模拟电子技术基础试题及答案(修订)

差分放大电路如图 5 所示，已知三极管的 β 均为 100， =0．7V， =10K ， =20K， =11．3K。
1．求静态工作点（ ， ， ）； 2．求双出的 、
。
6
试用相位平衡条件判断图 6-1、6-2 所示各电路是否可能产生正弦波振荡，简述理由。
判断图 7-1、7-2 所示放大电路的反馈极性，若为负反馈，判断组态并近似计算深度负反馈条件下的电 压放大倍数。
；（3）电路输入电阻 和输出电阻 。
差分放大电路如图 5 所示，已知三极管的 β 均为 100， =0．7V， 1．求静态工作点；
，
2．NPN，硅管。
7-2 正反馈。
， ；图
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20 )
1．在本征半导体中，掺入 3 价杂质元素形成的半导体叫（），它的多子是（）。
A．N 型半导体 B．P 型半导体 C．电子 D．空穴
2．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。
A． 增大 B． 不变 C． 减小
3．PN 结反偏时，空间电荷区（），多子的扩散运动被阻止，只有少子的（）运动形成反向饱和电流。
应在放大电路中引入（）。 A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈 10．为了避免 50Hz 电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。 A．带阻 B．带通 C．低通 D．有源 11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。 A．比较 B．滤波 C．调整
容量足够大，即 比输入信号的周期大得多， =1/2 直流电源电压。
图 8-1 能，图 8-2 不能。
，
4
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20 )
1．掺入 5 价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠（）导电。
A．空穴 B．N 型半导体 C．P 型半导体进制 D．自由电子
2．PN 结反偏时，少子的（）运动较强，空间电荷区变厚，结电阻较（）。
。
OTL 互补对称功率放大电路如图 5。(1)说明电容 C 的作用，电容上的电压等于多少？(2)当输入交流 正弦电压时，问最大的输出功率是多少？效率是多少？
（8 分）判断图 6-1、6-2 所示放大电路的反馈极性和组态。
2
设图 7 所示电路的静态工作点合适， 、 的 β 分别为 、 ，发射结电阻分别为 、 ，画出 它们的交流等效电路，并写出 、 和 的表达式。
A．扩散 B．漂移 C．小 D．大
3．为保证三极管工作在放大区，接入电路时，应使它的发射结、集电结保持（）偏置。
A．正向，正向 B．正向，反向 C．反向，正向 D．反向，反向
4．设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程是（）。
A．
B．
C．
5． 在 BJT 三种基本组态放大电路中，输入电压与输出电压反相的电路是（）；不具有电压放大作用的的
解：电流并联交直流负反馈；电压串联交直流 负反馈。
1．解：假设 、 断开， 的阳极为 0V，阴 极为-9V； 的阳极为-12V，阴极为-9V；∴ 导 通， 截止，输出电压 =0V 2．PNP；硅管
解：
=0．02mA， ≈1mA， ≈3V；β≈50；
≈3KΩ；
≈1．5V
解：电容的作用传输交流信号，其两端的充电 电压在输入信号的负半周充当一个负电源。若电容
是（）。 A．共射电路 B．共集电路 C．共基电路 6．若要改善放大器的带负栽能力，应引入（）；若要增大输入电阻，应引入（）。 A．电压反馈 B．电流反馈 C．串联反馈 D．并联反馈 7．差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的（），共模信号是两个输入端信号的（）。 A．差 B．和 C．平均值 8．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（），而低频信号作用时放大倍数数值下降的原
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1．纯净的半导体叫（）。掺入 3 价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。
A．空穴 B．本征半导体 C．P 型半导体 D．自由电子
2． PN 结正偏时，多子的（）运动较强，PN 结变薄，结电阻较（）。
A．扩散 B．漂移 C．小 D．大
3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。
1．设图 3-1 中二极管 、 为理想二极管，判断它们是导通还是截止？输出电压 = ？（4 分）
1
2．测得放大电路中晶体管的直流电位如图 3-2 所示。在圆圈中画出管子，并说明是硅管还是锗管。
（6 分）根据图 4 某共射单放电路中三极管的输出特性曲线及交、直流负载线，试求 （1）静态 Q 点；
（2）三极管电流放大系数 β； （3）集电极电阻 ；（4）最大不失真输出电压幅度
试用相位平衡条件判断图 8-1、8-2 所示各电路是否可能产生正弦波振荡，简述理由。
P8.5 试求图 9 所示电路输出电压与输入电压的运算关系式。
3
1．B，C，D 2．A，C 3．B，D（D，B），A，
C 4．D 5．C 6．D，B，C 7．C 8．C 9．B，
，
D 10．A 11．B
。
1．× 2．× 3． 4．× 5．
A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB
6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电
路是（）。 A．共射电路 B．共集电路 C．共基电路 D．共源电路 7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。 A．便于设计 B．放大交流信号 C．不易制作大容量电容 8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。 A．电压放大倍数大 B．不失真输出电压大 C．带负载能力强 9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，
因是（）。 A．耦合电容和旁路电容的存在 B．半导体管极间电容和分布电容的存在 C．半导体管的非线性特性 D．放大电路的静态工作点不合适 9．欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用（）。 A．反相比例运算电路 B．同相比例运算电路 C．积分运算电路 D．微分运算电路 10．已知输入信号的频率为 10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用（）滤波电路 。 A．带阻 B．带通 C．低通 D．有源 11．在 OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为 1W，则电路中功放管的最大功耗约为（）。 A．1W B．0．5W C．0．2W 12．直流稳压电源的基本组成有变压器、（）、滤波、稳压。 A．整流 B．比较 C．调整 13．负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）。 A．反馈支路产生的干扰和噪声 B．反馈环路内的干扰和噪声 C．反馈环路外的干扰和噪声 D．输出信号中的干扰和噪声 14．RC 文氏电桥正弦波振荡电路要能起振，要求放大电路的电压增益（）。 A．>1 B．>3 C．=3
A．双极 B．空穴 C．单极 D．自由电子
4．负反馈放大电路的含义是（）。
A．输出与输入之间有信号通路
B．电路中存在反向传输的信号通路
C．除放大电路之外还有信号通路
D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号
5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为 40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。
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1．PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
2．只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（）
3．阻容耦合多级放大电路各级的 Q 点相互独立，它只能放大交流信号。（）
4．若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。（）
5
5．在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（） 1．电路如图 3-1，已知 =10sinwt(v)，E=5v，R=1kW，试用理想模型分析电路的功能，并画出的 波形。
(2
10 )
1．因为 P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（）
2．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）
来自百度文库
9
3．凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（） 4．因为 RC 串并联选频网络作为反馈网络时的 ＝0°，单管共集放大电路的 ＝0°，满足正弦波振荡 的相位条件 ＋ ＝2nπ（n 为整数），故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。（） 5．在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（）
7．当信号频率等于放大电路的 或 时，放大倍数的值约下降到中频时的（）。
A．0．5 倍 B．0．7 倍 C．0．9 倍 8．欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）；欲减小电路从信号源索取的电 流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）。 A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈 9．欲将方波电压转换成三角波电压，应选用（）。 A．反相比例运算电路 B．同相比例运算电路 C．积分运算电路 D．微分运算电路 10．为了获得输入电压中的低频信号，应选用（）滤波电路 。 A．带阻 B．带通 C．低通 D．有源 11．正弦波振荡电路的基本组成有：包含负反馈的放大电路、构成（）的选频网络和稳幅环节。 A．正反馈 B．负反馈 C．反馈 12．下面说法那个是正确的（）。 A．正弦波振荡器是一个具有负反馈的放大器 B．正弦波振荡器是一个具有正反馈的放大器 C．正弦波振荡器是一个具有选频网络的正反馈的放大器 D．正弦波振荡器是一个满足振荡相位和幅度值条件的选频放大器 13．在差分放大电路中，若 2 个输入端信号分别为 15mV 和 3mV，则其差模输入信号为（），共模输入信 号为（）。 A．18mV B．12mV C．9mV D．6mV 14．为了使滤波电路的输出电阻小，带负载能力强，应选用（）滤波电路。 A．无源 B．低通 C．有源 15．若要求电压放大倍数较大，应选用（）放大电路；若要求放大电路的输入电阻较大，应选用（）放大 电路。 A．共基极 B．共发射极 C．共集电极
1．电路如图 3-1，设 D 为理想二极管，试判断二极管的工作状态。
2． 测得放大电路中晶体管的直流电位如图 3-2 所示。在圆圈中画出管子，并说明是硅管还是锗管。
（10 分）射极偏置电路如图 4 所示。已知： = 12V， = 2．5kΩ， =7．5kΩ， ＝2kΩ， = 1kΩ， = 2kΩ，三极管 β= 30，取 = 300Ω， =0．7V。求： 1）静态工作点 Q；（2）电压增益
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1．因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
2．电路只要满足
，就一定会产生正弦波振荡。（）
3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（） 5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（）
2．测得放大电路中晶体管的直流电位如图 3-2 所示。在圆圈中画出管子，并说明是硅管还是锗管。 (10 分)固定偏流电路如图 4-1 所示。已知： = 12V， = 280kΩ， =3kΩ， = 3 kΩ，三极
管 β= 50, 取 = 200Ω， = 0．7V。求：（1）静态工作点 Q；（2）求电压增益 ；（3）假如该电路 的输出波形出现如图 4-2 所示的失真，问是属于截止失真还是饱和失真？调整电路中的哪个元件可以消除 这种失真？如何调整？
试求图 8 所示电路输出电压与输入电压的运 算关系式。
7
1．B，D 2．B，D 3．B 4．C 5．A，B 6．A，
（1） ≈0．04mA， ≈ ≈2mA， ≈6V
C 7．A，C 8．B，A 9．D 10．B 11．C 12．A 13．B 14．B
（2） ≈963Ω， ≈1．5 KΩ， ≈-78
1． 2．× 3． 4．× 5．×
（3）饱和失真，调节偏流电阻 ，增大阻值。 （1）
1． 1.解：假设 D 断开，阳极端电位为 ，阴极端 电位为 E，则
（1） < E 时，二极管反向截止， = ；
（2）
（2） > E 时，二极管正向导通， = E； 波形如图，为单向(正 向)限幅电路。
图 6-1 可能，图 6-2 不能。
图 7-1 电流并联负反馈，
A．变厚 B．扩散 C．漂移 D．变薄
4．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。
A．便于设计 B．放大交流信号 C．不易制作大容量电容
5．稳压管的稳压区是其工作在（）。
A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿
6．直流稳压电源中的整流电路利用了二极管的（）特性。
A．正向伏安特性 B．反向伏安特性 C．单向导电性