数字集成电路设计基础-第六章 CMOS逻辑部件

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数字集成电路设计基础

数字集成电路设计基础
1. 数字逻辑
•布尔代数
•组合逻辑电路
•时序逻辑电路
•状态机
2. CMOS 技术
•CMOS 器件的结构和特性•MOS 晶体管的开关特性•CMOS 逻辑门
•CMOS 存储器
3. 数字集成电路设计流程
•系统规范
•架构设计
•逻辑设计
•物理设计
•验证和测试
4. 组合逻辑电路设计
•门级优化
•多级逻辑优化
•可编程逻辑器件 (FPGA)
5. 时序逻辑电路设计
•时钟和复位电路
•触发器和锁存器
•同步和异步时序电路
6. 存储器设计
•静态随机存取存储器 (SRAM) •动态随机存取存储器 (DRAM) •只读存储器 (ROM)
•闪存
7. 芯片设计中的布局和布线
•布局约束和规则•布线算法
•时序和功耗优化8. 验证和测试
•功能验证
•时序验证
•制造测试
9. 数字集成电路应用•微处理器和单片机•数字信号处理•通信系统
•嵌入式系统
其他重要概念：
•数制转换
•可靠性和容错性•EDA 工具
•低功耗设计
•可制造性设计。

《CMOS集成电路基础》课件

智能传感器和可穿戴设备的普及
随着智能传感器和可穿戴设备的普及，CMOS集成电路将在这些领域发挥重要作用，实现更高效、更低功耗的数据采集和处理。
神经网络和类脑计算的发展
CMOS集成电路将在神经网络和类脑计算领域发挥重要作用，推动人工智能技术的进一步发展。
系统级芯片的广泛应用
随着系统级芯片的广泛应用，CMOS集成电路将与不同芯片和模块进行集成，实现更高效、更低功耗的系
晶圆制备
将高纯度硅材料加工成晶圆，作为集成电路的基底。
薄膜沉积
在晶圆表面沉积所需厚度的薄膜，形成各种有源和无源器件
。
光刻与刻蚀
通过光刻技术将设计好的电路版图转移到晶圆表面，然后进
行刻蚀，形成电路图形。
掺杂与退火
通过掺杂工艺在晶圆中引入不同元素，形成PN结和导电通
道，并进行退火处理。
03
每个逻辑门电路由NMOS和PMOS晶体管组成，形成反相器或与门、或门等基本逻辑门。
工作原理
01
CMOS集成电路的工作原理基于 NMOS和PMOS晶体管的开关特性。当输入信号发生变化时， NMOS和PMOS晶体管会交替导
02 通和截止，从而实现逻辑功能。
CMOS电路的电压摆幅较小，因此功耗较低。此外，CMOS电路还具有噪声容限高、抗干扰能力强等优点。
我们应该如何学习和掌握CMOS集成电路技术
理论与实践结合
在学习过程中，应注重理论与实践相结合，通过实验和项目实践加深对理论知识的
理解。
持续学习与更新知识
随着技术的不断进步，应保持持续学习的态度，关注新技术、新工艺的发展，不断更新自己的知识储备。
培养问题解决能力

CMOS集成电路设计基础

CMOS集成电路设计基础CMOS（亦称互补金属氧化物半导体）是一种常用的集成电路设计技术，它在数字电路中广泛使用。

本文将详细介绍CMOS集成电路设计的基础知识。

CMOS电路是由PMOS（P型金属氧化物半导体）和NMOS（N型金属氧化物半导体）晶体管组成的。

PMOS和NMOS的工作原理相反，当输入信号为高电平时，PMOS开关导通，NMOS截断；当输入信号为低电平时，PMOS截断，NMOS导通。

通过PMOS和NMOS的结合，可以实现高度集成的数字电路。

CMOS电路的优势主要体现在以下几个方面：1.功耗低：由于CMOS电路只有在切换时才消耗功耗，因此静态功耗基本可以忽略不计。

而且CMOS在开关时的功耗也非常低。

2.噪声低：CMOS电路的输出电平会受到两个晶体管开关阈值的影响，这样可以减小由于电流变化而引起的噪声。

3.集成度高：CMOS电路可以实现非常高的集成度，因为它的结构非常简单，只需要两种类型的晶体管。

1.逻辑门设计：逻辑门是CMOS电路的基本单元，它可以实现与门、或门、非门等逻辑运算。

逻辑门的设计要考虑功耗、速度和面积等因素。

2.布局设计：布局设计是将逻辑门按照一定的规则进行布置，以实现电路的高集成度和高性能。

布局设计需要考虑晶体管的相互影响，以及电路的信号延迟等因素。

3.时序设计：时序设计是指在设计中考虑到电路的时序特性，以满足时序约束。

时序设计需要考虑时钟频率、延迟等因素，以确保电路的正确操作。

4.电源和地设计：CMOS电路需要提供稳定的电源和地，以确保电路的正常运行。

电源和地的设计需要考虑电源噪声、电源提供能力等因素。

总之，CMOS集成电路设计基础知识包括逻辑门设计、布局设计、时序设计和电源地设计等方面。

了解这些基础知识，可以帮助我们理解和设计复杂的CMOS集成电路，提高电路的性能和可靠性。

【精品】数字集成电路电路、系统与设计第二版课后练习题第六章CMOS组合逻辑门的设计

【精品】数字集成电路--电路、系统与设计(第二版)课后练习题第六章CMOS组合逻辑门的设计第六章 CMOS组合逻辑门的设计1.为什么CMOS电路逻辑门的输入端和输出端都要连接到电源电压？CMOS电路采用了MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）作为开关元件，其中N沟道MOSFET（NMOS）和P沟道MOSFET（PMOS）分别用于实现逻辑门的输入和输出。

NMOS和PMOS都需要连接到电源电压，以使其能够正常工作。

输入端连接到电源电压可以确保信号在逻辑门中正常传递，输出端连接到电源电压可以确保输出信号的正确性和稳定性。

2.为什么在CMOS逻辑门中要使用两个互补的MOSFET？CMOS逻辑门中使用两个互补的MOSFET是为了实现高度抗干扰的逻辑功能。

其中，NMOS和PMOS分别用于实现逻辑门的输入和输出。

NMOS和PMOS的工作原理互补，即当NMOS导通时，PMOS截止，当PMOS导通时，NMOS截止。

这样的设计可以在逻辑门的输出上提供高电平和低电平的稳定性，从而提高逻辑门的抗干扰能力。

3.CMOS逻辑门的输入电压范围是多少？CMOS逻辑门的输入电压范围通常是在0V至电源电压之间，即在低电平和高电平之间。

在CMOS逻辑门中，低电平通常定义为输入电压小于0.3Vdd（电源电压的30%），而高电平通常定义为输入电压大于0.7Vdd（电源电压的70%）。

4.如何设计一个基本的CMOS逻辑门？一个基本的CMOS逻辑门可以由一个NMOS和一个PMOS组成。

其中，NMOS的源极连接到地，栅极连接到逻辑门的输入，漏极连接到PMOS的漏极；PMOS的源极连接到电源电压，栅极连接到逻辑门的输入，漏极连接到输出。

这样的设计可以实现逻辑门的基本功能。

5.如何提高CMOS逻辑门的速度？可以采取以下方法来提高CMOS逻辑门的速度：•减小晶体管的尺寸：缩小晶体管的尺寸可以减小晶体管的电容和电阻，从而提高逻辑门的响应速度。

•优化电源电压：增加电源电压可以提高晶体管的驱动能力，从而加快逻辑门的开关速度。

CMOS

CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。

功耗TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。

速度通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。

影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。

电阻数值越大，工作速度越低。

管子的开关时间越长，门的工作速度越低。

门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。

将tpd与空载功耗P 的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。

与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。

CL是主要影响器件工作速度的原因。

由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。

关于CMOS逻辑门电路与TTL逻辑门电路使用的问题1、CMOS逻辑门电路与TTL电路相比有哪些优点？与TTL电路相比，CMOS逻辑门静态功耗小；允许电源电压范围宽；扇出系数大；抗噪容限大；带负载能力强；集成度等。

从发展趋势来看，由于制造工艺的改进和上述优点，CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主要地位的逻辑器件。

2、TTL集成门电路使用注意事项（1）电源电压对于74系列应满足5V+5%的范围内，对于54系列应满足5V+10%的范围内；电源不能接反；为防止外来干扰通过电源串入电路，需要对电源进行滤波，通常在印刷电路板有电源输入端接入10μF~100μF电解电容进行滤波，每隔6~8个门加接一个0.01μF~0.1μF的瓷介电容对高频进行滤波。

数电06(CMOS逻辑门)

驱动
1 vo
噪声
vI
负载
1
负载门输入低电平时的噪声容限： VNL =VIL(max)－VOL(max)
3.传输延迟时间传输延迟时间表征门电路开关速度它说明门电路在输入脉冲波形的作用下，其输出波形相对于输入波形延迟了多长的时间。
类型参数 74HC 74HCT 74LVC 74AUC VDD=5 VDD=5V VDD=3.3V VDD=1.8V V
C D
&
⋅ L = L1 ⋅ L2 = AB⋅ CD
= AB+ CD +
上拉电阻对OD门动态性能的影响 3) 上拉电阻对门动态性能的影响
Rp的值愈小，负载电容的充电时间的值愈小，的值愈小常数亦愈小，因而开关速度愈快。常数亦愈小，因而开关速度愈快。但功耗大, 但功耗大,且可能使输出电流超过允许的最大值IOL(max）。许的最大值）
ID电流方向: 电流方向流进漏极 S 开启电压V 开启电压 TN >0 1） VGS >VTN时导通（开关闭合））时导通（开关闭合） 2） VGS <VTN时截止（开关断开））时截止（开关断开）之间零偏或反偏。另：衬底B与S之间零偏或反偏。衬底与之间零偏或反偏 BS可连在一起，或NMOS可将可连在一起，可将B 可连在一起可将接电路的最低接电路的最低电位
+10V T S2 P +10V 0V D2
采用两个极性相反的增强型MOS管管采用两个极性相反的增强型
V DD＞ V TN + V TP ) (
VTP = − 2 V
vi
vGSN vGSP TN
-10V 0V
TP
vO

CMOS组合逻辑门的设计

高噪声容限
CMOS电路对噪声干扰具有较强的容忍度，因此具有较高的信号完整性。
高速运行
CMOS电路的开关速度很快，可以实现较高的工作频率。
低成本
CMOS电路的制作成本较低，并且可以采用大规模量产的方式，使得价格更加实惠。
03
CMOS组合逻辑门的设计要素
输入和输出端口的设计
输入和输出端口是组合逻辑门的接口，需要根据应用需求进行合理设计。
案例四
• 总结词：基于不同输入/输出类型的CMOS门电路设计需要考虑不同的输入/输出类型的特点和限制，以确保电路的性能和稳定性。
• 详细描述：CMOS门电路可以采用不同的输入/输出类型实现，如TTL、CMOS、ECL等。每种类型都有其特点和限制，因此需要根据具体需求选择合适的类型。例如，TTL类型具有较高的速度和较低的功耗，但需要较高的电压；CMOS类型具有较低的功耗和较高的稳定性，但速度较慢；ECL类型具有较高的速度和较低的功耗，但需要特殊的信号电平。在设计基于不同输入/输出类型的CMOS门电路时，需要考虑这些特点和限制，以实现最佳的性能和稳定性。
分类
组合逻辑门包括基本逻辑门（AND、OR、NOT）、复杂逻辑门（多输入门、多输出门）和其他特殊门（如异或门、半加器等）。
组合逻辑门的基本功能
01
02
03
实现逻辑运算
组合逻辑门可以用于实现各种基本的逻辑运算，如与、或、非等。
组合逻辑函数
组合逻辑门可以用于实现组合逻辑函数，即多个输入决定一个输出的函数。
，实现复杂的逻辑功能。
在实现逻辑功能时，需要考虑电路的复杂度、时序和功耗等因素
，以优化设计。
性能优化与功耗控制
性能优化是CMOS组合逻辑门设计的重要环节，包括时序、功耗、面积等方面。

cmos数字集成逻辑电路设计

cmos数字集成逻辑电路设计CMOS数字集成逻辑电路设计是现代数字电路设计领域的一项关键技术。

随着数字电路应用不断发展与普及，对于此类技术的追求与优化也愈加重要。

本文将分步骤阐述CMOS数字集成逻辑电路设计的一般过程。

第一步是确定设计需求。

这一步需要明确设计的目标和功能，包括输入与输出引脚、工作时钟周期、功耗、延迟和芯片尺寸等因素。

在实际设计过程中，需求的明确和合理性直接影响到最终设计的成败。

第二步是进行逻辑设计。

在此步骤中，需要确定数字逻辑电路的功能和实现方法，如AND, OR, NOT等基本逻辑门的组合，以及具体的逻辑条件。

此外，还需要进行布尔代数化简、卡诺图化简等工作，用以简化电路结构，减少电路面积和功耗，提高电路速度。

第三步是进行电路原理图设计。

在此步骤中，需要按照逻辑设计的结果，利用EDA工具进行电路原理图的绘制。

电路原理图绘制的关键在于结构的清晰和细节的精确，避免因细节失误导致后续的时间和金钱资源浪费。

第四步是电路模拟与验证。

通过电路模拟与验证，可验证电路设计在特定时钟周期和环境下是否达到了设计目标。

此步骤中所使用的EDA工具需要具备较高的仿真性能和准确性。

第五步是版图设计。

在此步骤中，需要将电路原理图转换成实际布局的物理结构。

在版图设计中，需要考虑诸如电路线路规则、布局约束、电压降等实际问题。

此外，芯片面积的大小也是版图设计的关键课题，需权衡面积与功能的平衡。

第六步是芯片制造。

此时，制造工厂将按照版图所示输出芯片端口线路，并且附有一层层次膜的还原模式。

在制造过程中，需考虑工艺的纯度和稳定性，以确保芯片符合设计要求。

总的来说，CMOS数字集成逻辑电路设计的过程复杂而繁琐，需要开发者的技术水平、设计经验和耐心等多方面素质的加持。

然而，强大的数字电路设计工具和准确而稳定的工艺技术，也使得CMOS数字集成逻辑电路设计的困难被逐步克服。

数字集成电路--电路、系统与设计(第二版)复习资料

第一章数字集成电路介绍第一个晶体管，Bell 实验室，1947第一个集成电路，Jack Kilby ，德州仪器，1958 摩尔定律：1965年，Gordon Moore 预言单个芯片上晶体管的数目每18到24个月翻一番。

(随时间呈指数增长)抽象层次：器件、电路、门、功能模块和系统抽象即在每一个设计层次上，一个复杂模块的内部细节可以被抽象化并用一个黑匣子或模型来代替。

这一模型含有用来在下一层次上处理这一模块所需要的所有信息。

固定成本（非重复性费用）与销售量无关；设计所花费的时间和人工；受设计复杂性、设计技术难度以及设计人员产出率的影响；对于小批量产品，起主导作用。

可变成本（重复性费用）与产品的产量成正比；直接用于制造产品的费用；包括产品所用部件的成本、组装费用以及测试费用。

每个集成电路的成本=每个集成电路的可变成本+固定成本/产量。

可变成本=（芯片成本+芯片测试成本+封装成本）/最终测试的成品率。

一个门对噪声的灵敏度是由噪声容限NM L （低电平噪声容限）和NM H （高电平噪声容限）来度量的。

为使一个数字电路能工作，噪声容限应当大于零，并且越大越好。

NM H = V OH - V IH NM L = V IL - V OL 再生性保证一个受干扰的信号在通过若干逻辑级后逐渐收敛回到额定电平中的一个。

一个门的VTC 应当具有一个增益绝对值大于1的过渡区(即不确定区)，该过渡区以两个有效的区域为界，合法区域的增益应当小于1。

理想数字门特性：在过渡区有无限大的增益；门的阈值位于逻辑摆幅的中点；高电平和低电平噪声容限均等于这一摆幅的一半；输入和输出阻抗分别为无穷大和零。

传播延时、上升和下降时间的定义传播延时tp 定义了它对输入端信号变化的响应有多快。

它表示一个信号通过一个门时所经历的延时，定义为输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。

上升和下降时间定义为在波形的10%和90%之间。

对于给定的工艺和门的拓扑结构，功耗和延时的乘积一般为一常数。

(集成电路原理)第6章CMOS基本逻辑单元

33
下图所示为带缓冲级的二输入端或非门电路。
Y AB A B
带缓冲级的CMOS或非门电路
34
缓冲级给门电路带来的性能上的改善：
• 门电路驱动能力取决于倒相器特性，与各输入端所处逻辑状态无关。
• 转移特性得到改善，转换区域变窄，噪容提高。 • 输出电平由“0”“1”，和“1”“0”跳变时间近似相等，波形趋于对称。
逻辑门：Kn1=Kn2=K’n Kp1=Kp2=K’p
26
（1）a，b=1，1时，下拉管的等效导电因子：Keffn=K’n/2 （2）a，b=0，0时，上拉管的等效导电因子：Keffp=2K’p （3）a，b=1，0或0，1时，上拉管的等效导电因子：Keffp=K’p
VDD
B
p
p 2K’p
p K’p
2021/4/8
A
B A
O
B
O= (A+B)·(A+B)
B
B
A
A
A
A
A
B
O
B
BA
B
逻辑门的设计
异或电路的实现
16
Transistor Sizing a Complex CMOS Gate
B8
A4
C8
D4
OUT = D + A • (B + C) A2 D1 B 2C 2
17
复合逻辑门
❖ 调整逻辑关系式，使得输出为负逻辑 ❖ 逻辑关系为与时，NMOS串联、PMOS并联 ❖ 逻辑关系为或时，NMOS并联、PMOS串联 ❖ 改变尺寸可调整输入阈值或速度
51
一、动态逻辑电路的工作原理
1. 时钟脉冲为低电平时：
P1管导通，N1管截止

cmos组合逻辑

cmos组合逻辑摘要：1.CMOS组合逻辑简介2.CMOS组合逻辑的优势3.CMOS组合逻辑的应用4.设计CMOS组合逻辑的步骤5.举例：如何设计一个简单的CMOS组合逻辑电路6.未来发展趋势和挑战正文：CMOS组合逻辑是计算机系统中不可或缺的一部分，它用于实现各种逻辑功能。

CMOS组合逻辑以其低功耗、高噪声容限和低成本等优势在电子领域广泛应用。

本文将介绍CMOS组合逻辑的基本概念、设计方法和实例。

一、CMOS组合逻辑简介CMOS（互补金属氧化物半导体）是一种制造技术，用于制造集成电路。

在组合逻辑电路中，CMOS技术可以实现逻辑门、触发器等基本元件。

CMOS 组合逻辑电路主要包括逻辑门、触发器、寄存器、计数器等部件，这些部件通过互连实现各种逻辑功能。

二、CMOS组合逻辑的优势1.低功耗：CMOS电路在静态和动态功耗方面都表现出较低的功耗，有利于实现节能型电子设备。

2.高噪声容限：CMOS电路具有较高的噪声容限，能在恶劣环境下稳定工作。

3.低成本：CMOS工艺制造成本相对较低，有利于降低电子产品整体成本。

4.集成度高：CMOS技术可以实现高密度的集成电路，提高电子设备的性能。

三、CMOS组合逻辑的应用CMOS组合逻辑广泛应用于计算机、通信、嵌入式等领域。

如：1.计算机：CPU、北桥、南桥等芯片中的逻辑部分；2.通信：数字信号处理、基带处理、信道编解码等；3.嵌入式：微控制器、FPGA、ASIC等。

四、设计CMOS组合逻辑的步骤1.确定设计需求：明确逻辑功能和性能指标；2.设计原理图：画出逻辑电路的原理图，包括逻辑门、触发器等；3.化简逻辑：使用布尔代数或卡诺图化简逻辑表达式；4.布局布线：根据设计要求进行布局布线；5.仿真验证：对设计进行仿真验证，检查是否满足性能指标；6.制作掩膜：根据设计布局制作掩膜，进行集成电路制造。

五、举例：如何设计一个简单的CMOS组合逻辑电路假设我们需要设计一个实现异或（XOR）功能的CMOS组合逻辑电路。

第6章_CMOS集成电路的IO设计

把一个含噪声或缓慢变化的输入信号转变成一个 “干净”的数字输出信号；
正相 CMOS Schmitt Trigger
VDD
基本思想：
M2 Vin X M4
通过调节反相器的比例因 Vout 子来改变其阈值电平；
设计使不同翻转方向时的比例因子不同；
Moves switching threshold of the first inverter
输入缓冲器
输入缓冲器的主要作用
提供适当的电平转换；提高信号的驱动能力；对片内电路起保护作用；

传输门构成的简单输入电路
由一由使能信号E控制的传输门加上保护网络等其他部分电路构成。
工作原理：
▪ E=0时，输入信号送至片内电路，实现正相输入；
▪ E=1时，不接收输入信号，输出为高阻；
2.5 2.0
Vx (V) 1.5
1.0
0.5 V VM2
此图为M3和M4分别为 0.5/0.25、1.5/0.25时的模拟结果；
V+ VM1
0.0 0.0
0.5
1.0 1.5 Vin (V)
2.0
2.5
(a) Voltage-transfer characteristics with hysteresis.
施密特触发器的正向阈值电平：
V VTN Vx

In
M2 N2 X MN1 1
Out
VDD R VTN 1 R
M5 N3
VDD
K N1 R KN 3
Notes1

选择合适的 R ，即可得到所需的正向阈值电压；
用作TTL转换电路的输入级时，只要 VIL V，输出就是合格的高电平；

CMOS集成电路设计基础

CMOS集成电路设计基础CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 集成电路是当今数字电路设计中最常见的技术之一，具有低功耗、高集成度和抗干扰能力强等特点。

在CMOS集成电路设计中，需要掌握一些基础知识和技巧。

首先，了解CMOS集成电路的基本特点是非常重要的。

CMOS电路由PMOS（P-type Metal-Oxide-Semiconductor）和NMOS（N-type Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管组成，通过它们的互补工作原理实现低功耗和高稳定性。

PMOS晶体管逻辑“1”时导通，NMOS晶体管逻辑“0”时导通，两者配合工作完成电路功能。

其次，掌握CMOS电路的基本逻辑门结构是设计中的重要一环。

常见的逻辑门包括与门、或门和非门等，通过组合它们可以实现复杂的逻辑功能。

而在实际设计中，需要注意逻辑门之间的布线和时序关系，确保电路能够正确高效地工作。

此外，了解CMOS电路中的时钟和触发器设计是至关重要的。

时钟信号在数字电路中扮演着同步和控制的重要角色，触发器则用于存储和传输信息。

在设计时钟和触发器时，需要考虑信号的稳定性、延迟时间和功耗等因素，保证电路的可靠性和性能。

最后，熟悉CMOS电路的布局与布线是设计过程中不可或缺的一部分。

合理的布局可以减小信号传输延迟和功耗，提高电路的可靠性和集成度。

而优化的布线则可以降低电路的电磁干扰和互感耦合，提高电路的抗干扰能力。

总的来说，CMOS集成电路设计基础包括对CMOS电路的基本特点、逻辑门结构、时钟和触发器设计以及布局与布线的全面了解。

只有掌握这些基础知识和技巧，才能设计出高性能、低功耗的CMOS集成电路。

希望以上内容对您有所帮助。

如果有任何问题，欢迎进一步交流讨论。

谢谢！。

数字集成电路——电路、系统与设计

数字集成电路——电路、系统与设计目录第一部分基本单元第1章引论1.1 历史回顾1.2 数字集成电路设计中的问题1.3 数字设计的质量评价1.4 小结1.5 进一步探讨第2章制造工艺2.1 引言2.2 CMOS集成电路的制造2.3 设计规则——设计者和工艺工程师之间的桥梁2.4 集成电路封装2.5 综述：工艺技术的发展趋势2.6 小结2.7 进一步探讨设计方法插入说明A——IC版图第3章器件3.1 引言3.2 二极管3.3 MOS（FET）晶体管3.4 关于工艺偏差3.5 综述：工艺尺寸缩小3.6 小结3.7 进一步探讨设计方法插入说明B——电路模拟第4章导线4.1 引言4.2 简介4.3 互连参数——电容、电阻和电感4.4 导线模型4.5 导线的SPICE模型4.6 小结4.7 进一步探讨第二部分电路设计第5章CMOS反相器5.1 引言5.2 静态CMOS反相器——直观综述5.3 CMOS反相器稳定性的评估——静态特性5.4 CMOS反相器的性能——动态特性5.5 功耗、能量和能量延时5.6 综述：工艺尺寸缩小及其对反相器衡量指标的影响5.7 小结本文由整理提供5.8 进一步探讨第6章CMOS组合逻辑门的设计6.1 引言6.2 静态CMOS设计6.3 动态CMOS设计6.4 设计综述6.5 小结6.6 进一步探讨设计方法插入说明C——如何模拟复杂的逻辑电路设计方法插入说明D——复合门的版图技术第7章时序逻辑电路设计7.1 引言7.2 静态锁存器和寄存器7.3 动态锁存器和寄存器7.4 其他寄存器类型7.5 流水线：优化时序电路的一种方法7.6 非双稳时序电路7.7 综述：时钟策略的选择7.8 小结7.9 进一步探讨第三部分系统设计第8章数字IC的实现策略8.1 引言8.2 从定制到半定制以及结构化阵列的设计方法8.3 定制电路设计8.4 以单元为基础的设计方法8.5 以阵列为基础的实现方法8.6 综述：未来的实现平台8.7 小结8.8 进一步探讨设计方法插入说明E——逻辑单元和时序单元的特性描述设计方法插入说明F——设计综合第9章互连问题9.1 引言9.2 电容寄生效应9.3 电阻寄生效应9.4 电感寄生效应9.5 高级互连技术9.6 综述：片上网络9.7 小结9.8 进一步探讨第10章数字电路中的时序问题10.1 引言10.2 数字系统的时序分类本文由整理提供10.3 同步设计——一个深入的考察10.4 自定时电路设计10.5 同步器和判断器10.6 采用锁相环进行时钟综合和同步10.7 综述：未来方向和展望10.8 小结10.9 进一步探讨设计方法插入说明G——设计验证第11章设计运算功能块11.1 引言11.2 数字处理器结构中的数据通路11.3 加法器11.4 乘法器11.5 移位器11.6 其他运算器11.7 数据通路结构中对功耗和速度的综合考虑11.8 综述：设计中的综合考虑11.9 小结11.10进一步探讨第12章存储器和阵列结构设计12.1 引言12.2 存储器内核12.3 存储器外围电路12.4 存储器的可靠性及成品率12.5 存储器中的功耗12.6 存储器设计的实例研究12.7 综述：半导体存储器的发展趋势与进展12.8 小结12.9 进一步探讨设计方法插入说明H——制造电路的验证和测试本文由整理提供。

2.2CMOS逻辑部件

8
l
二输入与非门和二输入或非门电路结构如图2-18所示，两个PMOS管并联与两个串联的 NMOS管相连构成了二输入与非门，两个 NMOS管并联与两个串联的PMOS相连构成了二输入或非门。对于与非门，当INA(INB)为低电平时，M2(M1)导通，M3(M4)截止，形成从VDD到输出OUT的通路，阻断了OUT到地的通路，这时相当于一个有限的PMOS管导通电阻(称为上拉电阻)和一个无穷大的NMOS 管的截止电阻(尽管有一个NMOS管在导通态，但因为串联电阻值取决于大电阻，从OUT看进去的NMOS管电阻仍是无穷大)的串联分压电路，输出为高电平(VDD)。
5
l
通常在设计倒相器时，要求输出波形对称，也就是tr=tf，因为是在同一工艺条件下加工， NMOS和PMOS的栅氧化层的厚度相同，如果 NMOS和PMOS的阈值电压数值相等，则 KP=KN。由导电因子的表达式可以得到如下 W L P n 2.5 。由此可结论：此时的
W L
N
p
18
Z
A
B
A
B
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异或门有多种电路结构，根据它的逻辑函数可以用标准门电路进行组合。图2-21(a)给出了异或门的逻辑符号，(b)图给出了根据逻辑函数构造的逻辑结构图，但从其逻辑表达式和结构图可以看到，它的输出门是一个或门，因为在CMOS电路中不能直接构造“或”，只能通过“或非+非”实现。为简化结构，我们通过逻辑函数的转换寻找途径。根据
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当输出信号的幅度变化只能从 0.1VDD~0.9VDD时，则输出信号的周期就为上升与下降时间之和，且信号成为锯齿波，这时所对应的信号频率被认为是倒相器的最高工作频率。在实际的设计中，通常要预留一定的设计余量，当确定了信号的最高工作频率要求后，在考虑了余量后就可以获得上升时间与下降时间的数值，根据工艺提供的器件的阈值电压数值、栅氧化层厚度等参数，即可以计算倒相器的NMOS 和PMOS晶体管的具体尺寸。

数字集成电路--电路、系统与设计(第二版)课后练习题第六章 CMOS组合逻辑门的设计-Chapter 6 Designing

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Chapter 6 Problem Set
VDD F G
A B
A
A B
A
Figure 6.6 Two-input complex logic gate.
11.
Design and simulate a circuit that generates an optimal differential signal as shown in Figure 6.7. Make sure the rise and fall times are equal.
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VDD E 6 A A 6 B 6 C 6 D 6 F A B C D 4 4 4 4 E 1 A B C D E 4 4 4 4 E 1 6 F 6 B 6 C 6 D
Chapter 6 Problem SetVDD 6Circ来自it ACircuit B
Figure 6.2 Two static CMOS gates.
Digital Integrated Circuits - 2nd Ed
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2.5 V
PMOS
M2 W/L = 0.5μm/0.25μm Vout Vin M1 W/L = 4μm/0.25μm NMOS Figure 6.4 Pseudo-NMOS inverter.
a. What is the output voltage if only one input is high? If all four inputs are high? b. What is the average static power consumption if, at any time, each input turns on with an (independent) probability of 0.5? 0.1? c. Compare your analytically obtained results to a SPICE simulation.

CMOS集成电路设计基础-数字集成电路基础

1. AB段在AB段， 0<Ui<UTHN, IDN=0, N管截止， P管非恒流(饱和)导通，有 Uo=UOH=UDD 2. BC段 UTHN<Ui<Uo+|UTHP| 即 UGDP=|Ui-Uo|<|UTHP|
3. CD段当Ui进一步增大，且满足 Uo+|UTHP|≤Ui≤Uo+UTHN N管和P管的电流相等，根据电流方程：
测量门的延时可以用环型振荡器电路（一般至少五级反相器）实际电路的最高工作频率比环振测得的低50-100倍
延时的定义
环型振荡器
（7）逻辑门的功耗
瞬时功耗: p(t) =v(t)i(t) =Vsupplyi(t) 峰值功耗: Ppeak =Vsupplyipeak
1 平均功耗: P ave T
Uo /(UG －UTH) UG Ui Uo CL Ui 0 1 UG 0 1 1
Uo 0 (理想 0 ) 1 (非理想 1 )
1 0 1
UG －UTH
Ui / (UG －UTH) (c)
(a )
(b )
(a) 电路； (b) 等效开关； (c) 传输特性
(1) 当UG=“0”(接地)时， NMOS管截止(开关断开)，输出Uo=0。
t iiD P D
P
V1
iD
t
t
(a) (a)
iD N
iD N (b) (b)
t
一周内CL充放电使管子产生的平均功耗
T2 1 T1 PD1 ( i U ) dt ( i U ) dt DP DSP DN DSN 0 0 Tc
Ecap
Pcap(t )dt

数字集成电路设计基础-第六章 CMOS逻辑部件