PECVD射频电源阻抗匹配

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射频电源中的阻抗匹配研究

射频电源中的阻抗匹配研究

计算方法 :任何射频电源都有谐振回路 , 即选频网络
或低通回路 。由于此回路对基频 ( 工作频率) 谐振 ,
所以电源的输出主要有基波组成 , 输出功率也主要
体现在基频上 。由于回路对基波谐振 , 所以电路呈
纯电阻 R p ,那么回路可吸取的基频功率为[4 ]
P0
=
1 2
V
cm
I cm
=
V
2 cm
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其通解为
U = aeγz + be - γz
I = 1 ( aeγz + be -γz )
2 Rp
(8)
所需要的回路阻抗值为
R p
= V cm I cm
= V cc - υcmin
I cm
=
V
2 cm
2 RP0
(9)
图 2 输出匹配电路
但任何晶体管的输出都是复阻抗 , 另外 , 1/ 4 波 长线只能匹配晶体管复数导纳的电导分量 。所以我 们必须把晶体管复数导纳中的电纳部分调掉 。为 此 ,须在输出回路中并联电感 L , 如图二所示 , 并联 电感 L 的值可以根据晶体管的参数算出 , 也可以根 据实验结果测出 。此时 , 传输线的输入阻抗就是纯 电阻 Rp , Rp = 1/ G out 。为方便起见 , 我们假设负载 为纯阻抗 ,即 ZL = RL ,根据 (7) 式很容易算出传输线
讨 论 根据呼吸生理的特点 ,气流进入鼻腔后首先冲 击的是中鼻甲和中鼻道的前端 ,该处易受尘埃 ,污染 颗粒 ,变应原或病原体的刺激使鼻道复合体易致息 肉样变性 ,临床上对鼻息肉的治疗 ,目前采用鼻内镜 手术或激光 治疗 。我们 对 68 例鼻 息肉 患者 采用 HO : YA G 激光治疗鼻息肉的体会如下 : 1. HO : YA G 激光的波长为 2. 1μm 。接近水的 吸收峰 ,能很好地被生物组织吸收 ,热弛豫时间为 310ms ,采用脉冲式输出且脉宽度短于热弛豫时间 , HO : YA G 激光对照射组织的热凝固损伤较小 ,同时 HO : YA G 激光可以极容易地由低氢氧根的石英光 导纤维传输 ,不易产生光纤端面污染 。HO : YA G 激 光穿透组织深度约 0. 5mm ,水分吸收好 。有精细的 雕刻作用 ,对周围组织损伤轻微 ,术后组织反应小 , 术时出血少或无出血 。我们对 68 例多发性 ,大的鼻

PECVD射频电源阻抗匹配

PECVD射频电源阻抗匹配

阻抗匹配地作用终端电阻是为了消除在通信电缆中地信号反射在通信过程中,有两种信号因导致信号反射:阻抗不连续和阻抗不匹配.阻抗不连续,信号在传输线末端突然遇到电缆阻抗很小甚至没有,信号在这个地方就会引起反射.这种信号反射地原理,与光从一种媒质进入另一种媒质要引起反射是相似地.消除这种反射地方法,就必须在电缆地末端跨接一个与电缆地特性阻抗同样大小地终端电阻,使电缆地阻抗连续.由于信号在电缆上地传输是双向地,因此,在通讯电缆地另一端可跨接一个同样大小地终端电阻.引起信号反射地另个原因是数据收发器与传输电缆之间地阻抗不匹配.这种原因引起地反射,主要表现在通讯线路处在空闲方式时,整个网络数据混乱.要减弱反射信号对通讯线路地影响,通常采用噪声抑制和加偏置电阻地方法.在实际应用中,对于比较小地反射信号,为简单方便,经常采用加偏置电阻地方法.阻抗匹配<Impedance matching)是微波电子学里地一部分,主要用于传输线上,来达至所有高频地微波信号皆能传至负载点地目地,不会有信号反射回来源点,从而提升能源效益.大体上,阻抗匹配有两种,一种是透过改变阻抗力<lumped-circuit matching),另一种则是调整传输线地波长<transmission line matching).要匹配一组线路,首先把负载点地阻抗值,除以传输线地特性阻抗值来归一化,然后把数值划在史密夫图表上.改变阻抗力把电容或电感与负载串联起来,即可增加或减少负载地阻抗值,在图表上地点会沿著代表实数电阻地圆圈走动.如果把电容或电感接地,首先图表上地点会以图中心旋转180度,然后才沿电阻圈走动,再沿中心旋转180度.重覆以上方法直至电阻值变成1,即可直接把阻抗力变为零完成匹配.调整传输线由负载点至来源点加长传输线,在图表上地圆点会沿著图中心以逆时针方向走动,直至走到电阻值为1地圆圈上,即可加电容或电感把阻抗力调整为零,完成匹配阻抗匹配则传输功率大,对于一个电源来讲,单它地内阻等于负载时,输出功率最大,此时阻抗匹配.最大功率传输定理,如果是高频地话,就是无反射波.对于普通地宽频放大器,输出阻抗50Ω,功率传输电路中需要考虑阻抗匹配,可是如果信号波长远远大于电缆长度,即缆长可以忽略地话,就无须考虑阻抗匹配了.阻抗匹配是指在能量传输时,要求负载阻抗要和传输线地特征阻抗相等,此时地传输不会产生反射,这表明所有能量都被负载吸收了.反之则在传输中有能量损失.高速PCB布线时,为了防止信号地反射,要求是线路地阻抗为50欧姆.这是个大约地数字,一般规定同轴电缆基带50欧姆,频带75欧姆,对绞线则为100欧姆,只是取个整而已,为了匹配方便.阻抗从字面上看就与电阻不一样,其中只有一个阻字是相同地,而另一个抗字呢?简单地说,阻抗就是电阻加电抗,所以才叫阻抗;周延一点地说,阻抗就是电阻、电容抗及电感抗在向量上地和.在直流电地世界中,物体对电流阻碍地作用叫做电阻,世界上所有地物质都有电阻,只是电阻值地大小差异而已.电阻小地物质称作良导体,电阻很大地物质称作非导体,而最近在高科技领域中称地超导体,则是一种电阻值几近于零地东西.但是在交流电地领域中则除了电阻会阻碍电流以外,电容及电感也会阻碍电流地流动,这种作用就称之为电抗,意即抵抗电流地作用.电容及电感地电抗分别称作电容抗及电感抗,简称容抗及感抗.它们地计量单位与电阻一样是奥姆,而其值地大小则和交流电地频率有关系,频率愈高则容抗愈小感抗愈大,频率愈低则容抗愈大而感抗愈小.此外电容抗和电感抗还有相位角度地问题,具有向量上地关系式,因此才会说:阻抗是电阻与电抗在向量上地和.阻抗匹配是指负载阻抗与激励源内部阻抗互相适配,得到最大功率输出地一种工作状态.对于不同特性地电路,匹配条件是不一样地.在纯电阻电路中,当负载电阻等于激励源内阻时,则输出功率为最大,这种工作状态称为匹配,否则称为失配.当激励源内阻抗和负载阻抗含有电抗成份时,为使负载得到最大功率,负载阻抗与内阻必须满足共扼关系,即电阻成份相等,电抗成份只数值相等而符号相反.这种匹配条件称为共扼匹配.一、阻抗匹配地研究在高速地设计中,阻抗地匹配与否关系到信号地质量优劣.阻抗匹配地技术可以说是丰富多样,但是在具体地系统中怎样才能比较合理地应用,需要衡量多个方面地因素.例如我们在系统中设计中,很多采用地都是源段地串连匹配.对于什么情况下需要匹配,采用什么方式地匹配,为什么采用这种方式.例如:差分地匹配多数采用终端地匹配;时钟采用源段匹配;1、串联终端匹配串联终端匹配地理论出发点是在信号源端阻抗低于传输线特征阻抗地条件下,在信号地源端和传输线之间串接一个电阻R,使源端地输出阻抗与传输线地特征阻抗相匹配,抑制从负载端反射回来地信号发生再次反射.串联终端匹配后地信号传输具有以下特点:A、由于串联匹配电阻地作用,驱动信号传播时以其幅度地50%向负载端传播;B、信号在负载端地反射系数接近+1,因此反射信号地幅度接近原始信号幅度地50%.C、反射信号与源端传播地信号叠加,使负载端接受到地信号与原始信号地幅度近似相同;D、负载端反射信号向源端传播,到达源端后被匹配电阻吸收;?E、反射信号到达源端后,源端驱动电流降为0,直到下一次信号传输.相对并联匹配来说,串联匹配不要求信号驱动器具有很大地电流驱动能力.选择串联终端匹配电阻值地原则很简单,就是要求匹配电阻值与驱动器地输出阻抗之和与传输线地特征阻抗相等.理想地信号驱动器地输出阻抗为零,实际地驱动器总是有比较小地输出阻抗,而且在信号地电平发生变化时,输出阻抗可能不同.比如电源电压为+4.5V地CMOS驱动器,在低电平时典型地输出阻抗为37Ω,在高电平时典型地输出阻抗为45Ω[4];TTL驱动器和CMOS驱动一样,其输出阻抗会随信号地电平大小变化而变化.因此,对TTL或CMOS电路来说,不可能有十分正确地匹配电阻,只能折中考虑.链状拓扑结构地信号网路不适合使用串联终端匹配,所有地负载必须接到传输线地末端.否则,接到传输线中间地负载接受到地波形就会象图3.2.5中C点地电压波形一样.可以看出,有一段时间负载端信号幅度为原始信号幅度地一半.显然这时候信号处在不定逻辑状态,信号地噪声容限很低.串联匹配是最常用地终端匹配方法.它地优点是功耗小,不会给驱动器带来额外地直流负载,也不会在信号和地之间引入额外地阻抗;而且只需要一个电阻元件.2、并联终端匹配并联终端匹配地理论出发点是在信号源端阻抗很小地情况下,通过增加并联电阻使负载端输入阻抗与传输线地特征阻抗相匹配,达到消除负载端反射地目地.实现形式分为单电阻和双电阻两种形式.并联终端匹配后地信号传输具有以下特点:A 、驱动信号近似以满幅度沿传输线传播;B 、所有地反射都被匹配电阻吸收;C 、负载端接受到地信号幅度与源端发送地信号幅度近似相同.在实际地电路系统中,芯片地输入阻抗很高,因此对单电阻形式来说,负载端地并联电阻值必须与传输线地特征阻抗相近或相等.假定传输线地特征阻抗为50Ω,则R值为50Ω.如果信号地高电平为5V,则信号地静态电流将达到100mA.由于典型地TTL或CMOS电路地驱动能力很小,这种单电阻地并联匹配方式很少出现在这些电路中.双电阻形式地并联匹配,也被称作戴维南终端匹配,要求地电流驱动能力比单电阻形式小.这是因为两电阻地并联值与传输线地特征阻抗相匹配,每个电阻都比传输线地特征阻抗大.考虑到芯片地驱动能力,两个电阻值地选择必须遵循三个原则:⑴.两电阻地并联值与传输线地特征阻抗相等;⑵.与电源连接地电阻值不能太小,以免信号为低电平时驱动电流过大;⑶.与地连接地电阻值不能太小,以免信号为高电平时驱动电流过大.并联终端匹配优点是简单易行;显而易见地缺点是会带来直流功耗:单电阻方式地直流功耗与信号地占空比紧密相关?;双电阻方式则无论信号是高电平还是低电平都有直流功耗.因而不适用于电池供电系统等对功耗要求高地系统.另外,单电阻方式由于驱动能力问题在一般地TTL、CMOS系统中没有应用,而双电阻方式需要两个元件,这就对PCB地板面积提出了要求,因此不适合用于高密度印刷电路板.当然还有:AC终端匹配;基于二极管地电压钳位等匹配方式.二、将讯号地传输看成软管送水浇花2.1、数位系统之多层板讯号线<Signal Line)中,当出现方波讯号地传输时,可将之假想成为软管<hose)送水浇花.一端于手握处加压使其射出水柱,另一端接在水龙头.当握管处所施压地力道恰好,而让水柱地射程正确洒落在目标区时,则施与受两者皆欢而顺利完成使命,岂非一种得心应手地小小成就?2.2、然而一旦用力过度水注射程太远,不但腾空越过目标浪费水资源,甚至还可能因强力水压无处宣泄,以致往来源反弹造成软管自龙头上地挣脱!不仅任务失败横生挫折,而且还大捅纰漏满脸豆花呢!2.3、反之,当握处之挤压不足以致射程太近者,则照样得不到想要地结果.过犹不及皆非所欲,唯有恰到好处才能正中下怀皆大欢喜.2.4、上述简单地生活细节,正可用以说明方波<Square Wave)讯号<Signal)在多层板传输线<Transmission Line,系由讯号线、介质层、及接地层三者所共同组成)中所进行地快速传送.此时可将传输线<常见者有同轴电缆Coaxial Cable,与微带线Microstrip Line或带线Strip Line等)看成软管,而握管处所施加地压力,就好比板面上“接受端”<Receiver)元件所并联到Gnd地电阻器一般,可用以调节其终点地特性阻抗<Characteristic Impedance),使匹配接受端元件内部地需求.三、传输线之终端控管技术<Termination)3.1、由上可知当“讯号”在传输线中飞驰旅行而到达终点,欲进入接受元件<如CPU或Meomery等大小不同地IC)中工作时,则该讯号线本身所具备地“特性阻抗”,必须要与终端元件内部地电子阻抗相互匹配才行,如此才不致任务失败白忙一场.用术语说就是正确执行指令,减少杂讯干扰,避免错误动作”.一旦彼此未能匹配时,则必将会有少许能量回头朝向“发送端”反弹,进而形成反射杂讯<Noise)地烦恼.3.2、当传输线本身地特性阻抗<Z0)被设计者订定为28ohm时,则终端控管地接地地电阻器<Zt)也必须是28ohm,如此才能协助传输线对Z0地保持,使整体得以稳定在28 ohm地设计数值.也唯有在此种Z0=Zt地匹配情形下,讯号地传输才会最具效率,其“讯号完整性”<Signal Integrity,为讯号品质之专用术语)也才最好.四、特性阻抗<Characteristic Impedance) 4.1、当某讯号方波,在传输线组合体地讯号线中,以高准位<High Level)地正压讯号向前推进时,则距其最近地参考层<如接地层)中,理论上必有被该电场所感应出来地负压讯号伴随前行<等于正压讯号反向地回归路径Return Path),如此将可完成整体性地回路<Loop)系统.该“讯号”前行中若将其飞行时间暂短加以冻结,即可想象其所遭受到来自讯号线、介质层与参考层等所共同呈现地瞬间阻抗值<Instantanious Impedance),此即所谓地“特性阻抗”.是故该“特性阻抗”应与讯号线之线宽<w)、线厚<t)、介质厚度<h)与介质常数<Dk)都扯上了关系.4.2 、阻抗匹配不良地后果由于高频讯号地“特性阻抗”<Z0)原词甚长,故一般均简称之为“阻抗”.读者千万要小心,此与低频AC交流电<60Hz)其电线<并非传输线)中,所出现地阻抗值<Z)并不完全相同.数位系统当整条传输线地Z0都能管理妥善,而控制在某一范围内<±10﹪或±5﹪)者,此品质良好地传输线,将可使得杂讯减少,而误动作也可避免. 但当上述微带线中Z0地四种变数<w、t、h、 r)有任一项发生异常,例如讯号线出现缺口时,将使得原来地Z0突然上升<见上述公式中之Z0与W成反比地事实),而无法继续维持应有地稳定均匀<Continuous)时,则其讯号地能量必然会发生部分前进,而部分却反弹反射地缺失.如此将无法避免杂讯及误动作了.例如浇花地软管突然被踩住,造成软管两端都出现异常,正好可说明上述特性阻抗匹配不良地问题.4.3、阻抗匹配不良造成杂讯上述部分讯号能量地反弹,将造成原来良好品质地方波讯号,立即出现异常地变形<即发生高准位向上地Overshoot,与低准位向下地Undershoot,以及二者后续地Ringing).此等高频杂讯严重时还会引发误动作,而且当时脉速度愈快时杂讯愈多也愈容易出错.。

PECVD射频电源阻抗匹配

PECVD射频电源阻抗匹配

阻抗匹配地作用终端电阻是为了消除在通信电缆中地信号反射在通信过程中, 有两种信号因导致信号反射:阻抗不连续和阻抗不匹配.阻抗不连续, 信号在传输线末端突然遇到电缆阻抗很小甚至没有, 信号在这个地方就会引起反射. 这种信号反射地原理, 与光从一种媒质进入另一种媒质要引起反射是相似地. 消除这种反射地方法, 就必须在电缆地末端跨接一个与电缆地特性阻抗同样大小地终端电阻, 使电缆地阻抗连续. 由于信号在电缆上地传输是双向地, 因此, 在通讯电缆地另一端可跨接一个同样大小地终端电阻.引起信号反射地另个原因是数据收发器与传输电缆之间地阻抗不匹配. 这种原因引起地反射, 主要表现在通讯线路处在空闲方式时, 整个网络数据混乱.要减弱反射信号对通讯线路地影响, 通常采用噪声抑制和加偏置电阻地方法.在实际应用中,对于比较小地反射信号,为简单方便,经常采用加偏置电阻地方法.阻抗匹配<Impedance matching )是微波电子学里地一部分, 主要用于传输线上, 来达至所有高频地微波信号皆能传至负载点地目地, 不会有信号反射回来源点, 从而提升能源效益.大体上, 阻抗匹配有两种, 一种是透过改变阻抗力<lumped-circuit matching ) , 另一种则是调整传输线地波长<transmission line matching ) .要匹配一组线路,首先把负载点地阻抗值, 除以传输线地特性阻抗值来归一化, 然后把数值划在史密夫图表上.改变阻抗力把电容或电感与负载串联起来, 即可增加或减少负载地阻抗值, 在图表上地点会沿著代表实数电阻地圆圈走动. 如果把电容或电感接地, 首先图表上地点会以图中心旋转180度,然后才沿电阻圈走动, 再沿中心旋转180度.重覆以上方法直至电阻值变成1, 即可直接把阻抗力变为零完成匹配.调整传输线由负载点至来源点加长传输线, 在图表上地圆点会沿著图中心以逆时针方向走动,直至走到电阻值为1地圆圈上,即可加电容或电感把阻抗力调整为零, 完成匹配阻抗匹配则传输功率大, 对于一个电源来讲, 单它地内阻等于负载时,输出功率最大, 此时阻抗匹配.最大功率传输定理,如果是高频地话, 就是无反射波•对于普通地宽频放大器,输出阻抗50Q ,功率传输电路中需要考虑阻抗匹配, 可是如果信号波长远远大于电缆长度, 即缆长可以忽略地话, 就无须考虑阻抗匹配了. 阻抗匹配是指在能量传输时, 要求负载阻抗要和传输线地特征阻抗相等, 此时地传输不会产生反射, 这表明所有能量都被负载吸收了•反之则在传输中有能量损失•高速PCB布线时, 为了防止信号地反射, 要求是线路地阻抗为50 欧姆. 这是个大约地数字, 一般规定同轴电缆基带50 欧姆, 频带75 欧姆, 对绞线则为100 欧姆, 只是取个整而已, 为了匹配方便.阻抗从字面上看就与电阻不一样, 其中只有一个阻字是相同地, 而另一个抗字呢?简单地说, 阻抗就是电阻加电抗, 所以才叫阻抗;周延一点地说, 阻抗就是电阻、电容抗及电感抗在向量上地和. 在直流电地世界中, 物体对电流阻碍地作用叫做电阻, 世界上所有地物质都有电阻只是电阻值地大小差异而已. 电阻小地物质称作良导体, 电阻很大地物质称作非导体, 而最近在高科技领域中称地超导体, 则是一种电阻值几近于零地东西. 但是在交流电地领域中则除了电阻会阻碍电流以外, 电容及电感也会阻碍电流地流动, 这种作用就称之为电抗, 意即抵抗电流地作用. 电容及电感地电抗分别称作电容抗及电感抗, 简称容抗及感抗它们地计量单位与电阻一样是奥姆, 而其值地大小则和交流电地频率有关系, 频率愈高则容抗愈小感抗愈大, 频率愈低则容抗愈大而感抗愈小此外电容抗和电感抗还有相位角度地问题, 具有向量上地关系式, 因此才会说:阻抗是电阻与电抗在向量上地和.阻抗匹配是指负载阻抗与激励源内部阻抗互相适配, 得到最大功率输出地一种工作状态. 对于不同特性地电路, 匹配条件是不一样地.在纯电阻电路中, 当负载电阻等于激励源内阻时, 则输出功率为最大, 这种工作状态称为匹配, 否则称为失配.当激励源内阻抗和负载阻抗含有电抗成份时, 为使负载得到最大功率, 负载阻抗与内阻必须满足共扼关系, 即电阻成份相等, 电抗成份只数值相等而符号相反. 这种匹配条件称为共扼匹配.一、阻抗匹配地研究在高速地设计中, 阻抗地匹配与否关系到信号地质量优劣. 阻抗匹配地技术可以说是丰富多样, 但是在具体地系统中怎样才能比较合理地应用, 需要衡量多个方面地因素. 例如我们在系统中设计中, 很多采用地都是源段地串连匹配. 对于什么情况下需要匹配, 采用什么方式地匹配, 为什么采用这种方式.例如:差分地匹配多数采用终端地匹配;时钟采用源段匹配;1、串联终端匹配串联终端匹配地理论出发点是在信号源端阻抗低于传输线特征阻抗地条件下,在信号地源端和传输线之间串接一个电阻R,使源端地输出阻抗与传输线地特征阻抗相匹配, 抑制从负载端反射回来地信号发生再次反射.串联终端匹配后地信号传输具有以下特点:A、由于串联匹配电阻地作用,驱动信号传播时以其幅度地50%向负载端传播;B、信号在负载端地反射系数接近+ 1,因此反射信号地幅度接近原始信号幅度地50% .C、反射信号与源端传播地信号叠加,使负载端接受到地信号与原始信号地幅度近似相同;D负载端反射信号向源端传播,到达源端后被匹配电阻吸收;?E、反射信号到达源端后,源端驱动电流降为0,直到下一次信号传输.相对并联匹配来说, 串联匹配不要求信号驱动器具有很大地电流驱动能力.选择串联终端匹配电阻值地原则很简单, 就是要求匹配电阻值与驱动器地输出阻抗之和与传输线地特征阻抗相等. 理想地信号驱动器地输出阻抗为零, 实际地驱动器总是有比较小地输出阻抗, 而且在信号地电平发生变化时,输出阻抗可能不同•比如电源电压为+ 4.5V地CMOS区动器,在低电平时典型地输出阻抗为37 Q ,在高电平时典型地输出阻抗为45 Q [4] ; TTL驱动器和CMO驱动一样,其输出阻抗会随信号地电平大小变化而变化.因此,对TTL或CMO电路来说,不可能有十分正确地匹配电阻, 只能折中考虑.链状拓扑结构地信号网路不适合使用串联终端匹配, 所有地负载必须接到传输线地末端. 否则, 接到传输线中间地负载接受到地波形就会象图3.2.5中C点地电压波形一样.可以看出,有一段时间负载端信号幅度为原始信号幅度地一半. 显然这时候信号处在不定逻辑状态, 信号地噪声容限很低.串联匹配是最常用地终端匹配方法. 它地优点是功耗小, 不会给驱动器带来额外地直流负载, 也不会在信号和地之间引入额外地阻抗;而且只需要一个电阻元件.2、并联终端匹配并联终端匹配地理论出发点是在信号源端阻抗很小地情况下, 通过增加并联电阻使负载端输入阻抗与传输线地特征阻抗相匹配, 达到消除负载端反射地目地. 实现形式分为单电阻和双电阻两种形式并联终端匹配后地信号传输具有以下特点:A 、驱动信号近似以满幅度沿传输线传播;B 、所有地反射都被匹配电阻吸收;C 、负载端接受到地信号幅度与源端发送地信号幅度近似相同. 在实际地电路系统中, 芯片地输入阻抗很高, 因此对单电阻形式来说,负载端地并联电阻值必须与传输线地特征阻抗相近或相等. 假定传输线地特征阻抗为50 Q ,则R值为50 Q .如果信号地高电平为5V,则信号地静态电流将达到100mA.由于典型地TTL或CMO电路地驱动能力很小, 这种单电阻地并联匹配方式很少出现在这些电路中.双电阻形式地并联匹配, 也被称作戴维南终端匹配, 要求地电流驱动能力比单电阻形式小. 这是因为两电阻地并联值与传输线地特征阻抗相匹配, 每个电阻都比传输线地特征阻抗大. 考虑到芯片地驱动能力, 两个电阻值地选择必须遵循三个原则:⑴.两电阻地并联值与传输线地特征阻抗相等;⑵.与电源连接地电阻值不能太小, 以免信号为低电平时驱动电流过大;⑶.与地连接地电阻值不能太小, 以免信号为高电平时驱动电流过大.并联终端匹配优点是简单易行;显而易见地缺点是会带来直流功耗:单电阻方式地直流功耗与信号地占空比紧密相关?;双电阻方式则无论信号是高电平还是低电平都有直流功耗. 因而不适用于电池供电系统等对功耗要求高地系统. 另外, 单电阻方式由于驱动能力问题在一般地TTL、CMO 系统中没有应用,而双电阻方式需要两个元件,这就对PCB地板面积提出了要求,因此不适合用于高密度印刷电路板.当然还有:AC终端匹配;基于二极管地电压钳位等匹配方式.二、将讯号地传输看成软管送水浇花2.1 、数位系统之多层板讯号线<Signal Line )中,当出现方波讯号地传输时,可将之假想成为软管vhose)送水浇花.一端于手握处加压使其射出水柱,另一端接在水龙头. 当握管处所施压地力道恰好, 而让水柱地射程正确洒落在目标区时, 则施与受两者皆欢而顺利完成使命, 岂非一种得心应手地小小成就?2.2、然而一旦用力过度水注射程太远, 不但腾空越过目标浪费水资源, 甚至还可能因强力水压无处宣泄, 以致往来源反弹造成软管自龙头上地挣脱! 不仅任务失败横生挫折, 而且还大捅纰漏满脸豆花呢!2.3、反之, 当握处之挤压不足以致射程太近者,则照样得不到想要地结果.过犹不及皆非所欲, 唯有恰到好处才能正中下怀皆大欢喜.2.4、上述简单地生活细节,正可用以说明方波vSquare Wave)讯号<Signal )在多层板传输线<Transmission Line, 系由讯号线、介质层、及接地层三者所共同组成)中所进行地快速传送. 此时可将传输线<常见者有同轴电缆Coaxial Cable, 与微带线Microstrip Line 或带线Strip Line 等)看成软管, 而握管处所施加地压力, 就好比板面上“接受端” vReceiver)元件所并联到Gnd地电阻器一般,可用以调节其终点地特性阻抗<Characteristic Impedance ), 使匹配接受端元件内部地需求.三、传输线之终端控管技术vTermination )3.1 、由上可知当“讯号”在传输线中飞驰旅行而到达终点,欲进入接受元件<如CPU或Meomery等大小不同地IC)中工作时,则该讯号线本身所具备地“特性阻抗” , 必须要与终端元件内部地电子阻抗相互匹配才行, 如此才不致任务失败白忙一场. 用术语说就是正确执行指令, 减少杂讯干扰, 避免错误动作” . 一旦彼此未能匹配时, 则必将会有少许能量回头朝向“发送端”反弹,进而形成反射杂讯<Noise)地烦恼.3.2、当传输线本身地特性阻抗<Z0)被设计者订定为28ohm时,则终端控管地接地地电阻器<Zt )也必须是28ohm,如此才能协助传输线对Z0地保持,使整体得以稳定在28 ohm地设计数值.也唯有在此种Z0=Zt 地匹配情形下, 讯号地传输才会最具效率, 其“讯号完整性” vSignal Integrity , 为讯号品质之专用术语)也才最好.四、特性阻抗vCharacteristic Impedance ) 4.1 、当某讯号方波, 在传输线组合体地讯号线中, 以高准位vHigh Level )地正压讯号向前推进时,则距其最近地参考层<如接地层)中,理论上必有被该电场所感应出来地负压讯号伴随前行<等于正压讯号反向地回归路径Retur n Path),如此将可完成整体性地回路<Loop)系统.该“讯号”前行中若将其飞行时间暂短加以冻结, 即可想象其所遭受到来自讯号线、介质层与参考层等所共同呈现地瞬间阻抗值vInstantanious Impedance ), 此即所谓地“特性阻抗” . 是故该“特性阻抗”应与讯号线之线宽vw)、线厚<t)、介质厚度<h)与介质常数<Dk都扯上了关系.4.2、阻抗匹配不良地后果由于高频讯号地“特性阻抗” <Z0)原词甚长,故一般均简称之为“阻抗”.读者千万要小心,此与低频AC交流电<60Hz)其电线<并非传输线)中,所出现地阻抗值<Z)并不完全相同. 数位系统当整条传输线地Z0 都能管理妥善, 而控制在某一范围内<± 10%或土5%)者,此品质良好地传输线,将可使得杂讯减少,而误动作也可避免. 但当上述微带线中Z0 地四种变数<w、t 、h、r )有任一项发生异常, 例如讯号线出现缺口时, 将使得原来地Z0 突然上升<见上述公式中之Z0与W成反比地事实),而无法继续维持应有地稳定均匀<Continuous )时, 则其讯号地能量必然会发生部分前进, 而部分却反弹反射地缺失. 如此将无法避免杂讯及误动作了. 例如浇花地软管突然被踩住, 造成软管两端都出现异常, 正好可说明上述特性阻抗匹配不良地问题.4.3、阻抗匹配不良造成杂讯上述部分讯号能量地反弹, 将造成原来良好品质地方波讯号, 立即出现异常地变形<即发生高准位向上地Overshoot, 与低准位向下地Undershoot, 以及二者后续地Ringing ). 此等高频杂讯严重时还会引发误动作, 而且当时脉速度愈快时杂讯愈多也愈容易出错.。

国产集成电路生产设备 JPECVD(单片式)HPVD(溅射)(1)

国产集成电路生产设备 JPECVD(单片式)HPVD(溅射)(1)

国产集成电路生产设备JPECVD(单片式)HPVD(溅射)单机试运转及验收范例JPECVD(单片式):试运转前应检查下列项目,并应在符合要求后进行单机试运转;1环境洁净度等级应为5级,环境温度应为22"C±0.5°C,相对湿度应为45%±5%;2三相交流电源:AC380V÷10⅜,频率50±1Hz°AC208V±10⅜,频率50±1Hz;3设备机壳应有良好的接地,接地电阻W1Q;4系统控制柜、传送系统、工艺腔室系统、气路系统、射频系统、真空系统、水冷系统等均可正常运行;5二次配管系统的连接、标识、压力、阀门状态等检查正常;4驱动氮气压力:0.5~0.7MPa;6真空本底压力:8E-8Torr;7工艺冷却水压力应为0.5MPa;8射频电源频率13.56MHz,负载匹配良好;9所有安全互锁功能正常开启;10正常上电开机后无故障报警。

验收项目应符合下列要求:1整机系统上电后,系统界面显示各模块在线,系统及各模块运行正常;2传输模块和工艺模块工作正常,无异常报警;3EMO功能正常,且安全互锁工作正常;4系统传片测试,连续传片500片无报警,晶圆表面无划伤;5整机系统控制正常,安全防护功能正常。

HPVD(溅射)试运转前应检查下列项目,并应在符合要求后进行单机试运转:1环境洁净度等级应为5级,环境温度应为22"C±0.5°C,相对湿度应为45%±5%;2三相交流电源:AC380V÷10⅜,频率50±1Hz0AC208V+10⅜,频率50±1Hz;3设备机壳应有良好的接地,接地电阻W1Q;4系统控制柜、硅片传送系统、工艺腔室系统、气路系统、抽真空系统、水冷系统、排气系统等均可正常运行;5二次配管系统的连接、标识、压力、阀门状态等检查正常;6压缩空气压力:0.5~0.7MPa;7真空本底压力:8E-8Torr;8工艺冷却水压力:0.22~0∙25MPa;9氮气压力:静态压力应为2∙3~2.35MPa,动态压力应为2.9~3.2MPa;10安装间内不得有腐蚀性气体、电磁辐射,振动频率大于等于IoHZ时,安装机器周围的振动幅度应小于3□m,振动频率小于IOHZ时,安装机器周围的振动幅度应小于1.5μm;11所有安全互锁功能正常开启;11正常上电开机后无故障报警。

PECVD RF系统原理和故障改善

PECVD RF系统原理和故障改善

55中国设备工程Engineer ing hina C P l ant中国设备工程 2019.05 (上)随着显示技术的快速发展,PECVD 技术(等离子增强化学气相淀积)作为非金属薄膜沉积工艺,应用越来越广泛,它利用低压下气体辉光放电过程来激活分子,从而降低了化学气相淀积的温度。

在当前各种等离子放电装置中,射频电源通常采用固定频率为13~14MHz 、输出阻抗恒定50~75Ω的功率源。

通常PECVD 反应室的负载阻抗与功率源的阻抗相等的几率是极小的,并且负载的阻抗随着工艺条件如气体,压力等改变发生非线性变化,射频功率源与负载间的阻抗存在不同程度的失配现象,导致射频传输线上存在反射功率,射频功率源产生的功率无法有效传输至负载,能量被耗散。

如图1所示,需将匹配器连接于射频电源与反应室之间,通过改变匹配器阻抗值大小,使匹配器能够补偿射频电源输出阻抗与真空反应室负载阻抗之间的差值,达到阻抗完全匹配的目的,从而使射频电源的输出功率能够有效地传输到反应室中进行等离子体激发。

图1 射频阻抗匹配系统示意图1 PECVD RF 系统1.1 PECVD RF 系统构成PECVD G8.5设备 RF 系统构成如图2,包括RF Generator ,RF match ,反应腔室。

RF Generator:射频发生器,频率13~14MHz 可变。

PECVD RF 系统原理和故障改善周立,杨晓东,金哲山,董杰,周东淇,张猛,胡毓龙,李应胜(北京京东方显示技术有限公司,北京 100176)摘要:本文介绍了PECVD G8.5设备RF 系统的结构和工作原理。

结合PECVD 设备在实际生产过程中反射功率过高的问题,通过RF Generator 设置,RF match 电容配比实验,设备故障以及备件管理的分析,制定了相应的解决对策,从而实现RF 系统阻抗匹配,降低RF 系统故障发生率。

关键词:PECVD;阻抗匹配;反射功率;射频发生器;匹配器中图分类号:O484 文献标识码:A 文章编号:1671-0711(2019)05(上)-0055-02RF Match:射频匹配器,由Load 电容和Tune 电容并联构成,Load 电容实现负载电阻匹配,Tune 电容实现负载相位匹配,与反应室串联。

阻抗匹配RF系统

阻抗匹配RF系统

中央处理单元&电机控制器: 把反射系数检查器发出的信号处理并把处理结果反馈给电机控制器, 控制电机正反转。
匹配网络: 有多种方式,有可变电感接触式,有旋转叶片式等等
旋转叶片式: 2个电容,中间一块绝缘片,通过
电机控制中间的绝缘片来改变电容件 的相对面积来改变电容的。
电容旋转电机的结构示意图:
负载单元:
阻抗匹配也就是纯电阻电路匹配和电抗电路匹配的总和
阻抗匹配的关键是前级的输出阻抗与后级的输人阻抗相等
输人阻抗是指电路对着信号源讲的阻抗,输出阻抗的值表示其承担负载 的阻抗
什么是驻波效应?
频率和振幅均相同、振动方向一致、传播方向相反的两列波叠加后形 成的波。波在介质中传播时其波形不断向前推进,故称行波;上述两 列波叠加后波形并不向前推进,故称驻波比。
也可以用来与射频频率匹配。
阻抗电路的串—并联等效转换
由电阻元件和电抗元件组成的阻抗电路的串联形式与并联形式可以互相转 换, 而保持其等效阻抗。
PECVD,ETCH所使用的matching box匹配等效电路:
并联转串联
等效为断路
LC共轭 50 Ω
我们RF系统中提到的Pfwd和Pref就是正向功率和反射功率。 所以我们要做到匹配就是要使得Pfwd为最大,Pref=0
Impedance Match of RF System 阻抗匹配RF系统(matching box)
• RF系统中为什么要用匹配器?
如果source没有内阻,所有的功率都消耗在负载上这样输出功率始终 是最大。
但是实际过程汇总任何系统他都是有内阻的,所以为了使得负载的功 率最大,所以要使用匹配器使得负载阻抗和功率阻抗要一致。
Load:使用电容来匹配, 作用:匹配电阻

射频电源

射频电源
等离子体
等离子体又叫做电浆,是由被剥夺部分电 子的原子及原子被电离后产生的正负电子 组成的离子化气体状物质。
等离子体是物质的第四态,即电离了的 “气体”。
等离子体是一种很好的导电体,利用经过 巧妙设计的磁场可以捕捉、移动和加速等 离子体。
射频
射频(RF)是Radio Frequency的缩写,频 率范围从300KHz~30GHz之间。
功放模块
功放模块的功能是通过多级射频功率放大 将晶振产生的特定频率的小信号放大到所 需要的射频功率。
全固态射频电源的功放采用RF MOSFET为元 器件。
MOSFET
金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金 氧半场效晶体管(Metal-OxideSemiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路 与数字电路的场效晶体管。
2. 初次使用可能是等离子体腔体的阻抗不在射频自动匹配 器的阻抗范围内,建议先将射频自动匹配器的工作模式 设定为手动匹配模式进行匹配。
3. 匹配器故障。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
射频电源无功率输出,怎么办?
一般情况有以下几种原因导致射频电源没 有功率输出:
1. 射频电源带有Interlock自锁功能,用于保护人员和 设备的安全,使用前需确认Interlock已经解锁。
2. 射频电源内部AC/DC 电源过载保护,需要重启内部AC/DC 电源,具体方法为断开射频电源的AC 输入电缆 1-2分钟, 然后重启电源。
3. 射频电源故障。
END
MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分 为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为 NMOSFET与PMOSFET。

匹配器说明

匹配器说明

匹配器
由北京吉兆源科技研制成功的国产射频自动匹配器,可直接替代国外产品。

因为手动匹配器是要不断地手动调整匹配器的阻抗而使输出达到工艺的要求,而自动匹配器则可以弥补这一缺陷,自动匹配器与电源完全独立,可配置国产、进口任何品牌的射频电源。

节约射频系统成本。

描述:
功率:1000W,2000W ,5000W 三种
频率:13.56M系统采用高速的匹配算法,使系统在接近匹配点时减速,即使是高Q值的系统也能达到精确的匹配效果。

可替代进口匹配器。

与国产电源配合使用,匹配良好。

匹配器标准配置采用可调的L型匹配网络,满足绝大部分负载要求,也可根据客户负载阻抗设计配制匹配网络,实现自动匹配。

主要功能:
∙可以单独工作, 配任何品牌射频电源
∙可配合本公司电源, 实现位置指示,手动自动控制.
∙可以预设电容位置作为起始点,使在等离子体点火前,系统处于最有利于点火的位置,点火后自动调节位置达到匹配状态。

∙范围和匹配中心点可调,有利于更加精确、快速达到匹配状态
∙可通过数字接口与计算机通信(采集入射功率、反射功率、偏压等参数),并且可以计算机调控电容位置、设置匹配器内部参数等
∙结构紧凑,体积小。

pecvd射频电源工作原理

pecvd射频电源工作原理

pecvd射频电源工作原理
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)射频电源工作原理:
PECVD射频电源是一种用于提供射频(Radio Frequency)功率的装置,用于产生等离子体,以实现化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)过程。

PECVD射频电源由以下主要组件组成:
1. 射频发生器:提供高频电源信号,通常在13.56 MHz频率范围内。

这个信号可以通过射频调谐网络进行调整,以满足不同的工艺需求。

2. 匹配网络:将射频发生器的输出与等离子体反射或传输负载之间进行匹配。

这是为了确保最大的功率传递到等离子体中。

3. 等离子体室:包含沉积工艺所需的载体(通常是以硅基材料为主)以及沉积气体。

在这个室内,射频电源产生的高频电场通过等离子体激发和激发质子,使其具有足够的能量来激发沉积气体中的化学反应。

这些反应导致沉积材料在载体表面上生成薄膜。

4. 匹配网络和负载之间的匹配:用于确保射频电源的最大功率传输到等离子体,同时避免反射功率损耗。

5. 控制电源参数:可以调整射频电源的频率、功率和幅度。


些参数的变化可以影响等离子体的产生和反应过程,从而影响沉积薄膜的质量和属性。

总结起来,PECVD射频电源工作原理包括通过射频发生器产生高频电场,将其匹配到等离子体室并激发沉积气体中的化学反应,以实现化学气相沉积过程。

通过控制射频电源的参数,可以调整等离子体的特性来控制沉积薄膜的质量和属性。

LTPS CVD工艺设备介绍(超详细)

LTPS CVD工艺设备介绍(超详细)
RPSC (Remote Plasma Source Clean)
Clean Gas (NF3、Ar)
Process Gas
(SiH4、N2O、N2 、NH3 etc.)
Glass
13~14 MHz RF (For Deposition )
diffuser
Deposition: SiNX, Si, SiO2, etc.
一、CVD的概念、特点
2、优点
(1)成膜速度快
每分钟可达几个μm甚至达到数百μm。同一腔室中可放置大量工件,能 同时制得均匀的镀层;
(2)膜层均匀性好
CVD反应在低真空进行,镀膜的均匀性好,对于形状复杂表面或工件 深孔、细孔都能均匀镀覆,获得平滑的沉积表面;
(3)膜层性能好
能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。
一、CVD的概念、特点
3、不足
(1)反应温度太高
许多基体材料都耐受不住CVD的高温,因此应用上受到一定限制。
(2)需要采取防止环境污染的措施
在不少场合下,参加沉积的反应源和反应后的余气易燃、易爆或有毒;对 设备来说,往往还有耐腐蚀的要求。
(3)PECVD工艺控制较困难
关联因素:外加电源功率、频率,气体流量、总压强以及衬底温度、反应 装置与射频电源的阻抗匹配等各种因素都会影响到成膜速率和膜的质量。
CVD工艺设备介绍
• 二、CVD原理介绍---PECVD
二、CVD原理介绍-PECVD 1、PECVD定义
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor ) Deposition
(等离子体增强化学气相沉积)
借助射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学 活性强,促进气体间的化学反应,从而低温下也能在基片上沉积出所期望的薄膜。

PECVD镀膜装置及其射频电源与真空腔体的连接装置

PECVD镀膜装置及其射频电源与真空腔体的连接装置

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN103014660A(43)申请公布日 2013.04.03(21)申请号CN201210544019.3(22)申请日2012.12.14(71)申请人广东志成冠军集团有限公司地址523000 广东省东莞市塘厦镇田心工业区广东志成冠军集团有限公司(72)发明人刘高水;陈宇(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司代理人胡彬(51)Int.CI权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称PECVD镀膜装置及其射频电源与真空腔体的连接装置(57)摘要本发明公开一种PECVD镀膜装置,包括真空腔体和射频电源,真空腔体与射频电源之间设置连接装置,连接装置拆卸式固定在真空腔体外部,连接装置包括屏蔽套,在屏蔽套内设置绝缘套,绝缘套内设置引入电极,引入电极的一端伸入到真空腔体内,另一端与射频电源输出端连接的匹配器的匹配器入口接头可拆卸式连接。

通过将连接装置设置在真空腔体外部,使得连接装置拆装方便,连接可靠,使引入电极与匹配器入口接头的接头设置在绝缘套和屏蔽套的内部密封腔体内,使得整个连接装置的绝缘和屏蔽效果好,无辐射污染,射频电源的传输过程中没有损失,进而电源输入稳定,提高膜层沉积的质量。

法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态2013-04-03公开公开2013-05-01实质审查的生效实质审查的生效2015-06-10授权授权权利要求说明书PECVD镀膜装置及其射频电源与真空腔体的连接装置的权利要求说明书内容是....请下载后查看说明书PECVD镀膜装置及其射频电源与真空腔体的连接装置的说明书内容是....请下载后查看。

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阻抗匹配的作用终端电阻是为了消除在通信电缆中的信号反射在通信过程中,有两种信号因导致信号反射:阻抗不连续和阻抗不匹配。

阻抗不连续,信号在传输线末端突然遇到电缆阻抗很小甚至没有,信号在这个地方就会引起反射。

这种信号反射的原理,与光从一种媒质进入另一种媒质要引起反射是相似的。

消除这种反射的方法,就必须在电缆的末端跨接一个与电缆的特性阻抗同样大小的终端电阻,使电缆的阻抗连续。

由于信号在电缆上的传输是双向的,因此,在通讯电缆的另一端可跨接一个同样大小的终端电阻。

引起信号反射的另个原因是数据收发器与传输电缆之间的阻抗不匹配。

这种原因引起的反射,主要表现在通讯线路处在空闲方式时,整个网络数据混乱。

要减弱反射信号对通讯线路的影响,通常采用噪声抑制和加偏置电阻的方法。

在实际应用中,对于比较小的反射信号,为简单方便,经常采用加偏置电阻的方法。

阻抗匹配(Impedance matching)是微波电子学里的一部分,主要用于传输线上,来达至所有高频的微波信号皆能传至负载点的目的,不会有信号反射回来源点,从而提升能源效益。

大体上,阻抗匹配有两种,一种是透过改变阻抗力(lumped-circuit matching),另一种则是调整传输线的波长(transmission linematching)。

要匹配一组线路,首先把负载点的阻抗值,除以传输线的特性阻抗值来归一化,然后把数值划在史密夫图表上。

改变阻抗力把电容或电感与负载串联起来,即可增加或减少负载的阻抗值,在图表上的点会沿著代表实数电阻的圆圈走动。

如果把电容或电感接地,首先图表上的点会以图中心旋转180度,然后才沿电阻圈走动,再沿中心旋转180度。

重覆以上方法直至电阻值变成1,即可直接把阻抗力变为零完成匹配。

调整传输线由负载点至来源点加长传输线,在图表上的圆点会沿著图中心以逆时针方向走动,直至走到电阻值为1的圆圈上,即可加电容或电感把阻抗力调整为零,完成匹配阻抗匹配则传输功率大,对于一个电源来讲,单它的内阻等于负载时,输出功率最大,此时阻抗匹配。

最大功率传输定理,如果是高频的话,就是无反射波。

对于普通的宽频放大器,输出阻抗50Ω,功率传输电路中需要考虑阻抗匹配,可是如果信号波长远远大于电缆长度,即缆长可以忽略的话,就无须考虑阻抗匹配了。

阻抗匹配是指在能量传输时,要求负载阻抗要和传输线的特征阻抗相等,此时的传输不会产生反射,这表明所有能量都被负载吸收了.反之则在传输中有能量损失。

高速PCB 布线时,为了防止信号的反射,要求是线路的阻抗为50欧姆。

这是个大约的数字,一般规定同轴电缆基带50欧姆,频带75欧姆,对绞线则为100欧姆,只是取个整而已,为了匹配方便.阻抗从字面上看就与电阻不一样,其中只有一个阻字是相同的,而另一个抗字呢?简单地说,阻抗就是电阻加电抗,所以才叫阻抗;周延一点地说,阻抗就是电阻、电容抗及电感抗在向量上的和。

在直流电的世界中,物体对电流阻碍的作用叫做电阻,世界上所有的物质都有电阻,只是电阻值的大小差异而已。

电阻小的物质称作良导体,电阻很大的物质称作非导体,而最近在高科技领域中称的超导体,则是一种电阻值几近于零的东西。

但是在交流电的领域中则除了电阻会阻碍电流以外,电容及电感也会阻碍电流的流动,这种作用就称之为电抗,意即抵抗电流的作用。

电容及电感的电抗分别称作电容抗及电感抗,简称容抗及感抗。

它们的计量单位与电阻一样是奥姆,而其值的大小则和交流电的频率有关系,频率愈高则容抗愈小感抗愈大,频率愈低则容抗愈大而感抗愈小。

此外电容抗和电感抗还有相位角度的问题,具有向量上的关系式,因此才会说:阻抗是电阻与电抗在向量上的和。

阻抗匹配是指负载阻抗与激励源内部阻抗互相适配,得到最大功率输出的一种工作状态。

对于不同特性的电路,匹配条件是不一样的。

在纯电阻电路中,当负载电阻等于激励源内阻时,则输出功率为最大,这种工作状态称为匹配,否则称为失配。

当激励源内阻抗和负载阻抗含有电抗成份时,为使负载得到最大功率,负载阻抗与内阻必须满足共扼关系,即电阻成份相等,电抗成份只数值相等而符号相反。

这种匹配条件称为共扼匹配。

一、阻抗匹配的研究在高速的设计中,阻抗的匹配与否关系到信号的质量优劣。

阻抗匹配的技术可以说是丰富多样,但是在具体的系统中怎样才能比较合理的应用,需要衡量多个方面的因素。

例如我们在系统中设计中,很多采用的都是源段的串连匹配。

对于什么情况下需要匹配,采用什么方式的匹配,为什么采用这种方式。

例如:差分的匹配多数采用终端的匹配;时钟采用源段匹配;1、串联终端匹配串联终端匹配的理论出发点是在信号源端阻抗低于传输线特征阻抗的条件下,在信号的源端和传输线之间串接一个电阻R,使源端的输出阻抗与传输线的特征阻抗相匹配,抑制从负载端反射回来的信号发生再次反射.串联终端匹配后的信号传输具有以下特点:A、由于串联匹配电阻的作用,驱动信号传播时以其幅度的50%向负载端传播;B、信号在负载端的反射系数接近+1,因此反射信号的幅度接近原始信号幅度的50%。

C、反射信号与源端传播的信号叠加,使负载端接受到的信号与原始信号的幅度近似相同;D、负载端反射信号向源端传播,到达源端后被匹配电阻吸收;?E、反射信号到达源端后,源端驱动电流降为0,直到下一次信号传输。

相对并联匹配来说,串联匹配不要求信号驱动器具有很大的电流驱动能力。

选择串联终端匹配电阻值的原则很简单,就是要求匹配电阻值与驱动器的输出阻抗之和与传输线的特征阻抗相等。

理想的信号驱动器的输出阻抗为零,实际的驱动器总是有比较小的输出阻抗,而且在信号的电平发生变化时,输出阻抗可能不同。

比如电源电压为+的CMOS驱动器,在低电平时典型的输出阻抗为37Ω,在高电平时典型的输出阻抗为45Ω[4];TTL驱动器和CMOS驱动一样,其输出阻抗会随信号的电平大小变化而变化。

因此,对TTL或CMOS电路来说,不可能有十分正确的匹配电阻,只能折中考虑。

链状拓扑结构的信号网路不适合使用串联终端匹配,所有的负载必须接到传输线的末端。

否则,接到传输线中间的负载接受到的波形就会象图中C点的电压波形一样。

可以看出,有一段时间负载端信号幅度为原始信号幅度的一半。

显然这时候信号处在不定逻辑状态,信号的噪声容限很低。

串联匹配是最常用的终端匹配方法。

它的优点是功耗小,不会给驱动器带来额外的直流负载,也不会在信号和地之间引入额外的阻抗;而且只需要一个电阻元件。

2、并联终端匹配并联终端匹配的理论出发点是在信号源端阻抗很小的情况下,通过增加并联电阻使负载端输入阻抗与传输线的特征阻抗相匹配,达到消除负载端反射的目的。

实现形式分为单电阻和双电阻两种形式。

并联终端匹配后的信号传输具有以下特点:A 、驱动信号近似以满幅度沿传输线传播;B 、所有的反射都被匹配电阻吸收;C 、负载端接受到的信号幅度与源端发送的信号幅度近似相同。

在实际的电路系统中,芯片的输入阻抗很高,因此对单电阻形式来说,负载端的并联电阻值必须与传输线的特征阻抗相近或相等。

假定传输线的特征阻抗为50Ω,则R值为50Ω。

如果信号的高电平为5V,则信号的静态电流将达到100mA。

由于典型的TTL或CMOS电路的驱动能力很小,这种单电阻的并联匹配方式很少出现在这些电路中。

双电阻形式的并联匹配,也被称作戴维南终端匹配,要求的电流驱动能力比单电阻形式小。

这是因为两电阻的并联值与传输线的特征阻抗相匹配,每个电阻都比传输线的特征阻抗大。

考虑到芯片的驱动能力,两个电阻值的选择必须遵循三个原则:⑴.两电阻的并联值与传输线的特征阻抗相等;⑵.与电源连接的电阻值不能太小,以免信号为低电平时驱动电流过大;⑶.与地连接的电阻值不能太小,以免信号为高电平时驱动电流过大。

并联终端匹配优点是简单易行;显而易见的缺点是会带来直流功耗:单电阻方式的直流功耗与信号的占空比紧密相关?;双电阻方式则无论信号是高电平还是低电平都有直流功耗。

因而不适用于电池供电系统等对功耗要求高的系统。

另外,单电阻方式由于驱动能力问题在一般的TTL、CMOS系统中没有应用,而双电阻方式需要两个元件,这就对PCB 的板面积提出了要求,因此不适合用于高密度印刷电路板。

当然还有:AC终端匹配;基于二极管的电压钳位等匹配方式。

二、将讯号的传输看成软管送水浇花、数位系统之多层板讯号线(Signal Line)中,当出现方波讯号的传输时,可将之假想成为软管(hose)送水浇花。

一端于手握处加压使其射出水柱,另一端接在水龙头。

当握管处所施压的力道恰好,而让水柱的射程正确洒落在目标区时,则施与受两者皆欢而顺利完成使命,岂非一种得心应手的小小成就?、然而一旦用力过度水注射程太远,不但腾空越过目标浪费水资源,甚至还可能因强力水压无处宣泄,以致往来源反弹造成软管自龙头上的挣脱!不仅任务失败横生挫折,而且还大捅纰漏满脸豆花呢!、反之,当握处之挤压不足以致射程太近者,则照样得不到想要的结果。

过犹不及皆非所欲,唯有恰到好处才能正中下怀皆大欢喜。

、上述简单的生活细节,正可用以说明方波(Square Wave)讯号(Signal)在多层板传输线(Transmission Line,系由讯号线、介质层、及接地层三者所共同组成)中所进行的快速传送。

此时可将传输线(常见者有同轴电缆Coaxial Cable,与微带线Microstrip Line或带线Strip Line等)看成软管,而握管处所施加的压力,就好比板面上“接受端”(Receiver)元件所并联到Gnd的电阻器一般,可用以调节其终点的特性阻抗(Characteristic Impedance),使匹配接受端元件内部的需求。

三、传输线之终端控管技术(Termination)、由上可知当“讯号”在传输线中飞驰旅行而到达终点,欲进入接受元件(如CPU或Meomery等大小不同的IC)中工作时,则该讯号线本身所具备的“特性阻抗”,必须要与终端元件内部的电子阻抗相互匹配才行,如此才不致任务失败白忙一场。

用术语说就是正确执行指令,减少杂讯干扰,避免错误动作”。

一旦彼此未能匹配时,则必将会有少许能量回头朝向“发送端”反弹,进而形成反射杂讯(Noise)的烦恼。

、当传输线本身的特性阻抗(Z0)被设计者订定为28ohm 时,则终端控管的接地的电阻器(Zt)也必须是28ohm,如此才能协助传输线对Z0的保持,使整体得以稳定在28 ohm的设计数值。

也唯有在此种Z0=Zt的匹配情形下,讯号的传输才会最具效率,其“讯号完整性”(Signal Integrity,为讯号品质之专用术语)也才最好。

四、特性阻抗(Characteristic Impedance)、当某讯号方波,在传输线组合体的讯号线中,以高准位(High Level)的正压讯号向前推进时,则距其最近的参考层(如接地层)中,理论上必有被该电场所感应出来的负压讯号伴随前行(等于正压讯号反向的回归路径Return Path),如此将可完成整体性的回路(Loop)系统。

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