制作场效应管功率放大器

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(c)N沟道结型场效应管的工作原理
高保真功率放大器制作教程——制作场效应管功率放大器
步骤二:了解场效应管的工作原理
(d)N沟道结型场效应管的转移特性
Id/mA
当漏源电压Uds保持不变时,漏极电流Id与栅源 电压Vgs之间的关系曲线称为场效应管的转移 特性曲线。 当栅极电压Vgs=0时的漏源电流用Idss表示, 称为饱和漏极电流。 当Vgs变负时,Id逐渐减小,Id接近于零的栅源
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步骤二:了解场效应管的工作原理
(d) N沟道增强型MOS场效应管的特性曲线
Id Id 预夹断轨迹 可变电 阻区 Ido 恒流区
0
Vgs(th) 2Vgs(th) Vgs
0
截止区
Vds
(1)当Vgs=0时,Id=0, 1 gs 0 Id 0 场效应管截止;
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步骤三:检测常用场效应管
三、检测VMOS场效应管 检测VMOS场效应管 VMOS
1、判定栅极g 将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其 字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为栅极g, 因为它和另外两个管脚是绝缘的。 2、判定源极s、漏极d 在VMOS场效应管源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电 阻存在差异,可识别源极s与漏极d。交换表笔测两次电阻,其中电阻值较 低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是s极, 红表笔接d极。
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步骤二:了解场效应管的工作原理
一、结型场效应管(JFET)
2、P沟道结型场效应管
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步骤二:了解场效应管的工作原理
二、绝缘栅场效应管(MOSFET)
1、N沟道增强型MOS场效应管 用一块掺杂浓度较低的P型硅片作为 衬底,在它上面扩散出两个高掺杂浓 (a) 结 构 度的N区,分别引出源极s与漏极d。 在硅片表面覆盖二氧化硅绝缘层,再 从绝缘层上引出栅极g,由于栅极与 其他电极相互绝缘,所以称为绝缘栅 场效应管。
(b)电路符号
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步骤二:了解场效应管的工作原理
漏极电源电压Vds一定时,如果栅极 电压越负,PN结交界面所形成的耗 尽层就越厚,则漏、源极之间的导电 沟道越窄,漏极电流Id就愈小;反之, 如果栅极电压没有那么负,则沟道变 宽,Id变大。 Id 用栅极电压Vgs可以控制漏极电流 用栅极电压 可以控制漏极电流Id 可以控制漏极电流 的变化(场效应管是电压控制元件)。 的变化(场效应管是电压控制元件)。
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步骤二:了解场效应管的工作原理
(b)电路符号 (c)工作原理 N沟道耗尽型MOS场效应管在制造时已 有导电沟道,只需漏源电压Vds>0时,便可 有漏极电流Id。栅源电压Vgs的控制作用则 主要是利用Vgs<0时所产生的负电场削弱正 离子电场,使感应电荷减少,N型导电沟道变 窄,从而达到控制漏极电流Id的目的。同样, N沟道耗尽型MOS场效应管也允许在Vgs>0 的情况下工作,此时Id将更大。
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步骤二:了解场效应管的工作原理
(b)电路符号 (c)工作原理 结型场效应管是利用Vgs控制PN结耗尽层 的宽度,从而改变导电沟道的宽度,来达到控 制漏极电流Id的目的。而绝缘栅场效应管则是 利用Vgs来控制衬底中“感应电荷”的多少, 从而改变导电沟道的大小,达到控制漏极电流 Id的目的。
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步骤三:检测常用场效应管
二、检测MOS场效应管 检测MOS场效应管 MOS
2、估测放大能力(跨导)
将栅极g悬空,黑表笔接漏极d,红表笔接源极s,手握螺丝刀的绝缘 柄,用金属杆去碰触栅极(以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极 击穿),表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极g1、g2, 可分别触碰g1、g2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。
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步骤三:检测常用场效应管
二、检测MOS场效应管 检测MOS场效应管 MOS
1、管脚识别
将万用表拨于R×100档,首先确定栅极,若某脚与其它脚的电阻正反测 都无穷大,证明此脚就是栅极g。测量其余两个引脚,d-s之间的电阻值应为 几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为漏极d,红表笔接的 是源极s。日本生产的SK系列产品,源极s与管壳接通,据此很容易确定源极。
二、绝缘栅场效应管(MOSFET)
4、P沟道耗尽型绝缘栅场效应管
Id d Vgs(OFF) Vgs B Id Vds
Idss
s (a)电路符号 (b)转移特性 (c)输出特性
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步骤二:了解场效应管的工作原理
常见场效应管实物图
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项目三:制作场效应管功率放大器
任务一:认识场效应管
任务二:选择制作场效应管功率放大器电路
任务三:安装与调试Pass F5场效应管功率放大器
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任务一:认识场效应管
本任务内容提要: 本任务内容提要:介绍场效应管的分类、场 效应管的结构与工作原理、场效应管的检测 技巧及注意事项。 学 习 目 的:通过本任务的学习,读者能 掌握场效应管的基本分类与结构原理,能熟 练地检测各种场效应管。
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项目三:制作场效应管功率放大器
本项目内容提要: 本项目内容提要:从认识场效应管、选择制 作场效应管功率放大器电路、安装与调试场 效应管功率放大电路三个方面对制作场效应 管功率放大器的全过程进行比较详细的介绍。 学 习 目 的:通过本项目的学习,读者能 自己动手制作一台场效应管功率放大器。
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步骤二:了解场效应管的工作原理
一、结型场效应管(JFET)
1、N沟道结型场效应管 在一块N型半导体两侧,做 出两个高浓度P型区,将其用 连接起来引出一个电极,称 为栅极g。在N型半导体的一 端引出源极s,另一端引出漏 极d,构成N沟道结型场效应 管。图中P型区与N型区的交 界处形成两个PN结,即耗尽 层。 (a)结构图
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步骤二:了解场效应管的工作原理
三、场效应管的主要参数
4、击穿电压BV 、击穿电压BVds BV 表示场效应管漏、源极间所能承受的最大电压,即漏极饱和电流开始上升进 入击穿区时对应的Vds,一般称为场效应管的耐压。 ds 5、直流输入电阻Rgs 、直流输入电阻 在一定的栅源电压下,栅、源极之间的直流电阻。结型场效应管的Rgs可达 109欧,而绝缘栅场效应管的Rgs可达1015欧。 6、低频跨导gm 、低频跨导 场效应管中漏极电流Id的变化量与引起这个变化的栅源电压Vgs变化量之比, 称为跨导gm,即gm= △Id/△Vgs。跨导的常用单位是毫西门子(mS)。
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步骤三:检测常用场效应管
三、检测VMOS场效应管 检测VMOS场效应管 VMOS
3、测量漏-源通态电阻Rds(on) 将g-s极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接s极,红表笔接d极,阻值 应为几欧至十几欧。由于测试条件不同,测出的Rds(on)值比手册中给出的 典型值要高一些。 4、检查跨导 将万用表置于R×1k(或R×100)档,红表笔接s极,黑表笔接d极, 用手去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。 提示:除贴片元件及个别型号VMOS管外,现在市售的场效应管一般都采 取了防静电措施,可以不考虑静电影响。
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步骤二:了解场效应管的工作原理
(d)N沟道耗尽型绝缘栅场效应管特性曲线
Id/mA Id/mA 4 3 Idss 2 1 Vgs(OFF) 0 Vgs/v 0 5 10 15 1v
Vgs=0v
Idss
-1v -2v -3v 20 Vds/v
图中使漏极电流Id=0时的Vgs称为夹断电压,用符号Vgs(OFF)表 示,Idss为漏极饱和电流。
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步骤二:了解场效应管的工作原理
二、绝缘栅场效应管(MOSFET)
2、N沟道耗尽型MOS场效应管 (a)结构 N沟道耗尽型MOS场效应管与增 强型MOS场效应管的区别是在制造管 子时,通过工艺使绝缘层中出现大量 正离子,故在衬底中能感应出较多的 负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N +区接通,形成了导电沟道。
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步骤三:检测常用场效应管
一、检测结型场效应管
2、估测放大能力 将万用表拨到R×100档,红表笔接源极s,黑表笔接漏极d,相当于给 场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是d-s极间电阻值。然 后用手指捏栅极g,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子 的放大作用,Vds和Id都将发生变化,也相当于d-s极间电阻发生变化,可 观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子 的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。
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步骤三:检测常用场效应管
一、检测结型场效应管
1、管脚识别 将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向 电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为几kΩ时,则这两个管脚 为漏极d和源极s(可互换),余下的一个管脚即为栅极g。 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电 极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效 应管,黑表笔接的也是栅极。反之则为P沟道场效应管。
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任务一:认识场效应管
步骤一:了解场效应管的类别
步骤二:了解场效应管的工作原理
步骤三:检测常用场效应管
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步骤一:了解场效应管的类别
增强型 结型 耗尽型 场效应管 增强型 绝缘栅型 耗尽型 P沟道 沟道 N沟道 沟道 P沟道 沟道 N沟道 沟道 P沟道 沟道 N沟道 沟道 P沟道 沟道 N沟道 沟道
步骤二:了解场效应管的工作原理
三、场效应管的主要参数
1、夹断电压Vgs(OFF) 、夹断电压V 耗尽型场效应管中,当Vds为某一固定数值,使Id为零时,栅极上所加的偏 压Vgs就是夹断电压Vgs(OFF)。 gs gs(OFF) 2、开启电压Vgs(TH) 、开启电压V 增强型场效应管中,当Vds为某一固定数值,使Id从零开始增大时对应的栅 源电压Vgs就是开启电压Vgs(TH)。 3、饱和漏电流Idss 、饱和漏电流 耗尽型场效应管中,Vgs=0时,漏源间所加的电压Vds大于Vgs(OFF)时 的漏极电流称为饱和漏电流Idss。
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步骤二:了解场效应管的工作原理
二、绝缘栅场效应管(MOSFET)
3、P沟道增强型绝缘栅场效应管
Id Vgs(TH) d Vgs B Vds Id
s (a)电路符号 (b)转移特性 (c)输出特性
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步骤二:了解场效应管的工作原理
(2)当Vgs增大到某一电压Vgs(TH)时,感应电荷将连通两个高浓度N+区, 只要在漏源极间加上合适电压Vds,就可产生漏极电流Id,但Id极小,场效应管 此时的工作状态称为“预夹断”,Vgs(TH)称为增强型场效应管的开启电压; (3)当Vgs>Vgs(TH)时,感应电荷形成的导电沟道将两个高浓度N+区完全 连通,沟道电阻变小,只要Vds合适,漏极电流Id将随Vgs增大而上升,场效 应管进入放大区。
Idss
Vgs(OFF)
0
Vgs/V
极电压称为夹断电压,用Vgs(OFF)表示。
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步骤二:了解场效应管的工作原理
(e)N沟道结型场效应管的输出特性
当栅源电压Vgs保持不变时,漏极电流 Id与漏源电压Vds之间的关系曲线称为 场效应管的输出特性曲线。 结型场效应管的输出特性曲线可以划 分为四个区:可变电阻区、恒流区、 击穿区和截止区。
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