GS5806 600MA同步整流芯片datasheet
恩智浦半导体TEA2093TS GreenChip同步整流控制器产品数据手册说明书
GreenChip同步整流控制器第1版——2022年6月7日产品数据手册1 简介TEA2093TS是针对开关电源的新一代同步整流器(SR)控制器IC系列中的一员。
它包含自适应栅极驱动器，以便在任意负载下达到最高效率。
TEA2093TS是一款专门用于非对称半桥反激式和标准反激式转换器次级侧同步整流的控制器IC。
它内置用于驱动SR MOSFET的检测级和驱动器级，对次级变压器绕组的输出进行整流。
TEA2093TS可以为具有低输出电压的电池充电应用或具有高侧整流的应用生成自己的供电电压。
TEA2093TS采用绝缘硅片(SOI)工艺制成。
2 特性和优势2.1 能效特性●自适应栅极驱动器，在任意负载下达到最高效率●空载运行时的典型电源电流低于200 μA2.2 应用特性●在低至0 V的宽输出电压范围内工作●能够处理高达120 V输入电压的漏检测引脚●对低输出电压工作自供电●对不使用辅助绕组的高侧整流自供电●使用标准和逻辑电平SR MOSFET●支持USB BC、USB PD和快充应用●TSOP6封装2.3 控制特性●自适应栅极驱动器，实现导通终止时的快速关闭●带有源栅极下拉的欠压锁定(UVLO)3 应用TEA2093TS适用于反激式电源。
在此类应用中，它可以驱动外部同步整流器MOSFET，这些MOSFET取代用于对变压器次级绕组上的电压进行整流的二极管。
它可用于所有需要高效率的电源，如：●充电器●电源适配器●非对称半桥反激式电源●具有极低和/或可变输出电压的反激式电源4 订购信息表1.订购信息型号封装名称说明版本TEA2093TS/1 TSOP6 塑料小型封装；6引脚SOT4575 标示表2.标记代码型号标记代码TEA2093TS/1 TEA20936 功能框图图1. TEA2093TS 功能框图导通调节关断调节V 和I参考欠压锁定 驱动器供电节能控制使能逻辑关闭7 引脚分布信息7.1 引脚分布图2.TEA2093TS引脚分布(SOT457)7.2 引脚说明表3.引脚说明符号引脚说明CAP 1 内部供电电压的电容输入GND 2 接地XV 3 外部电源输入GATE 4 SR MOSFET的栅极驱动器输出SOURCE 5 SR MOSFET的源极检测输入DRAIN 6 SR MOSFET的漏极检测输入8 功能说明8.1 简介TEA2093TS是一款用于非对称半桥反激式和标准反激式应用中的同步整流(SR)的控制器IC。
GS3660外置MOS升压IC datasheet
--
Output source current Output sink current
ISOURCE ISINK
VCOMP=450mV
MIN. 495
-1.0 0.78 24
TYP. 500
5 1 -0.2 100 6 0.87 0.05 -40 40
MAX. UNIT
505 mV
20 mV
-
%
1.0 μA
Oscillation frequency Frequency change with voltage Frequency change with temperature
SYMBOL TEST CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
f
RT=3.0KΩ,CT=270pF 400 500 600 KHz
TEL:0755-27668758/29469758
webONAL BLOCK DIAGRAM
3
7
Reference voltage supply
1.25V
0.8V 0.1V
Sawtooth wave oscillator
VCOMP=450mV VCC=2V to 15V Ta = -10℃to 85℃
Input bias current
IB
--
Voltage Gain
Av
--
Frequency bandwidth
BW
Av=0 dB
Output voltage Positive
VPOS
--
Swing
Negative
VNEG
PARAMETER
SYMBOL TEST CONDITIONS
FM5006B(0.6A锂电充电3档风扇驱动专用IC)
概述FM5006B是一款集成了锂电池充电管理，锂电池保护，DC-DC升压限流，手电筒照明，电量指示以及3档风量可调风扇驱动功能于一体的电源管理IC；专用于采用锂电池供电的便携式风扇。
FM5006B集成了包括涓流充电，恒流充电和恒压充电全过程的充电方式，带充电指示及满电指示灯；支持风扇驱动功能，内置3档可调节风量控制，支持3段风量LED指示；当电池电压小于2.9V时，FM5006B系统进入欠压状态，整个系统电流为30uA；内置恒定恒流充电电流600mA。
FM5006B具有多重保护设计，包括负载过流保护，充电时防倒灌保护，短路保护，短路防锁定，软启动保护，锂电过放保护，过温及欠压保护等。
特点0.6A锂电池充电支持6V电机驱动控制，3档风量可调，3段风扇风量指示3颗LED电量显示, 内置照明灯驱动支持双按键开关充电电压精度：±1.0%；升压电压精度：±4.0%过流保护（OCP），过压保护（OVP），短路保护（SCP），过温保护（OTP）ESD 2KV，可靠性高极低的BOM成本待机电流30uA支持4.2、4.35V电池封装形式：SOP-16/ESOP16应用使用锂电池供电的便携式风扇引脚示意图及说明2电参数注：最大极限参数是指超出该工作范围IC可能会损坏。
推荐工作范围是指在该范围内IC工作正常，但不完全保证满足个别性能指示。
电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指示的测试条件下的直流和交流电气参数规范。
对于未给定的上下限参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。
电气参数无特殊说明，VDD=5V，T a=25℃应用说明恒温充电模式FM5006B 内部集成了温度反馈环路，充电时，如果芯片内部的温度升高到110℃，充电电流会随着芯片的温度升高而降低，从而减小系统功耗，降低温升，当温度升高到140℃时，充电电流减小为零，由于温度反馈控制，IC工作温度最终会稳定在110℃～130℃之间的某个值。
罗宏电子BD63800MUF-C评估板评估文档说明书
© 2021 ROHM Co., Ltd.
1/13
No. 63UG134E Rev01
User’s Guide
Contents
1 Introduction ..............................................................................................................................................3 2 Safety Instructions .....................................................................................................................................4
© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
HVA01E
User’s Guide
Automotive Power and Motor Drive
Evaluation Kit for Stepping Motor Driver
BD63800MUF-EVK-001
To ensure safe operation, please carefully read all precautions before handling the evaluation board
Depending on the configuration of the board and voltages used,
Please note that this document covers only the BD63800MUF-C evaluation board (BD63800MUF-EVK-001) and its functions. For additional information, please refer to the datasheet.
5806 中文资料(6849)
綠色PWM control IC---SG6848特色支持”Blue Angle”之Green-Mode5μA低啟動电流3mA低操作电流脈衝上升沿遮沒定功率輸出保護内置同步斜率補償最少外部组件低成本解決方案超小型SOT-26 封装应用功率低于20W的通用开关式电源Adapter:打印机, 游戏机, 随身听电池充电器:可攜電子產品电视机、DVD、家电产品中的开关电源概述绿色工作模式PWM控制器SG6848具有许多特殊的功能和完善的保护特性。
因为它是用Bi-CMOS工艺制造的，可大幅度降低了启动和运作时功耗，启动电流仅30μA，工作时仅吸收电流3mA。
SG6848在正常工作时的频率是固定的，但是当输出功率下降到额定值的四分之一时，频率便随着输出功率的减小而下降，从而减少了在负载电流很小或者待机状态时的功耗。
该器件中还采用了同步斜率补偿技术，它可以确保连续模式工作时电流回路的稳定性。
该器件内含电源电压补偿电路，因此输入电压在很宽范围内变化时，开关电源可维持恒定输出功率，该器件还具有过热保护功能。
SG6848内部还具有限功率控制器，因此具有超功率保护功能，从而可实现限制电源功率的安全要求.SG6848用于功率低于20W的通用开关式电源和回扫式转换器，打印机、游戏机、随身听的电源转接器，电池充电器，电视机、DVD、家电产品中的开关电源2. 引脚排列及引脚功能SG6848引脚排列如图1所示。
各引脚的功能如下：SG6848T* DIP括號內為SOT261脚(6) GATE：驱动器输出。
内部推挽输出驱动器的输出脚。
该脚输出信号可驱动外接的功率MOSFET。
2腳VDD：电源输入.起动电流输入脚。
在电源输入和该脚之间应接入一只起动电阻。
在离线式开关变换器中，起动电阻的阻值应为1.5MΩ。
调整起动电阻的阻值，可以改变恒定输出功率限制的电源电压补偿。
3脚ncc.4脚SENSE：电流取样。
外接电流取样电阻两端的压降加到该脚。
OP580;中文规格书,Datasheet资料
Silicon PhototransistorOP580Pin # Transistor1 Collector2 EmitterDescription:The OP580 is an NPN silicon phototransistor mounted in a miniature SMD package. The device has a flat window lens, which enables a wide acceptance angle. It is packaged in a plastic leadless chip carrier that is compatible with most automated mounting equipment. The OP580 is mechanically and spectrally matched to the OP280 infrared LED.Please refer to Application Bulletins 208 and 210 for additional design information and reliability (degradation) data.Ordering InformationPart Number Sensor Viewing Angle Lead LengthOP580 Phototransistor 100°N/AApplications:• Non-contact position sensing•Datum detection1• Machine automation • Optical encodersINCHES[MILLIMETERS]DIMENSIONS ARE IN:Silicon PhototransistorOP580Absolute Maximum Ratings (T A =25°C unless otherwise noted)Storage Temperature Range -40o C to +85o C Operating Temperature Range -25o C to +85o CLead Soldering Temperature 260° C (1)Collector-Emitter Voltage 30 V Collector Current 20 mA Power Dissipation75 mW (2)Emitter-Collector Voltage 5 V Notes:1. Solder time less than 5 seconds at temperature extreme.2. Derate linearly at 2.17 mW/° C above 25° C.3. E E(APT) is an unfiltered GaAs LED with a peak emission wavelength of 935 nm and a radiometric intensity level which varies less than10% over the entire lens surface of the phototransistor being tested.4. To calculate typical collector dark current in µA, use the formula I CEO = 10(0.04 Ta-3.4) where T a is the ambient temperature in ° C.Electrical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise noted)SYMBOL PARAMETER MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITIONS I C(ON)On-State Collector Current1.0 - - mA V CE = 5.0 V, E E = 5.0 mW/cm 2(3) V CE(SAT) Collector-Emitter Saturation Voltage - - 0.4 V I C = 100 µA, E E =2.0 mW/cm 2(3) I CE0Collector-Emitter Dark Current- - 100 nAV CE = 5.0 V, E E = 0(4)V (BR)CEOCollector-EmitterBreakdown Voltage 30 - - V I C = 100 µA V (BR)ECO Emitter-Collector Breakdown Voltage 5 - - V I E = 100 µA t r , t fRise Time , Fall Time-15-µsI C = 1 mA, R L = 1 K ΩR e l a t i v e R e s p o n s e (%)R e l a t i v e R e s p o n s e (%)Angular Position (Degrees)Relative Response vs Angular Position-90 30 600 -30 -60 90Silicon PhototransistorOP580Relative On-State Collector Current vsIrradianceEE rradiance (mW/cm 2)R e l a t i v e C o l l e c t o r C u r r e n t (%)0 1 2 3 4 5 6 7 8R e l a t i v e C o l l e ct o r C u r r e n t (%)Relative On-State Collector Current vsI C (O N ) - O n -S t a t e C o l l e c t o r C u r r e n t (m A )Relative On-State Collector Current vsCollector-Emitter VoltageCollector-Emitter Voltage (V)0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5Collector-Emitter Dark Current vsTemperatureTemperature (°C)C o l l e c t o r -E m i t t e rD a rk C u r r e n t (n A )-250 25 50 75 100分销商库存信息: OPTEK-TECHNOLOGY OP580。
MA5680T设备手册
3.1 物理接口....................................................................................................................................................... 32 3.1.1 接口种类 ............................................................................................................................................. 32 3.1.2 接口规范 ............................................................................................................................................. 34
2 产品结构........................................................................................................................................23
2.1 硬件结构....................................................................................................................................................... 23 2.1.1 N63E-22 机柜....................................................................................................................................... 24 2.1.2 N66 机柜............................................................................................................................................... 24 2.1.3 19 英寸机框 ......................................................................................................................................... 25 2.1.4 单板 ..................................................................................................................................................... 27
EG8026芯片数据手册说明书
版本变更记录版本号日期描述V1.0 2022年01月20日EG8026数据手册初稿。
目录目录 (3)1.特点 (5)2.描述 (6)3.应用领域 (6)4.引脚 (7)4.1QFN70封装引脚定义 (7)4.2LQFP80封装引脚定义 (8)4.3引脚描述 (9)5.结构框图 (12)6.典型应用电路 (13)6.1EG8026 QFN70封装应用原理图 (13)6.2EG8026 LQFP80封装应用原理图 (14)6.348V/2KW双向逆变器主板应用图 (15)6.4EG1615 DC/DC控制板原理图 (16)7.电气特性 (17)7.1极限参数 (17)7.2典型参数 (18)8.应用设计 (20)8.1双向逆变器的主拓扑结构 (20)8.2EG8026实现的传统型Boost无桥PFC结构 (21)8.3EG8026实现的DC/AC Inverter结构 (22)8.4PFC和DC/AC Inverter、UPS功能切换 (23)8.5PWM调制方式 (23)8.6输出电压反馈 (24)8.7输出电流反馈 (26)8.8温度反馈 (27)8.9直流母线电压反馈和硬件过压保护 (27)8.10死区时间 (28)8.11H桥的左、右桥臂互换控制 (29)9.保护功能 (30)9.1输出过载保护 (30)9.2输出过流保护 (30)9.3直流母线电压过压保护 (30)9.4PCB过温保护 (30)9.5功率管过温保护 (30)9.6短路保护 (30)9.7MOS管峰值电流保护 (31)10.测试模式 (32)11.通讯功能（UART） (33)11.1串口描述 (33)11.2APP功能 (33)屹晶微电子有限公司11.2.1APP消息发送 (33)11.2.2APP消息接收 (34)11.3CFG功能 (36)11.3.1CFG请求消息 (36)11.3.2CFG应答消息 (36)11.3.30x10服务-会话切换 (37)11.3.40x22服务-读DID (38)11.3.50x2E服务-写DID (38)11.3.60x21 服务-读CFG (39)11.3.70x2D 服务-写CFG (39)11.3.80x2F服务-IO控制 (40)12.封装尺寸 (41)12.1LQFP80 (41)12.2QFN70 (42)屹晶微电子有限公司EG8026芯片数据手册V1.01. 特点集成了DC/AC逆变器和PFC升压两大功能支持UPS功能作逆变器DC/AC时的功能：⏹采用电流模式、中心对齐PWM调制方式，能带感性和容性负载⏹SPWM载波频率20KHz，适合大功率MOS管和IGBT管的应用⏹集成了两路600V半桥高压MOS管驱动器，驱动能力为±2A⏹集成四路独立的MOS管峰值电流保护电路及内置四路200mV基准源的比较器供用户设定保护值⏹集成了四路高速运放及一路高速比较器，两路运放用于交流电流放大器，一路运放用于交流输出电压反馈，一路运放用于短路保护和一路比较器用于限流保护⏹输出电压和输出电流是每个PWM周期实时处理，能实现精确跟踪⏹引脚可配置功能：●H桥左、右桥臂互换控制●4种死区时间可选配置: 300nS、500nS、1uS、1.5uS●2种固定正弦波频率可选配置：50Hz、60Hz●软启动开启和关闭⏹逆变器保护功能：●直流母线电压过压保护●交流输出欠压保护●输出过载保护●输出过流保护●PCB过温保护和IGBT过温保护●输出短路保护⏹串口通讯可设置参数：●50Hz纯正弦波固定频率●60Hz纯正弦波固定频率●交流输出电压●温度保护值●额定功率保护值●额定电流保护值●故障复位⏹串口通讯可读参数：●交流输出电压●交流输出频率●交流输出功率●交流输出电流●直流母线电压●故障代码作PFC升压时的功能：⏹采用传统型Boost无桥PFC结构，平均电流控制算法⏹SPWM载波频率20KHz，适合大功率MOS管和IGBT管的应用⏹升压输出电压由恒功率大小进行自动调节，正常电压为400V，可调电压范围为330V到450V⏹外部可设的硬件输出过压保护⏹交流输入电压欠压保护⏹输出过载和过流保护⏹支持UART串口通讯，实现跟前级DC/DC EG1615芯片进行通讯，读取充电电压和电流等信息⏹PF值可达0.98以上2. 描述EG8026芯片是一款专用于双向逆变器（同一套电路可作逆变器功能，又可作电池充电器功能）中的DC/AC逆变和PFC升压的控制芯片，集成了两路600V半桥高压MOS驱动器，驱动器的输出电流能力为+/-2A，内置四路独立的逐周PWM关断保护，可有效防止在极端情况下过高的峰值电流而损坏MOS的情况，另外提供了两路SD，分别为SD1，和SD2，SD1是驱动器1 HO1和LO1的逐周关断引脚，SD2是驱动器2 HO2和LO2的逐周关断引脚，结合外部比较器和SD功能可实现过流或短路保护等功能。
FAIRCHILD RURG8060 80A, 600V Ultrafast Diode 数据手册
FIGURE 1. FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE
1000 100
175oC
10 100oC
1
0.1
25oC
0.01 0
100
200
300
400
500
600
VF, REVERSE VOLTAGE (V)
FIGURE 2. REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
Applications
• Switching Power Supplies • Power Switching Circuits • General Purpose
Packaging
JEDEC STYLE 2 LEAD TO-247
CATHODE (BOTTOM SIDE METAL)
ANODE CATHODE
Data Sheet
January 2002
RURG8060
80A, 600V Ultrafast Diode
The RURG8060 is an ultrafast diode with soft recovery characteristics (trr < 75ns). It has low forward voltage drop and is of silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial planar construction.
Working Peak Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VRWM
IXYS CORPORATION XPTTM 600V IGBT 数据手册说明书
XPT TM 600V IGBT GenX3TMCES I C110= 75A V CE(sat) ≤ 2.3V t fi(typ)= 75nsG = GateC = Collector E = Emitter Tab = CollectorTO-247 ADExtreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz SwitchingFeaturesz Optimized for 20-60kHz Switching z Square RBSOAz Avalanche Capability z Short Circuit CapabilityzInternational Standard PackageAdvantagesz High Power Density z 175°C Ratedz Extremely RuggedzLow Gate Drive RequirementApplicationsz Power Inverters z UPSz Motor Drives z SMPSz PFC Circuits z Battery Chargers z Welding Machines zLamp BallastsSymbol Test Conditions Characteristic Values (T J = 25°C, Unless Otherwise Specified) Min. Typ. Max.BV CES I C = 250μA, V GE = 0V 600 VV GE(th)I C= 250μA, V CE = V GE3.05.5VI CES V CE = V CES , V GE = 0V25μA T J = 150°C 2 mA I GES V CE = 0V, V GE = ±20V±100 nAV CE(sat)I C = 60A, V GE = 15V, Note 11.852.30 V T J = 150°C2.30 VSymbol Test ConditionsMaximum Ratings V CES T J = 25°C to 175°C600V V CGR T J = 25°C to 175°C, R GE = 1M Ω 600V V GES Continuous ±20V V GEM Transient±30VI C25T C = 25°C (Chip Capability) 150 AI C110T C = 110°C 75A I CM T C = 25°C, 1ms 300AI A T C = 25°C 30 A E AST C = 25°C 500 mJSSOA V GE = 15V, T VJ = 150°C, R G = 5Ω I CM = 150A(RBSOA) Clamped Inductive Load @V CE ≤ V CES t scV GE = 15V, V CE = 360V, T J = 150°C 10 μs (SCSOA)R G = 22Ω, Non Repetitive P C T C = 25°C750W T J -55 ... +175°C T JM 175°C T stg -55 ... +175°CT LMaximum Lead Temperature for Soldering 300°CT SOLD 1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s 260 °C M d Mounting Torque1.13/10Nm/lb.in.Weight6gIXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.Notes:1. Pulse test, t ≤ 300μs, duty cycle, d ≤ 2%.2. Switching times & energy losses may increase for higher V CE (clamp), T J or R G .Symbol Test Conditions (T J = 25°C Unless Otherwise Specified)fs I C = 60A, V CE = 10V, Note 1 20 33C ie sC oes V CE = 25V, V GE C resQ g(on)Q ge I C = 75A, V GE = 15V, V Q gc d(on)PRELIMINARY TECHNICAL INFORMATIONThe product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived from data gathered during objective characterizations of preliminary engineering lots; but also may yet contain some information supplied during a pre-production design evaluation. IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions without notice.Fig. 1. Output Characteristics @ T 6080100120140I C - A m p e r e sIXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.Fig. 7. Transconductance20304050g f s - S i e m e n sFig. 12. Inductive Switching Energy Loss vs.Gate Resistance1.522.533.54E o f f - M i l l i J o u l e sE off E on - - - - T J = 150ºC , V GE = 15V V CE = 400VI C = 80AIXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.Fig. 18. Inductive Turn-on Switching Times vs.Gate Resistance80120160200240r i - N a n o s e c o n d st r i t d(on) - - - -T J = 150ºC, V GE = 15V V CE = 400V。
PL5802原版芯片规格书
7V, 3A1 特性● 高效电源开关☆ 内部集成35m Ω导通电阻、18V 高耐A 智能识别与LED 显示充电端口电源开关高耐压MOS 开关， 2 典型应用● 智能排插 ● 便携式充电设备 PL5802 深圳芯派科技ＴＥＬ：１３５ ３０４５ ２６４６ （唐生）ＩＣＱ：２９４ ４３４ ３３６２ＩＣＱ：２９４ ４３５ ３３６２5 引脚定义及功能6 订单信息7.4 温度特性(注 3)注:4) 设计参数保证，批量生产不测试。
8 应用指南8.1 概述将输出电流降低到几微安。
PL58028.5 温度保护PL5802具有温度保护功能，通过内部温运行，芯片温度高于设定OTP阈值时，PL59 应用和设计9.1 输入输出电容输入输出电容提升了芯片的应用品质，或者更大的陶瓷旁路电容连接于Vin和GND 解电容吸收输入尖峰浪涌电压。
我们建议所有应用都应在输出加上至少10 PCB 布局11.1 布板指南1. PL5802 摆放。
将PL5802放置于靠近USB的输出控制器，2. 输入旁路电容在VIN的PIN附近放置10uF的陶瓷旁路电容需要另外一个470uF电解电容来吸收热插拔11.2 PCB布局实例内部温度检测电路，侦测工作时候的功率开关温度。
当设备PL5802将关闭电源开关，温度降低前，电源开关将不会被打品质，电容的选取需要根据实际应用进行优化，对于所有的应用GND之间，当输入电源存在热插拔操作时，可能需要更大的上至少4.7uF或者更大的陶瓷旁路电容,应用减少瞬态大电流对制器，最好在VBUS端增加一个10μF 的滤波电容。
路电容，使PCB中VIN的OIN脚到电容的距离尽可能短。
在存热插拔引起的输入电压尖峰。
Fig. 3 布板实例当设备在过流状态下以恒流模式会被打开，直到接触过温状态。
的应用场合，我们建议将4.7uF 更大的输入电容，例如470uF电电流对电源开关的影响。
在存在热插拔操作时，可能还序号 元件名称 元件编号1 贴片电容 C1, C2 贴片电阻 R1,3 贴片电阻 R34 贴片IC U15 黄色LED灯 LED6 红色LED灯 LED27 USB序号 元件名称 元件编号1 贴片电容 C1, C3 贴片电阻 R34 贴片IC U16 USB PL5802A BOM清单件编号 元件规格 封装 C1, C2 10uF/10V 1206 R2 1K 5% 0603 R3 2.2K 1% 0603 U1 PL5802A TSOT23-6 LED1 0603 LED2 0603单口USBPL5802B BOM清单件编号 元件规格 封装 C1, C2 10uF/10V 1206 R3 2.2K 1% 0603 U1 PL5802B TSOT23-6单口USB 数量 2 2 1 1 1 1 1数量 2 1 1 112 封装信息宝砾公司对本文件中可能出现的任何错误不公司不承担因应用或使用本协议所述的任何产品首席执行官书面批准，不得被作为生命维持设备偿。
GS3406自动升降压同步600MA芯片
oscillator free running frequency is set slower than the desired synchronized switching frequency to
guarantee sync. The oscillator RT component value required is given by:
80 70 60 50 40 30 20
10
0
1
10
100
1000
output current
VIN=2.7V VIN=3.6V VIN=4.2V
Conversion Efficiency
100
90
80
efficiency
70 60 50 40 30
20
10
0
1
10
100
1000
output current
On Switches B and C
PMOS Switch On Resistance Input Current Limit
Maximum Duty Cycle
Minimum Duty Cycle Frequency Accuracy
高频微型同步漏电保护电源芯片说明书
1.8
1.4
Normalized VGS(th)
1
0.6
0.2 -50
0
50
100
150
TJ ,Junction Temperature (℃ )
Fig.5 Normalized VGS(th) vs. TJ
Normalized On Resistance
VGS , Gate to Source Voltage (V)
0.027 9 9.6 0.85
-5.8 ------40 0.9 16 2.8 3.7 12 10 24 5.5 1150 120 85
Max. ----10.8 12 1.3 --1 5
±100 --2.0 21 3.5 4.4 18 15 40 8 -------
Unit V
V/℃ mΩ V mV/℃ uA nA S Ω
T ON T
D = TON/T TJpeak = TC+PDMXRθJC
0.1
ห้องสมุดไป่ตู้1000 1
Fig.9 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Normalized Thermal Response (RθJC)
Fig.10 Switching Time Waveform
The WSD3042DN56 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.
2A同步整流升压IC
2A同步整流升压IC锂电池PS7616深圳市百盛电子郑生１８９４８３１４９４２.Description The PS7616 is a high efficiency, fixed frequency1MHz, current mode PWM boost DC/DC converterwhich could operate battery such as input voltage down to 2.5V. The converter output voltage can be adjusted to a maximum of 5.25V by an external resistor divider. Besides the converter includes a 0.05Ω N-channel MOSFET switch and 0.08Ω P-channel synchronous rectifier. So no external Schottky diode is required and could get better efficiency near 93%.The converter is based on a fixed frequency, current mode, pulse-width-modulation PWM controller that goes automatically into PSM mode at light load. When converter operation into discontinuous mode, the internal anti-ringing switch will reduce interference and radiated electromagnetic energy. The PS7616 is available in a space-saving SOP-8 (Exposed Pad) package for portable application.FeaturesHigh Efficiency up to 93%Low RDS(ON) Integrated Power MOSFET NMOS 50mΩ/PMOS 80mΩWide Input Voltage Range: 2.5V to 5.5V Fixed 1MHz Switching FrequencyLow-Power Mode for Light Load Conditions ±2.0% Voltage Reference Accuracy Adjustable Current LimitPMOS Current Limit for Short Circuit Protection Low Quiescent CurrentOutput Ripple under 200mV (Scope Full Bandwidth)Input Under Voltage Lockout Internal Compensation Function Built-In Soft Start FunctionOver-Temperature Protection with Auto Recovery Output Overvoltage ProtectionSOP-8 (Exposed Pad) Pb-Free PackageApplicationsPortable Power Bank Wireless Equipment Handheld Instrument GPS ReceiverINVOUTFBGND9PGND86*****LIMure 1. Pin Assignment of *****igPin Description锂电池PS7616Typical Application CircuitL1VINVOUT5V/2AFigure 2. Typical Application Circuit锂电池Block DiagramOUTFigure 3. Block Diagram of PS7616锂电池Absolute Maximum Ratings (Note 1)● Supply Voltage VIN ----------------------------------------------------------------------------------------------- -0.3V to +6.5V ● LX Voltage VLX ---------------------------------------------------------------------------------------------------- -0.3V to +6.5V ● All Other Pins Voltage ------------------------------------------------------------------------------------------- -0.3V to +6.5V ● Maximum Junction Temperature (TJ) ------------------------------------------------------------------------ +150°C ● Storage Temperature (TS) -------------------------------------------------------------------------------------- -65°C to +150°C ● Lead Temperature (Soldering, 10sec.) --------------------------------------------------------------------- +260°C ● Package Thermal Resistance, (θJA)SOP-8 (Exposed Pad) ------------------------------------------------------------------------------ 60°C/W● Package Thermal Resistance, (θJC)SOP-8 (Exposed Pad) ------------------------------------------------------------------------------ 15°C/WNote 1：Stresses beyond this listed under “Absolute Maximum Ratings“ may cause permanent damage to the device.Recommended Operating Conditions● Supply Voltage VIN ----------------------------------------------------------------------------------------------- +2.5V to +5.5V ● Output Voltage Range ------------------------------------------------------------------------------------------- up to+5.25V ● Operation Temperature Range -------------------------------------------------------------------------------- -40°C to+85°C锂电池PS7616Electrical Characteristics锂电池PS7616Outline InformationSOP-8 (Exposed Pad) Package (Unit: mm) Note：Followed From JEDEC MO-012-E.。
CX8825_同步整流芯片资料1.1正式版
深圳市诚芯微科技有限公司 ＣＸ８８２５
VFB Ouput OVP Voltage Switching Frequency Maximum Duty Cycle Minimum On-Time Reference Voltage Of Current Sense Cable Compensation Scale Vout − 5.1V CSP − CSN VOUT-Short Power Mos Thermal shutdown Temp Thermal Shutdown Hysteresis VOUT-Short High-Side Low-Side TSD TSH TJ=25℃ OVP FSW Internal define CX8825 IOUT=200mA 1.27 120 85 1.3 135 100 350 93 1.35 150 100 V KHz % ns mV
原理框图
规格参数
诚
芯
微
Characteristics
Input Voltage UVLO Voltage UVLO Hysteresis Quiescent Current Standby Current Reference Voltage Of
科
Symbol
VIN VUVLO ICCQ ISB VFB = 1.5V, force driver off. No Load
微
SYMBOL
MILLIMETER NOM 0.2 4.9 3.9 6 0.41 1.27 BSC -
科
MAX 1.75 0.25 0.25 5.1 4.1 6.2 1.27 0.51 0.1 O 8
e
A1
技
DETAIL A
英飞凌 S6AE101A 能量收集电源IC 数据表
请注意赛普拉斯已正式并入英飞凌科技公司。
此封面页之后的文件标注有“赛普拉斯”的文件即该产品为此公司最初开发的。
请注意作为英飞凌产品组合的部分，英飞凌将继续为新的及现有客户提供该产品。
文件内容的连续性事实是英飞凌提供如下产品作为英飞凌产品组合的部分不会带来对于此文件的任何变更。
未来的变更将在恰当的时候发生，且任何变更将在历史页面记录。
订购零件编号的连续性英飞凌继续支持现有零件编号的使用。
下单时请继续使用数据表中的订购零件编号。
AN INFINEON TECHNOLOGIES COMPANYTHIS SPEC IS OBSOLETESpec No:Replaced by: Spec Title :NONES6AE101A ENERGY HARVESTING PMIC FOR WIRELESS SENSOR NODE (ZH)002-08495S6AE101AIC赛普拉斯半导体公司 • 198 Champion Court • San Jose, CA 95134-1709 • 408-943-2600S6AE101A 是应用于能量收集的电源IC ，它内置了串联型太阳能组件连接电路，输出功率控制电路，输出电容蓄电电路，一次电池电力供给切换电路。
只需仅仅250 nA 的消耗电流和1.2 µW 的启动电力就能进行超低功耗工作。
因此，在100 lx 程度的低照度环境特征◼ 输◼ 依◼ 从◼ 输◼ 工☐ ☐ ◼ 可◼ 低◼ 最◼ 输◼ 小型应用◼ 使◼ B ◼ 无线◼ 安◼ 智Contents特征 (1)应用 (1)框图1.2.3.4.5.6.7.7.17.27.37.48.9.9.19.210.11.12.13.14.15.16.销1. 引脚配置图Figure 1-1 引脚配置图3. 体系结构框图Figure 3-1体系结构框图4. 绝对最大额定值6. 电气特性以下，记载了除去外接电阻和外接电容影响后的电气特性。
GS66516T_650V_60A_GaN E-HEMT_Datasheet_2015-09-04
Figure 3: GS66516T typical RDS(on) vs. ID for VGS = 6 V @Tj=25°C
Figure 4: GS66516T typical RDS(on) vs. ID for VGS = 6 V @Tj=150°C
Rev 150904
This information pertains to a product under development. Its characteristics and specifications are subject to change without notice.
2
GS66516T Top cooled 650V enhancement mode GaN transistor Preliminary Datasheet
Figure 1: GS66516T typical IDS vs. VDS @ TJ = 25 ⁰C
6Figure 2: GS66515T typical IDS vs. VDS @ TJ = 150 ⁰C
Figure 11: GS66516T temperature derating
Figure 12 : GS66516T Transient Thermal Impedance
Rev 150904
This information pertains to a product under development. Its characteristics and specifications are subject to change without notice.
1
GS66516T Top cooled 650V enhancement mode GaN transistor Preliminary Datasheet
北京联盛德微电子有限责任公司W600芯片规格书说明书
W600芯片规格书V1.0.4北京联盛德微电子有限责任公司 (Winner Micro)地址：北京市海淀区阜成路67号银都大厦18层电话：+86-10-62161900网址：文档历史目录1特征 (1)2概述 (4)3芯片特点 (4)4芯片结构 (4)5地址空间划分 (5)6功能描述 (6)6.1SDIO设备控制器 (6)6.2高速SPI设备控制器 (6)6.3DMA控制器 (6)6.4时钟与复位 (7)6.5内存管理器 (7)6.6数字基带 (7)6.7MAC控制器 (7)6.8安全系统 (8)6.9FLASH控制器 (8)6.10RSA加密模块 (8)6.11通用硬件加密模块 (8)6.12I2C控制器 (8)6.13主/从SPI控制器 (8)6.14UART控制器 (9)6.15GPIO控制器 (9)6.16定时器 (9)6.17看门狗控制器 (9)6.18射频配置器 (9)6.19射频收发器 (10)6.20PWM控制器 (10)6.21I²S控制器 (10)6.227816/UART控制器 (10)7管脚定义 (12)8电气特性 (14)8.1极限参数 (14)8.2射频功耗参数 (14)8.3Wi-Fi射频 (14)9封装信息 (16)10产品型号定义 (17)1特征⚫芯片外观➢QFN32封装，5mm x 5mm⚫芯片集成度➢集成32位嵌入式Cortex-M3处理器，工作频率80MHz；➢集成288KB数据存储器；➢集成1MB/2MB FLASH；➢集成8通道DMA控制器，支持任意通道分配给硬件使用或是软件使用，支持16个硬件申请，支持软件链表管理；➢集成2.4G射频收发器，满足IEEE802.11规范；➢集成PA/LNA/TR-Switch；➢集成32.768KHz时钟振荡器；➢集成电压检测电路；➢集成LDO；➢集成电源控制电路；➢集成上电复位电路；➢集成通用加密硬件加速器，支持PRNG/SHA1/MD5/RC4/DES/3DES/AES/CRC/RSA等多种加解密协议。
HCP3081_datasheet
HCP3081是一款高效率升压DC/DC转换控制芯片，SW端最高15V耐压。
待机电流<3uA。
具有恒流恒压输出模式。
主要特性：1、高效率：95%2、650KHz恒定开关频率。
3、2.5A输出电流能力（VIN >3.7V ）4、输出电压精度+3%5、电流模式实现优异的线性和负载瞬态响应6、待机电流<3μA。
7、内置过温保护电路。
典型应用电路（恒流恒压模式）A：Vout=5V, Iout=2A。
典型应用电路（恒压模式）B：Vout=5V。
输出引脚定义引脚序号名称类型描述备注1 SW 输入电感输入端2 SD 输入关断脚,当SD脚接高时，芯片开启；SD脚悬空时，芯片关断。
3 FB 输入输出反馈端4 DCS 输入输出端的恒流检测脚5 SVCC 输入芯片供电电压6 Ngate 输出NMOS驱动端7 Pgate 输出同步整流管驱动端8 GND 地芯片地极限指标符号参数说明取值单位VSW 电感开关脚15 VVIN 充电电源7 VVout 输出电压-0.5 ~ Vcc+0.5 VVin 输入电压-0.5 ~ Vcc+0.5 VTstg 存储温度-65 ~ +150 ℃Tj 芯片节温150 ℃ESD ESD （HBM）± 2 KV电气性能除非另有规定，默认测试条件：T=25o C，VIN=3.7V，Vout=5V。
符号参数说明测试条件取值单位最小典型最大升压电路ISD 关断电流 3 6 uAICC 静态工作电流无负载，同步工作状态3 6 mAVTHfb 反馈电压阈值 1.280 1.320 1.36 V Ifb 反馈端输入电流0.1 nA Vthcs 限流阈值电压50 mV Fosc 工作频率550 650 750 KHz Dmax 最大占空比65 70 75 % PF 升压效率Iout=2A。
92 %过温保护Temp 温度保护点140 o C Thys 过温保护迟滞窗口30 o C SD电平VSDH SD高电平 2 V VSDL SD低电平 1.4 V芯片运行功能状态描述在待机状态下，1、SD接高开始工作。
伊顿 BTF 多极电池终端保险丝 数据表
Eaton and Bussmann are valuable trademarks of Eaton in the U.S. and other countries. You are not permitted to use the Eaton trademarks without prior written consent of Eaton.
bus-ele-ds-10605-btf-11.indd 4
5/17/2019 12:02:29 PM
Eaton 1000 Eaton Boulevard Cleveland, OH 44122
Bussmann Division 114 Old State Road Ellisville, MO 63021 United States /bussmannseries
OEM part no. 82211AG150 3673-950J00 MN164187 3673-952J00 MN164188 3673-966J00 82620-33040 24380-JA70A 68164797-AA BR3Z-14526-AA AE5Z-14526-BA AL3Z-14526-AA 82620-52080A 82620-52060A 24380-79910 24380-79912 24380-7994A 24380-79918 24380-79919
• BTF-1P-__ • BTF-2P-__ • BTF-3P-__ • BTF-5P-__
Description:
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V = 2.5V to 5.5V,
IN
0.40 1.236 1.854 0.40
GS5806-1.2, -40° C≤T GS5806-1.8, -40° C≤T V = 2.5V to 5.5V
IN
≤ 85° C ≤ 85° C
1.164 1.746
1.200 1.800 0.04 0.5
η (%)
IN FB IN
GS5806
Operating Temperature Range...........-40° C to +85° C Junction Temperature ............................+125° C Storage Temperature Range............-65° C to +150° C Lead Temperature (Soldering, 10s)................+300° C
深圳市中广芯源科技有限公司
Typical Performance Characteristics (Test Figure 1 above unless otherwise specified)
η vs Io(VOUT=1.2V) 100 90 80 70 60
η ( %)
(Note 3)
Part Number GS5806ES5-1.8
SOT23-5 Top Mark Temp Range A3XY -40° C to +85° C
Thermal Resistance
Package SOT23-5
:
Ө
JC
Ө
JA
220° C/W
110° C/W
Note 1: Absolute Maximum Ratings are those values beyond which the life of a device may be impaired. Note 2: TJ is calculated from the ambient temperature TA and power dissipation PD according to the following formula: GS5806: TJ = TA + (PD)x(220° C/W) Note 3: Thermal Resistance is specified with approximately 1 square of 1 oz copper. Note 4: XY = Manufacturing Date Code Note 5: For other output voltage versions, please contact with our sales representatives.
TEL:0755-27668758/29126058
web:
深圳市中广芯源科技有限公司
Electrical Characteristics
(V =V
IN RUN
GS5806
= 3.6V, TA = 25° C, unless otherwise noted.) Conditions V =0.5V or V
≤ 85° C
± 1
Note 5: 100% production test at +25° C.
Specifications over the temperature range are guaranteed by design and
TEL:0755-27668758/29126058
web:
Applications
Cellular and Smart Phones Microprocessors and DSP Core Supplies
Typical Application Circuit
η vs Io(VOUT=1.8V) 100 90 80 70 60
VIN=3.6V VIN=2.5V
FB FB IN
Parameter Input Voltage Range Input DC Supply Current Active Mode Shutdown Mode Regulated Feedback Voltage V Input Bias Current
MIN 2.5
OUT
TYP
MAX 6.5 400 1.0 0.6120 0.6135 0.6180 ± 30
V =3V, V =0.5V or V
IN FB
Duty Cycle <35% V =0.6V or V =100%
FB OUT
OUT
=90%
0.8 1.2
1.00 1.5 0.40 0.35
1.25 1.8 0.45 0.40 ± 1 0.6
A MHz Ω Ω µA V µA
I I
SW SW
= 300mA = -300mA = 0V, V
TEL:0755-27668758/29126058
web:
深圳市中广芯源科技有限公司
Absolute Maximum Rating
Input Supply Voltage............................ -0.3V to +7V RUN, V Voltages..................... .......-0.3V to V +0.3V SW Voltages..................................-0.3V to V +0.3V P-Channel Switch Source Current (DC)..........1000mA N-Channel Switch Sink Current (DC).............1000mA Peak SW Sink and Source Current......................1.4A
(Note 2)
Package/Order Information Adjustable Output Version: Fixed Output Versions:
Part Number GS5806ES5-ADJ
SOT23-5 Top Mark Temp Range (Note 4) -40° C to +85° C A1XY
unit V µA µA V V V nA %/V V V % %
=90% 0.5880
V =0V, V =4.2V T = +25° C
A A
300 0.1 0.6000 0.6000 0.6000 0.5865 0.5820
T = 0° C≤T
A
A A
≤ 85° C ≤ 85° C
T = -40° C≤T
Wireless and DSL Modems PDAs MP3 / MP4 /MPM Player Digital Still and Video Cameras Portable Instruments
Features
High Efficiency: Up to 96% 1.5MHz Constant Switching Frequency 700mA Output Current at VIN=3V Integrated Main switch and synchronous rectifier. No Schottky Diode Required 2.5V to 6.5V Input Voltage Range Output Voltage as Low as 0.6V 100% Duty Cycle in Dropout Quiescent Current: 300µA(input < 4.2V) Slope Compensated Current Mode Control for Excellent Line and Load Transient Response Short Circuit Protection <1uA Shutdown Current Space Saving 5-Pin SOT23 package
FB
V
FB
= 0.65V 0.04
A A
Reference Voltage Line Regulation Regulated Output Voltage Output Voltage Line Regulation Output Voltage Load Regulation Peak Inductor Current Oscillator Frequency R of P-CH MOSFET
深圳市中广芯源科技有限公司
GS5806
1.5MHz, 700mA Synchronous Step-Down Converter
Description
T he GS 5806 is a high efficiency mo no lithic synchronous buck regulator using a constant frequency, current mode architecture. The device is available in an adjustable version and fixed output voltages, such as 1.2V, 1.5V, 1.8V, etc. Supply current with no load is 300uA and drops to <1uA in shutdown. The 2.5V to 6.5V input voltage range makes the GS5806 ideally suited for single Li-Ion, two to four AA battery-powered applications. 100% duty cycle provides low dropout operation, extending battery life in portable systems. PWM pulse skipping mode operation provides very low output ripple voltage for noise sensitive applications. Switching frequency is internally set at 1.5MHz, allowing the use of small surface mount inductors and capacitors. The internal synchronous switch increases efficiency and eliminates the need for an external Schottky diode. Low output voltages are easily supported with the 0.6V feedback reference voltage. The GS5806 is available in a small SOT package .