电子技术基础试题

电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。

导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。

单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。

、4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。

最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。

导体，绝缘体，半导体7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。

单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，电阻会增大。

（）N２、二极管是线性元件。

（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。

（）N４、二极管具有单向导电性。

（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。

（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。

（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。

CA、电子B、空穴C、电子和空穴5、P型半导体是（）BA、纯净半导体B、掺杂半导体C、带正电的四、综合题1、如图，设晶体二极管的正向压降为，当U A 分别为+5V 、-5V 、0V 时，求U B 。

（5分）§1-22、 电路如图所示，判断二极管是导通还是截止，若导通，则求流过二极管的电流第二章;半导体三极管及放大电路一，填空题1、某晶体三极管的U CE 不变，基集电流I B =30uA 时，I C =，则发射极电流I E =__________mA ，如果I B 增大到50uA 时，I C 增加到2 mA ，则发射极电流I E =__________mA ，三极管的电流放大系数B=__________。

、、402、三极管基集电流I B 的微小变化，将会引起集电极电流I C 的较大变化，这说明三极管具有______ ____作用。

电流放大3当三极管的发射结__________，集电结__________是时，工作在放大区；发射结__________集电结__________，工作在饱和区；发射结__________或__________集电结__________时，工作在截止区。

加正向压（正偏）、加反向压（反偏）、加正向压（正偏）、加正向压（正偏）、加反向压（反偏）或零偏、加反向压（反偏）、4三极管的穿透电流I CEQ 随温度的升高而__________,硅三极管的穿透电流比锗三极管的__________。

增大、小5放大电路按三极管连接方式可分为__________，__________和__________；共基极、共射极、共集电极、6放大电路设置静态工作点的目的是__________。

避免失真7利用__________通路可估算放大器的静态工作点;利用__________通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻，输出电阻和电压放大倍数。

直流通路、交流通路8对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻__________些，以减轻信号源的负担，输出电阻__________些，以增大带负载的能力。

10K Ω10V 20V大、小9放大电路产生非线性失真的根本原因是__________。

静态工作点选择不当10影响放大电路静态工作点稳定的因素有__________波动, __________因老化而发生变化和__________变化等，其中__________的影响最大。

电源电压、晶体管、环境温度、温度11多级放大电路常用的级间耦合方式有__________，__________和__________。

阻容耦合、变压器耦合、直接耦合12通常用____________________法判别正反馈还是负反馈。

瞬时极性法13在放大电路中为了稳定静态工作点应该引入__________负反馈。

为了提高电路的输入电阻，应该引入__________负反馈。

为了稳定输出电压，应该引入__________负反馈。

直流、串联、电压14直流负反馈能稳定放大器的_____ ____，交流负反馈能改善放大器的_____ _____。

静态工作点、非线性失真15功率放大器的主要任务是____ ______。

功率放大器按功放管工作点的位置不同可分为__________放大器，__________放大器和__________放大器三类。

输出足够大的功率、甲类、乙类、甲乙类16\放大器按放大信号的频率可分为____________________，____________________和____________________等。

直流放大器、高频放大器、低频放大器二，判断题1、三极管有两个ＰＮ节，因此它具有单向导电性。

（）N2、发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。

（）N3、发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。

（）N4、放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升。

（）N5、在共射集放大电路中，输出电压和输入电压同相。

（）N6、放大器具有能量放大作用（）N7、变压器能把电压升高，所以变压器也是放大器。

（）N8、造成放大器工作点不稳定的主要因数是电源电压波动。

（）N9、放大器静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。

（）N10、负反馈可以使放大倍数提高。

（）N11、负反馈可提高放大器放大倍数的稳定性。

（）Y12、负反馈可以消除放大器非线性失真。

（）N13、负反馈对放大器的输入电阻和输出电阻都有影响。

（）Y14、乙类功率放大器静态时，ＩＣＱ＝０，所以静态功率几乎为零，效率高。

（三、选择题1、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。

AＡ、电流放大Ｂ、电压放大Ｃ、功率放大Ｄ、电压放大和电流放大2、ＮＰＮ型三极管处于放大状态时，各极电压关系是（）AＡ、ＵＣ＞ＵＢ＞ＵＥＢ、ＵＣ＞ＵＥ＞ＵＢＣ、ＵＣ＜ＵＢ＜ＵＥＤ、ＵＣ＜ＵＥ＜ＵＢ3、放大器的静态是指（）AＡ、输入信号为零Ｂ、输出信号为零Ｃ、输入、输出信号均为零Ｄ、输入、输出信号均不为零4、放大器输出信号的能量来源是（）AＡ、电源Ｂ、晶体三极管Ｃ、输入信号Ｄ、均有作用5、放大器的电压放大倍数在（）时增大BＡ、负载增加Ｂ、负载减小Ｃ、负载不变Ｄ、电压升高6、当放大电路设置合适的静态工作点时，如加入交流信号，工作点将（）BＡ、沿直流负载线移动Ｂ、沿交流负载线移动Ｃ、不移动Ｄ、沿坐标上下移动7、已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是（）。

AA、增大电阻R BB、减小电阻R BC、电阻R B不变8、影响放大器工作点稳定的主要因素是（）。

CA、B值B、穿透电流C、温度D、频率9、当温度升高时，会造成放大器的（）。

AA、Q点上移，容易引起饱和失真B、Q点下移，容易引起饱和失真C、Q点上移，容易引起截止失真D、Q点下移，容易引起截止失真10、某多级放大器电路由三级基本放大器组成，以知每级电压放大倍数为A U，则总的电压放大倍数为( ).BA、3A UB、A U3C、A U11、欲使放大器净输入信号消弱，应采取的反馈类型是（）。

DA、串连反馈B、并联反馈C、正反馈D、负反馈12、放大电路采用负反馈后，下列说法不正确的是（）AA、放大能力提高B、放大能力降低C、通频带变宽D、非线性失真小13、射极输出器是典型的（）放大器。

AA、电压串联负反馈B、电流串联负反馈C、电压并联负反馈D、电流并联负反馈14、给乙类功率放大器电路设置适当的静态工作点，其目的是（）。

CA、消除饱和失真B、减小放大倍数C、消除交越失真四、综合题1、测得工作在放大状态的某三极管，其电流如图，在图中标出各管的管脚极性，并说明三极管的管型。

2、测得某放大电路中三极管各管脚间电压如图，问1、2和3各脚分别是什么电极该管是硅管还是锗管是NPN型还是PNP型3、如图示电路，U CC=15V ，R B=300K，R C=3K，R L=6K，晶体管B=50，求（1）、静态工作点。

1 2 3C 2 U CC R L R R B 1 C 1 （2）、放大电路的输入、输出电阻。

（3）、空载和有载时的电压放大倍数。

4、如图示电路，R B1=60K ，R B2=20K ，R C =3K ，R E =2K ，R L =6K ，U CC =16V ，晶体管B=50，求（1）、静态工作点。

（2）、放大电路的输入、输出电阻。

（3）、空载和有载时的电压放大倍数。

5、分析图中R F1和R F2引入的反馈类型。

第三章；集成运算放大器及其应用一填空题1产生零点漂移的原因有（ ），（ ）和（ ）等。

温度变化、电源电压波动、元件参数变化2衡量差动放大电路性能优劣的主要指标是（ ）。

共模拟制比3集成运算放大器一般由（ ）、（ ）、（ ）和（ ）几部分组成。

输入级、中间级、输出级、偏置电路4利用（ ）和（ ）概念分析工作在线性区的集成运放电路，可大大简化分析和计算过程。

虚短、虚断5理想集成运放电路工作在非线性区，当ｕＰ＞ｕＮ时，ｕｏ＝（ ），当ｕＰ＜ｕＮ时，ｕｏ＝（ ），；而两个输入V C ER E R C R B R B U CR L端的电流ｉＰ＝ｉＮ＝（）+U om、-U om、06单门限电压比较器中的集成运放工作在（）状态，属于（）应用。

开环、非线性应用、7双门限电压比较器是在单门限电压比较器中引入了（），在两种输出状态下有各自的（），从而提高了电路抗干扰的能力。

正反馈、门限电压二，判断题１、直接耦合放大器级数越多，零点漂移越小。

（）N２、共模拟制比越小，差动放大电路的性能越好。

（）N３、集成运算放大器是具有高放大倍数的直接耦合放大电路。

（）Y４、集成运算放大器的偏置电流越大越好。

（）N５、“虚短”概念在集成运算放大器的非线性应用中依然成立。