03《电子技术基础》单元练习
电子技术基础三 练习
（四）光电耦合器 又称光电隔离器。是发光器件和受光器件的组合体。 又称光电隔离器。是发光器件和受光器件的组合体。
输 入 电 路 输 出 电 路
电
和 电 的电 隔离
电的 的
。
返 回
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例1：UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40µA, IC=1.5mA； ： 时 µ ； 在 Q2 点IB=60 µA, IC=2.3mA。 。
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， 时 分析输出端的电位V 例4: 当VA = 3V，VB = 0V时，分析输出端的电位 Y。
+6V
DA
R VY
VA VB VA VB
DB DB DA
∵ UDB > UDA 优先导通， 截止。 ∴ DB 优先导通， DA截止。 理想二极管： 理想二极管：VY = VB = 0V 锗二极管： 锗二极管：VY = VB + UD = 0.3V 硅二极管： 硅二极管：VY = VB + UD = 0.7V
－
15V
I
－ ＋
12V
＋
电路如图所示，求电流I1，I2。 电路如图所示，求电流
D1 D2 I1 I2 － 6V 10k
、 解： 1、判断二极管的工 作状态
D1 B A D2 D C I1 I2 － 6V 10k
＋ －
12V
＋
UAB=12V UCD=18V UCD>UAB D2优先导通
＋ －
12V
＋
（1）整流电路
二极管应用电路
导通， 当vs>0，D导通，vo=vs； ， 导通 截止， 当vs<0，D截止，vo=0。 ， 截止 。 单相半波整流电路。 单相半波整流电路。
电子技术基础练习题库及答案
电子技术基础练习题库及答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
A、✔B、×正确答案：A2、单相半波整流电路，负载电阻RL=750W，变压器次级电压有效值，U2=20V，则输出电压平均值U0为。
A、18VB、20VC、9V正确答案：C3、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、少数载流子。
B、既有多数载流子又有少数载流子。
C、多数载流子。
正确答案：C4、符号IB表示三极管基极电流的（）A、直流分量。
B、交流分量。
C、直流分量和交流分量之和。
正确答案：A5、在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，若静态工作点设置太低，将产生（）A、截止失真。
B、放大失真。
C、饱和失真。
正确答案：A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是（）A、5VB、9VC、12V正确答案：C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v，则该三极管类型是（）A、npn型硅管。
B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案：A8、稳压管的稳压区是指其工作在（）的区域。
A、正向导通。
B、反向击穿。
C、反向截止。
正确答案：B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。
（）A、差值放大器。
B、反相放大器。
C、电压比较器。
正确答案：C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、无关B、有关C、不一定正确答案：B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。
A、×B、✔正确答案：A12、下列三种电路中，输入电阻最大的电路是（）A、共集放大电路。
B、共射放大电路。
C、共基放大电路。
正确答案：A13、最常用的显示器件是（）数码显示器。
A、七段B、五段C、九段正确答案：A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、相同B、不想同C、有的相同，有的不相同。
正确答案：C15、非门的逻辑功能是（）A、有0出0。
全1出1。
B、有1出1。
《电子技术基础》试题及参考答案
《电子技术基础》习题答案一、单选题1抑制零点漂移的最有效的电路是（A ）A、差分放大电路B、阻容耦合电路C、直接耦合电路D、功放电路2要增大放大电路的输入电阻时，应引入（C ）反馈A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈3构成计数器的基本电路是（D）。
A.或非门B.与非门C.与或非门D.触发器4放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝（B）。
A.10dBB.20dBC.30dBD.40dB5八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是（B）。
A.2个B.3个C.4个D.8个6编码器、译码器为（A）。
A.组合逻辑电路B.时序逻辑电路C.A和B7单相桥式整流滤波电路中，若变压器副绕组电压有效值为10V，而测得输出电压为14.1V，则说明：（B ）A、电容开路 B 负载开路 C 电容击穿 D 二极管损坏8要减小放大电路的输入电阻时，应引入（D ）反馈。
A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈9理想二极管在单相桥式整流电路（电阻负载）中承受的最大反向电压是（C）。
A.大于B.小于C.等于D.大于，小于210单相半波整流电路输出电压平均值U0= （A ）A、0.45U2B、0.9U2C、1.1U2D、1.2U211利用二极管进行偏置的OTL电路是（ C）A、甲类功率放大器B、乙类功率放大器C、甲乙类功率放大器12实验中如果测得二极管的正反向电阻都很小，则该二极管（ C）A、正常B、内部断路C、已被击穿D、以上都不是13所谓机器码是指（B）。
A.计算机内采用的十六进制码B.符号位数码化了的二进制数码C.带有正负号的二进制数码D.八进制数14集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B）。
A.正反馈与负反馈B.线性与非线性C.虚断和虚短15在反馈放大电路中，若反馈信号与净输入信号作用于同一个节点，且瞬时极性相同，则属于（B ）A、负反馈B、正反馈C、无法判断16一共射极放大电路的NPN三极管工作在饱和导通状态，其发射结电压和集电结电压分别为（B）。
电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分, 120分钟）一、填空题: （每空0.5分, 共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。
2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。
三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。
3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移；PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。
扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。
空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。
7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。
三、选择题：（每题2分, 共20分）2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳（ A ）元素构成旳。
A.三价；B.四价；C.五价；D.六价。
3.稳压二极管旳正常工作状态是（ C ）。
A.导通状态；B.截止状态；C.反向击穿状态；D.任意状态。
5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是（ A ）而成。
A.多子扩散；B.少子扩散；C.少子漂移；D.多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V, VB＝2.8V, VC＝4.4V, 阐明此三极管处在（ A ）。
A.放大区；B.饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
《电子技术基础》考试练习题
《电子技术基础》考试练习题一、单选题1. 十进制整数转换成二进制整数一般采用（）方法。
A 、除2取整法B 、除2取余法C 、乘2取整法D 、除10取余法答案：B2. 不属于对助焊剂的要求的是A 、常温下必须稳定，熔点应低于焊料B 、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料C 、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗D 、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫答案：C3. 为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：( )。
A 、在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流B 、在开启时提供很大的反向基极电流C 、隔开直流电压答案：A4. 下列电路中具有记忆功能的是( )A 、编码器B 、译码器C 、计数器D 、全加器答案：C5. 触发器的空翻现象是指()A 、一个时钟脉冲期间，触发器没有翻转；B 、一个时钟脉冲期间，触发器只翻转一次C 、一个时钟脉冲期间，触发器发生多次翻转D 、每来2个时钟脉冲，触发器才翻转一次答案：C6. 逻辑函数式D+D，简化后结果是：( )。
A 、2DB 、DC 、D2答案：B7. 在单管放大电路中，为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用的办法是：( )。
A 、减小IBB 、提高VG 的绝对值C 、减少RC的值答案：A8. 正弦波振荡器的振荡频率取决于( )A 、正反馈的强度B 、反馈元件的参数C 、选频网络参数答案：C9. 对于JK触发器，若希望其状态由0转变为1，则所加激励信号是( )A 、JK=0XB 、JK=X0C 、JK=X1D 、JK=1X答案：D10. 八位二进制数能表示十进制数的最大值是：( )。
A 、225B 、248C 、192答案：A11. 二进制的减法运算法则是（）。
A 、逢二进一B 、逢十进一C 、借一作十D 、借一作二答案：D12. 放大变化缓慢的信号应采用( )A 、直接耦合的放大器B 、阻容耦合的放大器C 、变压器耦合的放大器D 、任一放大器答案：A13. 150W外热式电烙铁采用的握法是A 、正握法B 、反握法C 、握笔法答案：B14. 放大电路中若测得某三极管极间电压如下：1—2间为7V ，2—3间为6.3V，则该管类型、材料及1 、2 、3极分别为( )A 、NPN型、硅管、 E 、C 、BB 、NPN型、硅管、C 、B 、EC 、NPN型、锗管、 E 、C 、BD 、PNP型、硅管、E 、C 、B答案：A15. 烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是A 、合金头B 、纯铜头答案：A16. 某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( )。
《电子技术基础》(中职电工类第五版)全章节习题集+答案
《电子技术基础》（中职电工类第五版）全章节习题集+参考答案一．填空题：(共59题)1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。
2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。
3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。
4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。
5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。
6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。
7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。
8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 0+9.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。
10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。
11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。
12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。
13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。
14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。
15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。
16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。
17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。
18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。
19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。
20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。
21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。
22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。
23.将交流电变换成直流的过程叫整流。
24.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。
25.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。
27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。
28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。
29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。
中职电子技术基础单元测试题
学期《电子技术基础》期末试卷（A卷，四大题型34小题）题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。
）1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。
2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR越大，抑制零漂的能力越强。
3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。
4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。
5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。
6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。
7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。
8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。
9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。
10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。
二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。
电子技术基础单元练习
《电子技术基础》单元练习（三）整流电路一、填空题1、整流就是利用二极管的性，将变成。
2、常用的整流管有和。
3、二极管整流电路有、、，分别用了个、个、个整流管。
4、选用整流二极管主要考滤的两个参数是和。
5、桥式整流和单相半波整流相比较，在变压器副边电压相同的情况下，电路的输出电压值提高了一倍；若输出电流相同，就每个整流管而言，则电路的整流管平均电流大了一倍；采用电路，脉动系数可以下降很多。
6、单相半波整流电路中，若变压器次级电压U2=100V，则负载两端电压V0= V，二极管承受的最大反向电压U RM= 。
7、市电经半波整流输出的脉动直流电每秒钟脉动次，经全波或桥式整流输出的脉动直流电每秒钟脉动次，脉动次数越，就越平稳。
8、整流电路用于大功率整流电路中，它和一般整流电路不同处还在于其输出电压是。
即改变可控硅触发电压到来的时刻，可改变。
9、单相半波可控整流电路中，变压器的次级电压的有效值U2=10V，当控制角a分别为0o、90o、180o时，负载RL上所在地得到的直流平均电压分别为、、。
10、常用的晶闸管触发电路有、等等。
二、选择题1、下图中D1、D2、D3均为理想二极管，HL1、HL2、HL3白炽灯泡电功率都相同，其中最亮的灯泡是（）A、HL1灯B、HL2灯C、HL3灯2、在右图中，若U2=20V，则U0为（）A、20VB、18VC、9VD、10V3、在上题图中，每个二极管的最大反向电压U RM为（）4、在单相桥式整流电路中，若任一整流管正负极性接反，则V0波形（）A、只有半周波形B、全波整流波形C、无波形且整流管或变压器损坏5、单相整流电路中，二极管承受的反向电压的最大值出现在二极管（）A、截止时B、由截止转导通时C、导通时D、由导通转截止时6、某单相桥式整流电路，变压器次级电压为U2，当负载开路时，整流输出电压为（）A、0B、U2C、D、7、某单相半波整流电路中，变压器次级电压为U2，若电路改成桥式整流电路，负载上仍要得到原有的直流电压，则改成桥式整流后，变压器次级电压为（）A、B、U2 C、2U2 D、三、分析计算题1、因为桥式整流电路中有四个整流二极管，所以每个二极管中电流的平均值等于负载电流的1/4，这种说法对不对为什么2、线路板上，分别由四只二极管组成整流电路，元件排列如图所示，如何在其各个端点上接入交流电源和负载RL实现桥式整流，要求完成的电路简明和整齐。
《电子技术基础》练习册
第一章整流滤波电路一、填空题1、把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成。
2、半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压，外加反偏电压。
3、利用二极管的，可将交流电变成。
4、根据二极管的性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越越好。
5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是，死区电压是。
6、硅二极管的工作电压为，锗二极管的工作电压为。
7、整流二极管的正向电阻越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。
8、杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
9、半导体二极管的主要参数有、，此外还有、、等参数，选用二极管的时候也应注意。
10、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
11、发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。
12、整流是把转变为。
滤波是将转变为。
电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。
13、设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L（AV）= 。
14、除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2种用于其他功能的二极管：，。
15、常用的整流电路有和。
16、为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，，复合滤波电路。
17、电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关，τ愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就愈。
18、桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程（a.延长，b.缩短），因此输出电压更为（a.平滑，b.多毛刺），输出的直流电压幅度也更（a.高，b.低）。
二、选择题1、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将。
A、变好B、变差C、不变D、无法确定2、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。
电子技术基础试题及答案
电子技术基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“与”门的输出为“1”的条件是：A. 所有输入都为“1”B. 至少有一个输入为“0”C. 至少有一个输入为“1”D. 所有输入都为“0”答案：A2. 下列哪个元件不是半导体器件？A. 二极管B. 三极管C. 电容D. 场效应管答案：C3. 在模拟电路中，放大器的增益通常指的是：A. 输入电压与输出电压之比B. 输入电流与输出电流之比C. 输入功率与输出功率之比D. 输出电压与输入电流之比答案：A4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 随机噪声答案：D5. 在数字电路中，逻辑“或”门的输出为“0”的条件是：A. 所有输入都为“1”B. 所有输入都为“0”C. 至少有一个输入为“1”D. 至少有一个输入为“0”答案：B6. 以下哪种材料通常用于制作二极管的PN结？A. 硅B. 铜C. 铁D. 铝答案：A7. 一个理想的运算放大器具有以下哪个特性？A. 有限的输入阻抗B. 有限的输出阻抗C. 无限的输入阻抗D. 无限的输出阻抗答案：C8. 在数字电路中，D触发器的输出状态取决于：A. 当前时钟脉冲B. 上一个时钟脉冲C. 初始状态D. 外部输入答案：B9. 以下哪种波形的频率是固定的？A. 正弦波B. 随机噪声C. 锯齿波D. 方波答案：A10. 在模拟电路中，滤波器的作用是：A. 放大信号B. 抑制噪声C. 产生振荡D. 转换信号答案：B二、多项选择题（每题3分，共15分，每题至少有两个正确选项）1. 下列哪些元件可以用于整流电路？A. 二极管B. 三极管C. 电容D. 电感答案：A D2. 在数字电路中，下列哪些逻辑门可以实现逻辑“与”功能？A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：A3. 以下哪些因素会影响二极管的正向导通电压？A. 材料B. 温度C. 电流D. 反向电压答案：A B C4. 在模拟电路中，以下哪些元件可以用于信号放大？A. 运算放大器B. 电阻C. 电容D. 二极管答案：A D5. 以下哪些波形属于非周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 随机噪声答案：D三、填空题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“非”门的输出是输入的________。
4月全国自考电子技术基础(三)试题及答案解析
全国2018年4月自学考试电子技术基础（三）试题课程代码：04730一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
μ上的电压为u C (t)=10cos (10t+45°) (V)，则流过该电容的电流i C (t) 1．加在某电容C=1F的相位与u C (t)相位之间的关系为（）A．电流超前电压45°B．电流滞后电压45°C．电流超前电压90°D．电流滞后电压90°2．题2图所示电路的等效电阻R等于（）A．13ΩB．14ΩC．15ΩD．16Ω3．并联RLC电路谐振时，其输入端的电压和电流相位之间的关系是（）A．电压相位超前电流相位2/πB．电压相位滞后电流相位2/πC．电压与电流同相D．电压与电流反相4．已知某晶体管的三个电极电位如题4图所示，则该晶体管工作在（）A．饱和区B．截止区C．放大区D．反向放大区5．电路如题5图所示，则二极管D1、D2的状态为（）A．D1导通，D2截止B．D1截止，D2导通1C．D1、D2均截止D．D1、D2均导通6．集成运放内部电路的输入级电路一般采用（）A．共射放大电路B．差动放大电路C．互补对称功率放大电路D．微分电路7．集成运放接成电压跟随器时，电路反馈形式应为（）A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈8．单相桥式整流滤波电路中，若变压器副方电压的有效值为20V，那么当电容断开时，电阻负载两端的直流电压为（）A．28V B．24VC．18V D．9V9．若要求集成稳压器输出电压为-5V，最大输出电流为1.5A，则可选用的集成稳压器是（）A．7805 B．78M05C．78L05 D．790510．数字电路中基本逻辑运算关系有（）A．2种B．3种C．4种D．5种11．十进制数（27）10转换为十六进制数为（）A．（17）16B．（1B）16C．（21）16D．（1D）1612．若逻辑表达式F=BA ，则下列表达式中与F相同的是（）A．F=A B B．F=ABC．F=A+B D．F=AB13．对于共阳极七段显示数码管，若要显示数字“5”，则七段显示译码器输出abcdefg应该为（）A．0100100 B．0000101C．1011011 D．111101014．设计一个能存放8位二进制代码的寄存器需要触发器（）23A ．8个B ．4个C ．3个D ．2个15．可编程器件FPGA 也称为（ ） A ．可编程逻辑阵列 B ．通用阵列逻辑 C ．复杂可编程逻辑器件D ．现场可编程门阵列二、填空题（本大题共15小题，每小题1分，共15分）请在每小题的空格中填上正确答案。
(完整版)电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
电子技术基础知识练习题与答案
电子技术基础知识练习题与答案电子技术基础知识练习题与答案电子技术是根据电子学的原理，运用电子元器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学，包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。
下面跟着小编来看看电子技术基础知识练习题与答案吧！希望对你有所帮助。
一、基础知识。
1.按照调制方式分类，光调制可以分为：强度调制、相位调制、波长调制、频率调制、偏振调制。
2.半导体激光器发光是由能带之间的电子空穴对复合产生的。
3.激励过程是使半导体中的载流子过程从平衡态激发到非平衡态。
4.固体激光器是以固体为工作物质的激光器，也就是以掺杂的离子型绝缘晶体和玻璃为工作物质。
5.光纤传感器中常用的光电探测器：光电二极管、光电倍增管、光敏电阻。
6.红外探测器的响应波长范围参数指探测器电压响应率与入射的红外波长之间的关系。
7.光子探测原理是指利用半导体在入射光的照射下产生光子效应。
8.利用温差电势制成的红外探测器称为热电偶。
9.红外辐射在大气中传播时由于大气中水分子、蒸汽等吸收和散射使辐射在传播过程中衰减。
10.当红外辐射照在热敏电阻上时，使温度上升，内部粒子无规则运动加剧，自由电子数随温度而上升，所以电阻会减小。
11.辐射出射度：辐射体单位面积向半空间发出的辐射通量。
12.光电磁是利用光生伏特效应将光能变成电能。
13.任何物质只要温度高于0K就会向外辐射能量。
14.红外无损检测是通过测量热流或热量来检测。
15.内光电探测器可分为光电导、光伏特、光电磁三种探测器。
16.红外探测器的性能参数：电压响应率、噪声等效功率、时间常数。
17.光束扫描根据其应用的目的可分为模拟扫描和数字扫描。
模拟扫描用于显示，数字扫描用于光存储。
18.固体摄像器件主要有：CCD、CMOS、CID。
19.声光相互作用分为：拉曼—纳斯衍射和布喇格衍射。
20.磁光效应：外加磁场作用引起材料光学各向异性的现象。
D的基本功能：电荷存储、电荷转移。
按结构分为线阵CCD和面阵CCD。
电子技术基础试题及答案
电子技术基础试题及答案第一部分：选择题1. 关于电子元器件的描述，以下哪个是正确的？A. 电容器是一种用于储存电能的元器件。
B. 电感是一种用于放大电信号的元器件。
C. 二极管是一种只允许电流单向通过的元器件。
D. 三极管是一种只允许电流双向通过的元器件。
答案：C2. 下列哪个元器件可以实现电流放大功能？A. 二极管B. 电容器C. 电感D. 可变电阻答案：D3. 以下哪个单位用于表示电压？A. 安培B. 瓦特C. 伏特D. 欧姆答案：C4. 下列哪个元器件可以实现电流的控制？A. 二极管B. 三极管C. 电容器D. 电阻答案：B5. 下列哪个元器件可以将交流电转换为直流电？A. 二极管B. 三极管C. 变压器D. 可变电阻答案：A第二部分：填空题1. 控制电流的元器件是________。
答案：晶体管2. 电容器的单位是________。
答案：法拉3. 电路中电流的取向是从______极流向______极。
答案：正，负4. 二极管的一端为________极，另一端为________极。
答案：正，负5. 电阻的单位是________。
答案：欧姆第三部分：解答题1. 简述电流、电压和电阻的关系。
答案：根据欧姆定律，电流等于电压与电阻的比值。
即I = U/R，其中I表示电流，U表示电压，R表示电阻。
2. 请说明什么是直流电和交流电，并提供各自的应用场景。
答案：直流电是电流方向始终不变的电流形式，如电池输出的电流。
交流电是电流方向周期性改变的电流形式，如家庭用电。
直流电在电子设备中常用于供电，如计算机、手机等；交流电在家庭中用于照明、家电使用等。
3. 请简述二极管的工作原理及其应用领域。
答案：二极管是一种具有单向导电特性的元器件。
当二极管正向偏置时，电流能够流动；当反向偏置时，电流无法通过。
其工作原理是利用P型半导体和N型半导体形成的PN结，当正向电压大于二极管的压降时，电流才能够通过。
二极管的应用领域非常广泛，包括通信、电源、光电、调制解调等领域。
电子技术基础试题及答案
电子技术基础考试试题及答案一．填空题：(每题3分,共30分)1、N型半导体又称电子型半导体，它主要靠自由电子导电。
2、NPN型晶体三极管工作在放大状态时，三个极中电位最高的是c极。
PNP型晶体三极管工作在放大状态时，三个极中电位最高的是e 极3、单级共射放大器对信号有放大和反相两个作用。
4、串联负反馈能提高放大器的输入电阻，并联负反馈能降低放大器的输入电阻。
5、差分放大器可以放大差模信号，抑制共模信号。
6、（25）10=（11001）27、逻辑函数F=ABC+A+B+C的逻辑值为 1 。
8、时序逻辑电路的特点是电路任何时刻的输出状态不仅取决于该时刻的输入状态，而且还取决于电路的原有状态。
9、与非门构成的基本RS触发器中，设S=0，R=1时，其输出状态是 1 。
10、能够暂时存放二进制数据的电路称为寄存器。
二．选择题（每题3分，共30分）1．将交流电变换为脉动直流电的电路称为：（ A ）A.整流电路B.滤波电路C.稳压电路D.放大电路2．固定偏置共发射极放大电路中，三极管工作在放大区，如果将Rc 增大，此时三极管为放大状态，则集电极电流Ic将：（B）A.显著减小B.不变C.显著增加D.无法确定3．放大器若要提高输入电阻，降低输出电阻，应引入的反馈类型是：（B ）A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流并联负反馈D.电流串联负反馈4．单管功率放大器，在阻抗匹配时，输出的不失真交流功率达到最大，此时功率放大器的效率为：（C）A.100％B.75％C.50％D.25％5．已知某差动放大电路的差模放大倍数为100，共模放大倍数为2，则共模抑制比K CMR为（C ）A .100 B. 50 C .1/50 D.1/1006．正弦波振荡器的振荡频率f取决于（B）A.放大电路的放大倍数B.反馈网络元件的参数C.正反馈的强弱D.电源电压的高低信号，2，3端悬空，则Y=（B ）A. 0B. 1C .A D. AAA8．要表示十进制数的十个数码需二进制数码的位数至少为（C ） A .2位 B .3位 C. 4 位 D. 5位 9．已知某逻辑门的真值表如图所示，则对应的门的逻辑符号是（ C ） A. B. C. D.10．将JK 触发器J K 两端短接，就可以接成 （ C ）A.RS 触发器B.D 触发器C.T 触发器D.T ’触发器 三、分析计算题：（每题10分，共40分）1．分析下面组合逻辑电路的逻辑功能（要求写出函数表达式，列出真值表）。
中职电子技术基础单元测试题
学期《电子技术基础》期末试卷（A卷，四大题型34小题）题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。
）1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。
2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR越大，抑制零漂的能力越强。
3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。
4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。
5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。
6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。
7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。
8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。
9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。
10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。
二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。
2020年智慧树知道网课《电子技术基础》课后章节测试满分答案
2020年智慧树知道网课《电子技术基础》课后章节测试满分答案1.引言单元测试是软件开发中的重要环节，通过对代码的小规模测试，可以及早发现和解决问题，提高软件质量和开发效率。
在单元测试中，测试用例的编写和执行是至关重要的步骤。
本文将介绍单元测试的基本概念和测试用例的编写方法。
2.半导体物理2.1 N型半导体和P型半导体的区别在半导体中掺入三价元素可以将其改型为P型半导体，而N型半导体的多子是自由电子，因此它带负电。
2.2 PN结的特性PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
当PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。
当一个Si材料PN结外加反向电压时，它的耗尽层变宽，势垒增强。
因此，其扩散电流为微安数量级。
2.3 晶体管的工作原理处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
PNP管工作于放大区的偏置条件是发射结正偏导通，集电结反偏。
晶体管工作于放大区时，流过发射结的电流主要是扩散电流。
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者正偏、后者反偏。
3.放大电路3.1 放大电路的基本概念只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
3.2 直接耦合放大电路的问题直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是晶体管参数受温度影响。
集成放大电路采用直接耦合方式的原因是放大交流信号。
4.结论本文介绍了单元测试、半导体物理和放大电路的基本概念和相关知识点。
对于软件开发人员和电子工程师来说，掌握这些知识是非常重要的。
在实践中，我们需要不断地研究和总结，提高自己的技能水平。
S=0,R=1D.S=R=0答案：D。
输入S和R都为0时，锁存器保持原态不变。
2判断题】(10分)D触发器的输入端只有一个数据输入端，没有时钟输入端。
A.错B.对答案：A。
D触发器有一个数据输入端和一个时钟输入端。
3单选题】(10分)在计算机中，常用的存储器有（）A.RAM和ROMB.EPROM和EEPROMC.SRAM和DRAMD.以上都是答案：D。
《电子技术基础》练习题库
《电子技术基础》练习题库第一章思考复习题1.填空题(1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____.(2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数载流子_____导电.(3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时______.。
(4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多,所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管.(5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区.(6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器件.(7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结_________偏置.(8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和_________区.(9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变,体现了三极管的___________特性.(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和_______________,选择时应适当留有余地.(11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue;而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue.(12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效应管.(13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0.(14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制及放大作用.(15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳定性比较_________.2.选择题(1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________.①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少(2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为______.①负电②正电③电中性(3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______.①正向特性②反向特性③反向击穿特性(4)用万用表测量二极管的极性,将红、黑表行分别接二极管的两个电极,若测得的电阻值很小(几千欧以下),则黑表笔所接电极为二极管的_____.①正极②负极③不能确定(5)测得电路中一个NPN型三极管的3个电极电位分别为:Uc=6V,UB=3v,Ue=2.3v,则可判定该三极管工作在_______.①截止区②饱和区③放大区(6)三极管的电流放大系数β,随温度的升高会______.①减小②增大③不变3.判断题（1）二极管外加正向电压时呈现很大的电阻，而外加反向电压时呈现很小的电阻。
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《电子技术基础》单元练习（三）
整流电路
一、填空题
1、整流就是利用二极管的性，将变成。
2、常用的整流管有和。
3、二极管整流电路有、、，分别用了个、个、个整流管。
4、选用整流二极管主要考滤的两个参数是和。
5、桥式整流和单相半波整流相比较，在变压器副边电压相同的情况下，电路的输出电压值提高了一倍；若输出电流相同，就每个整流管而言，则电路的整流管平均电流大了一倍；采用电路，脉动系数可以下降很多。
6、单相半波整流电路中，若变压器次级电压U2=100V，则负载两端电压V0= V，二极管承受的最大反向电压U RM= 。
7、市电经半波整流输出的脉动直流电每秒钟脉动次，经全波或桥式整流输出的脉动直流电每秒钟脉动次，脉动次数越，就越平稳。
8、整流电路用于大功率整流电路中，它和一般整流电路不同处还在于其输出电压是。
即改变可控硅触发电压到来的时刻，可改变。
9、单相半波可控整流电路中，变压器的次级电压的有效值U2=10V，当控制角a分别为0o、90o、180o时，负载RL上所在地得到的直流平均电压分别为、、。
10、常用的晶闸管触发电路有、等等。
二、选择题
1、下图中D1、D
2、D3均为理想二极管， HL1、HL2、HL3白炽灯泡电功率都相同，其中最亮的灯泡是（）
A、HL1灯
B、HL2灯
C、HL3灯
2、在右图中，若U2=20V，则U0为（）
A、20V
B、18V
C、9V
D、10V
3、在上题图中，每个二极管的最大反向电压U RM为（）
4、在单相桥式整流电路中，若任一整流管正负极性接反，则V0波形（）
A、只有半周波形
B、全波整流波形
C、无波形且整流管或变压器损坏
5、单相整流电路中，二极管承受的反向电压的最大值出现在二极管（）
A、截止时
B、由截止转导通时
C、导通时
D、由导通转截止时
6、某单相桥式整流电路，变压器次级电压为U2，当负载开路时，整流输出电压为（）
A、0
B、U2
C、
D、
7、某单相半波整流电路中，变压器次级电压为U2，若电路改成桥式整流电路，负载上仍要得到原有的直流电压，则改成桥式整流后，变压器次级电压为（）
A、 B、U2 C、2U2 D、
三、分析计算题
1、因为桥式整流电路中有四个整流二极管，所以每个二极管中电流的平均值等于负载电流的1/4，这种说法对不对为什么
2、线路板上，分别由四只二极管组成整流电路，元件排列如图所示，如何在其各个端点上接入交流电源和负载RL实现桥式整流，要求完成的电路简明和整齐。
3、如图所示电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压Vi时，通过R1、R2上的是交流电，还是直流电已知Vi的波形图，试画出Vr1、Vr2的波形图。
4、在如图所示桥式整流电路中，若出现下列故障对电路有何影响
（1）D1接反
（2）D1虚焊
（3）D1击穿
（4）负载RL被短路
（5）四个整流管全部反接
5、如下图所示电路中，试计算RL1、RL2两端的电压各是多少并标出其正负极性。
6、在如图所示电路中，负载电阻RL=80欧姆，电压表读数为110V，忽略二极管压降。
试求：（1）电流表A和交流电压表V1的读数；
（2）二极管所承受的最高反向电压
7、单相半波整流电路中，已知变压器初级电压U1=220V，变比n=10，负载电阻RL=10欧姆，试计
算整流电路输出直流电压UL及选择合适的二极管。
8、单相全波整流电路中，已知U2a=U2b=20V，RL=10Ω，试求输出直流电压和负载电流；并选择合适的二极管。
9、有一直流负载需直流平均电压10V，直流平均电流500毫安，当采用半波、全波、桥式整流电路，试分别计算选择二极管的主要参数U RM和I F。