第七章X射线光电子能谱
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第七章X射线光电子能谱
为了提高深度分辩率，一般应采用间断溅 射的方式。为了减少离子束的坑边效应， 应增加离子束的直径。
为了降低离子束的择优溅射效应及基底效 应，应提高溅射速率和降低每次溅射的时 间。一般的深度分析所给出的深度值均是 相对与某种标准物质的相对溅射速率。
第七章X射线光电子能谱
谱峰的物理位移和化学位移
第七章X射线光电子能谱
2020/12/5
第七章X射线光电子能谱
X射线光电子能谱( XPS ) X-ray Photoelectron Spectroscopy 化学分析电子能谱( ESCA ) Electron Spectroscopy for Chemical Analysis
——表面元素化学成分和元素化学态分析 的分析技术
l 用单色器可以将X射线聚焦成小束斑，可以实现高 灵敏度的小面积的XPS测量；
l 使用单色器只有被分析的区域受到X射线的辐射， 可以实现多样品分析，也可以在同一稳定性差的样 品上进行多点分析。
第七章X射线光电子能谱
电子能量分析器
(1)半球型电子能量分析器 改变两球面间的电位差，不 同能量的电子依次通过分析 器；分辨率高；
第七章X射线光电子能谱
化学位移的影响因素
第七章X射线光电子能谱
定性分析 对所研究的样品的表面化学分析的第一步是识别 所含元素。通常是采集全谱或宽谱扫描。范围一 般选择0-1200eV。
周期表中每个元素的电子层结构是不同的，所以 每个元素可以用它的电子结合能来表征。对于同 一个能级，不同元素具有不同的电子结合能，根 据光电子谱峰的位置，就能鉴定样品中某种元素 的存在。
用一束具有一定能量的X射线照射固体样 品，入射光子同样品相互作用，光子被吸 收而将其能量转移给原子的某一壳层上被 束缚的电子，此时电子把所得能量的一部 分用来克服结合能和功函数，余下的能量 作为它的动能而发射出来，成为光电子， 这个过程就是光电效应。
第七章X射线光电子能谱
XPS 的工作原理：
X-ray
(2)筒镜式电子能量分析器 （CMA)
同轴圆筒，外筒接负压、内 筒接地，两筒之间形成静电 场； 灵敏度高、分辨率低；二级 串联；
第七章X射线光电子能谱
对半球型分析器而言： 其分辨率为：
第七章X射线光电子能谱
检测器
产生的光电流：10-3～10-9mA； 电子倍增器作为检测器； 单通道电子倍增器；多通道电子倍增器；
Binding Energy / eV
第七章X射线光电子能谱
电子逃逸深度
电子逃逸深度：逸出电子的非弹性散射平均自由程；
： 金 属 0.5~2nm ； 氧 化 物 1.5~4nm ； 有 机 和 高 分 子
4~10nm ；
通常：取样深度 d = 3 ；表面无损分析技术；
由Lambert指数衰减定律
Eb= h –W’ – Ek' ≈ h –W – Ek
Fermi能级：0K固体能带中充满电子的最高能级； 功函数：电子由Fermi能级真空能级的能量； 每台仪器的W’固定，与试样无关，约3 ~ 4eV；Ek’可 由实验测出，故计算出Eb 后确定试样元素，定性基础 。
第七章X射线光电子能谱
X射线光电子能谱仪的基本构造
第七章X射线光电子能谱
由于当角量子数l>0时会产生自旋-轨道耦合作 用，使得处于同一壳层的电子能级发生分裂， 因此，对于的l>0能级，XPS都呈现双峰。这种 分裂可以用内量子数j来表示：
可见；
第七章X射线光电子能谱
对应每个j的相对强度： 可以用２j＋１表示。 对于一个d轨道上的电子5/2和3/2态的相对强度 为３:２(j小的峰结合能高) 双重态组分间的裂距： 依赖于自旋轨道耦合的强度。 对于给定的n和l，裂距随n和l的增加而减少。
第七章X射线光电子能谱
取样深度从10nm降低到2.6nm，样品的O : N原子比增加了约3 倍。这表明含氧的结构富集于表面，而含氮的结构则较多地存 在于内层。根据软硬段的结构，就说明软段在表面富集。
第七章X射线光电子能谱
第七章X射线光电子能谱
离子刻蚀深度剖析方法
在获得大于10nm的深度信息时，必须用离子轰击， 对物体进行剥离。 溅射的本身并不是一个简单的过程，可能会出现： 1.会出现某一特定类型的离子或原子择优溅射。 2.会出现离子诱导反应。 3.随着样品被剥离，刻蚀坑底的粗糙度增加，最 终界面会模糊。
第七章X射线光电子能谱
化学态分析 XPS主要通过测定内壳层电子能级的化学位移 可以推知原子结合状态和电子分布状态。 化学态的分析主要依赖谱线能量的精确测定。 对绝缘样品应进行精确的静电荷电校正。
第七章X射线光电子能谱
除惰性气体元素与少数位移较小的元素外， 大部分元素的单质态、氧化态与还原态之间 都有明显的化学位移，如C1s： TiC(281.7eV)，石墨(284.6eV)， CO2(297.5eV)。
Id---厚度为d的信号强度(能量无损) I0---厚层为0的信号强度 当d=3时，Id=0.05I0 与 成正比，(电子动能在100-2000eV)。
第七章X射线光电子能谱
在常规的XPS分析中，我们是分析来自相对于样品 表面90方向出射的电子，在一张XPS谱图中，无损 的分析深度，大约65%的信号来自小于λ的深度内， 85%的信号来自小于2λ的深度内，95%的信号来自 小于3λ的深度内。
第七章X射线光电子能谱
三氟乙酸乙酯 电负性：F>O>C>H 4个碳元素所处化学环境不同；
第七章X射线光电子能谱
化学位移现象的解释:
内层电子一方面受到原子核的库仑作用而具有 一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏 蔽作用。当外层电子密度减少时，屏蔽作用将 减弱，内层电子的结合能增加；反之则结合能 将减少。 因此当被测原子的氧化价态增加，或与电负性 大的原子结合时，都导致其结合能的增加。由 此可从被测原子内层电子结合能变化来了解其 价态变化和所处化学环境。
我们在角分辨测量中可以用这一特性来获得组分 深度分析。
第七章X射线光电子能谱
深度分析
择优溅射问题 损伤 离子溅射 应注意 还原效应问题
表面粗糙度问题 非损伤 改变电子发射角度
第七章X射线光电子能谱
非破坏性深度剖析方法
变角XPS深度分析
前面讨论的Beer-Lambert方程，已经给出了分 析深度依赖于电子的发射角。当相对于样品表 面法向的电子发射角接近于θ=0时，分析深 度就接近极限值3。3经常被认为是XPS的分 析深度（更确切的表达式为3cosθ）。
第七章X射线光电子能谱
4500 4000
N1s
Intensity / a.u.
3500
3000
2500
406 404 402 400 398 396 394 Binding Energy / eV
第七章X射线光电子能谱
Intensity / a.u.
36000 34000 32000 30000 28000 26000
真空系统
光源、样品室、电子能量分析器、检测器都必须在高真 空条件下工作；
真空度：1.3310-6 Pa 。
第七章X射线光电子能谱
光电离几率
光电离几率(光电离截面)：一定能量的光子在与原子作
用时，从某个能级激发出一个电子的几率；
与电子壳层平均半径，入射光子能量，原子序数有关；
电子结合能与入射光子能量越接近越大；
⑵表面灵敏度高，一般信息深度10nm
⑶分析速度快，可多元素同时测定
⑷可以给出原子序数3-92的元素信息，以获得元素
成分分析
⑸可以给出元素化学态信息，进而可以分析出元素
的化学态或官能团
⑹样品不受导体、半导体、绝缘体的限制等
⑺是非破坏性分析方法。结合离子溅射，可作深度
剖析
第七章X射线光电子能谱
基本原理
某一X光谱线作为入射光，实验测定的
待测元素激发出一系列具有不同结合能
的电子能谱图，即元素的特征谱峰群；
谱峰：不同轨道上电子的结合能或
电子动能；
伴峰：X射线特征峰、Auger峰、多
重态分裂峰。
第七章X射线光电子能谱
谱峰出现规律
(1)主量子数n小的峰比n大的峰强； (2)n相同，角量子 数L大的峰比L小 的峰强； (3)内量子数J大的 峰比J小的峰强；
第七章X射线光电子能谱
X射线单色器：
l 减少X射线的线宽，Al K线宽可以从0.9eV减少到 0.25eV。X射线的线宽越窄得到的XPS峰越窄，可以 得到更好的化学态的信息；
l 消除X射线中的干扰部分，即X射线伴峰和韧致辐射 产生的连续背景；
l X射线源使用单色器后，热源远离样品，可以避免 热辐射导致样品损伤；
轻原子：半径越小的壳层越大。 1s / 2 s ≈20 重原子： 同壳层 随原子序数的增加而增大；
AlKα射线激发出的最强光电子线
原子序数 壳层 最强线所在亚壳层（能级）
3-12
K
1s
13-33
L
2p
34-66
M
3d
67-71
Nwk.baidu.com
4d
72-92
N
4f第七章X射线光电子能谱
光电子的能量分布曲线：采用特定元素
式中
h ――入射光子能量（已知值）
Ek ――光电过程中发射的光电子的动能（测定值）
Eb ――内壳层束缚电子的结合能（计算值）
W――谱仪的功函数（已知值）
第七章X射线光电子能谱
真空能级 费米能级 价电子带
M 内层电子 L
K
样品与仪器接地
第七章X射线光电子能谱
电子结合能
原子在光电离前后状态的能量差：
电离放出光电子
样品
能量分析器
（记录不同能量的电子数目） 检测器
光
e-
电
hν(X-ray)
子
产
生
过程 A + hν A +e (中性分子或原子)
(X-ray) +*（激发态的离子） -(光电子)
：
第七章X射线光电子能谱
基本原理
XPS方法的基础是爱因斯坦光电定律，对于自由分子 和原子，应有
Ek = h－Eb－W
样品
光电子
能量分析器
X射线源 AlK或MgK
超高真空系统 优于10-9mbar
探测器
数据处理系统
第七章X射线光电子能谱
第七章X射线光电子能谱
电子能谱仪介绍
X 射线源
双阳极X射线源 在XPS谱仪中，一般采用双阳极X射线源。 常用的激发源: MegVK。 X射线，光子能量为1253.6 eV。线宽可达到0.7 A到l0K.9Xe射V。线 , 光 子 能 量 为 1486.6 eV 。 线 宽 可 达
Zn2p1/2
Zn2p3/2
1050
1040
1030
1020
Binding Energy / eV
1010
第七章X射线光电子能谱
16000 14000
Pt4f
Pt4f
7/2
5/2
intensity / cps
12000
10000
8000
6000
82 80 78 76 74 72 70 68 66 64 62
在有机化合物的结构分析上可分析除H、He 以外的全周期表元素。
第七章X射线光电子能谱
在能谱图中出现特征谱线.我们可以根据这些谱峰的位 置（结合能）来鉴定元素的种类 。
第七章X射线光电子能谱
应用范围
☼各种复合材料表面分析及界面分析 ☼各种固体材料表面的成分分析及元素
化学态分析 ☼各种薄膜表面与界面分析 ☼器件、产品质量分析及剖析 ☼金属氧化与腐蚀 ☼各种固体表面化学问题的测定,等等。
第七章X射线光电子能谱
优点及特点 ：
⑴固体样品用量小，不需要进行样品前处理，从而避 免了引入或丢失元素所造成的误分析
物理位移：固体的热效应与表面荷电的作用引起的谱峰位移 化学位移：原子所处化学环境的变化引起的谱峰位移 产生原因： 1)价态改变：内层电子受核电荷的库仑力和荷外其他电子的
屏蔽作用；电子结合能位移Eb；
结合能随氧化态增高而增加，化学 位移增大； 2)电负性：三氟乙酸乙酯中碳元素 的结合能随与碳相连接的元素的电 负性增加而增加。
这种方法在检测物体表面1-10nm内的组分变化 方面非常有用。
第七章X射线光电子能谱
变角XPS技术 –非损伤深度分析
h
e
Dd
取样深度示意图
取样深度 D10nm
第七章X射线光电子能谱
θ=75 D=0.8
θ=55 D=1.7
θ=0 D=3
式中 d是光电子出射角与样品法线夹角为θ时的信息深度； D是光电子出射角与样品法线夹角为0时的信息深度。
第七章X射线光电子能谱
例:用变角X光电子能谱技术对非均相高分子 材料进行非损伤的层结构分析
软段结构 —O—CH2—CH2—CH2—CH2—n 硬段结构—HN—CO—NH— —CH2— — NH—CO—NH—CH2—CH2 —n 由于N1s,O1s峰在动能1000eV左右，所以当射 线垂直人射时，d≈3≈3 ≈10nm。改变入射 角θ，可以得到不同深度的信息。
为了提高深度分辩率，一般应采用间断溅 射的方式。为了减少离子束的坑边效应， 应增加离子束的直径。
为了降低离子束的择优溅射效应及基底效 应，应提高溅射速率和降低每次溅射的时 间。一般的深度分析所给出的深度值均是 相对与某种标准物质的相对溅射速率。
第七章X射线光电子能谱
谱峰的物理位移和化学位移
第七章X射线光电子能谱
2020/12/5
第七章X射线光电子能谱
X射线光电子能谱( XPS ) X-ray Photoelectron Spectroscopy 化学分析电子能谱( ESCA ) Electron Spectroscopy for Chemical Analysis
——表面元素化学成分和元素化学态分析 的分析技术
l 用单色器可以将X射线聚焦成小束斑，可以实现高 灵敏度的小面积的XPS测量；
l 使用单色器只有被分析的区域受到X射线的辐射， 可以实现多样品分析，也可以在同一稳定性差的样 品上进行多点分析。
第七章X射线光电子能谱
电子能量分析器
(1)半球型电子能量分析器 改变两球面间的电位差，不 同能量的电子依次通过分析 器；分辨率高；
第七章X射线光电子能谱
化学位移的影响因素
第七章X射线光电子能谱
定性分析 对所研究的样品的表面化学分析的第一步是识别 所含元素。通常是采集全谱或宽谱扫描。范围一 般选择0-1200eV。
周期表中每个元素的电子层结构是不同的，所以 每个元素可以用它的电子结合能来表征。对于同 一个能级，不同元素具有不同的电子结合能，根 据光电子谱峰的位置，就能鉴定样品中某种元素 的存在。
用一束具有一定能量的X射线照射固体样 品，入射光子同样品相互作用，光子被吸 收而将其能量转移给原子的某一壳层上被 束缚的电子，此时电子把所得能量的一部 分用来克服结合能和功函数，余下的能量 作为它的动能而发射出来，成为光电子， 这个过程就是光电效应。
第七章X射线光电子能谱
XPS 的工作原理：
X-ray
(2)筒镜式电子能量分析器 （CMA)
同轴圆筒，外筒接负压、内 筒接地，两筒之间形成静电 场； 灵敏度高、分辨率低；二级 串联；
第七章X射线光电子能谱
对半球型分析器而言： 其分辨率为：
第七章X射线光电子能谱
检测器
产生的光电流：10-3～10-9mA； 电子倍增器作为检测器； 单通道电子倍增器；多通道电子倍增器；
Binding Energy / eV
第七章X射线光电子能谱
电子逃逸深度
电子逃逸深度：逸出电子的非弹性散射平均自由程；
： 金 属 0.5~2nm ； 氧 化 物 1.5~4nm ； 有 机 和 高 分 子
4~10nm ；
通常：取样深度 d = 3 ；表面无损分析技术；
由Lambert指数衰减定律
Eb= h –W’ – Ek' ≈ h –W – Ek
Fermi能级：0K固体能带中充满电子的最高能级； 功函数：电子由Fermi能级真空能级的能量； 每台仪器的W’固定，与试样无关，约3 ~ 4eV；Ek’可 由实验测出，故计算出Eb 后确定试样元素，定性基础 。
第七章X射线光电子能谱
X射线光电子能谱仪的基本构造
第七章X射线光电子能谱
由于当角量子数l>0时会产生自旋-轨道耦合作 用，使得处于同一壳层的电子能级发生分裂， 因此，对于的l>0能级，XPS都呈现双峰。这种 分裂可以用内量子数j来表示：
可见；
第七章X射线光电子能谱
对应每个j的相对强度： 可以用２j＋１表示。 对于一个d轨道上的电子5/2和3/2态的相对强度 为３:２(j小的峰结合能高) 双重态组分间的裂距： 依赖于自旋轨道耦合的强度。 对于给定的n和l，裂距随n和l的增加而减少。
第七章X射线光电子能谱
取样深度从10nm降低到2.6nm，样品的O : N原子比增加了约3 倍。这表明含氧的结构富集于表面，而含氮的结构则较多地存 在于内层。根据软硬段的结构，就说明软段在表面富集。
第七章X射线光电子能谱
第七章X射线光电子能谱
离子刻蚀深度剖析方法
在获得大于10nm的深度信息时，必须用离子轰击， 对物体进行剥离。 溅射的本身并不是一个简单的过程，可能会出现： 1.会出现某一特定类型的离子或原子择优溅射。 2.会出现离子诱导反应。 3.随着样品被剥离，刻蚀坑底的粗糙度增加，最 终界面会模糊。
第七章X射线光电子能谱
化学态分析 XPS主要通过测定内壳层电子能级的化学位移 可以推知原子结合状态和电子分布状态。 化学态的分析主要依赖谱线能量的精确测定。 对绝缘样品应进行精确的静电荷电校正。
第七章X射线光电子能谱
除惰性气体元素与少数位移较小的元素外， 大部分元素的单质态、氧化态与还原态之间 都有明显的化学位移，如C1s： TiC(281.7eV)，石墨(284.6eV)， CO2(297.5eV)。
Id---厚度为d的信号强度(能量无损) I0---厚层为0的信号强度 当d=3时，Id=0.05I0 与 成正比，(电子动能在100-2000eV)。
第七章X射线光电子能谱
在常规的XPS分析中，我们是分析来自相对于样品 表面90方向出射的电子，在一张XPS谱图中，无损 的分析深度，大约65%的信号来自小于λ的深度内， 85%的信号来自小于2λ的深度内，95%的信号来自 小于3λ的深度内。
第七章X射线光电子能谱
三氟乙酸乙酯 电负性：F>O>C>H 4个碳元素所处化学环境不同；
第七章X射线光电子能谱
化学位移现象的解释:
内层电子一方面受到原子核的库仑作用而具有 一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏 蔽作用。当外层电子密度减少时，屏蔽作用将 减弱，内层电子的结合能增加；反之则结合能 将减少。 因此当被测原子的氧化价态增加，或与电负性 大的原子结合时，都导致其结合能的增加。由 此可从被测原子内层电子结合能变化来了解其 价态变化和所处化学环境。
我们在角分辨测量中可以用这一特性来获得组分 深度分析。
第七章X射线光电子能谱
深度分析
择优溅射问题 损伤 离子溅射 应注意 还原效应问题
表面粗糙度问题 非损伤 改变电子发射角度
第七章X射线光电子能谱
非破坏性深度剖析方法
变角XPS深度分析
前面讨论的Beer-Lambert方程，已经给出了分 析深度依赖于电子的发射角。当相对于样品表 面法向的电子发射角接近于θ=0时，分析深 度就接近极限值3。3经常被认为是XPS的分 析深度（更确切的表达式为3cosθ）。
第七章X射线光电子能谱
4500 4000
N1s
Intensity / a.u.
3500
3000
2500
406 404 402 400 398 396 394 Binding Energy / eV
第七章X射线光电子能谱
Intensity / a.u.
36000 34000 32000 30000 28000 26000
真空系统
光源、样品室、电子能量分析器、检测器都必须在高真 空条件下工作；
真空度：1.3310-6 Pa 。
第七章X射线光电子能谱
光电离几率
光电离几率(光电离截面)：一定能量的光子在与原子作
用时，从某个能级激发出一个电子的几率；
与电子壳层平均半径，入射光子能量，原子序数有关；
电子结合能与入射光子能量越接近越大；
⑵表面灵敏度高，一般信息深度10nm
⑶分析速度快，可多元素同时测定
⑷可以给出原子序数3-92的元素信息，以获得元素
成分分析
⑸可以给出元素化学态信息，进而可以分析出元素
的化学态或官能团
⑹样品不受导体、半导体、绝缘体的限制等
⑺是非破坏性分析方法。结合离子溅射，可作深度
剖析
第七章X射线光电子能谱
基本原理
某一X光谱线作为入射光，实验测定的
待测元素激发出一系列具有不同结合能
的电子能谱图，即元素的特征谱峰群；
谱峰：不同轨道上电子的结合能或
电子动能；
伴峰：X射线特征峰、Auger峰、多
重态分裂峰。
第七章X射线光电子能谱
谱峰出现规律
(1)主量子数n小的峰比n大的峰强； (2)n相同，角量子 数L大的峰比L小 的峰强； (3)内量子数J大的 峰比J小的峰强；
第七章X射线光电子能谱
X射线单色器：
l 减少X射线的线宽，Al K线宽可以从0.9eV减少到 0.25eV。X射线的线宽越窄得到的XPS峰越窄，可以 得到更好的化学态的信息；
l 消除X射线中的干扰部分，即X射线伴峰和韧致辐射 产生的连续背景；
l X射线源使用单色器后，热源远离样品，可以避免 热辐射导致样品损伤；
轻原子：半径越小的壳层越大。 1s / 2 s ≈20 重原子： 同壳层 随原子序数的增加而增大；
AlKα射线激发出的最强光电子线
原子序数 壳层 最强线所在亚壳层（能级）
3-12
K
1s
13-33
L
2p
34-66
M
3d
67-71
Nwk.baidu.com
4d
72-92
N
4f第七章X射线光电子能谱
光电子的能量分布曲线：采用特定元素
式中
h ――入射光子能量（已知值）
Ek ――光电过程中发射的光电子的动能（测定值）
Eb ――内壳层束缚电子的结合能（计算值）
W――谱仪的功函数（已知值）
第七章X射线光电子能谱
真空能级 费米能级 价电子带
M 内层电子 L
K
样品与仪器接地
第七章X射线光电子能谱
电子结合能
原子在光电离前后状态的能量差：
电离放出光电子
样品
能量分析器
（记录不同能量的电子数目） 检测器
光
e-
电
hν(X-ray)
子
产
生
过程 A + hν A +e (中性分子或原子)
(X-ray) +*（激发态的离子） -(光电子)
：
第七章X射线光电子能谱
基本原理
XPS方法的基础是爱因斯坦光电定律，对于自由分子 和原子，应有
Ek = h－Eb－W
样品
光电子
能量分析器
X射线源 AlK或MgK
超高真空系统 优于10-9mbar
探测器
数据处理系统
第七章X射线光电子能谱
第七章X射线光电子能谱
电子能谱仪介绍
X 射线源
双阳极X射线源 在XPS谱仪中，一般采用双阳极X射线源。 常用的激发源: MegVK。 X射线，光子能量为1253.6 eV。线宽可达到0.7 A到l0K.9Xe射V。线 , 光 子 能 量 为 1486.6 eV 。 线 宽 可 达
Zn2p1/2
Zn2p3/2
1050
1040
1030
1020
Binding Energy / eV
1010
第七章X射线光电子能谱
16000 14000
Pt4f
Pt4f
7/2
5/2
intensity / cps
12000
10000
8000
6000
82 80 78 76 74 72 70 68 66 64 62
在有机化合物的结构分析上可分析除H、He 以外的全周期表元素。
第七章X射线光电子能谱
在能谱图中出现特征谱线.我们可以根据这些谱峰的位 置（结合能）来鉴定元素的种类 。
第七章X射线光电子能谱
应用范围
☼各种复合材料表面分析及界面分析 ☼各种固体材料表面的成分分析及元素
化学态分析 ☼各种薄膜表面与界面分析 ☼器件、产品质量分析及剖析 ☼金属氧化与腐蚀 ☼各种固体表面化学问题的测定,等等。
第七章X射线光电子能谱
优点及特点 ：
⑴固体样品用量小，不需要进行样品前处理，从而避 免了引入或丢失元素所造成的误分析
物理位移：固体的热效应与表面荷电的作用引起的谱峰位移 化学位移：原子所处化学环境的变化引起的谱峰位移 产生原因： 1)价态改变：内层电子受核电荷的库仑力和荷外其他电子的
屏蔽作用；电子结合能位移Eb；
结合能随氧化态增高而增加，化学 位移增大； 2)电负性：三氟乙酸乙酯中碳元素 的结合能随与碳相连接的元素的电 负性增加而增加。
这种方法在检测物体表面1-10nm内的组分变化 方面非常有用。
第七章X射线光电子能谱
变角XPS技术 –非损伤深度分析
h
e
Dd
取样深度示意图
取样深度 D10nm
第七章X射线光电子能谱
θ=75 D=0.8
θ=55 D=1.7
θ=0 D=3
式中 d是光电子出射角与样品法线夹角为θ时的信息深度； D是光电子出射角与样品法线夹角为0时的信息深度。
第七章X射线光电子能谱
例:用变角X光电子能谱技术对非均相高分子 材料进行非损伤的层结构分析
软段结构 —O—CH2—CH2—CH2—CH2—n 硬段结构—HN—CO—NH— —CH2— — NH—CO—NH—CH2—CH2 —n 由于N1s,O1s峰在动能1000eV左右，所以当射 线垂直人射时，d≈3≈3 ≈10nm。改变入射 角θ，可以得到不同深度的信息。