硅材料相关知识及M156硅片检验标准
太阳能多晶硅国标
太阳能级多晶硅1范围本标准规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。
本标准适用于使用（改良）西门子法和硅烷等方法，生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅。
产品主要用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。
2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1551 硅、锗单晶电阻率测试直流两探针法GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测试直排四探针法GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 14264 半导体材料术语SEMI MF1389 光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMI MF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法SEMI MF1630 低温傅立叶变换红外光谱法测量单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMI MF1723 利用区熔生长和光谱法评价多晶硅产品规范SEMI MF1724 利用酸提取原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污的测试方法3 要求3.1分类产品按外型分为棒状、块状和颗粒状，根据等级的差别分为三级。
3.2牌号多晶硅牌号表示为：SGPSi—□—□阿拉伯数字表示多晶硅等级字母I表示棒状，N表示块状、G表示粒状表示太阳能级多晶硅4 技术要求4.1等级太阳能级多晶硅的等级及相关技术要求应符合表1的规定。
硅检检验标准培训
②根据<送检单>，查看已检数量和来料总数，确认待检数量。
38
2. 5S及工具交接 ①5S方面（ATM机器、地面、垃圾箱、桌面）是否干净整洁，各类物品 是否按规定区域有序摆放。 ②工具方面（推车、游标卡尺、外径千分尺、封箱器、计算器、塞尺、 同心度模板、花岗岩平台、面粗糙度计及其标准片、四探针测试 仪及其标准片，ATM机器校准片）是否完好无损，并且按规定区域 有序摆放。
2-2导电类型
导电类型：P型和N型； 目前我们执行的是P型工艺，N型为不合格； 测量仪器ATM机器。
10
2-3电阻率
电阻率： 用来表示各种物质电阻特性的物理量。电阻率 ρ 单位 为欧姆·厘米 （ohm*cm ）
（单晶 ） 合格：0.5-3 让步：3-6 不合格：＞6或＜0.5 （多晶 ） 合格：0.5-3 无让步 不合格：＞3或＜0.5 测量仪器：四探针测试仪或ATM自动分选机 注：测试硅片中心点。
A.少子寿命 B.导电类型 C.电阻率
3
1-1边长
边长（规格）：125S 156S 156E
合格范围：±0.5mm 例:125合格范围124.50-125.50 让步范围：±0.6mm 例:125让步范围124.40-124.49或125.51-125.60 不合格范围：＜-0.6或＞0.6mm 例:125不合格范围＜124.40或＞125.60
孪晶 不合格
未加工好 不合格
25
3-7其它不良
裂纹 不合格
针孔 不合格
26
硅片检验要求
1.只接受掺硼片，不接受掺镓片及氧施主片。 2.等外片、让步接收片中不允许有多种缺陷让步，否则作为不合格。 3.正品片试检合格率单晶＜95%、多晶＜98%，作为批退处理；合格率 单晶≥95%、多晶≥98%，进行试投。 4.等外品片试检合格率＜85%（包括单晶、多晶），作为批退处理；合 格率≥85%，进行试投。 5.硅片试检抽样 来料数量 抽检数量 ≤50000pcs 3000pcs 50001-100000pcs 6000-7000pcs ＞100000pcs 10000-12000pcs
硅片检验标准2016-2-1资料
文件更改申请单编号：LW-CX-001-A1-03文件名称硅片检验标准文件编号LW-BZ-009-A1 申请部门铸切技术部申请人王伟批准人批准日期更改原因：1、明确断线移动或类似操作导致的硅片明暗区间判定标准2、变更硅片尺寸范围3、增加硅片表面洁净度要求4、修改崩边要求更改前内容及条款1、无2、156-156.73、无4、B片中崩边要求为：length≤1.5mm；width≤0.5mm个数不限更改后内容及条款1、增加硅片黑色带状区域要求2、155.8-156.73、增加表面玷污定义4、B片中崩边要求为：length≤1.5mm；width≤0.5mm，每片不得超过4处硅片检验标准1 目的规范多晶硅片检测标准。
2 适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
3 定义3.1检测工具：数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。
3.2检测术语斑点定义：在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。
翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即a值）。
弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即z值）。
硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度≤0.5mm、长度≤1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。
缺口：光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。
水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。
表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘5mm以内的黑色区域。
微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞10个。
4 职责权限4.1 技术部负责制定硅片检验标准；4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
硅片标准
≤80 μm 氧含量≤ 1x1018atoms/cm 3 ；碳含量≤ 1.5x1017atoms/c m3
目检
抽检
Nicolet6700
硅棒保证
编制：
审核：
批准：
太阳能单,多晶硅片质量等级分类方法 A 序号 1 2 检验项目 导电类型 A P A2 P B B1、B2、B3…B7 C D 检测方法 硅片分选设 备 硅片分选设 备 目测 检验方式 硅棒保证 抽检
隐裂、针孔 无隐裂、无针孔 无隐裂、无针孔 长度≤1 mm，深 度≤0.5 mm，每 片崩边总数≤2 处； ≤30 μm 200±20 μm 125±0.5 mm/156±0.5 mm 150±0.5 mm/200±0.5 19.9722.13/14.4616.39mm 长度≤1 mm，深 度≤0.5 mm，每 片崩边总数≤3 处； B1— 1mm＜崩边 长度≤5mm，1mm ＜深度≤2mm，1 ＜崩边总数≤3 B2— 30μm＜ ≤30 μm TTV≤50μm； B3— 厚度偏差 200±20 μm 超过±20μm但小 于±40μm B4— 硅片尺寸 125±0.5 mm/156 偏差超过±0.5mm ±0.5 mm 但小于±1.0mm 150±0.5 mm/200 B5— 150± ±0.5 mm 1mm/200±1 mm 19.9722.13/14.4616.39mm
3
崩边
全检
4 5
TTV 厚度
MS-202 MS-203
抽检 抽检
6 7 8
边长 对角线 角长
游标卡尺 游标卡尺 / 目测、必要 时使用表面 粗糙度仪帮 助判定 四探针/RT110 少子寿命测 试仪
硅片检验标准
版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。
J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。
3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。
3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。
4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。
检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。
4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。
塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。
4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。
4.2.3 检验时戴PVC手套。
从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。
4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。
将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。
将线痕、TTV超标片区别放置。
再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。
并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。
4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。
如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。
4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。
晶硅硅片检验要求
本文由ｃｍｒ＿１９８７贡献 ｄｏｃ文档可能在ＷＡＰ端浏览体验不佳。
建议您优先选择ＴＸＴ，或下载源文件到本机查看。
单晶硅硅片检验 适用 太阳能事业部 北京中科信电子装备有限公司 受控状态 受控 实施日期 实施责任者 １．范围 本文件规定了光伏电池技术部生产所用单晶硅硅片的来料检验要求。
本文件适用于公司管理体系以规范来料检验。
２．规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而称为本标准的条款。
ＧＢ／Ｔ １５４９６ ＧＢ／Ｔ １９００１ 企业标准体系 质量管理体系 要求 要求 ３．术语和定义 本标准采用 ＧＢ／Ｔ １９００１ 和 ＧＢ／Ｔ １５４９６ 中的术语和定义。
４．检验要求 ４．１ 材料描述 材料名称：单晶硅硅片 型号：１２５ 物料编号： 分子量：２８ 化学式：Ｓｉ ４．２ 技术要求 项目 标准 项目 标准 项目 标准 氧含量 ≤１．０＊１０ １８ 碳含量 ≤３．０＊１０ １６ 掺杂 Ｂ 厚度 １８０±２０ ｕｍ 晶向 ＜１００＞ 少子寿命 大于 １０ ｕｓ ＴＴＶ ３０ ｕｍ 作成 审核 垂直度 ±０．５ 度 导电类型 Ｐ型 弯曲度 ５０ｕｍ 批准 承认 对角直径 １５０±０．５ ｍｍ １６５±０．５ ｍｍ 锯痕 ＜１５ ｕｍ 对边距离 １２５±０．５ ｍｍ 电阻率 ０．５－３Ω．ｃｍ 注：本文件的更改，应由建议者提出申请，经批准后方可变更。
变更内容： 文件编号 ＺＫＸ－１０４ 版／次 Ａ／０ 总１页 第１页 单晶硅硅片检验 适用 太阳能事业部 北京中科信电子装备有限公司 受控状态 受控 实施日期 实施责任者 注：ａ．少子寿命为硅片的体寿命。
ｂ．来料硅片不作任何钝化处理，实测少子寿命﹥１μｓ。
４．３ 包装要求 ４．３．１ ３００ 片或 ４００ 片为一包装盒。
４．３．２ 包装盒上应注明产品名称，生产厂家，生产批号，生产日期，数量。
单晶硅片成品检验规范
4.3检测硅片的外观：
4.3.1目测硅片无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤0.5mm，深度≤0.3mm，每片崩边数量≤2个；
批准
审核
编制
修改履历
页码
内容
状态
Hale Waihona Puke 备注4.3.2目测硅片表面无异常斑点、玷污；
4.3.3目测表面无凹坑，使硅片表面局部凹凸不平≤20μm；
4.3.4目测表面无明显的切割线，切割刀痕深度≤20μm。
6、验收规则
抽样频率为500PCS为一个单位即20%，每25PCS为一篮，每一篮抽5PCS,记录在《线切割硅片返工卡》、《#机硅片检验记录表》中，电阻率、少子寿命及尺寸全检记录在表单编号：TNGWQ-OO1-01《圆棒检验记录》、表单编号：TNGWQ-OO2-01《方棒检验记录》中。
附表三 《退片检验反馈单》表单编号：TNGWQ-005-03
附表四《单晶硅片电阻率抽测记录》表单编号：TNGWQ-005-04
附表五 《厚度抽测简易图》表单编号：TNGWQ-005-05
7.5检验工序必须保证及时正确的检验校验的成品几半成品及原料，防止因产品积压影响上下工序的正常生产。
7.6对已经检验完成的成品、废品，要及时办理入库手续，不得随意阻滞交验的物品，必须及时反馈检验信息给相关人员检验结果。
8、相关记录
附表一《线切割返工卡》表单编号：TNGWQ-005-01
附表二 《#机检验记录表》表单编号：TNGWQ-005-02
3.4.1无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤0.5mm，深度≤0.3mm，每片崩边数量≤2个；
3.4.2表面无异常斑点、玷污；
硅片检测
1618845313一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试[url=]模组[/url]主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。
把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。
硅片检验标准
菱形片0.6-1.0㎜线痕片20-50um弯曲片0.5-0.8㎜（任意一条边以测量最大值计算）（凹进或凸出20-50um）（包括应力片）外形片0.6-1.0mm倒角偏差0.6-1.5mm超厚片220-250um (任意一角以测量最大值计算)（以任意两角最大值相加计算）超薄片150-160um硅晶脱落≤0.3mm 毛边≤0.3mm（双面缺损不在同一位置）尺寸不良124.50-126.00mm 尺寸不良148.00-149.50mm 尺寸不良150.50-151.50mm（两边相差不超过1.0mm ）B 等品电阻率6-10Ω.cm台阶片≤20um厚薄不均最薄不低于150um 最厚不超过280um TTV50-70um边道翘曲0-80um 边道翘曲边缘测量值280umC等品倒角偏差1.5-2.0mm外形片1.0-2.0mm菱形片1.0-1.5mm（以任意两角最大值相加计算）(任意一角以测量最大值计算)（任意一条边以测量最大值计算）线痕片50-80um超厚片250-280um硅晶脱落≤0.5mm（凹进或凸出）（双面缺损不在同一位置）C 等品毛边≤0.5mm尺寸不良124.00-124.50mm尺寸不良126.00-127.00mm尺寸不良151.50-153.00mm 尺寸不良146.50-148.00mm 电阻率退火后6-10Ω.cmC等品边道翘曲80-150um边道翘曲边缘测量值350um厚薄不均150-280um TTV70-100um不合格品倒角偏差＞2.0mm外形＞2.0mm硅晶脱落＞0.5mm毛边＞0.5mm超薄片＜150um弯曲＞0.8mm电阻率＞10Ω.cm电阻率＜0.5Ω.cm超厚片＞280um边道翘曲＞150um孪晶片台阶片＞20um线痕＞80um缺角孔洞外形〉2.0mm隐裂纹。
硅片的等级标准
硅片的检测1：硅片表面光滑洁净2：TV：220±20um 。
3：几何尺寸：边长：125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长：103±0.5mm、对角：135±0.5mm；边长：150±0.5mm、156±0.5mm、对角：203±0.5mm、200±0.5mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3二、合格品一级品：垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5二级品：1：表面有少许污渍、线痕。
凹痕、轻微崩边。
2：220±30um ≤TV≤220±40um。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30um4：崩边范围：崩边口不是三角形，崩边口长度≤1mm ，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：边长：125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长：103±0.52mm、对角：135±0.52mm；边长：150±0.52mm、156±0.52mm、对角：203±0.52mm、200±0.52mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8三级品：1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅洛现象。
2：220±40um ≤TV≤220±60um。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落部分硅晶脱落。
三、不合格品严重线痕、厚薄片：TV＞220±60um。
崩边片：有缺陷但可以改￠103的硅片气孔片：硅片中间有气孔外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差＞1.5mm菱形片：（垂直度）：任意两边的夹角＞90°±0.8凹痕片：硅片两面凹痕之和＞30um脏片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑尺寸偏差片：几何尺寸超过二级片的范围。
M6150um硅片成本分析
M6150um硅片成本分析M6150um硅片的原材料是石英，也就是通常说的沙子，可以直接在自然界开采。
晶圆制造的过程可以通过几步来完成。
脱氧提纯，提炼多晶硅，单晶硅锭（硅棒），滚磨，晶片切割，晶圆抛光，退火，测试，包装等等步骤。
提炼多晶硅：在得到相对较纯的SiO2后，经过化学反应，生成单晶硅。
主要反应为SiO2+CàSi+CO，一氧化碳（CO）为气体，反应完成后直接挥发掉。
所以只剩下硅晶体。
此时的硅为多晶体硅，并且为粗硅，存在一些杂质比如铁，铝，碳，硼，磷，铜等等元素。
为了过滤掉多余杂质，必须将得到的粗硅进行酸洗，常用的酸是盐酸（HCl），硫酸（H2SO4）等等，用酸浸泡后的硅含量一般在99.7%以上。
在酸洗的过程中，虽然将铁，铝等等元素也溶于酸且过滤掉。
但是硅也和酸反应生成SiHCl3（三氯氢硅）或SiCl4（四氯化硅）。
但是这两种物质都是气态，所以酸洗过后，原来的铁、铝等杂质已经溶于酸，但是硅已经变为气态。
最后将高纯的气态SiHCl3或者SiCl4用氢气还原得到高纯多晶硅，SiHCl3+H2àSi+3HCl，SICl4+2H2àSi+4HCl。
此时得到生产用的多晶硅。
新能源M6150um硅片制造成本光伏M6150um硅片成本大概可以分为硅料成本，长晶成本和切割成本。
其中硅料成本是主要的成本消耗部分，约占总成本的50%。
由于单晶硅和多晶硅对于长晶过程的要求不同，所以在长晶过程是单晶M6150um硅片和多晶M6150um硅片的主要成本差别。
在切片环节，M6150um硅片制造商可以提高M6150um硅片的切割出片量来分摊成本。
在长晶过程中的设备、电费、特气以及人工费用等等。
单晶硅制造成本：在硅成本和切片方面，单晶硅和多晶硅的差别不是很大。
长晶环节是主要的成本差异。
从单晶M6150um硅片的成本结构来看，硅料成本约占50%，拉单晶硅棒的成本约占整个成本的33%，切割成本约占17%。
硅片的等级标准
硅片的检测1：硅片表面光滑洁净2：TV：220±20um 。
3：几何尺寸：边长：125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长：103±0.5mm、对角：135±0.5mm；边长：150±0.5mm、156±0.5mm、对角：203±0.5mm、200±0.5mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3二、合格品一级品：垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5二级品：1：表面有少许污渍、线痕。
凹痕、轻微崩边。
2：220±30um ≤TV≤220±40um。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30um4：崩边范围：崩边口不是三角形，崩边口长度≤1mm ，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：边长：125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长：103±0.52mm、对角：135±0.52mm；边长：150±0.52mm、156±0.52mm、对角：203±0.52mm、200±0.52mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8三级品：1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅洛现象。
2：220±40um ≤TV≤220±60um。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落部分硅晶脱落。
三、不合格品严重线痕、厚薄片：TV＞220±60um。
崩边片：有缺陷但可以改￠103的硅片气孔片：硅片中间有气孔外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差＞1.5mm菱形片：（垂直度）：任意两边的夹角＞90°±0.8凹痕片：硅片两面凹痕之和＞30um脏片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑尺寸偏差片：几何尺寸超过二级片的范围。
soi硅片检验标准
soi硅片检验标准一、尺寸检查1.1 检查内容：硅片的尺寸应符合规定的尺寸要求，包括长度、宽度和厚度。
1.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。
1.3 判定标准：若实际尺寸与规定尺寸的偏差在±0.05mm范围内，则判定为合格。
二、表面质量2.1 检查内容：硅片的表面应光滑、洁净，无划痕、裂纹、凹坑等缺陷。
2.2 检查方法：通过目视或使用5倍放大镜进行检查。
2.3 判定标准：若硅片表面存在上述缺陷，则判定为不合格。
三、厚度测量3.1 检查内容：硅片的厚度应符合规定的厚度要求。
3.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。
3.3 判定标准：若实际厚度与规定厚度的偏差在±0.02mm范围内，则判定为合格。
四、翘曲度测量4.1 检查内容：硅片的翘曲度应符合规定的翘曲度要求。
4.2 检查方法：将硅片放置在水平面上，使用精度为0.01mm的直尺进行测量。
4.3 判定标准：若翘曲度超过规定范围，则判定为不合格。
五、电阻率测量5.1 检查内容：硅片的电阻率应符合规定的电阻率要求。
5.2 检查方法：使用电阻率测试仪进行测量。
5.3 判定标准：若电阻率超过规定范围，则判定为不合格。
六、吸光度测量6.1 检查内容：硅片的吸光度应符合规定的吸光度要求。
6.2 检查方法：使用吸光度计进行测量。
6.3 判定标准：若吸光度超过规定范围，则判定为不合格。
七、化学成分分析7.1 检查内容：硅片的化学成分应符合规定的化学成分要求。
7.2 检查方法：使用光谱分析仪进行测量。
7.3 判定标准：若化学成分不符合规定要求，则判定为不合格。
八、机械强度测试8.1 检查内容：硅片的机械强度应符合规定的机械强度要求。
8.2 检查方法：使用万能材料试验机进行测试。
半导体硅片的检验准则
半导体硅片的检验准则半导体硅片的检验准则导语：半导体硅片检验是半导体制造过程中非常重要的环节。
本文将深入探讨半导体硅片的检验准则，包括其基本原理、常见的检验方法和标准，以及对检验结果的分析和评估。
一、背景介绍在半导体工业中，半导体硅片是制造集成电路的重要基础材料。
而半导体硅片的质量直接影响着电子器件的性能和可靠性。
在半导体生产过程中进行严格的检验至关重要。
二、基本原理半导体硅片的检验是通过测量和分析其物理参数和工艺特征来判断其质量。
主要包括以下几个方面：1. 外观检验：包括观察硅片表面是否有裂纹、划痕、污染等缺陷，以及检查硅片的尺寸和平整度是否符合要求。
2. 电特性检验：通过测量硅片的电阻、电容、电压等参数，判断其电性能是否满足设计要求。
3. 表面特性检验：通过使用显微镜、扫描电子显微镜等设备，观察硅片表面的形貌、晶粒结构等特征，以评估其晶体质量和晶粒大小的均匀性。
4. 化学污染检验：通过使用化学分析方法，检测硅片中的有害杂质、金属离子等污染物的含量，以评估其纯度。
三、常见的检验方法和标准1. 外观检验：通常采用目视检查和显微镜观察的方式进行，以国家相关标准为准。
2. 电特性检验：包括电阻测量、电容测量、霍尔效应测量等方法，仪器主要包括多用电表、LCR桥、霍尔效应测试仪等。
3. 表面特性检验：常用的方法有显微镜观察、原子力显微镜观察、扫描电子显微镜观察等，根据不同应用领域制定相应的表面粗糙度、晶粒尺寸等标准。
4. 化学污染检验：一般通过化学分析方法，如电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、能谱仪或质谱仪等，以国际标准或公司内部标准为依据。
四、检验结果的分析和评估半导体硅片的检验结果通常会输出各项参数的数值以及对应的标准值。
根据数值的大小和与标准值的偏差，可进行以下分析和评估方面的工作：1. 质量评估：将检验结果与已设定的标准进行对比，评估硅片是否合格，是否可继续用于下一工序的制造。
2. 偏差分析：对超出标准范围的数据进行分析，找出问题所在，进一步改进生产工艺。
半导体硅片检验标准
半导体硅片检验标准
半导体硅片检验标准
半导体硅片是半导体器件制造的基础材料之一，因此其检验标准至关重要。
以下是半导体硅片检验标准的详细说明。
1. 外观检查
外观检查是半导体硅片检验的最基本要求。
在检查外观时，应检查硅片表面是否有裂纹、破损、划痕、气泡等缺陷，同时也应检查硅片的形状是否符合要求。
2. 表面检测
表面检测可以通过使用光学显微镜、SEM（扫描电子显微镜）等仪器来完成。
该检测可以用来评估硅片表面的平整度、颗粒数量、颗粒大小等因素。
需要注意的是，有些表面缺陷可能在目测外观检查时并不明显，因此表面检测往往会被认为是最灵敏的检测方法之一。
3. 清洗检验
清洗检验可以确定硅片表面是否存在落在硅片上的污染物。
在检查过程中，应确保清洗剂、气氛和温度等条件正确，从而保证检验的可靠性。
4. 检测杂质
杂质是半导体硅片中一个普遍而重要的概念。
在检测杂质时，可以使用玻璃齐墩试剂等方法，对硅片进行表面浸泡。
此外，还可以使用SIMS（二次离子质谱）等方法，对硅片内部的杂质进行检测。
5. 检测电性能
在半导体硅片的制造和生产过程中，电性能的检测是至关重要的。
可以使用四点探针法、霍尔效应仪等方法，对硅片的电性能进行检测。
总之，半导体硅片检验标准非常严格，因此需要依靠多种检测手段确保硅片质量的稳定性和可靠性。
只有通过科学的检验方法，才能确保半导体器件的品质和性能。
165片子参数
125*125mm单晶硅片-A级品检验规范
单晶硅片：125mm *125mm*200μm+/-20μm (165对角)
检验项目检验内容检验标准
尺寸
边长尺寸125×125mm±0.5mm
厚度200±20μm（中心厚度＞185μm）
TTV TTV≤25μm
晶向＜100＞±3°
弯曲度弯曲度＜25μm
对角线长度（直径）165mm±0.5mm
圆角与两直边的交点弦长
（包含四个角）
12.25土0.5mm
外观表面质量表面洁净、无沾污、无色斑、无油污线痕线痕深度≤15μm
裂纹无可视裂纹
孔洞不能有穿孔现象
微晶无
崩边无崩边、裂纹，不允许有“V”形缺口缺角无缺角现象
硅晶脱落无
性能
导电P型
少子寿命ρ≥3.0μs[10μs]（裸测）电阻率1-3,3-6Ω.cm
氧含量≤1×1018atoms/cm3
碳含量≤5×1017at/ cm3
位错密度无位错或应力
包装400片／盒(可以根据厂商的包装方式进行调整）标识部件号、定单号、批号、硅片数量、外形尺寸等。
硅片检测Word
1618845313一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试[url=]模组[/url]主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。
把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
拉制硅棒(单晶)
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
单晶硅生长
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
单晶硅生长
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
拉制硅棒:单晶硅生长过程照 片。（a）～（b）熔硅；（c）引晶；（d）细颈；（e）f放
三.多晶硅锭浇注
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
三.多晶硅片切割
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
四.多晶硅片检验
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
四.硅片检验
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
四.硅片检验
2021/3/14
多晶硅料
多晶硅使用前应检查外观、电阻率、碳和氧的含量 （≤1016/cm3）。多晶硅的外观应呈银灰色，不允许 存在夹层、发黑、氧化、指纹和沾污的痕迹。一般情 况下，多晶硅块料使用前还应用1：5的HF：HNO3混 合液进行腐蚀，再用高纯水清洗，烘干后使用。但是 最好的方法是在多晶硅从沉积炉中取出后，以硅块互 相敲击破碎（不允许使用其他材料的工具），然后直 接装入坩埚，这样可以免除一次酸洗，既防止杂质污 染硅材料，又有利于环境保护，同时降低工艺成本。
肩；（g）等径生长
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
单晶硅生长
拉晶过程可以分为以下几个阶段：
1. 熔硅。在熔硅阶段坩埚位置的调节很重要。开始坩 埚位置较高，可以使坩埚口与加热器的顶部对齐，这 样可以使坩埚底部的多晶硅料先熔化。然后再将坩埚 逐渐降至拉晶的正常位置。熔硅过程不宜太长，熔硅 时间长，熔硅中掺入杂质的挥发量大，坩埚熔蚀也严 重。熔硅过程中应注意防止熔硅溅出或粘附在液面以 上的坩埚壁上。
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
一.晶体硅产业链相关知识
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
一.晶体硅产业链相关知识
2021/3/14
硅材料相知识及M156硅片检验标准
二.单晶硅棒拉制及切片
多晶硅料
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
二.单晶硅棒拉制及切片
4. 放肩。根据收颈时的温度变化，将温度降低15℃～ 40℃，并将拉速调至0.4mm/min。随时观测直径，保 持温度稳定，尽可能长成平
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
单晶硅生长
5. 收肩（转肩）。当肩部直径约比需要的单晶直径小 3～5mm时，将拉速提高到2.5mm/min，使直径增长速 率降低。同时坩埚也开始自动跟踪，使熔硅液面始终 保持在相对固定的位置上。
太阳电池用多晶硅与光电转 换效率
尽管关于多晶硅片质量与太阳电池光电转换效率之间 详细的原理非常复杂，但是与氧、碳、金属杂质和晶 体结构有关的硅片质量的指导方针，可用于改进现有 硅片材料和开发新的硅片材料。
最重要的硅片特性为氧、碳含量，金属杂质和晶体缺 陷、断层以及晶界。
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
硅棒的加工
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
硅棒切片
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
三.多晶硅锭浇注
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
三.多晶浇注
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
四.硅片检验(需用仪器工具)
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
四.硅片检验(四探针测试仪)
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
SEMILAB测试仪器
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
硅材料相关知识及M156硅 片检验标准
目录
晶体硅产业链相关知识 拉制单晶硅棒与单晶硅棒的切片 浇注多晶硅锭与切片 硅片检验标准及检验方法
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
一.晶体硅产业链相关知识
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
一.晶体硅产业链相关知识
2021/3/14
2. 引晶。将籽晶和坩埚的转速按照设备工艺规范分别 设置调整好。当处于预置热场位置中的熔硅温度稳定 后，将籽晶下降至熔硅上方预热10分钟，然后使籽晶 2021/3缓/14 慢下降，使硅其材料相与关知熔识及硅M15接6硅片触检验。标准若籽晶很快被熔断，表
单晶硅生长
3. 收颈。观察弯月面形状，如果适当，就开始将籽晶 慢慢向上提拉，并逐渐将拉速增大到3.5mm/min以上。 收颈部的直径、长度按照拉制单晶规格对应的工艺规 范进行控制。细长的颈部有利于抑制位错从籽晶向颈 部以下晶体延伸。颈部长些还可以使熔硅温度在放肩 之前先稳定下来。
单晶硅生长
在拉晶过程中，操作者应密切注意观察晶体外侧棱线 是否连续和对称，及弯月面形状的变化。如出现断棱 和多晶，应终止拉晶过程。若已长成的晶锭长度在 200mm以内，可以回熔一次，并回熔到籽晶引晶处， 然后重新开始生长；若晶锭长度超过200mm，则应根 据不同情况采取相应措施，例如可将晶锭提起，由提 拉室取出，重新安装子晶后再将剩余熔硅拉成单晶。 若剩料不多，则只能按照正常拉晶过程结束阶段的工 艺程序将硅全部拉完。
6. 等径生长。当直径达到要求后，将拉速降到1.3～ 1.5mm/min左右，然后在电子系统的自动控制下开始 等直径生长。
7. 收尾。当坩埚中硅料剩下1.5kg左右时，停止坩埚跟 踪，选取等直径生长阶段最后2h的平均拉速，并逐渐 升温，使尾部长成锥型。
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准