如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格

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从芯片上看内存大小

从芯片上看内存大小HY（现代HYNIX）现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大.HY的编码规则：HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代.2、一般是57，代表SDRAM.3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V.4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新.5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白则为普通，L为低功耗.10、封装：一般为TC（TSOP）11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS 金士顿KVR *** X ** * C* / ***1 2 3 4 5 6 7 81.KVR代表kingston value RAM2.外频速度3.一般为X4.64为没有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存6.3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM外频400MHZ 不带有ECC校验的CAS=2.5的256M内存LGS(LG Semicon)LGS的内存编码规则：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司.2、72代表SDRAM.3、V代表3V电压.4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F.9、功耗：空白则是普通，L是低功10、封装模式：一般为T（TSOP）11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66），12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）SEC（三星SAMSUNG）做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.SEC编码规则：KM4 XX S XX 0 X X XT－XX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.3、一般均为S4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK7、I／O界面：一般为08、版本号9、封装模式：一般为T：TSOP10、功耗：F低耗，G普通11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS.Micron（美光）以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.含义：MT——Micron的厂商名称.48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度.A2——内存内核版本号.TG——封装方式，TG即TSOP封装.-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）.Winbond（华邦）含义说明：WXXXXXXXX123451、W代表内存颗粒是由Winbond生产2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZMosel（台湾茂矽）台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.Kingmax(胜创)Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP 封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）.Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表芯片类型GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号.以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP II封装，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度.MT（MICRON美凯龙）美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.MT48 XX XX M XX AX TG－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM.3、一般为LC：普通SDRAM4、此数与M后位数相乘即为容量.5、一般为M6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk8、TG代表TSOP封装模式.9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS10、如有L则为低功耗，空白则为普通.HITACHI（日立HITACHI）日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM代表日立.2、52代表SDRAM，51则为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：A－F7、功耗：L为低耗，空白则为普通8、TT为TSOP封装模式9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）SIEMENS（西门子）西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错.HYB39S XX XX 0 X T X －X1 2 3 4 5 6 7 8 91、HYB代表西门子2、39S代表SDRAM3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为06、产品系列7、一般为T8、L为低耗，空白为普通9、速度：6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NSFUJITSU（富士通FUJITSU）富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品.MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN1 2 3 4 5 6 7 8 91、MB81代表富士通的SDRAM2、PC100标准的多为F，普通的内存为13、容量4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK6、产品系列7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS （CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84：12NS，67：15NSTOSHIBA（东芝）东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.TC59S XX XX X FT X－XX1 2 3 4 5 6 7 81、TC代表东芝2、59S代表普通SDRAM3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位5、产品系列：A－B6、FT为TSOP封装模式7、空白为普通，L为低功耗8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）MITSUBISHI（三菱）三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见.M2 V XX S X 0 X TP－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、M2代表三菱产品2、I／O界面.一般为V3、容量4、一般为S，说明是SDRAM5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位6、一般为07、产品系列8、TP代表TSOP封装9、速度：8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS.10、空白为普通，L为低耗.。

如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格

如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。

但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。

而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。

一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。

现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。

虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。

我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。

这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。

从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。

究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。

HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。

内存颗粒编号识别方法

内存颗粒编号识别方法你们知道内存颗粒编号怎么识别吗?不知道的话跟着店铺一起来学习了解内存颗粒编号怎么识别。

内存颗粒编号怎么识别一现代颗粒具体含义解释：HY5DV641622AT-36HY XX X XX XX XX X X X X X XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121、HY代表是现代的产品2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM);3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V4芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_28、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

内存规范

DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K 刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。

内存颗粒识别内存

内存颗粒编号与内存品牌知识介绍通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。

以下面几个内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

一、Samsung （三星）编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111213 1415具体含义解释：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit 的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。

内存编号识别解读

内存编号识别解读Samsung具体含义解释：例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。

内存常用颗粒识别

内存颗粒编号识别内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。

现在我们就详细列出内存编号的各项含义。

（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。

其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low V oltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。

如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格

但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。

一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。

现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。

虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。

我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。

这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。

从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。

究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。

颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

解读内存颗粒编号含义

现代内存颗粒编号含义现代品牌的内存在国内的销售量一直名列前茅，不少消费者选购内存时都会考虑产品的规格参数。

其实，小编有一个方法可以让消费者简单直观的了解到内存的规格－－解读编号含义，现在我们以现代内存为例，图解说明让大家迅速学会解读编号。

现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成，如下图一所示，下面，小编就给大家分别解释，主要对内存规格进行说明。

A部分标明的是生产此颗粒企业的名称－－Hynix。

B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。

第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。

如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。

C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。

由1-3位字母和数字共同组成。

其根据频率、延迟参数不同，分别可以用＂D5、D43、D4、J、M、K、H、L＂8个字母/数字组合来表示。

其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。

D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。

具体详细内容如图二所示。

D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写第1部分代表该颗粒的生产企业。

＂HY＂是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。

第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成。

＂5D＂表示为DDR内存，＂57＂表示为SDRAM内存。

第3部分代表工作电压，由一个字母组成。

从内存条芯片编号看内存条的大小

从内存条芯片编号看内存条的大小(2009-11-22 08:12:39)转载▼标签：刷新速度tsop封装字段ddr266台湾itSDRAM 内存芯片的新编号HY XX X XX XX X X XX X X X-XX XA B C D E F G H I J K L MA字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。

B字段表示产品类型。

57代表SDRAM内存。

C字段表示工作电压。

V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/ D字段表示密度与刷新速度。

16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。

E字段表示内存结构。

4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。

F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。

1代表2Bank；2代表4Bank。

G字段表示电气接口。

0代表LVTTL；1代表SSTL_3。

H字段表示内存芯片的修正版本。

空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。

也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。

I字段表示功率消耗能力。

空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。

J字段表示内存芯片的封装方式。

现代SD内存颗粒编号含义

现代SD内‎存颗粒编号‎含义以现代为例‎，SDRAM‎芯片上的标‎识为以下格‎式：HY 5X X XXX XX X X X X XX -XXHY代表是‎现代的产品‎。

5X表示芯‎片类型，57为一般‎的SDRA‎M，5D为DD‎R SDRAM ‎。

第2个X代‎表工作电压‎，空白为5V‎，\"V\"为3.3V, \"U\"为2.5V。

第3-5个X代表‎容量和刷新‎速度，分别如下：16： 16Mbi‎ts，4K Ref。

64： 64Mbi‎ts，8K Ref。

65： 64Mbi‎ts，4K Ref。

128：128Mb‎its，8K Ref。

129：128Mb‎its，4K Ref。

256：256Mb‎its，16K Ref。

257：256Mb‎its，8K Ref。

第6、7个X代表‎芯片输出的‎数据位宽，40、80、16、32分别代‎表4位、8位、16位和3‎2位。

第8个X代‎表内存芯片‎内部由几个‎Bank组‎成，1、2、3分别代表‎2个、4个和8个‎Bank。

是2的幂次‎关系。

第9个X一‎般为0，代表LVT‎TL(Low Volta‎ge TTL)接口。

第10个X‎可以为空白‎或A、B、C、D等字母，越往后代表‎内核越新。

第11个X‎如为\"L\"则代表低功‎耗的芯片，如为空白则‎为普通芯片‎。

第12、13个X代‎表封装形式‎，分别如下：JC ： 400mi‎l SOJTC ： 400mi‎l TSOP-ⅡTD ： 13mm TSOP-ⅡTG ： 16mm TSOP-Ⅱ最后几位为‎速度：7： 7ns (143MH‎z)8： 8ns (125MH‎z)10p： 10ns (PC-100 CL2 &3)10s： 10ns (PC-100CL‎ 3)10 ： 10ns (100MH‎z)12 ： 12ns (83MHz‎)15 ： 15ns (66MHz‎)注：例如常见的‎HY57V‎65801‎0CTC-10s，HY是现代‎的芯片，57说明是‎SDRAM‎，65是64‎Mhbit‎和4Krefre‎sh cycle‎s/64ms，下来的8是‎8位输出，10是2个‎Bank，C是第4个‎版本的内核‎，TC是40‎0milTSOP-Ⅱ封装，10S代表‎CL=3的PC-100。

学会识别内存的颗粒编号

学会识别内存的颗粒编号一、现代（hynix）DDR2内存颗粒编号规则现代DDR2内存颗粒HY5PS12821 F-C4就是这颗现代DDR2内存颗粒的编号，我们现在将其分为9部分，一一为大家作个解释。

1、HY：现代内存2、5P：DDR23、S：工作电压1.8V4、12：512MB容量，如果是28则为128MB、56则为256MB、1G则为1GB、2G则为2GB5、8：位宽×8，如果是4则位宽为×4、16则为×16、32则为×326、2：逻辑Bank数量为4Banks，如果是1则为2Banks、3则为8Banks7、1：接口类型为SSTL-18，如果是2则为SSTL-28、F：封装类型为FBGA Single Die，如果是S则为FBGA Stack、M则为FBGA DDP9、C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3。

二、三星DDR2内存颗粒编号规则三星DD2内存颗粒K4T51083QB-GCD5就是这颗三星DDR2内存颗粒的编号，我们将其分为10部分，下面就为大家一一解释。

1、K4：Memory DRAM2、T：DDR23、51：512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量4、08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、16为×165、3：逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks6、Q：接口类型工作电压为SSTL 1.8V7、B：产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推8、G：封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA（Small）、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF（Small）9、C：普通能耗，如果是L则为低能耗10、D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。

海力士内存编码规则

海力士内存编码规则
海力士是一家知名的内存存储设备制造商，其内存编码规则是它在生产内存产品时所遵循的一系列规则和标准。

海力士内存编码规则包括以下几个方面：
1. 容量编码规则：海力士内存产品通常以基于二进制的容量规格进行编码。

例如，常见的8GB内存模块将被标记为8GB，其中1GB等于1,024MB，而1MB等于1,024KB，1KB等于1,024字节。

通过这种编码规则，用户能够快速准确地了解内存产品的容量。

2. 速度编码规则：海力士内存产品还采用了速度编码规则，用于标识内存模块的传输速度。

速度编码通常以DDR标记，代表“双倍数据率”。

例如，DDR2表示内存模块的传输速度为DDR（即原始速度）的两倍。

DDR速度编码依次递增，如DDR3、DDR4等，随着技术的进步，传输速度也不断提高。

3. 接口编码规则：海力士内存产品还遵循不同的接口编码规则。

最常见的接口是DIMM（双列直插式内存模块）和SODIMM（小型双列直插式内存模块），它们分别应用于台式机和笔记本电脑。

接口编码规则有助于确保内存模块与计算机硬件的兼容性。

4. 电压编码规则：海力士内存产品还根据其工作电压进行编码。

例如，DDR3内存模块通常分为工作电压为1.5V和1.35V的两种。

通过电压编码规则，用户可以选择适合其计算机硬件要求的内存产品。

综上所述，海力士内存编码规则是该公司在生产内存产品时所遵循的一系列规则和标准，包括容量编码规则、速度编码规则、接口编码规则和电压编码规则。

这些规则有助于用户快速准确地了解和选择适合其需求的海力士内存产品。

DDR内存常用品牌颗粒识别

DDR 内存常用品牌颗粒识别详解海力士(现代)内存海力士内存颗粒编号一般分为14个部分1. HY 表示海力士内存2.产品家族，“5D”表示DDR 内存3.工作电压V 表示VDD=3.3V ，VDDQ=2.5V U 表示VDD=2.5V ，VDDQ=2.5V W 表示VDD=2.5V ，VDDQ=1.8V S 表示VDD=1.8V ，VDDQ=1.8V 4.容量和刷新设置 64表示64Mb 、4K 刷新 66表示64Mb 、2K 刷新 28表示128Mb 、4K 刷新 56表示256Mb 、8K 刷新 57表示256Mb 、4K 刷新 12表示512Mb 、8K 刷新 1G 表示1Gb 、8K 刷新 5.颗粒位宽 4表示X4 8表示X8 16表示X16 32表示X326.表示逻辑BANK 数量 1表示2bankS 2表示4BANKS 3表示8BANKS7.接口类型1表示SSTL ＿3 2表示SSTL ＿2 3表示SSTL ＿18 8.颗粒版本“空白”表示第一代生产 A 表示第二代 B 表示第三代 C 表示第四代 9.能耗水准“空白”表示大众商用型、普通能耗 L 表示大众商用型、低能耗10.封装形式 T 表示TSOP Q 表示LQFP F 表示FBGAFC 表示FBGA （UTC ：8X13mm ） 11.表示堆叠封装 “空白”表示普通S 表示Hynix K 表示M&T J 表示其他M 表示MCP （Hynix ） MU 表示MCP （UTC ） 12.封装材料空白表示普通材料 P 表示铅 H 表示卤素 R 表示铅和卤素 13.颗粒性能D43表示DDR400（3-3-3） D3表示DDR400（3-4-4） J 表示DDR333M 表示DDR266（2-2-2） K 表示DDR266A H 表示DDR226B L 表示DDR200 14.工作需求温度 I 表示工业常温40-85度 E 扩展温度零下25-85三星DDR 内存三星内存颗粒一般分为17部分1.K 表示内存2.内存类别 4表示DRAM3.内存子类别 H 表示DDR T 表示DDR2 4-5.代表容量 28表示128Mb 56表示256Mb 51表示512Mb 1G 表示1Gb 2G 表示2Gb 6-7.表示位宽 04表示X4 32表示X32 06表示X4 Stack 07表示X8 Stack 16表示X16 8.表示BANK 数量 3表示4BANK 4表示8BANK9.表示接口类型与电压8表示接口类型为SSTL ＿2 工作电压2.5V Q 表示接口类型SSTL 工作电压1.8V 10.产品版本 M 1代 A 2代 B 3代 C 4代 D 5代 E 6代 F 7代 G 8代 H 9代生产 11.封装类型 T 表示TSOP2S 表示 sTSOP2 G 表示FBGAU 表示TSOP2（LEAD FREE ）Z 表示FBGA （LEAD FREE ）12.工作温度、能耗C 大众商用型能、普通能耗工作温度0-70 L 大众商用型能、低通能耗 0-70I 工业型、普通能耗40-85 13-14.频率延迟 CC DDR400 3-3-3 C4 DDR400 3-4-4 C5 DDR466 3-4-4 B3 DDR333 2.5-3-3 AA DDR266 2-2-2 A2 DDR266 2-3-3 BO DDR266 2.5-3-3 15-17.OEM 时常保留标号位置英飞凌内存英飞凌内存颗粒编号一般分10个部分1.HY B 表示英飞凌内存（与海力士有区别注意）2.工作电压 39表示3.3V 25表示2.5V 18表示1.8V 3.内存类型 S 表示SDR D 表示DDR T 表示DDR24.容量略5.产品结构 40表示X4 80表示X816表示X166.产品变化，0表示标准产品7. 版本号字母表中的顺序越靠后越新例如A1代B2代C3代...8.封装类型C FBGA（含铅）T TSOP 400mil（含铅）E TSOP 400mil（无铅无卤）F FBGA（无铅无卤）G 堆叠TSOP（无铅无卤）9.能耗标准空白表示普通能耗L 低能耗10.颗粒性能5 DDR400B 3-3-36 DDR333 2.5-3-37 DDR266A 2-3-37F DDR266 2-2-27.5 DDR266B 2.5-3-38 DDR200 2-2-2。

从内存条芯片编号看内存条的大小

从内存条芯片编号看内存条的大小(2009-11-22 08:12:39)标签：SDRAM 内存芯片的新编号A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。

B字段表示产品类型。

57代表SDRAM内存。

C字段表示工作电压。

E字段表示内存结构。

4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。

F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。

1代表2Bank；2代表4Bank。

G字段表示电气接口。

0代表LVTTL；1代表SSTL_3。

H字段表示内存芯片的修正版本。

空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。

也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。

I字段表示功率消耗能力。

空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。

J字段表示内存芯片的封装方式。

T代表TSOP封装；K代表Stack封装(Type1)；J代表Stack封装(Type2)。

K字段表示内存芯片的封装材料。

空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。

主流品牌内存及其参数

主流品牌内存参数解读以下皆为DDR SDRAM品牌内存：HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14定义：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP （UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR4003-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））LGS的内存编码规则：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司。