制作场效应管功率放大器
场效应管放大器实验报告
一、实验目的1. 了解场效应管的基本特性和工作原理。
2. 掌握场效应管放大器的设计与调试方法。
3. 学习测量场效应管放大器的各项性能参数。
二、实验原理场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种电压控制器件，具有输入阻抗高、动态范围大、热稳定性好、抗辐射能力强等优点。
根据结构，场效应管可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。
1. 结型场效应管（JFET）：JFET是一种三端器件，包括源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
其工作原理是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流。
2. 绝缘栅型场效应管（IGFET）：IGFET是一种四端器件，包括源极（S）、漏极（D）、栅极（G）和衬底。
其工作原理是利用感应电荷的多少来控制导电沟道的宽窄，从而控制电流的大小。
场效应管放大器主要由输入级、中间级和输出级组成。
输入级主要起信号放大作用，中间级主要起信号传递作用，输出级主要起功率放大作用。
三、实验仪器与设备1. 实验箱：包含电源、示波器、信号发生器等。
2. 场效应管：JFET、IGFET各一只。
3. 电阻、电容、电感等电子元件。
4. 接线板、导线等。
四、实验步骤1. 搭建场效应管放大电路，包括输入级、中间级和输出级。
2. 调整电路参数，使放大器处于正常工作状态。
3. 使用示波器观察放大器的输出波形，分析放大器的性能。
4. 测量放大器的各项性能参数，如增益、带宽、输入阻抗、输出阻抗等。
五、实验结果与分析1. 放大器输出波形通过示波器观察，放大器输出波形基本符合预期，说明放大器能够正常工作。
2. 放大器性能参数（1）增益：通过测量输入信号和输出信号的幅度，计算得到放大器的增益为20dB。
（2）带宽：通过测量放大器的-3dB带宽，得到放大器的带宽为1MHz。
（3）输入阻抗：通过测量放大器输入端电压和电流，计算得到放大器的输入阻抗为1kΩ。
（4）输出阻抗：通过测量放大器输出端电压和电流，计算得到放大器的输出阻抗为50Ω。
otl功率放大电路原理
otl功率放大电路原理
OTL功率放大电路原理
OTL功率放大电路是一种无输出变压器的功率放大电路，它的原理是利用晶体管或场效应管的高电压放大特性，将输入信号放大到足够的电平，以驱动负载。
OTL功率放大电路具有输出电阻小、失真低、频响宽等优点，被广泛应用于音频放大器、电视机、电脑音响等领域。
OTL功率放大电路的基本原理是利用晶体管或场效应管的高电压放大特性，将输入信号放大到足够的电平，以驱动负载。
在OTL功率放大电路中，晶体管或场效应管的输出端直接连接到负载，没有输出变压器，因此输出电阻很小，可以有效地驱动负载。
同时，由于没有输出变压器，OTL功率放大电路的失真很低，频响也很宽，可以保证音频信号的高保真度。
OTL功率放大电路的设计需要考虑多个因素，如输入电路、输出电路、功率管的选择等。
输入电路需要保证输入信号的稳定性和低噪声，输出电路需要保证输出电阻的小和输出功率的大。
功率管的选择需要考虑其工作电压、工作电流、最大功率等参数，以保证其能够稳定地工作在OTL功率放大电路中。
OTL功率放大电路的应用非常广泛，特别是在音频放大器领域。
由于OTL功率放大电路具有输出电阻小、失真低、频响宽等优点，可
以保证音频信号的高保真度，因此被广泛应用于音响设备、电视机、电脑音响等领域。
同时，OTL功率放大电路还可以应用于其他领域，如电动车控制器、太阳能控制器等。
OTL功率放大电路是一种无输出变压器的功率放大电路，具有输出电阻小、失真低、频响宽等优点，被广泛应用于音频放大器、电视机、电脑音响等领域。
在设计OTL功率放大电路时，需要考虑多个因素，如输入电路、输出电路、功率管的选择等，以保证其能够稳定地工作。
场效应管功率放大器设计经验汇总
场效应管功率放大器设计经验汇总场效应管功率放大器是一种常用的电路，用于放大电信号的功率。
在电子领域中，功率放大器的设计和实现是非常重要的。
本文将综述场效应管功率放大器的设计经验，介绍其基本原理、设计要点和常见问题解决方法，帮助读者更好地理解和设计场效应管功率放大器。
1. 基本原理场效应管功率放大器是通过控制场效应管的栅极电压和漏源电流来放大输入信号的功率。
场效应管通过调节栅极-源极电压的变化来控制漏源电流的大小，从而实现对输入信号的放大。
场效应管的三个极端分别为栅极(Gate)，漏极(Drain)和源极(Source)。
其中，栅极电压作为控制信号，漏极-源极电压作为放大信号输入，漏极电流作为放大信号输出。
2. 设计要点2.1 选择合适的场效应管在设计场效应管功率放大器时，需要根据放大的频率范围、功率要求、输入输出阻抗等参数来选择合适的场效应管。
不同型号的场效应管有不同的特性参数，例如增益、输入输出容量、截止频率等。
需要根据实际需求来选择合适的场效应管，并进行模拟和实际测试来验证其性能。
2.2 设置偏置电路场效应管需要设置适当的偏置电路来确保其工作在合适的工作点上。
偏置电路的设计应考虑工作电流和工作温度等因素，以提高放大器的稳定性和线性度。
偏置电路的设计还要考虑功耗和效率的折中，尽量减小功耗并提高效率。
2.3 电源设计场效应管功率放大器的电源设计非常重要。
合理的电源设计可以提高功率放大器的工作效率和稳定性。
电源设计应考虑电源噪声、电源稳定性和功率输出等因素。
选择合适的电源电压和电源容量，并采取适合的滤波电路来降低电源噪声。
2.4 保护电路设计在场效应管功率放大器设计中，需要加入保护电路来保护场效应管和其他部件免受过负载、过电流等因素的影响。
常用的保护电路包括过载保护、过热保护和静电保护等。
保护电路的设计需要根据实际应用场景来确定，并进行充分测试和验证。
3. 常见问题解决方法在场效应管功率放大器的设计和应用过程中，可能会遇到一些常见的问题，例如功率输出不稳定、失真和频率响应不均等。
MOSFET功放电路
目录场效应管功率放大电路 (1)场效应管80W音频功率放大电路 (1)一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2)100W的MOSFET功率放大器 (2)场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4)一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6)100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6)100W场效应管功率放大电路 (8)全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9)场效应管功率放大电路如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。
电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。
其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。
场效应管80W音频功率放大电路一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图100W的MOSFET功率放大器电路图关于电路电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。
如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。
电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。
晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。
预设R1用于调整放大器的输出电压。
电阻R3和R2设置放大器的增益。
第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。
这样做是为了提高线性度和增益。
Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。
预设R8可用于调整放大器的静态电流。
电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。
F1和F2是安全的保险丝。
电路设置设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。
下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。
场效应管后级大功率功放
场效应管后级大功率功放
在设计场效应管后级大功率功放时，需要考虑以下几个方面：
1. 电路设计，功率放大器的电路设计需要考虑到输入输出阻抗匹配、稳定性、线性度和功率传输效率。
场效应管的偏置电路和工作点选择对电路性能有重要影响。
2. 散热设计，大功率功放会产生较多的热量，因此需要设计有效的散热系统来确保场效应管工作在安全温度范围内。
3. 电源供应，高功率功放需要稳定的电源供应，以确保输出的稳定性和可靠性。
4. 保护电路，为了防止场效应管受到过电压、过电流等因素的损坏，需要设计相应的保护电路。
5. 输出匹配网络，为了最大化功率传输效率，需要设计合适的输出匹配网络来匹配负载阻抗。
场效应管后级大功率功放在音频放大、射频通信、雷达系统等
领域有着广泛的应用。
通过合理的设计和优化，可以实现高功率输出、低失真和高效率的功率放大器。
因此，在设计场效应管后级大功率功放时，需要综合考虑电路设计、散热设计、电源供应、保护电路和输出匹配网络等多个方面，以实现高性能的功率放大器。
采用2个MOS场效应管构成的功率放大器
本电路采用2个MOS 场效应管构成功率放大器，为甲乙类（AB类）功率放大器，上面采用N 沟道增强型MOS 场效应管IRF130，下面采用P 沟道增强型MOS 场效应管IRF9130，IRF130和IRF9130是IR 公司生产的配对N 沟道和P 沟道器件，性能几乎是对称的。
为了克服交越失真，必须使输入信号避开场效应管的截止区，可以给场效应管加入很小的静态偏置电流，使输入信号叠加在很小的静态偏置电流上，这样可以避开场效应管的截止区，使输出信号不失真。
增强型MOS 场效应管有个开启电压V T ，V GS 必须要大于V T ，该场效应管才能进入放大区。
IRF130和IRF9130的V GS 最小值为2V ，设计时使2个场效应管栅极之间的电压在2V*2=4V ，或者为了减小直流电源的消耗，取比4V 稍小一点，也是可以的。
只要保持电压的分压比，电阻上的电流是不必考虑的，因为场效应管的栅级输入阻抗是非常高的，栅级几乎不消耗电流，因此，分压GND_0VOFF = 0v电阻的阻值取常用的即可。
从单个场效应管看，这是源级跟随器，所以电压放大倍数为1。
功率放大器对输入电压范围是没有限制的，取决于场效应管的参数，IRF130和IRF9130的绝对最大V GS=±20V，就是说，输入电压范围±15V是没有问题的。
功率放大器根据输入电压，放大接近1倍，得到输出电压，由输出电压，根据负载，得到输出电流。
如果电源电压是±24V，减去2个场效应管的正常工作时的V DS，输出电压范围应该大于±22V，具体做一下实验，也是简单的事。
甲乙类放大器电路的主要特点如下所述：(a).这种放大器同乙类放大器电路一样，也是用两只场效应管分别放大输入信号的正、负半周，但给两只场效应管加入了很小的静态偏置电流，以使场效应管刚刚进入放大区。
(b).由于给场效应管所加的静态直流偏置电流很小，所以在没有输入信号时放大器对直流电源的消耗比较小(比起甲类放大器要小得多)，这样具有乙类放大器的省电优点，同时因加入的偏置电流克服了场效应管的截止区，对信号不存在失真，又具有甲类放大器没有非线性失真的优点。
MOSFET功放电路
目录场效应管功率放大电路 (1)场效应管80W音频功率放大电路 (1)一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2)100W的MOSFET功率放大器 (2)场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4)一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6)100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6)100W场效应管功率放大电路 (8)全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9)场效应管功率放大电路如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。
电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。
其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。
场效应管80W音频功率放大电路图100W的MOSFET功率放大器电路图关于电路电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。
如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。
电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。
晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。
预设R1用于调整放大器的输出电压。
电阻R3和R2设置放大器的增益。
第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。
这样做是为了提高线性度和增益。
Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。
预设R8可用于调整放大器的静态电流。
电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。
F1和F2是安全的保险丝。
电路设置设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。
下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。
注意事项质量好的印刷电路板组装的电路。
制作场效应管功率放大器
制作场效应管功率放大器场效应管功率放大器是一种广泛应用于电子电路中的功率放大器，它通过场效应管的操控来实现信号的放大。
下面将介绍制作场效应管功率放大器的步骤。
首先，我们需要准备以下材料和工具：1.一块电路板2.场效应管（有源器件）3.小信号二极管4.电阻5.电容6.输入、输出端子7.直流电源8.滤波电容9.电流表和电压表10.焊接工具11.示波器（可选）步骤1：设计电路根据功率放大器的需求，设计所需电路图，确定电路中各个元器件的数值和连接方式。
主要包含输入信号源、输入电容、放大电路、输出电容、输出信号负载等部分，其中的输出电容和输出信号负载是用来保证放大的信号稳定和驱动外部负载。
步骤2：打开电路板按照电路图的设计，将电路板上不需要的部分切割或去除。
保留需要焊接进电路板的部分。
步骤3：焊接电路将先前准备好的各个元器件按照电路图的要求，一个接一个地焊接到电路板上。
注意焊接的顺序和技巧，确保焊点牢固可靠。
步骤4：连接输入和输出端子连接输入和输出端子，用于提供输入信号和接收输出信号。
输入端子可以连接到信号源，输出端子可以连接到负载。
步骤5：连接直流电源和滤波电容连接直流电源和滤波电容，用于提供工作电压和滤除电路中的杂散电压。
步骤6：安装场效应管将场效应管安装到电路板上，注意引脚的正确连接和插入方式。
在插入前，可以清洁引脚和插孔。
步骤7：测试和调试连接相应的测试设备，如电流表和电压表，对电路进行测试和调试。
通过测量输出电压、电流和输入电压等参数，调整电路的工作点和放大系数，以达到预期的功率放大效果。
步骤8：优化和改进根据实际测试结果和需求，对电路进行优化和改进。
可以尝试更换元器件，调整电路参数，改进电路拓扑结构，以提高功率放大器的性能和稳定性。
在制作场效应管功率放大器的过程中，需要注意以下几点：1.仔细阅读和理解电路图和规格书，确保元器件的正确使用和连接。
2.在焊接过程中，注意安全操作，避免因电路短路或电源短路而引起危险。
用场效应管做有胆味的功率放大器
Ｖ６１ ． ２ ２ ＮＯ ． ５
电 子 设 计 工 程
Ｅｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ ｉ ｃ Ｄｅ ｓ ｉ ｇ ｎ Ｅｎｇ ｉ ｎｅ ｅ ｒ ｉ ｎｇ
２ ０ １ ４年 ３月
Ｍａ Ｌ ２ ０ １ ４
用场效应管做有胆味的功率放大器
隋传 国
（ 广 东 白云 学院 广 东 广 州 ５ １ ０ ４ ５ ０）
Ａ ｐ ｏ ｗｅ ｒ ａ ｍ ｐｌ ｉ ｉ ｆ ｅ ｒ ｃ ｏ ｎｓ ｉ ｓ ｔ ｓ ０ ｆ ＦＥＴ ｗｉ ｔ ｈ ｔ ｏ ｎｅ ｏ ｆ ｖ ａ ｃ ｕｕｍ ｔ ｕｂｅ ｓ
Ｓ ＵＩ Ｃ ｈ ｕ ａ ｎ － ｇ ｕ ｏ
（ Ｇｕ ａ ｎ ｇ ｄ ｏ ｎ ｇ Ｂ ａ ｉ ｙ ｕ ｎ Ｕ ｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ ｙ ， Ｇｕ ａ ｎ ｇ ｚ ｈ ｏ ｕ ５ １ ０ ４ ５ ０ ， Ｃ ｈ ｉ ｎ ａ ）
对 于 音频 功率 放 大器 而 言 ， 最好 听 的莫 过于 甲类 放 大器 。 根 据 频 率分 析 的结 果 ，由集 成 运 算 放 大器 构 成 的 前 级声 音 单 薄 、缺 乏活 力 Ⅲ 。所 以 ，可 不可 以前 级 采用 单 管 甲类 放 大器 ，
次 感 、解 析 力 和 定位 感 均 有 较 好 表 现 ，具 有 良好 的声 场 空 间
摘要： 用 场 效 应 晶 体 管 设 计 出有 胆 味 的 音 频 功 率放 大 器 。 前级 采 用 单 管 、 甲类 ，后 级 采 用 甲 乙类推 挽 放 大技 术 。 实
验 证 明 差 分 放 大 器使 用 的 对 管 的 一 致 性 与 整 机 的 失 真 程度 密切 相 关 。从 听 音 效 果 来 看 ，末 级 电 流 ２ ０ ０ ｎ 是理想值。
场效应管功率放大器前后级的设计与分析
• 101•真空管由于存在空间电荷传输滞后特性，放大器具有特殊的音色，温暧柔和，尤其是重放人声，表现的醇美剔透，耐人回味无穷，尤以表现人声音乐情感见长。
而晶体管放大器具有犀利的分析力、宽畅的频响和强劲的动态，具有朝气蓬勃、催人奋进的感召力。
场效应管放大器音色介于以上两者之间，既有电子管功放声音细节温暖耐听，具有感染力；低音不浑浊，高音圆润，又兼有晶体管体积小、效率高等优点。
反复比较证明，场效应晶体管的适应范围大，表现力强，除具备胆管的特点外，对铜管乐、交响乐等各种乐器刻画逼真，干净利索，乐感朝气蓬勃，气势磅礴，是音乐爱好者的上佳选择。
在原电路结构的基础上，详细分析了电路参数，对音响爱好者自己开发前后级功放具有一定的指导意义。
1 前级放大器的结构与特点前级放大器结构如图1所示：图1 前级放大电路图前级放大器采用场效应三极管2SK30，T2接成共漏极电路以提高带负载能力。
1.1 静态工作点的确定根据2SK30的输出特性曲线（见图2），当i D=1.2mA附近时，静态工作点位于中部。
根据公式(1)：(1)I DSS为u GS=0时的漏极电流。
U GS(OFF)称为管子的夹断电压。
由图可见，I DSS=2.8mA，U GS(OFF)=-1.6V。
令i D=1.2mA带入公式得到两个解u GS1=-0.6，u GS2=-2.65V，u GS2与题意不符，故舍去。
图2 2SK30的特性曲线图对应地，T2的工作电流也是1.2mA附近，处于最理想的工作状态。
调节2SK30A的机理是：电阻R f3与电压放大倍数成正比，在确定了R f3后，场效应管T1漏极电压（以下称为U D1）11V为最佳，可通过调整R f5的阻值来进行。
值得一提的是，因为设计的是甲类放大器，T1是结型场效应三极管，源极电位设计在+0.6V，对应的漏极电流（以下称为I D1）在1.2mA。
如果U D1低于11V，说明I D1大了，此时应当调大R f 5；如果U D1提高了，说明I D1小了些，此时应当调小R f 5。
简易场效应管音频功放电路
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精心选配调试，其音质令人刮目相看。
性价比好，值得推荐。
～Q3选用2N5401、2N5551（电视视频放大管）作差分和主电压放大，取其频率特性好，线性好、耐压高。
Q4～Q5选用上述113（100V10A100W），线性好，效果佳。
以上放大管也可选用音响专用发烧名管，音质还可进一步提高。
：差分管、功率管应选配对，以改善开环线性，提高音质，稳定中点零电位。
Q1～Q2在05mA时HFE相差≤5％，HFE高一些为时，HFE尽量接近，基本一致更好。
电阻选用金属膜电阻。
按图1制作，调节W1使输出中点为零，开机即响。
本电路通过并入输出大输出功率。
实测±36V8Ω时功率输出50W。
笔者在试听时以飞利浦CDR－870作音源，惠威M1作监听音箱，表现出音质纯净，高音甜美具有电子管功放魅力，发出让人喜欢的声音。
是一款能够长相厮守、耐听的Hi－Fi功放。
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自制的场效应功放电路图
自制的场效应功放电路图场效应管具有输入阻抗高、频率特性好、稳定性好(无二次击穿现象)、低噪声、低失真等特点，已被广泛地应用在音响电路中，用VMOS功率场效应管制成的功放，音色优美，音色比双极型晶体管功放暖，与电子管功放相似，失真小且制作容易，因此很受音响爱好者的喜爱。
能拥有自制的高品质功放更是很多发烧友的梦想，因为自己动手制作功放既可以学习技术，又可以根据自己的喜好制出适合自己品位的功放，实为一种乐趣和享受。
下面介绍一款简洁易制的场效应管功放。
如图所示(图中只画出一个声道)。
为减小失真，输入级采用差动放大电路。
V1用对管2SC1583，稳定性和对称性好；V2接成恒流源，为本级提供稳定的静态工作电流，采用恒流源作差动放大器的射极电阻，可提高差动放大器的共模抑制比和动态范围，从而进一步改善失真。
c1为输入耦合电容，R1、c2构成低通滤波器，阻止前级的超音频干扰信号窜入功放；R2决定了功放的输入阻抗。
合形式，是从成本上考虑的。
若全用场效应管，效果更好。
各管的射(阴)极都加有本级电流负反馈电阻，起稳定静态工作点的作用。
有利于改善失真。
整机负反馈则由R18、R19、C6、C7组成，总增益约为26．8dB。
C7是隔直电容，使前后级形成直流全负反馈，保证输出中点静态零电位。
c3、c6是为了抑制高频自激振荡而设置。
放大器的电压增益大部分由V3获得，而c3可产生高频负反馈，降低放大器的高频增益，破坏高频自激的幅度条件。
但c3又使高频相位更加滞后，所以在反馈回路中加入C6，进行相位超前补偿，破坏高频自激的相位条件。
C5、R17组成相移校正电路，使负载近于纯电阻。
防止高频自激。
由于扬声器阻抗中的电感分量在高频时明显增加，使放大器的负载呈电感性，引起输电流滞后于输m电压。
若放大器的高频增益较高，还容易产生高频自激振荡。
R13、R14串接在栅极是防止VMOS管产生高频自激。
由于栅极的高阻抗，加上接线及分布电容、电感和栅极分布电容的影响，VMOS管在工作中可会出现高频自激振荡。
功率放大器的制作(图文)
功率放大器的制作(图文)为了使用音响系统，我们需要需要一个功率放大器，负责把音频信号放大为更大的电流信号，以便驱动扬声器发出声音。
下面将介绍如何制作一个简单的功率放大器。
材料：1.电路板2.电路图3.电容:100uf,1000uf,3300uf4.电阻:2.2k,4.7k,10k,22k,47k5.三极管:BC547B,C18156.电位器:10K阻值7.音量控制器8.音频输入插头9.扬声器接口步骤 1：准备电路图和电路板。
如果你没有自己的电路板，可以在电子市场购买现成的板子。
在电路板上用铅笔画出电路的轮廓，然后用钻头将穿过铜涂层的孔打开。
步骤 2：在电路板上连接电阻器。
用钳子从电阻器里将两只导线钳断，将它们插入电路板地址上的孔中，并弯曲两端，以便锡焊后固定电阻器。
步骤 3：连接电容。
以同样的方式，将电容器插在电路板上。
步骤 4：连接三极管。
将三极管插入板上的孔中。
请注意，每个三极管的引脚数量不同，所以请仔细查看它的引脚排列。
步骤 5：将电位器和音量控制器插入孔中。
将电位器和音量控制器插入电路板上相应的孔中。
步骤 6：将扬声器插头和音频输入插头插入孔中。
插上扬声器插头和音频输入插头，它们将连接到电路板上。
步骤 7：焊接电路。
使用焊接工具从电路板上的铜涂层上刮除一小块，以便将电路元件连接到电路板上。
将电阻、电容、三极管和其他元件依次接在一起，再钳断多余的导线。
步骤 8：完成。
完成焊接后，将电路板放入外壳中，紧固并打开开关。
这就是如何制作一个简单的功率放大器。
你可以用它来驱动你的扬声器，听到更大声音。
场效应管功率放大器的制作
场效应管功率放大器的制作一、引言场效应管（FET）是一种半导体器件，具有输入阻抗高、噪声系数低、驱动能力强等优点，因此在功率放大器中得到广泛应用。
本文将介绍场效应管功率放大器的制作过程。
二、器件选型与准备1.选型：在选型时应根据实际需求来选择合适的FET型号，要考虑输出功率、工作频率、输入/输出阻抗匹配等因素。
2.准备材料与工具：选型完成后，需要准备以下材料与工具：场效应管、电感、电容、电阻、电源、电路板、焊锡、焊锡丝、螺丝刀、万用表等。
三、电路设计与仿真1.电路设计：根据所选型号的FET和电路特性来设计功率放大电路，包括输入/输出匹配电路、偏置电路、负反馈电路等。
2.电路仿真：使用相应的电路仿真软件，如Proteus、Multisim等，对设计的电路进行仿真验证，分析其工作特性和参数。
四、电路板制作与元件安装1.电路板制作：将设计好的电路图绘制到电路板上，注意保持连接的正确性和元件的正确摆放位置。
2.元件安装：根据电路图，将各个元件按照正确的位置焊接到电路板上，注意焊接的稳定性和可靠性。
五、电路调试与测试1.电路连接与供电：将电路板与电源连接，注意极性的正确性。
可以选用直流稳压电源或者电池作为供电源。
2.调试与测试：给电路加电后，使用万用表进行电压、电流等参数的测量，确保电路工作正常。
如果有可调节的元件，如可变电阻或可变电容，可以进行调试，使其达到期望的工作状态。
六、性能评估与优化1.性能评估：通过实际测试，测量电路的增益、频率响应、失真等性能指标，与所需性能指标进行比对。
2.优化设计：根据性能评估结果，优化电路设计，可能需要调整元件参数、电路配置等，以满足性能要求。
七、保护电路设计与应用为确保电路的工作稳定性和安全性，可以添加保护电路，如过压保护、过流保护、过温保护等。
根据实际应用场景，选择相应的保护电路，并进行相应的连接。
八、总结通过以上的制作过程，一个场效应管功率放大器就可以完成。
在实际制作过程中，要注意安全使用工具，防止短路或其他意外情况的发生。
制作场效应管功率放大器
制作场效应管功率放大器第一步：理解场效应管功率放大器的原理场效应管（FET）是一种电子元件，可以作为电流放大器和电压放大器。
场效应管功率放大器的核心组成部分是场效应管，其工作原理是基于调节输入信号通过控制栅极电场来控制源-漏电流的大小。
栅极电压的变动可以引起源-漏电流的变动，从而实现对输入信号的放大。
第二步：选择合适的场效应管第三步：设计电路图在选择好场效应管之后，需要进行电路设计。
电路图的设计需要考虑输入电阻、输出电阻、电流增益等因素。
同时，还需要合理选择电源电压和电源电流，以确保电路能够正常工作。
第四步：制作电路板根据电路图设计制作电路板，可以采用单面板或双面板。
在制作电路板的过程中，可以使用CAD软件进行布线设计，并根据设计制作出真实的电路板。
第五步：焊接元件和连线将选好的场效应管和其他所需零件焊接到电路板上，并根据电路图进行正确的连线。
注意焊接时的温度和时间，以避免电路板损坏。
第六步：测试电路完成焊接工作后，需要进行电路测试。
可以用示波器、信号发生器等仪器测试电路的输入输出特性，验证电路的工作是否符合设计要求。
如果发现问题，需要及时进行排查和修复。
第七步：调整电路参数根据测试结果，如果电路的工作与设计要求不符，需要对电路进行调整。
可以通过调整电阻、电容等元件的数值来达到理想的电路参数。
第八步：封装和安装当电路参数满足要求后，可以将电路封装起来，以保护电路板免受环境的影响。
封装可以选择合适的外壳或散热器来进行。
制作场效应管功率放大器需要一定的电子电路知识和相关实践经验。
同时，由于场效应管功率放大器的工作电压较高，对安全性也有一定要求，需要在制作过程中注意安全事项。
最后，为了获得更好的效果，可以不断地进行实验和优化，以提高功率放大器的性能。
通过以上步骤，就可以制作一个场效应管功率放大器。
当然，整个过程中还有很多细节和注意事项需要注意，希望这篇文章能给您提供一些初步的了解和指导。
如果您对这个话题感兴趣，建议您继续深入学习和实践，以提高自己的电子电路制作技能。
mos场效应管制作工艺的基本步骤
一、介绍mos场效应管MOS场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）是一种常用的场效应晶体管，被广泛应用于集成电路和功率放大器中。
它具有高输入电阻、低噪声系数、高频率特性和较高的可靠性，因此在电子行业中拥有广泛的应用。
二、MOS场效应管的制作工艺1. 基础工艺准备MOS场效应管的制作首先需要准备硅衬底，通常是n型或p型硅衬底。
在准备硅衬底之前，需要对硅片进行清洗、抛光和去除常见的杂质和附着物，以确保硅衬底表面的光洁度和平整度。
2. 渗透层制备接下来是为了增强氧化层和MOS栅极的定位而形成的渗透层的制备。
渗透层主要由P型或N型多晶硅薄膜组成，其厚度通常在200-300nm之间。
3. 氧化层生长氧化层的生长通常使用干法氧化或湿法氧化的方法。
干法氧化是通过高温下氧化气体的作用，在硅表面生长出氧化层；湿法氧化则是在加热的气氛中，采用水蒸气和氧气混合气体生长氧化层。
氧化层的厚度通常在20-300nm之间。
4. 光刻工艺在氧化层上，在所需要的位置上，通过光刻胶技术进行图案设计，然后投射紫外光，再通过显影和蚀刻等工艺将所需的图案转移到氧化层上。
5. 栅极制备在光刻工艺过程中形成的图案将作为掩膜，用于栅极的形成。
通常使用富勒烯等材料来用于栅极的制备。
6. 接触沟槽制备通过刻蚀技术，形成MOSFET的接触沟槽。
接触沟槽是用于源漏掺杂（通常为N+或P+掺杂）的区域。
7. 接触金属制备在接触沟槽中形成接触金属，通常使用铝或金属合金作为接触金属。
这一步骤需要经过金属蒸发或其他金属沉积工艺。
8. 清洗和退火对制备好的MOSFET晶体管进行清洗和热退火处理，来确保晶体管的结构完整和性能稳定。
三、总结MOS场效应管的制作工艺是一个复杂而精细的过程，需要多种材料和工艺的结合。
它的制备包括了硅片准备、渗透层制备、氧化层生长、光刻工艺、栅极制备、接触沟槽制备、接触金属制备和清洗和退火等基本步骤。
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高保真功率放大器制作教程——制作场效应管功率放大器
步骤二：了解场效应管的工作原理
三、场效应管的主要参数
4、击穿电压ＢＶ 、击穿电压ＢＶds ＢＶ 表示场效应管漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进 入击穿区时对应的Ｖds，一般称为场效应管的耐压。 ds 5、直流输入电阻Rgs 、直流输入电阻 在一定的栅源电压下，栅、源极之间的直流电阻。结型场效应管的Rgs可达 109欧，而绝缘栅场效应管的Rgs可达1015欧。 6、低频跨导gm 、低频跨导 场效应管中漏极电流Id的变化量与引起这个变化的栅源电压Ｖgs变化量之比， 称为跨导gm，即gm= △Id/△Ｖgs。跨导的常用单位是毫西门子（mS）。
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步骤二：了解场效应管的工作原理
（d）N沟道耗尽型绝缘栅场效应管特性曲线
Id/mA Id/mA 4 3 Idss 2 1 Ｖgs(OFF) 0 Ｖgs/v 0 5 10 15 1v
Ｖgs=0v
Idss
－1v －2v －3v 20 Ｖds/v
图中使漏极电流Id＝0时的Ｖgs称为夹断电压，用符号Ｖgs(OFF)表 示，Idss为漏极饱和电流。
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步骤三：检测常用场效应管
三、检测VMOS场效应管 检测VMOS场效应管 VMOS
1、判定栅极g 将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其 字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为栅极g， 因为它和另外两个管脚是绝缘的。 2、判定源极s、漏极d 在VMOS场效应管源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电 阻存在差异，可识别源极s与漏极d。交换表笔测两次电阻，其中电阻值较 低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时功率放大器制作教程——制作场效应管功率放大器
步骤三：检测常用场效应管
三、检测VMOS场效应管 检测VMOS场效应管 VMOS
3、测量漏-源通态电阻Rds（on） 将g-s极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值 应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的Rds（on）值比手册中给出的 典型值要高一些。 4、检查跨导 将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接s极，黑表笔接d极， 用手去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。 提示：除贴片元件及个别型号VMOS管外，现在市售的场效应管一般都采 取了防静电措施，可以不考虑静电影响。
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步骤二：了解场效应管的工作原理
（b）电路符号 （c）工作原理 N沟道耗尽型MOS场效应管在制造时已 有导电沟道，只需漏源电压Ｖds＞0时，便可 有漏极电流Id。栅源电压Ｖgs的控制作用则 主要是利用Ｖgs＜0时所产生的负电场削弱正 离子电场，使感应电荷减少，N型导电沟道变 窄，从而达到控制漏极电流Id的目的。同样， N沟道耗尽型MOS场效应管也允许在Ｖgs＞0 的情况下工作，此时Id将更大。
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步骤三：检测常用场效应管
二、检测MOS场效应管 检测MOS场效应管 MOS
2、估测放大能力（跨导）
将栅极g悬空，黑表笔接漏极d，红表笔接源极s，手握螺丝刀的绝缘 柄，用金属杆去碰触栅极（以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极 击穿），表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极g1、g2， 可分别触碰g1、g2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。
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项目三：制作场效应管功率放大器
任务一：认识场效应管
任务二：选择制作场效应管功率放大器电路
任务三：安装与调试Pass F5场效应管功率放大器
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任务一：认识场效应管
本任务内容提要： 本任务内容提要：介绍场效应管的分类、场 效应管的结构与工作原理、场效应管的检测 技巧及注意事项。 学 习 目 的：通过本任务的学习，读者能 掌握场效应管的基本分类与结构原理，能熟 练地检测各种场效应管。
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步骤二：了解场效应管的工作原理
（b）电路符号 （c）工作原理 结型场效应管是利用Ｖgs控制PN结耗尽层 的宽度，从而改变导电沟道的宽度，来达到控 制漏极电流Id的目的。而绝缘栅场效应管则是 利用Ｖgs来控制衬底中“感应电荷”的多少， 从而改变导电沟道的大小，达到控制漏极电流 Id的目的。
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步骤三：检测常用场效应管
二、检测MOS场效应管 检测MOS场效应管 MOS
1、管脚识别
将万用表拨于R×100档，首先确定栅极，若某脚与其它脚的电阻正反测 都无穷大，证明此脚就是栅极g。测量其余两个引脚，d-s之间的电阻值应为 几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为漏极d，红表笔接的 是源极s。日本生产的SK系列产品，源极s与管壳接通，据此很容易确定源极。
（2）当Ｖgs增大到某一电压Ｖgs(TH)时，感应电荷将连通两个高浓度N+区， 只要在漏源极间加上合适电压Ｖds，就可产生漏极电流Id，但Id极小，场效应管 此时的工作状态称为“预夹断”，Ｖgs(TH)称为增强型场效应管的开启电压； （3）当Ｖgs＞Ｖgs(TH)时，感应电荷形成的导电沟道将两个高浓度N+区完全 连通，沟道电阻变小，只要Ｖds合适，漏极电流Id将随Ｖgs增大而上升，场效 应管进入放大区。
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步骤三：检测常用场效应管
一、检测结型场效应管
1、管脚识别 将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向 电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为几kΩ时，则这两个管脚 为漏极d和源极s（可互换），余下的一个管脚即为栅极g。 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电 极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效 应管，黑表笔接的也是栅极。反之则为P沟道场效应管。
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（d） N沟道增强型MOS场效应管的特性曲线
Id Id 预夹断轨迹 可变电 阻区 Ido 恒流区
0
Ｖgs(th) 2Ｖgs(th) Ｖgs
0
截止区
Ｖds
（1）当Ｖgs＝0时，Id＝0， 1 gs 0 Id 0 场效应管截止；
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步骤二：了解场效应管的工作原理
一、结型场效应管（JFET）
1、N沟道结型场效应管 在一块N型半导体两侧，做 出两个高浓度P型区，将其用 连接起来引出一个电极，称 为栅极g。在N型半导体的一 端引出源极s，另一端引出漏 极d，构成N沟道结型场效应 管。图中P型区与N型区的交 界处形成两个PN结，即耗尽 层。 （a）结构图
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步骤三：检测常用场效应管
一、检测结型场效应管
2、估测放大能力 将万用表拨到R×100档，红表笔接源极s，黑表笔接漏极d，相当于给 场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是d-s极间电阻值。然 后用手指捏栅极g，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子 的放大作用，Ｖds和Id都将发生变化，也相当于d-s极间电阻发生变化，可 观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子 的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
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步骤二：了解场效应管的工作原理
二、绝缘栅场效应管（MOSFET）
3、P沟道增强型绝缘栅场效应管
Id Ｖgs(TH) d Ｖgs B Ｖds Id
s (a)电路符号 (b)转移特性 (c)输出特性
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步骤二：了解场效应管的工作原理
（b）电路符号
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步骤二：了解场效应管的工作原理
漏极电源电压Vds一定时，如果栅极 电压越负，PN结交界面所形成的耗 尽层就越厚，则漏、源极之间的导电 沟道越窄，漏极电流Id就愈小；反之， 如果栅极电压没有那么负，则沟道变 宽，Id变大。 Id 用栅极电压Vgs可以控制漏极电流 用栅极电压 可以控制漏极电流Id 可以控制漏极电流 的变化（场效应管是电压控制元件）。 的变化（场效应管是电压控制元件）。
Idss
Vgs(OFF)
0
Vgs/V
极电压称为夹断电压，用Ｖgs(OFF)表示。
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步骤二：了解场效应管的工作原理
（e）N沟道结型场效应管的输出特性
当栅源电压Ｖgs保持不变时，漏极电流 Id与漏源电压Ｖds之间的关系曲线称为 场效应管的输出特性曲线。 结型场效应管的输出特性曲线可以划 分为四个区：可变电阻区、恒流区、 击穿区和截止区。
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任务一：认识场效应管
步骤一：了解场效应管的类别
步骤二：了解场效应管的工作原理
步骤三：检测常用场效应管
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步骤一：了解场效应管的类别
增强型 结型 耗尽型 场效应管 增强型 绝缘栅型 耗尽型 P沟道 沟道 N沟道 沟道 P沟道 沟道 N沟道 沟道 P沟道 沟道 N沟道 沟道 P沟道 沟道 N沟道 沟道
步骤二：了解场效应管的工作原理
三、场效应管的主要参数
1、夹断电压Ｖgs(OFF) 、夹断电压Ｖ 耗尽型场效应管中，当Ｖds为某一固定数值，使Id为零时，栅极上所加的偏 压Ｖgs就是夹断电压Ｖgs(OFF)。 gs gs(OFF) 2、开启电压Ｖgs(TH) 、开启电压Ｖ 增强型场效应管中，当Ｖds为某一固定数值，使Id从零开始增大时对应的栅 源电压Ｖgs就是开启电压Ｖgs(TH)。 3、饱和漏电流Idss 、饱和漏电流 耗尽型场效应管中，Ｖgs＝0时，漏源间所加的电压Ｖds大于Ｖgs(OFF)时 的漏极电流称为饱和漏电流Idss。