lead(端子)
Body(母体)
Color Code
3
1.Symbol: 2.Symbol No ：R 3.单位：? 欧姆 4.单位换算：
1K? ( 千欧)=103? =1000 ? 1M ? ( 兆欧 )=106? =1000000 ? 1G ? ( 吉欧 )=109? =1000000000 ?
有增幅作用的半导体部品，根据结合构造的不同分为PNP和NPN两种
TR的形态和特性
TR的形态
TR的特性
1.Symbol 符号 :
PNP C
NPN
C
B
B
E
E
2.Symbol No ： Q
3.SPEC 确认后作业必要
IQC
12
品质 靠你 靠我 靠大家
什么是二极管 ?
二极管有整流作用，是比较小的半导体，分为普通形，稳压二极管 （ZENER），发光二极管
晶振器 (crystal)
X
Jack
接线柱 (Terminal)
外观形态
JK
TER(JK)
外观形态
调整器
(Trimmer)
T
16
其他部品（ 1/3）
特性
晶振器是起振荡作用的二极管 （二极）于极性无关 单位是MHZ
接点端子使用塑料的， 接点是用金属 Microphone Jack,headphone Jack
6
10
-470（N470）
7
10
-750（N750）
8
10
±0.25PF
+30（P030）
9
10
电子元件参数大全
电子元件参数大全第一部分：电阻器1. 电阻值：电阻器的电阻值是指其对电流的阻碍程度。
常见的电阻值单位有欧姆(Ω)、千欧(ΚΩ)、兆欧(ΜΩ)等。
2. 公差：电阻器的公差是指在标称电阻值周围允许存在的误差范围。
常见的公差值有±1%、±5%等。
3. 功率：电阻器能够耐受的最大功率。
常见的功率值有1/8W、1/4W、1/2W等。
4. 温度系数：电阻器的电阻值随温度变化的程度。
常见的温度系数有±100ppm/℃、±250ppm/℃等。
第二部分：电容器1. 电容值：电容器的电容值是指其存储电荷的能力。
常见的电容值单位有法拉(F)、微法(F)、皮法(PF)等。
2. 电压：电容器能够耐受的最大电压。
常见的电压值有16V、25V、50V等。
3. 稳定性：电容器的电容值稳定性。
常见的稳定性等级有Class 1、Class 2等。
4. 耐温范围：电容器能够耐受的温度范围。
常见的耐温范围有-40℃～+85℃、-55℃～+125℃等。
第三部分：电感器1. 电感值：电感器的电感值是指其对电流变化的阻抗。
常见的电感值单位有亨利(H)、毫亨(mH)、微亨(μH)等。
2. 公差：电感器的公差是指在标称电感值周围允许存在的误差范围。
常见的公差值有±5%、±10%等。
3. 频率范围：电感器能够正常工作的频率范围。
常见的频率范围有1kHz～100MHz、10kHz～1GHz等。
4. 耐电流：电感器能够耐受的最大电流。
常见的耐电流值有100mA、500mA、1A等。
第四部分：二极管1. 直流正向电压降：二极管在正向导通时的电压降。
常见的电压降值有0.7V、1.2V等。
2. 存储时间：二极管转向断态后恢复到导通态所需要的时间。
常见的存储时间有5ns、10ns等。
3. 最大反向电压：二极管能够耐受的最大反向电压。
常见的最大反向电压值有50V、100V等。
4. 最大耗散功率：二极管能够耐受的最大功率。
元器件参数
电子元器件的主要参数通常包括特性参数、规格参数和质量参数。
这些参数从不同角度反映了一个电子元器件的电气性能及其完成功能的条件，并且它们是相互联系并相互制约的。
例如，电阻是电子元件中常见的一种，其在电路中的作用主要有限流、分压、负载、阻抗匹配、采样等。
对于不同类型的电阻，其具体应用可能会对选型时的参数有不同的要求。
比如上拉电阻，我们一般取值10k或者4.7k，他们的取值不同会影响灌电流的大小。
元器件的参数信息非常重要，因为它们可以帮助设计者或工程师更好地理解和选择适合特定应用需求的元器件。
在选择元器件时，除了考虑元器件的参数外，还需要考虑实际应用场景、成本、供应情况等多个因素。
电子元件参数大全
电子元件参数大全1. 电阻器（Resistor）1.1 额定功率（Rated Power）电阻器的额定功率是指在指定的工作条件下，电阻器可以稳定工作的最大功率。
通常以瓦（W）为单位表示。
额定功率越大，电阻器可以承受的电流和功率越高。
1.2 额定电阻（Resistance）电阻器的额定电阻是指在指定的工作条件下，电阻器的阻值。
通常以欧姆（Ω）为单位表示。
额定电阻决定了电阻器在电路中的阻值大小。
1.3 允许误差（Tolerance）电阻器的允许误差是指电阻器的实际阻值与额定电阻之间的最大允许偏差。
通常以百分比（%）表示。
允许误差越小，电阻器的阻值越精确。
2. 电容器（Capacitor）2.1 额定电容（Capacitance）电容器的额定电容是指在指定的工作条件下，电容器可以储存的最大电荷量。
通常以法拉（F）为单位表示。
额定电容决定了电容器在电路中的电荷储存能力。
2.2 额定电压（Rated Voltage）电容器的额定电压是指在指定的工作条件下，电容器可以承受的最大电压。
通常以伏特（V）为单位表示。
额定电压越高，电容器可以承受的电压越大。
2.3 介质材料（Dielectric Material）电容器的介质材料是指用于隔离正负极板的材料。
常见的介质材料有电解质、氧化铝、陶瓷等。
不同的介质材料有不同的电气特性和使用条件。
3. 电感器（Inductor）3.1 额定电感（Inductance）电感器的额定电感是指在指定的工作条件下，电感器的感抗。
通常以亨利（H）为单位表示。
额定电感决定了电感器在电路中的感抗大小。
3.2 额定电流（Rated Current）电感器的额定电流是指在指定的工作条件下，电感器可以承受的最大电流。
通常以安培（A）为单位表示。
额定电流越大，电感器可以承受的电流越高。
3.3 质量因数（Quality Factor）电感器的质量因数是指电感器内部电阻和外部电路的等效电阻之比。
质量因数越高，电感器的能量损耗越小，性能越好。
电子元器件主要参数详解
T
StorageTemperatureRange
存储温度
R
ThermalResistancefromJunctiontoAmbient
结到环境的热阻
PIN二极管
VR
Continuousreversevoltage
反向直流电压
IF
Continuousforwardcurrent
正向直流电流
VF
基极-发射极电压
fT
Transitionfrequency
特征频率
C
Collectoroutputcapacitance
共基极输出电容
C
Collectorinputcapacitance
共基极输入电容
F
Noisefigure
噪声系数
t
Turn-ontime
开通时间
t
Turn-offtime
关断时间
tr
额定通态电流
I
Nonrepetitivesurgepeakon-statecurrent
通态非重复浪涌电流
I
Forwardpeakgatecurrent
控制极重复峰值电流
V
peakforwardon-statevoltage
通态峰值电压
I
Gatetriggercurrent
控制极触发直流电流
V
Gatetriggervoltage
Risetime
上升时间
ts
Storagetime
存储时间
tf
Falltime
下降时间
td
Delaytime
延迟时间
43系列稳压管
V
电子元器件主要参数详解
Cobo
Collector output capacitance
共基极输出电容
Cibo
Collector input capacitance
共基极输入电容
F
Noise figure
噪声系数
ton
Turn-on time
开通时间
toff
Turn-off time
关断时间
tr
Rise time
上升时间
Topr
operating junction temperature range
结温
Tstg
storage temperature range
存储温度
普通晶体管
VCBO
Collector-Base voltage
发射极开路,集电极-基极电压
VCEO
Collector-emitter voltage
基极开路,集电极-发射极电压
ICBO
Collector cut-off current
发射极开路,集电极-基极截止电流
IEBO
Emitter cut-off current
集电极开路,发射极-基极截止电流
ICEO
Collector cut-off current
基极开路,集电极-发射极截止电流
hFE
DC current gain
IF(AV)
Average Rectified Forward Current
正向平均电流
IR
Reverse Current
反向电流
IFSM
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
正向浪涌电流
最常用的电子元器件参数及说明
最常用的电子元器件参数及说明电子元器件是电子设备中的基本组成部分，其参数和说明对于正确选择和使用电子元器件至关重要。
以下是几种最常用的电子元器件参数及其说明。
1. 电阻（Resistance）：电阻是电子元器件中最基本的参数之一，用于控制电流的流向和强度。
电阻的单位为欧姆（Ω），用来表示电流通过元器件时的阻碍程度。
较大的电阻值意味着更大的阻力，电流通过元器件时会减弱。
电阻常用于电路中的限流和分压。
2. 电容（Capacitance）：电容是电子元器件中的另一个基本参数，用于存储电荷。
电容的单位为法拉（F），表示元器件存储的电荷量。
较大的电容值意味着元器件能够存储更多的电荷，从而具有较大的电压储存能力。
电容常用于电路中的电源稳压和信号滤波。
3. 电感（Inductance）：电感是电子元器件中的参数之一，用于储存电流的磁场能量。
电感的单位为亨利（H），用来表示元器件储存磁场能量的能力。
较大的电感值意味着元器件能够储存更多的能量。
电感常用于电路中的滤波和弹性储能。
4. 电压（Voltage）：电压是电子元器件参数中的重要值，用于表示电势差，即电流流动的驱动力。
电压的单位为伏特（V），用于表示两个点之间的电位差。
较高的电压值意味着更大的电势差，电流的流动也会更快。
电压常用于电路中的供电和信号传输。
5. 电流（Current）：电流是电子元器件参数中的基本值，用于表示电荷的流动情况。
电流的单位为安培（A），用于表示单位时间内通过元器件的电荷量。
较大的电流值意味着有更多的电荷通过元器件，电流的流动也会更大。
电流常用于电路中的功率传输和电子器件的工作状态。
这些参数是电子元器件中最常用的，也是电子设备设计和制造中最为重要的。
掌握这些参数的含义和关系，可以帮助工程师选择和使用恰当的元器件，同时也能够更好地理解和分析电子电路的工作原理。
通过合理选择和使用电子元器件，可以提高电子设备的性能和可靠性。
电子行业电子元器件原理与参数
电子行业电子元器件原理与参数1. 引言电子元器件是电子行业中不可或缺的构成部分，它们作为连接、控制和转换电流的基础，广泛应用于各种电子设备和系统中。
本文将介绍电子行业常见的几种电子元器件，包括电阻、电容、电感和二极管，重点讲解它们的工作原理和常用参数。
2. 电阻2.1 工作原理电阻是电子电路中最常见的元器件之一，它的作用是阻碍电流的流动。
电阻的工作原理是通过材料的电阻率阻碍电流的通过。
电阻的阻值单位是欧姆（Ω），阻值越大，电流通过的越困难。
2.2 常用参数•阻值（R）：电阻的阻值决定了电阻对电流的阻碍程度，单位是欧姆（Ω）。
•耐功率（P）：电阻能够承受的最大功率，单位是瓦特（W）。
•温度系数（TCR）：材料温度变化对电阻值的影响程度，单位是每度克（ppm/℃）。
3. 电容3.1 工作原理电容是一种能够存储电荷的元器件，它由两个带电极板之间的绝缘材料（电介质）组成。
电容器的工作原理是当电压施加在电容器的两个极板上时，极板之间会形成电场，从而存储电荷。
3.2 常用参数•静电容量（C）：电容器存储电荷的能力，单位是法拉（F）。
•额定电压（V）：电容器能够承受的最大电压，单位是伏特（V）。
•电介质损耗因数（D）：电容器中电介质的损耗程度。
4. 电感4.1 工作原理电感是一种能够储存能量的元器件，它由绕组和磁芯构成。
当交流电通过电感绕组时，会产生磁场，并且电感器会对电流的变化有反应。
电感器的工作原理是通过储存和释放磁场的能量。
4.2 常用参数•感值（L）：电感器存储能量的能力，单位是亨利（H）。
•额定电流（I）：电感器能够承受的最大电流，单位是安培（A）。
•哈代值（AL）：电感器结构的一个参数，用于表示绕组的磁能量。
5. 二极管5.1 工作原理二极管是一种半导体器件，它具有单向导电性质。
二极管的工作原理是在直流电流下，从P端到N端的导电性比从N端到P端的导电性高。
当施加正向偏置电压时，二极管呈现低阻状态，电流通过。
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结温
T
storagetemperaturerange
存储温度
基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比
ΔI
Deviationofreferenceinputcurrentoverfulltemperaturerange
全温度范围内基准输入电流的偏差
I
Minimumcathodecurrentforregulation
稳压时最小负极电流
I
Off-statecathodecurrent
反向传输电容
Rg
Gateresistance
栅极电阻
t
Turn-ondelaytime
开通延迟时间
tr
Risetime
上升时间
t
Turn-offdelaytime
关断延迟时间
tf
Falltime
下降时间
I
Pulseddraincurrent
最大脉冲漏电流
PD
Powerdissipation
耗散功率
Tj
工作结温
Tstg
storagetemperaturerange
存储温度
稳压管
VI
inputvoltage
输入电压
Vo
outputvoltage
输出电压
ΔVo
Loadregulation
输出调整率
ΔVo
Lineregulation
输入调整率
Iq
quiescentcurrent
偏置电流
ΔIq
quiescentcurrentchange
基准输入电流
PD
Powerdissipation
耗散功率
R
Thermalresistancefromjunctiontoambient
结到环境的热阻
T
operatingjunctiontemperaturerange
工作结温
Tstg
storagetemperaturerange
存储温度
V
Referenceinputvoltage
额定通态电流
I
Nonrepetitivesurgepeakon-statecurrent
通态非重复浪涌电流
I
Forwardpeakgatecurrent
控制极重复峰值电流
V
peakforwardon-statevoltage
通态峰值电压
I
Gatetriggercurrent
控制极触发直流电流
V
Gatetriggervoltage
反向工作峰值电压
VF
Forwardvoltage
正向电压
IF
Forwardcurrent
正向电流
IT
Testcurrent
测试电流
可控硅
V
Peakrepetitiveoff-statevoltage
断态重复峰值电压
V
Peakrepetitivereversevoltage
反向重复峰值电压
I
RMSOn-statecurrent
Forwardvolecurrent
反向电流
Cd
diodecapacitance
二极管电容
rd
diodeforwardresistance
二极管正向电阻
P
totalpowerdissipation
总的功率损耗
Tj
JunctionTemperature
结温
T
storagetemperature
电子元器件主要参数详解
Diode肖特基二极管
V
Peakrepetitivereversevoltage
反向重复峰值电压
V
Workingpeakreversevoltage
反向工作峰值电压
VR
DCBlockingVoltage
反向直流电压
V
RMSReverseVoltage
反向电压有效值
I
AverageRectifiedForwardCurrent
输入开启电压
V
outputvoltage
输出电压
II
inputcurrent
输入电流
I
outputcurrent
输出截止电流
GI
DCcurrentgain
直流增益
R1
Inputresistance
输入电阻
R2/R1
Resistanceratio
电阻率
fT
Transitionfrequency
传输频率
偏置电流变化量
VN
Outputnoisevoltage
输出噪声电压
RR
Ripplerejection
纹波抑制比
Vd
dropoutvoltage
降落电压
Isc
shortcircuitcurrent
短路输出电流
Ipk
peakcurrent
峰值输出电流
T
operatingjunctiontemperaturerange
正向平均电流
IR
ReverseCurrent
反向电流
I
Non-RepetitivePeakForwardSurgeCurrent
正向浪涌电流
VF
ForwardVoltage
正向直流电压
Cj
TypicalJunctionCapactiance
结电容
PD
PowerDissipation
耗散功率
Tj
OperatingJunctionTemperature
Risetime
上升时间
ts
Storagetime
存储时间
tf
Falltime
下降时间
td
Delaytime
延迟时间
43系列稳压管
V
Cathodevoltage
阴极电压
IK
Cathodecurrentrange(continous)
阴极电流
I
Referenceinputcurrentrange,continous
控制极触发电压
IH
Holdingcurrent
维持电流
I
Peakrepetitiveoff-statecurrent
断态重复峰值电流
I
Peakrepetitivereversecurrent
反向重复峰值电流
P
Averagegatepowerdissipation
控制极平均功率
Tj
operatingjunctiontemperaturerange
集电极电流
PC
Collectorpowerdissipation
集电极耗散功率
Tj
Junctiontemperature
结温
T
storagetemperature
存储温度
V
Collector-Basebreakdownvoltage
发射极开路,集电极-基极反向电压
V
Collector-emitterbreakdownvoltage
存储温度
TVS二极管
I
Maximumreversepeakpulsecurrent
峰值脉冲电流
VC
Clamplingvoltage
钳位电压
IR
Maximumreverseleakagecurrent
最大反向漏电流
V
Breakdownvoltage
击穿电压
V
Workingpeakreversevoltage
基极开路,集电极-发射极反向电压
V
Emitter-basebreakdownvoltage
集电极开路,发射极-基极反向电压
I
Collectorcut-offcurrent
发射极开路,集电极-基极截止电流
I
Emittercut-offcurrent
集电极开路,发射极-基极截止电流
I
Collectorcut-offcurrent
结到环境的热阻
R
Thermalresistancefromjunctiontocase
结到管壳的热阻
V
Drain-sourcebreakdownvoltage
漏源击穿电压
V
Gatethresholdvoltage
栅源阈值电压
I
Gate-bodyleakagecurrent
漏-源短路的栅极电流
I
Zerogatevoltagedraincurent
结温
T
storagetemperaturerange
存储温度
普通晶体管
V
Collector-Basevoltage
发射极开路,集电极-基极电压
V
Collector-emittervoltage
基极开路,集电极-发射极电压
V
Emitter-basevoltage
集电极开路,发射极-基极电压
IC
Collectorcurrent
基准输入电压
ΔV
Deviationofreferenceinputvoltageoverfulltemperaturerange
全温度范围内基准输入电压的偏差
ΔVref/ΔVKA
Ratioofchangeinreferenceinputvoltagetothechangeincathodevoltage