电子能谱学笔记

电子能谱学电子能谱学的定义⏹电子能谱学可以定义为利用具有一定能量的粒子（光子，电子，粒子）轰击特定的样品，研究从样品中释放出来的电子或离子的能量分布和空间分布，从而了解样品的基本特征的方法。

⏹入射粒子与样品中的原子发生相互作用，经历各种能量转递的物理效应，最后释放出的电子和粒子具有样品中原子的特征信息。

⏹通过对这些信息的解析，可以获得样品中原子的各种信息如含量，化学价态等电子能谱学的应用⏹电子能谱学的应用主要在表面分析和价态分析方面。

可以给出表面的化学组成，原子排列，电子状态等信息。

⏹对于XPS和AES还可以对表面元素做出一次全部定性和定量分析，还可以利用其化学位移效应进行元素价态分析；利用离子束的溅射效应可以获得元素沿深度的化学成份分布信息。

⏹此外，利用其高空间分别率，还可以进行微区选点分析，线分布扫描分析以及元素的面分布分析。

⏹这些技术使得电子能谱学在材料科学，物理学，化学，半导体以及环境等方面具有广泛的应用。

X射线光电子谱(XPS)—特点⏹XPS的主要特点是它能在不太高的真空度下进行表面分析研究，这是其它方法都做不到的。

当用电子束激发时，如用AES法，必须使用超高真空，以防止样品上形成碳的沉积物而掩盖被测表面。

X射线比较柔和的特性使我们有可能在中等真空程度下对表面观察若干小时而不会影响测试结果。

⏹此外，化学位移效应也是XPS法不同于其它方法的另一特点，即采用直观的化学认识即可解释XPS中的化学位移，相比之下，在AES中解释起来就困难的多。

XPS-光电过程机理⏹光与物质的相互作用⏹光电离激发过程⏹光电离几率⏹偶极发射和表面发射⏹光电子谱线的特点及表示光线与物质的相互作用：1、反射（能量不损失）；2、吸收（能量转化为热能）；3、光电离（转化为电子）M + hV－－》M+ ＋e一般为单电子过程要光子能量足够，可以激发出所有轨道电子。

光电离过程：X射线光电子能谱基于光电离作用，当一束光子辐照到样品表面时，光子可以被样品中某一元素的原子轨道上的电子所吸收，使得该电子脱离原子核的束缚，以一定的动能从原子内部发射出来，变成自由的光电子，而原子本身则变成一个激发态的离子光电离几率：1、对于每一种物质其光电离几率与很多因素有关：如激发光子能量，原子种类，原子状态等。

2、在光电子能量阈值附近具有最高的电离截面光电子谱线的特点及表示：1、光电子谱线与原子结构有关；2、其特点是量子化的；3、标记可用激发跃迁的能级来标记XPS-结合能原理：1、光电子能谱的结合能原理；2、气态分子的结合能；3、固体物质的结合能；4、净电荷的计算；5、弛豫过程XPS 结合能1、在XPS分析中，由于采用的X射线激发源的能量较高，不仅可以激发出原子价轨道中的价电子，还可以激发出芯能级上的内层轨道电子，其出射光电子的能量仅与入射光子的能量及原子轨道结合能有关。

2、因此，对于特定的单色激发源和特定的原子轨道，其光电子的能量是特征的。

3、 当固定激发源能量时，其光电子的能量仅与元素的种类和所电离激发的原子轨道有关。

因此，我们可以根据光电子的结合能定性分析物质的元素种类。

X 射线光电子谱仪X 射线源是用于产生具有一定能量的X 射线的装置，在目前的商品仪器中，一般以Al/Mg 双阳极X 射线源最为常见。

XPS −−X 射线光电子谱基本原理1、X 射线光电子谱基本原理：X 射线光电子能谱的理论依据就是Einstein 的光电子发射公式，在实际的X 射线光电子谱分析中，不仅用XPS 测定轨道电子结合能，还经常用量子化学方法进行计算，并将二者进行比较。

2、突然近似体系受激出射光电子后，原稳定的电子结构受到破坏，这时体系处于何种状态、如何求解状态波函数及本征值遇到了很大的理论处理困难。

突然近似认为，电离后的体系同电离前相比，除了某一轨道被打出一个电子外，其余轨道电子的运动状态不发生变化而处于某一种“冻结状态”。

按照这个假设前提，Koopmans 认为轨道电子的结合能在数值上等于中性体系该轨道自洽单电子波函数的本征值的负值，即其中：表示用自洽场方法求得的ESCF (n, l, j )轨道电子能量的本征值，n, l, j 为轨道的三个量子数。

表示E a SCF 用Koopmans 定理确定的(n, l, j )轨道电子结合能。

Koopmans 定理使某轨道电子结合能E B 的求取变成计算该轨道电子波函数本征值而与终态无关，使计算简化。

因为忽略了电离后终态的影响，这种方法只适用于闭壳层体系。

3、 结合能参照基准在用XPS 测定内层电子结合能与理论计算结果进行比较时，必须有一共同的结合能参照基准。

对于孤立原子，轨道结合能的定义为把一个电子从轨道移到核势场以外所需的能量，即以“自由电子能级”为基准的。

在XPS 中称这一基准为“真空能级”，它同理论计算的参照基准是一致的。

对于气态XPS ，测定的结合能与计算的结合能是一致，因此，可以直接比较对于导电固体样品，测定的结合能则是以Fermi 能级为基准的，因此，同计算结果对比时，应用公式进行换算。

对于非导电样品，参考能级的确定是比困难的。

X 射线光电子谱仪的能量校准X 射线光电子能谱分析的首要任务是谱仪的能量校准。

一台工作正常的X 射线光电子谱仪应是经过能量校准的。

X 射线光电子谱仪的能量校准工作是经常性的，一般地说，每工作几个月或半年，就要重新校),,(),,(SCF KT B j l n E j l n E -=S F B V B φ+=E E准一次。

X PS−−XPS中的化学位移化学位移由于原子所处的化学环境不同而引起的内层电子结合能的变化，在谱图上表现为谱峰的位移，这一现象称为化学位移。

化学位移的分析、测定，是XPS分析中的一项主要内容，是判定原子化合态的重要依据。

XPS−−XPS分析方法化合态识别在XPS的应用中，化合态的识别是最主要的用途之一。

识别化合态的主要方法就是测量X射线光电子谱的峰位位移。

对于半导体、绝缘体，在测量化学位移前应首先决定荷电效应对峰位位移的影响。

化合态识别-光电子峰由于元素所处的化学环境不同，它们的内层电子的轨道结合能也不同，即存在所谓的化学位移。

其次，化学环境的变化将使一些元素的光电子谱双峰间的距离发生变化，这也是判定化学状态的重要依据之一。

元素化学状态的变化有时还将引起谱峰半峰高宽的变化。

定量分析-元素灵敏度因子法同AES中的灵敏度因子法相似。

区别在于AES定量分析中一般以谱线相对高度计算，同时对背散射因子等作出校正；XPS中一般以谱峰面积计算，不计入背散射效应。

XPS分析中，定量分析的方法与AES的定量方法基本相似，如标样法，校正曲线法等，大同小异。

小面积XPS分析小面积XPS是近几年出现的一种新型技术。

由于X射线源产生的X射线的线度小至0.01 mm 左右，使XPS的空间分辨能力大大增加，使得XPS也可以成像，并有利于深度剖面分析。

俄歇电子能谱(AES)俄歇电子能谱的基本机理是：入射电子束或X射线使原子内层能级电子电离，外层电子产生无辐射俄歇跃迁，发射俄歇电子，用电子能谱仪在真空中对它们进行探测。

俄歇电子能谱仪特点：AES大都用电子作激发源，因为电子激发得到的俄歇电子谱强度较大。

光电子或俄歇电子，在逸出的路径上自由程很短，实际能探测的信息深度只有表面几个至十几个原子层，光电子能谱通常用来作为表面分析的方法。

1）俄歇电子的能量是靶物质所特有的，与入射电子束的能量无关。

2）俄歇电子只能从20埃以内的表层深度中逃逸出来，因而带有表层物质的信息，即对表面成份非常敏感。

正因如此，俄歇电子特别适用于作表面化学成份分析。

3）作为固体表面分析法，信息深度取决于俄歇电子逸出深度，对于能量为50ev-2kev范围内的俄歇电子，逸出深度为0.4-2nm,深度分辨率约为1nm,横向分辨率取决于入射束斑大小。

4）可分析除H、He以外的各种元素。

5）对于轻元素C、O、N、S、P等有较高的分析灵敏度。

6）可进行成分的深度剖析或薄膜及界面分析。

俄歇能谱仪简介俄歇能谱仪主要由电子枪、电子能量分析器、超高真空系统、离子枪和样品安置系统及计算机数据采集和处理系统等几个部分组成。

1、电子枪：由阴极产生的电子束经聚焦后成为很小的电子束斑打在样品上，激发产生俄歇电子。

灯丝阴极材料一般用六氟化镧(LaF6)，六氟化镧灯丝比钨丝亮度大。

现在的电子能谱仪也采用场发射电子枪，场发射电子枪可以提供比钨丝和六氟化镧丝更小的电子束斑，束流密度大，空间分辨率高，缺点是易损坏。

2、电子能量分析器：电子能量分析器其作用是探测样品发射出来的不同能量电子的相对强度。

它必须在高真空条件下工作即压力要低于10-3帕，以便尽量减少电子与分析器中残余气体分子碰撞的几率。

3、超高真空系统：（一）使样品室和分析器保持一定的真空度，以便使样品发射出来的电子的平均自由程相对于谱仪的内部尺寸足够大，减少电子在运动过程中同残留气体分子发生碰撞而损失信号强度。

（二）降低活性残余气体的分压。

因在记录谱图所必需的时间内，残留气体会吸附到样品表面上，甚至有可能和样品发生化学反应，从而影响电子从样品表面上发射并产生外来干扰谱线。

4、离子枪：它由离子源和束聚焦透镜等部分组成，有如下功能：①清洁试样表面；②逐层刻蚀试样表面，进行试样组成的深度剖面分析。

5、样品安置系统：一般包括样品导入系统，样品台，加热或冷却附属装置等。

为了减少更换样品所需的时间及保持样品室内高真空，俄歇谱仪采用旋转式样品台，能同时装6-12个样品，根据需要将待分析样品送至检测位置。

俄歇能谱仪的样品要求能经得住真空环境，在电子束照射下不产生严重分解。

有机物质和易挥发物质不能进行俄歇分析，粉末样品可压块成型后放入样品室。

分析方法俄歇电子能谱分析有四种基本方法：定点定性分析、线扫描分析、面扫描分析和定点定量分析。

（1）定性分析根据实测的直接谱或微分谱上的谱峰的位置识别元素，方法是与标准谱进行对比。

（2）定量分析能谱仪在稳定的电子束照射下得到的俄歇电子能谱图，在扣除背景计数率后，各元素的同类特征谱线的强度值与它们的浓度相对应。

但是实际上并不是这样。

其分析精度低。

（3）线扫描分析线扫描分析是了解一些元素沿某一方向的分布情况。

利用线扫描分析可以在微观和宏观的范围内进行。

常用于表面扩散，界面分析等。

（4）面扫描分析面扫描分析又称为俄歇电子能谱的元素分布的图像分析。

可以把某元素的某一区域内的分布以图像的方式表示出来。

提供了元素的分布像。

结合俄歇化学位移分析，可以获得化学价态元素的化学分布像。

适合于微型材料和技术的研究。

化学效应1）俄歇跃迁不涉及价带，化学环境的不同将导致内层电子能级发生微小变化，造成俄歇电子能量微小变化，表现在俄歇电子谱图上，谱线位置有微小移动，这就是化学位移。