硅片的等级标准
硅片检验标准2016-2-1资料
文件更改申请单编号：LW-CX-001-A1-03文件名称硅片检验标准文件编号LW-BZ-009-A1 申请部门铸切技术部申请人王伟批准人批准日期更改原因：1、明确断线移动或类似操作导致的硅片明暗区间判定标准2、变更硅片尺寸范围3、增加硅片表面洁净度要求4、修改崩边要求更改前内容及条款1、无2、156-156.73、无4、B片中崩边要求为：length≤1.5mm；width≤0.5mm个数不限更改后内容及条款1、增加硅片黑色带状区域要求2、155.8-156.73、增加表面玷污定义4、B片中崩边要求为：length≤1.5mm；width≤0.5mm，每片不得超过4处硅片检验标准1 目的规范多晶硅片检测标准。
2 适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
3 定义3.1检测工具：数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。
3.2检测术语斑点定义：在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。
翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即a值）。
弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即z值）。
硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度≤0.5mm、长度≤1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。
缺口：光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。
水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。
表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘5mm以内的黑色区域。
微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞10个。
4 职责权限4.1 技术部负责制定硅片检验标准；4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
硅片标准
≤80 μm 氧含量≤ 1x1018atoms/cm 3 ；碳含量≤ 1.5x1017atoms/c m3
目检
抽检
Nicolet6700
硅棒保证
编制：
审核：
批准：
太阳能单,多晶硅片质量等级分类方法 A 序号 1 2 检验项目 导电类型 A P A2 P B B1、B2、B3…B7 C D 检测方法 硅片分选设 备 硅片分选设 备 目测 检验方式 硅棒保证 抽检
隐裂、针孔 无隐裂、无针孔 无隐裂、无针孔 长度≤1 mm，深 度≤0.5 mm，每 片崩边总数≤2 处； ≤30 μm 200±20 μm 125±0.5 mm/156±0.5 mm 150±0.5 mm/200±0.5 19.9722.13/14.4616.39mm 长度≤1 mm，深 度≤0.5 mm，每 片崩边总数≤3 处； B1— 1mm＜崩边 长度≤5mm，1mm ＜深度≤2mm，1 ＜崩边总数≤3 B2— 30μm＜ ≤30 μm TTV≤50μm； B3— 厚度偏差 200±20 μm 超过±20μm但小 于±40μm B4— 硅片尺寸 125±0.5 mm/156 偏差超过±0.5mm ±0.5 mm 但小于±1.0mm 150±0.5 mm/200 B5— 150± ±0.5 mm 1mm/200±1 mm 19.9722.13/14.4616.39mm
3
崩边
全检
4 5
TTV 厚度
MS-202 MS-203
抽检 抽检
6 7 8
边长 对角线 角长
游标卡尺 游标卡尺 / 目测、必要 时使用表面 粗糙度仪帮 助判定 四探针/RT110 少子寿命测 试仪
硅片检验标准
菱形片0.6-1.0㎜线痕片20-50um弯曲片0.5-0.8㎜（任意一条边以测量最大值计算）（凹进或凸出20-50um）（包括应力片）外形片0.6-1.0mm倒角偏差0.6-1.5mm超厚片220-250um (任意一角以测量最大值计算)（以任意两角最大值相加计算）超薄片150-160um硅晶脱落≤0.3mm 毛边≤0.3mm（双面缺损不在同一位置）尺寸不良124.50-126.00mm 尺寸不良148.00-149.50mm 尺寸不良150.50-151.50mm（两边相差不超过1.0mm ）B 等品电阻率6-10Ω.cm台阶片≤20um厚薄不均最薄不低于150um 最厚不超过280um TTV50-70um边道翘曲0-80um 边道翘曲边缘测量值280umC等品倒角偏差1.5-2.0mm外形片1.0-2.0mm菱形片1.0-1.5mm（以任意两角最大值相加计算）(任意一角以测量最大值计算)（任意一条边以测量最大值计算）线痕片50-80um超厚片250-280um硅晶脱落≤0.5mm（凹进或凸出）（双面缺损不在同一位置）C 等品毛边≤0.5mm尺寸不良124.00-124.50mm尺寸不良126.00-127.00mm尺寸不良151.50-153.00mm 尺寸不良146.50-148.00mm 电阻率退火后6-10Ω.cmC等品边道翘曲80-150um边道翘曲边缘测量值350um厚薄不均150-280um TTV70-100um不合格品倒角偏差＞2.0mm外形＞2.0mm硅晶脱落＞0.5mm毛边＞0.5mm超薄片＜150um弯曲＞0.8mm电阻率＞10Ω.cm电阻率＜0.5Ω.cm超厚片＞280um边道翘曲＞150um孪晶片台阶片＞20um线痕＞80um缺角孔洞外形〉2.0mm隐裂纹。
太阳能多晶硅片质量等级分类方法
BA1A2B1、B2、B3…B91导电类型P P硅片分选设备抽检2隐裂、针孔无隐裂、无针孔无隐裂、无针孔硅片分选设备抽检3崩边长度≤1 mm，深度≤0.5 mm，每片崩边总数≤2 处；长度≤1 mm，深度≤0.5mm，每片崩边总数≤2 处；B1— 1mm＜崩边长度≤5mm，1mm＜深度≤2mm，1＜崩边总数≤3目测全检4TTV ≤30 μm ≤30 μm B2— 30μm＜TTV≤50μm；硅片分选设备抽检5厚度200±20 μm 200±20 μm B3— 厚度偏差超过±20μm但小于±40μm硅片分选设备抽检6尺寸156±0.5 mm 156±0.5 mm B4— 硅片尺寸偏差超过±0.5mm但小于±1.0mm 硅片分选设备抽检7倒角1±0.5 mm、45°±10º1±0.5 mm、45°±10ºB5— 倒角尺寸偏差超过±0.5mm但小于±0.8mm 硅片分选设备抽检8线痕深度≤8 μm 深度≤15 μmB6— 15μm＜深度≤30μm目测、必要时使用表面粗糙度仪帮助判定全检9电阻率0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cm0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cmB7— 电阻率＜0.5Ω.cm硅片分选设备抽检10少子寿命≥2μs≥2μsB8— 0.5μs≤少子寿命＜2μs少子寿命测试仪按硅块检验规程进行抽检11表面质量状况硅片表面及侧面无凹坑，无沾污，无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；硅片表面及侧面无凹坑，无明显沾污（表面沾污总面积小于3mm 2，每一百片单边侧面沾污总面积小于20mm 2）（判断时参照沾污样本片进行判定），无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；B9— 硅片表面有沾污但硅片颜色不发黑；油点或其他赃物不得有3处，每处沾污或其他赃物面积≤1mm2目测全检12弯曲度≤80 μm ≤80 μm ≤80 μm塞尺抽检13氧碳含量氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm3氧含量≤8x1017atoms/cm 3；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧碳含量测试仪客户要求时才抽检检测方法检验方式可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级表1 太阳能多晶硅片质量等级分类方法序号检验项目A CD。
prime级硅片 参数
prime级硅片参数【原创实用版】目录1.引言2.Prime 级硅片的定义和重要性3.Prime 级硅片的参数4.结语正文【引言】在半导体制造领域，硅片作为基础材料，其质量和性能直接影响到集成电路的性能和可靠性。
其中，Prime 级硅片作为高品质硅片，在半导体制造中具有举足轻重的地位。
本文将对 Prime 级硅片的参数进行详细介绍。
【Prime 级硅片的定义和重要性】Prime 级硅片是指在硅片生产过程中，通过严格控制各种参数，使其达到较高品质的硅片。
这种硅片具有低缺陷密度、高电子迁移率、良好的热稳定性和可靠性等优点，被广泛应用于高性能计算、通信、汽车电子等领域。
Prime 级硅片的出现，极大地推动了半导体技术的发展，提高了集成电路的性能和可靠性。
【Prime 级硅片的参数】Prime 级硅片的参数主要包括以下几个方面：1.厚度：硅片的厚度是其重要参数之一，通常根据实际应用需求来选择。
较薄的硅片可以降低成本、减少重量，但可能会影响其机械强度和可靠性；较厚的硅片则具有较好的机械性能和可靠性，但成本较高。
2.尺寸：硅片的尺寸也对其性能和应用产生影响。
一般来说，较大的硅片可以提高生产效率，降低成本，但可能会影响其均匀性和可靠性；较小的硅片则可以提高集成度，提高性能，但成本较高。
3.纯度：硅片的纯度是衡量其质量的重要指标。
高纯度的硅片可以降低缺陷密度，提高电子迁移率，从而提高集成电路的性能和可靠性。
4.缺陷密度：缺陷密度是评价硅片质量的重要指标。
低缺陷密度可以提高硅片的可靠性和性能。
5.电子迁移率：电子迁移率是衡量硅片导电性能的参数。
高电子迁移率的硅片具有较高的导电性能和较低的功耗。
6.热稳定性：热稳定性是衡量硅片在高温环境下性能变化的参数。
良好的热稳定性可以保证硅片在高温环境下仍具有较高的可靠性和性能。
【结语】总之，Prime 级硅片作为高品质硅片，其各项参数对半导体制造和集成电路性能具有重要影响。
硅片检验标准
好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01单晶硅片检验标准.版本号：A/1 页码：第1页共4页生效日期：2009-7-15一、目的为明确产品质量要求，加强产品质量管控，使公司单晶生产成品执行的检测工作有据可依，特制定本标准。
二、适用范围适用于线切割后太阳能级单晶硅片的品质检验。
三、主要内容1、检测环境要求：温度18～28℃，湿度不大于60%。
2、硅片分类原则：项目内容A符合《硅单晶切割片企业内控标准》的硅片B物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、边缘、色差、外圆未磨光、尺寸不良（边长、对角线）、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－B级品判定标准C物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、尺寸不良（边长、对角线）、应力、花片、污片、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－C级品判定标准不合格品物理性能不合格或缺角、缺口、亮点、穿孔；备注：电阻率按照0.5~1Ω.cm，1~3Ω.cm，3~6Ω.cm单独包装入库2、判定标准（见下表）：批准审核编制修改履历页码内容状态备注受控好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01 单晶硅片检验标准版本号：A/1页码：第2页 共4页生效日期：2009-7-15内容 项目检测标准A等外品不合格品备注BC厚度T 及 厚度偏差TV 总厚度变化TTV WARP ：① 180u m ±20 u m ； ② 200 u m ±20 u m ③ TTV ≤30um ； ④warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um其中厚度T 为硅片中心点厚度，TV 为一批硅片中心点厚度偏差，TTV 同一张硅片厚度最大值减去最小值，warp 为硅片的翘曲度。
硅片标准集合
硅片厚度
A级片标准 任意点厚度在180±18um， 95%中心点厚度在180±10um 任意点厚度在190±18um， 95%中心点厚度在190um±10um 任意点厚度在200±18um， 95%中心点厚度在200±10um 任意点厚度在180±18um， 95%中心点厚度在180±10um
02
02 01
02
厚度总偏差 翘曲 线痕 崩边、边缘 应力 色差 尺寸 未磨光 倒角差 污片
TTV≤30um warp≤50um 单面线痕深度小于15um，不允许在1cm内有5条以上 允许周长＜1mm深0.5mm的崩边数目不多于两个；深 无 不允许有由于切片中引起的色差（参照样片） 尺寸、对角线公差±0.5mm 无 ≤0.5mm 不允许有可见的污点、污斑 电阻率 1~3Ω.cm，3~6Ω.cm [O] ≤20ppma [C]≤5ppma г≥10μs 在正常检验条件下（正常灯 光和方向） 在客户特殊要求时，按客户 要求执行 ASTM 83 标准 FTIR检测
200um 180um
156×156×200
8'掺硼
190um 200um
任意点厚度在200±18um， 95%中心点厚度在200±10um 任意点厚度在200±18um， 95%中心点厚度在200±10um 任意点厚度在180±18um， 95%中心点厚度在180±10um 任意点厚度在190±18um， 95%中心点厚度在190um±10um 任意点厚度在200±18um， 95%中心点厚度在200±10um
任意点厚度在190±18um， 95%中心点厚度在190um±10um 任意点厚度在200±18um， 95%中心点厚度在200±10um 任意点厚度在180±18um， 95%中心点厚度在180±10um
硅片分级检验标准
项 目 等 级
尺寸要求
缺陷类型 厚片 薄片 翘曲度 弯曲度 电阻率 厚度公差 总厚度变化 220μm≤厚度≤225μm （中心点测量值） 175μm≤厚度≤180μm (中心点测量值） ≤30μm ≤100μm 1Ω.cm-3Ω*cm ±20μm ≤30μm 缺陷类型 崩边 线痕 密集线痕 划伤 TTV 应力片 表面清洁度 列痕 色差 亮点 硅脱 亮线 棱面黑斑黄斑 外形片 硅脱 崩 边 线痕 脏污 亮点 亮线 花斑 划伤 边缘 应力片 倒角黑印 大崩边 硅脱 手写缺陷
A 级
B 级
电阻率 厚片 77V 倒角差 菱形片 翘曲度 弯曲度
1Ω.cm-3Ω.cm 225＜厚度≤235μm（中心测量值） 30μm＜77V≤50μm ≥0.5μm 外凸-内凸≤1.0μm ≤200μm ≤20μm
C 级
电阻率 尺寸不Βιβλιοθήκη 翘曲度 弯曲度电阻率不分档 超B级规格上限于下限 ﹥200μm ﹥200μm
外观要求
深≤0.3㎜、长≤0.5㎜、数量≤2个 15μm≤单面线痕≤20μm同一位置 双面线痕深度相加≤30μm 15μm≤单面线痕≤20μm同一位置 双面线痕深度相加≤30μm 长≤0.2㎜、宽≤0.2㎜、数量≤2个 ≤30μm 无 表面无可见花斑、脏污 无 允许 ≤2个 直径＜0.5㎜、深度≤20μm、数量≤2个 数量≤2个 允许（包括四边及倒角脏污） ≤1.0μm（含边距，直径，倒角圆弧 尺寸不良） 深度≤30μm、直径＜0.5㎜、数量≤2个 长≤1㎜、深≤1㎜、数量≤2个 20μm≤单面线痕≤25μm同一位置双面线痕 深度相加＞30μm 允许 允许 允许 允许 长≤0.2㎜、宽≤0.2㎜、数量≤2个 允许 允许 允许 0.5㎜＜尺寸＜2㎜（少于3处）或0.3㎜≤深 ≤0.5、长度≤0.5、总数＞5个 尺寸＞0.5㎜，数量≤3个 不能归B级或D级部分又不能做原料回收的 其他不良：“C+缺名称”整盒包装标示清楚
硅片质量的七大标准
硅片质量的七大标准硅片是半导体行业中至关重要的材料之一，它被广泛用于制造集成电路和太阳能电池等应用。
为了确保硅片的质量和性能，有七个关键标准需要被考虑。
本文将详细介绍硅片质量的七大标准。
1. 净度和杂质控制硅片的净度和杂质控制是硅片质量的首要标准。
杂质的存在会对硅片的电学和光学性能产生负面影响。
硅片应该具有极高的净度，特别是对于一些高纯度硅片，杂质的控制尤为重要。
常见的杂质包括金属杂质和非金属杂质，如铁、铜、氧和碳等。
通过严格的杂质控制和净化工艺，可以确保硅片的高纯度和杂质含量的极低水平。
2. 厚度均匀性硅片的厚度均匀性是评估硅片质量的重要指标之一。
硅片的厚度在制造过程中需要被精确控制，以确保产品的一致性和可靠性。
任何过大或过小的厚度变化都可能导致硅片的性能降低。
通过使用先进的制造工艺和仪器设备，可以实现硅片的高度均匀性。
3. 表面平整度硅片的表面平整度是衡量硅片质量的重要指标之一。
表面平整度不仅影响硅片的外观，还直接影响到硅片在后续工艺中的加工性能。
高度平整的表面能够提供更好的光学特性和更高的精度加工。
通过表面处理和抛光工艺，可以实现硅片表面的高度平整度。
4. 晶体结构和晶格质量硅片的晶体结构和晶格质量是评估硅片质量的重要指标之一。
硅片应具有高度有序的晶体结构和完整的晶格。
任何晶体结构和晶格缺陷都可能对硅片的性能和可靠性产生负面影响。
通过严格的制造和质量控制工艺，可以实现硅片的高质量晶体结构和晶格。
5. 衬底的平整度和晶向硅片的衬底平整度和晶向也是评估硅片质量的重要指标之一。
衬底平整度是指硅片表面的平整度和平坦度，对于一些高精度的应用尤为重要。
晶向指的是硅片中晶体的方向，它会对硅片的电学性能和加工特性产生影响。
通过精密的加工和晶体生长工艺，可以实现硅片衬底的高平整度和理想的晶向。
6. 绝缘性能硅片的绝缘性能是评估硅片质量的重要指标之一，特别是对于一些应用需要电绝缘的场景。
绝缘性能可以通过测量硅片的绝缘电阻和击穿电压来评估。
prime级硅片 参数
prime级硅片参数（原创实用版）目录1.引言2.Prime 级硅片的定义和特点3.Prime 级硅片的参数4.参数对硅片性能的影响5.结论正文【引言】在半导体制造中，硅片作为最基本的材料，其品质直接影响到最终产品的性能。
其中，Prime 级硅片作为高品质硅片，其参数特性备受关注。
本文将介绍 Prime 级硅片的参数及其对硅片性能的影响。
【Prime 级硅片的定义和特点】Prime 级硅片是指在生产过程中经过严格筛选，具有高纯度、高晶体质量、低缺陷密度和优异的电学性能的硅片。
相较于普通硅片，Prime 级硅片具有更高的可靠性和稳定性，适用于制造高性能的半导体器件。
【Prime 级硅片的参数】Prime 级硅片的主要参数包括以下几个方面：1.纯度：硅片的纯度对半导体材料的电学性能有着重要影响。
Prime 级硅片的纯度要求非常高，一般要求杂质元素含量在 ppb（parts per billion）级别。
2.晶体质量：晶体质量直接影响硅片的可靠性和稳定性。
Prime 级硅片要求晶体质量优秀，包括位错密度、孪生密度、反相边界等指标均需满足较高要求。
3.缺陷密度：缺陷密度是评价硅片质量的重要指标。
Prime 级硅片要求具有低缺陷密度，包括表面缺陷、体内缺陷等均需控制在较低水平。
4.电学性能：Prime 级硅片的电学性能对半导体器件的性能至关重要。
主要包括电阻率、电导率、载流子浓度等参数，需满足较高要求。
【参数对硅片性能的影响】硅片的参数对半导体器件的性能有着重要影响。
例如，高纯度可以降低杂质引起的电学性能损失；高晶体质量和低缺陷密度可以提高硅片的可靠性和稳定性；优秀的电学性能可以保证半导体器件的高性能。
【结论】总之，Prime 级硅片作为高品质硅片，其参数特性对硅片性能具有重要影响。
prime级硅片 参数
prime级硅片参数摘要：1.引言2.Prime 级硅片的定义和特点3.Prime 级硅片的参数4.结论正文：【引言】在半导体制造中，硅片作为最基本的材料，其品质直接影响到最终产品的性能。
其中，Prime 级硅片作为高品质硅片，广泛应用于各类高端电子产品。
本文将对Prime 级硅片的参数进行详细介绍。
【Prime 级硅片的定义和特点】Prime 级硅片是指硅片表面缺陷较少、晶格结构完整、电学性能稳定的高品质硅片。
相较于普通硅片，Prime 级硅片具有以下特点：1.缺陷密度低：Prime 级硅片的表面缺陷密度通常在10^9 级别，甚至更低，远低于普通硅片的缺陷密度。
2.晶格结构完整：Prime 级硅片的晶格结构完整，位错、孪生等缺陷数量较少，有利于提高电子迁移率。
3.电学性能稳定：Prime 级硅片的电学性能稳定，电阻率、载流子浓度等参数具有较高的均匀性。
【Prime 级硅片的参数】Prime 级硅片的参数主要包括以下几个方面：1.尺寸：Prime 级硅片的尺寸通常为300mm、450mm 或600mm 等，随着半导体工艺的不断进步，硅片尺寸也在不断增大。
2.厚度：Prime 级硅片的厚度一般为100μm 至200μm 不等，根据不同的应用场景，硅片厚度会有所差异。
3.缺陷密度：Prime 级硅片的缺陷密度通常在10^9 级别，甚至更低，这是衡量硅片质量的重要指标。
4.电阻率：Prime 级硅片的电阻率一般在0.5~10 欧·cm 之间，电阻率的均匀性对硅片性能至关重要。
5.载流子浓度：Prime 级硅片的载流子浓度较高，一般为10^12/cm左右，有利于提高电子迁移率。
6.表面粗糙度：Prime 级硅片的表面粗糙度较低，一般在10~20nm 之间，有利于提高硅片的平整度。
【结论】综上所述，Prime 级硅片作为高品质硅片，具有诸多优点，如缺陷密度低、晶格结构完整、电学性能稳定等。
这些优点使得Prime 级硅片在高端电子产品制造中具有广泛的应用前景。
硅片技术标准
单晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件2.1 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法2.2 ASTM F26 半导体材料晶向测试方法2.3 ASTM F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法2.4 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法2.5 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法2.6 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义3.1 TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mm处4点和中心点）；3.3位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；3.4位错密度：单位体积内位错线的总长度(cm/cm3)，通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；3.5 崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.6 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.7 四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
3.8 密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125´125Ⅰ(mm)、125´125Ⅱ(mm)、156 ´156(mm)。
5 技术要求5.1 外观见附录表格中检验要求。
5.2外形尺寸5.2.1 方片TV为200±20 um,测试点为中心点；5.2.2 方片TTV小于30um，测试点为边缘6mm处4点、中心1点；5.2.3 硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%；5.2.4 相邻C段的垂直度：90 o±0.3o；5.2.5 其他尺寸要求见表1。
光伏硅片标准
光伏硅片标准
光伏硅片是太阳能电池组件的关键部分，其质量和性能直接影响着太阳能电池的效率和寿命。
为了确保光伏硅片的质量，许多国际和国内的标准被制定。
以下是一些常见的光伏硅片标准：
1. 国际电工委员会（IEC）标准：IEC制定了一系列关于太阳能电池的标准，其中包括了光伏硅片的测试和质量要求。
IEC 61215是目前应用最广泛的标准之一，规定了光伏硅片在各种气候条件下的性能要求。
2. 中华人民共和国国家标准：中国制定了一系列光伏硅片相关的国家标准，其中包括了光伏硅片的尺寸、外观质量、性能测试等要求。
例如，GB/T 15683规定了硅片尺寸和外观质量的要求，GB/T 20447规定了硅片性能测试的方法和要求。
3. SEMI标准：SEMI是一个半导体和平板显示器行业的国际标准组织，其制定的标准在光伏硅片领域也有应用。
SEMI PV10是光伏硅片尺寸、外观质量和化学成分的标准。
这些标准主要关注硅片的尺寸、外观质量、电性能、热特性等方面的要求，以确保光伏硅片的可靠性和性能。
同时，这些标准也有助于为光伏企业提供公正的产品比较基准，促进行业的健康发展。
硅片质量的七大标准
硅片质量的七大标准
硅片质量的七大标准主要包括以下七个方面：
1. 物理尺寸：硅片的直径、厚度、晶向位置和尺寸、定位边和硅片形变等都必须符合规定，以满足芯片生产中器件制造的要求以及适合硅片制造自动传送设备的要求。
2. 平整度：硅片表面的平整度是硅片最主要的参数之一，它是指在通过硅片的直线上的厚度变化。
平整度不达标会造成许多工艺问题，如光刻工艺对局部位置的平整度非常敏感。
3. 微粗糙度：指硅片表面的微观粗糙度，它对硅片表面的摩擦和磨损性能有重要影响。
4. 氧含量：指硅片中氧的含量，它对硅片的机械性能和电学性能有重要影响。
5. 晶体缺陷：指硅片中的晶体缺陷，如位错、层错、微裂纹等，这些缺陷会影响硅片的机械性能和电学性能。
6. 颗粒：指硅片表面的颗粒状物质，这些物质会影响硅片的表面质量和光刻工艺。
7. 体电阻率：指硅片的电阻率，它对硅片的导电性能有重要影响。
以上信息仅供参考，如有需要，建议查阅专业书籍或咨询专业人士。
硅片等级分类及标准
硅片等级分类及标准硅片是集成电路的基础材料，是制造半导体器件的重要材料之一。
硅片的等级分类及标准是半导体制造过程中非常关键和重要的一环，直接关系到半导体产品的质量和成本。
硅片等级分类硅片的等级主要通过各种标准来进行分类。
当前国际上应用的硅片等级分类主要有以下几种：1.根据表面洁净度分为：A级、B级、C级、D级、E级等五个等级。
其中，A级由于表面完全无污染，且基材完全无任何缺陷，成本最高；B级、C级和D级等级的硅片表面存在一定程度的杂质、缺陷和污染，成本逐步降低；E级硅片则为工作功能不完全的次品，成本最低。
2.根据晶体结构和纯度分为：单晶硅、多晶硅、低纯度硅、镁掺杂硅、磷掺杂硅等多个等级。
其中，单晶硅与多晶硅是半导体器件的主要基材，生产难度和成本都比较高；而低纯度硅、镁掺杂硅、磷掺杂硅等则是用于低端产品的制作，成本相对较低。
3.根据尺寸来分为：50~150mm低压硅片、200mm高压硅片、300mm超大硅片等。
随着制造工艺的不断进步和提升，硅片的尺寸也在不断规模化，浇铸技术不断推陈出新，硅片的尺寸也越来越大。
硅片标准硅片的等级分类通常是基于性能和价格的总体平衡，硅片标准则是要确保每一块硅片都符合严格的技术要求，以保证半导体器件的正常工作。
1.物理特性标准：硅片的物理外观符合一定规范，例如：表面平整度误差不超过±0.2毫米、表面质量达到一定标准、边缘息缺口宽度不超过0.5毫米等。
2.电学特性标准：硅片的电性能符合一定范围，例如：电阻、电容、漏电流、介电常数等都符合一定要求。
3.晶体学特性标准：硅片的晶体结构特性符合一定标准，例如：杂质杂交浓度、半径波动、晶粒尺寸、晶胞堆叠差等。
4.化学特性标准：硅片的元素杂质浓度、Cu杂质浓度、水分、Na浓度等也需要符合一些规定标准。
综上所述，硅片等级分类及标准是半导体制造中非常重要的环节。
通过严格的硅片等级分类，我们可以根据不同的性能和价格，选择不同等级的硅片用于生产。
硅片表面等级分类
OK/NG NG NG NG NG NG
硅片等级和硅片出现问题解决方案
硅片等级和硅片出现问题解决方案硅片等级分类及标准一、优等品1：硅片表面光滑洁净。
2：TV：220±20μm。
3：几何尺寸：边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3。
二、合格品一级品：1：表面有少许污渍、轻微线痕。
2：220±20μm ≤TV≤220±30μm。
3：几何尺寸：边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5。
二级品：1：表面有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。
2：220±30μm ≤TV≤220±40μm。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30μm。
4：崩边范围：崩边口不是三角形状，崩边口长度≤1mm，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：边长125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长103±0.52mm、对角135±0.52mm；边长150±0.52mm 、156±0.52mm、对角203±0.52mm、200±0.52mm。
prime级硅片 参数
Prime级硅片的主要参数包括以下几个方面：纯度：Prime级硅片的纯度要求非常高，一般要求杂质元素含量在ppb（parts per billion）级别，其中常见的金属杂质有铁、铜、钠等。
晶体结构：Prime级硅片的晶体结构应具有良好的晶格结构和无缺陷的晶体结构，常见的晶体结构缺陷有晶界、位错和点缺陷等此外，根据公开信息，Prime级硅片还具有以下指标：晶格质量：优秀的晶格质量对于硅片的电学性能和机械性能有重要影响。
晶体生长速度：Prime级硅片的晶体生长速度通常较慢，需要精确控制生长条件以确保质量和性能。
电阻率：Prime级硅片的电阻率通常在一定范围内，以确保其具有优良的电学性能。
机械强度：Prime级硅片应具有较高的机械强度，以承受加工和实际应用中的应力。
稳定性：Prime级硅片应具有良好的稳定性，包括化学稳定性和热稳定性，以确保其在各种环境条件下保持性能稳定。
这些参数和指标是评价Prime级硅片质量和性能的重要标准，需要根据具体应用场景进行优化和调整。
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硅片的检测
1：硅片表面光滑洁净
2：TV：220±20um 。
3：几何尺寸：
边长：125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；
边长：103±0.5mm、对角：135±0.5mm；
边长：150±0.5mm、156±0.5mm、对角：203±0.5mm、200±0.5mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3
二、合格品
一级品：垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5
二级品：1：表面有少许污渍、线痕。
凹痕、轻微崩边。
2：220±30um ≤TV≤220±40um。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30um
4：崩边范围：崩边口不是三角形，崩边口长度≤1mm ，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：
边长：125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；
边长：103±0.52mm、对角：135±0.52mm；
边长：150±0.52mm、156±0.52mm、对角：203±0.52mm、200±0.52mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8
三级品：
1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅洛现象。
2：220±40um ≤TV≤220±60um。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落部分硅晶脱落。
三、不合格品
严重线痕、厚薄片：TV＞220±60um。
崩边片：有缺陷但可以改￠103的硅片
气孔片：硅片中间有气孔
外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差＞1.5mm
菱形片：（垂直度）：任意两边的夹角＞90°±0.8
凹痕片：硅片两面凹痕之和＞30um
脏片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑
尺寸偏差片：几何尺寸超过二级片的范围。
注：以上标准针对的硅片厚度为220um 。
硅片等级分类及标准（150*150）
一、优等品（Ⅰ类片）
1、物理、化学特性
①型号：P 晶向[100]±1°
②氧含量：≤1.0X1018at/cm3
③碳含量：≤5X1016 at/cm3
④勺子寿命：T=1.3—3.0us（在测试电压≥20mv下裸片的数据）
⑤电阻率：0.9—1.2、1。
2—3.0 、3.0-6.0Ω/cm
⑥位错密度：≤3000个/cm
2、几何尺寸：
①边长：125*125±0.5mm
②对角：150*150±0.5mm
③同心度：任意两弧长之差≤1mm
④垂直度：任意两办的夹角90°±0.3°
⑤厚度：200±20 um，（中心点厚度≥195um，边缘四角厚度≥195um）
180±20 um，（中心点厚度≥175um，边缘四角厚度≥160um）
⑥TTV: ≤30um
⑦弯曲度：≤40um
3、表明指标：
①线痕：无可视线痕
②目视表面：无粘污、无水渍、染色、白斑、指印等
③无崩边：无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲
二、合格品（Ⅱ类片）
2、物理、化学特性
①型号：P 晶向[100]±1°
②氧含量：≤1.0X1018at/cm3
③碳含量：≤5X1016 at/cm3
④勺子寿命：T=1.3—3.0us（在测试电压≥20mv下裸片的数据）
⑤电阻率：0.5-0.8Ω/cm
⑥位错密度：≤3000个/cm
2、几何尺寸：
①边长：125*125±0.5mm
②对角：150*150±0.5mm
③同心度：任意两弧长之差≤1.5mm
④垂直度：任意两办的夹角90°±0.3°
⑤厚度：200±20 um，（中心点厚度≥195um，边缘四角厚度≥180um）
180±20 um，（中心点厚度≥175um，边缘四角厚度≥160um）
⑥TTV: ≤30um
⑦弯曲度：≤40um
3、表明指标：
①线痕：无明显线痕、触摸无凹凸感。
③崩边范围：崩边口不是“V”型，长X 深≤1X0.5mm ，无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲
三、等外品（Ⅲ类片）
3、物理、化学特性
①型号：P/N 晶向[100]±3°
②氧含量：≤1.0X1018at/cm3
③碳含量：≤5X1016 at/cm3
④勺子寿命：T＜1.0us（在测试电压≥20m下裸片的数据）
⑤电阻率：≤0.5Ω/cm
⑥位错密度：＞3000个/cm
2、几何尺寸：
①边长：125*125±1.0mm
②对角：150*150±1.0mm
③同心度：任意两弧长之差≤1.5mm
④垂直度：任意两办的夹角90°±0.5°
⑤厚度：＜160um
3、表明指标：
①有明显视线痕，触摸有凹凸感。