中职电子技术基础期中试卷
最新中职电子技术基础期终考试试题(二)
电子试题一填空1. 正反馈可组成___________,负反馈可改善_______________。
2. 判别正负反馈最简捷的方法是___________。
3. 放大器输出电阻越_______,放大器带负载能力越强。
4. LC振荡的三种基本电路是_________________、__________________、_______________。
5. 一个自激振荡器只有满足_________条件和_________条件,才能产生振荡。
6. 直流放大器要解决的主要问题是________________。
7. 在差动放大电路的输入信号中,___________信号是有用的信号,___________信号则是设法抑制的信号。
8. 真值表是描述逻辑函数______________和_______________对立关系的表格。
9. 逻辑或表达式为____________。
0. 逻辑与表达式__________。
11. 按MOS管的类型不同,MOS集成电路可分为___________MOS集成电路和__________MOS集成电路。
12. 电子技术中的工作信号可分为两大类:一类是随时间连续变化的,称为_______信号,另一类是不连续变化的脉冲信号,称为__________信号。
13. 晶体二极管作为开关元件,是利用了它的__________。
14. 晶体三极管不仅有放大作用,还有________作用。
15. 三极管的输出特性分成三个区域,在交流放大器中,三极管一般工作在放大区,而在脉冲数字电路中三极管一般在_______区或_______区。
16. 三极管作为开关元件使用时,它主要工作在_______区和_______区,并经常在这两个区域进行快速转换。
17. 在开关电路中,只有"0"和"1"两种状态,通常把高电平看作__________状态,把低电平看作__________状态。
中职电子技术基础期中试题
2023年-2024年度第二学期 中等职业技术学校22 级 船舶 专业 电子技术基础 科目期中检测试卷(A 卷) 考试形式:闭卷■、开卷□ 出卷人:康洋 考试时间: 60分钟一、判断题(本大题共10小题,每小题3分,共30分,请将其答案写在答题卡内。
)1.制造半导体器件用得最多的是硅和碳两种材料。
2.纯净的半导体称为本征半导体,它的导电能力是很弱的 。
3. PN 结加正向电压导通,加反向电压截止,这是 PN 结的重要特性——“单向导电性”。
4. 正向特性是指给二极管加正向电压(二极管正极接高电位,负极接低电位)时的特性。
5. 二极管导通后,二极管两端的电压会一直增加。
6. 三极管里面有PN 结结构,因此三极管具有单向导电性。
7.三极管可以用两个二极管拼接而成。
8.发射极电流的方向,箭头朝外的是 NPN 型三极管,箭头朝内的是 PNP 型三极管。
9.三极管的发射极和集电极可以互换。
10.三极管电流放大的实质是:用较小的基极电流控制较大的集电极电流。
二、单项选择题(本大题共10小题,每小题4分,共40分,请将其答案写在答题卡内。
)1. 从 PN 结的 P 区引出的电极为二极管的正极,又称( )。
A.阳极 B.阴极 C.负极 D.亮极2.硅管的“死区电压”为( )。
A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V 3.硅材料二极管两端的电压降为( )。
A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V 4.三极管的发射极用符号( )可以表示。
A.cB.eC.bD.a 5. 三极管实现电流放大作用的条件是( )。
A. 发射结正偏,集电结反偏B. 发射结正偏,集电结正偏C. 发射结反偏,集电结正偏D. 发射结反偏,集电结反偏 6. NPN 型三极管中,当V C >V B >V E ,三极管处于( )A.共射极放大电路B. 共集电极放大电路C.共基极放大电路D.共阳极放大电路 7.以下哪项属于直流电的表示符号( )A.I BB. i bC. i BD. I b8.在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V , -10 V , -9.3 V , 则这只三极管是( )。
中职电子技术基础期中试卷
2012年秋学期《电子技术基础》期中测试2012.11.一、填空题(0.5’×50)1、半导体中有两种载流子:和。
2、晶体二极管具有特性,即加电压时导通,加电压时截止。
3、晶体三极管具有作用,是一种控制型器件,通过电流的变化去控制较大的电流变化。
4、晶体三极管内部结构有三个区:区、区和区;两个PN 结:和;三个电极:、和,分别用字母、、表示。
5、晶体三极管工作在的偏置条件(外部条件)是:、工艺条件(内部条件)是:、、。
6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同,分为和两种类型,它们的图形符号分别为和,基区为N型半导体的是型。
7、晶体三极管有三种基本联接方式:接法、接法和接法。
三极管的三个电极中,极既可以作为输入端,又可以作为输出端。
9、硅管的门坎电压约为 V,导通电压约为 V;锗管的门坎电压约为 V,导通电压约为 V。
10、若测得某晶体三极管的电流为:当I B=20µA时,I C=2mA;当I B=60µA时,I C=5.4mA,则可求出该管β为,I CEO为,I CBO为。
12、晶体三极管的输出特性曲线是在I B一定时,测出与对应值的关系,它可以分为三个区域,即区、区和区。
当三极管工作在区时,关系式I C =βI B才成立;当三极管工作在区时,I C≈0;当三极管工作在区时,V CE≈0;三极管在区时,具有恒流特性。
二、判断题(2’×10)1、晶体二极管一旦发生击穿,就会被烧毁。
( )2、N 型半导体的多数载流子是电子,因此N 型半导体带负电。
( )3、环境温度升高,晶体二极管的反向饱和电流将增大。
( )4、在半波整流电路中,二极管极性接反,将无整流作用。
( )5、用万用表测量小功率二极管,一般使用R ×10K Ω挡。
( ) 6.用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“+”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极,另一电极是负极。
中职数字电路中考试试题
- 1 -职教中心2016-2017学年度第一学期期中考试题(卷)科目:电子技术基础 适用班级:16汽修、采矿一、 选择题 (每题3分,共12分) 1、右图①表示( A )电路, ②图表示( B )电路A、与门B、或门 C、非门 D、与非门2、逻辑电路如图⑤,函数式为( A )A 、 F= AB + CB 、 F= A B + CC 、 F= AB +CD 、F=A+B C3、下列图中的逻辑关系正确的是 ( B )A.Y= A BB.Y= ABCC.Y= AB4、逻辑功能为“全1出0,有0出1”的逻辑门是( ) 二、 计算题、(本题共10分,要求有计算过程)5、有一数码 10010011,作为自然二进制数时,它相当于十进制数 147 ,作 为 8421BCD 码时,它相当于十进制数 93 。
三、 作图题(本题共30分)6、已知各逻辑门输入 A 、 B 和输出 F 的波形如下图所示写出 F 的逻辑表达式并画出逻辑电路。
A B7、图 1、2 中电路由 TTL 门电路构成,试分别写出 F1、F2 的表达式。
题号 一 二 三 四 五 六 总分 得分班级: 姓名:四、填空题(本题共10分)8.在门电路中,最基本的逻辑门是、、。
9.异或门的逻辑功能是:__________________ 、________________。
五、用公式法化简下列函数(每题5分,共10分)1.Y1=AB+ABD+AC+BCD2.Y2=(A+AB)(A+BC+C)六、判断题(本题共10分)1、()负逻辑规定:逻辑1代表低电平,逻辑0代表高电平。
2、()逻辑代数中的0和1代表两种不同的逻辑状态,并不表示数值的大小。
3、()逻辑代数式A+1=A成立4、()非门可以用与非门代替,但,与非门不能用非门代替。
5、()非门通常是多个输入端,一个输出端。
七、证明题(本题共9,共18分)1、用真值表验证摩根定律2、证明:AB+A C+BC=AB+A C- 2 -。
中职电子技术基础半期考试题
《电子技术基础》期中考试题考试日期:90分钟考核方式:闭卷班级:姓名:一、填空(每空2 分,共10分)1、判别三极管的管脚,先判定基极和管型::当指针表的“黑笔”固定,则此管为管(选填“NPN”或“PNP”),此电极为极。
2、将交流电变换成的过程叫整流,整流电路通常由组成。
3、测量三极管3个引脚的对地电压分别为①1V、②5V、③1.7V,则此管为硅材料型的三极管(选填“NPN”或“PNP”)二、单项选择(每题3分,共30分)4.二极管有几个电极几个PN结()A.1、2 B.2、1 C.2、25.三极管有几个电极几个PN结()A.3、2 B.2、3 C.3、36.三极管可以是由半导体硅材料制成,称为()A.晶体管B.半导体C.硅三极管7.NPN型三极管的基区是()型A.N B.P C.PN8.三极管制作时,通常它们的基区做得很()A.很厚B.很薄C.一样9.三极管制作时,通常它们的基区掺杂浓度()A.低B.高C.一样10.三极管截止状态时,三极管相当于一个开关()A.闭合B.时开时合C.断开11.三极管实现放大的外部条件是:其发射结必须加()向电压A.正向B.反向C.不一定的12.二极管的最大整流电流IF是指二极管长期连续工作时()A.反向电流值B.指二极管击穿时的电压值C.允许通过二极管的最大正向电流的平均值13.二极管两端的电压U及其流过二极管的电流I之间的关系曲线,称为()A.二极管的伏安特性B.三极管的伏安特性C.二极管的主要参数三、多项选择(每题5分,共20分,选对不全得2分,错选、不选得0分)14、半导体的主要特点有()A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.导电性15、半导体中存在两种载流子()A.带负电的自由电子B.带正电的空穴C.正负电荷16、按照应用的不同,二极管分为()A.整流、检波、B.开关、稳压、C.发光、光电、D.快恢复和变容二极管17、三极管符号中发射极上的箭头方向,表示()A.发射结正偏时电流的流向B.发射结反偏时电流的流向C.NPN型箭头方向为电流流出D.PNP型箭头方向为电流流入四、判断正误(对的打“√”错的打“×”)(每题2分,共20分)18.自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类:导体、半导体1和绝缘体。
中职电子技术基础与技能期中试题
A.输入信号大 B.三极管的β过大 C.电源电压太高 D.三极管输入特性的非线性 9、为了减小交越失真,加偏置的OCL电路在静态时处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.微导通状态 10、集成稳压器CW78L05表示( ) A.输出电压5V,最大输出电流1A B.输出电压-5V,最大输出电流1A C.输出电压-5V,最大输出电流0.1A D.输出电压5V,最大输出电流 0.1A 二、多项选择题(5小题,每题3分,共15分) 1、多级放大电路与单级放大电路相比,错误的是( ) A.通频带变窄 B.通频带变宽 C.电压增益提高 D.电压增益减小 2、关于集成运放的理想特性,正确的是( ) A.开环差模放大倍数趋于无穷大 B.两输入端之间的输入电阻趋于无穷大 C.输出电阻趋于无穷大 D.共模抑制比趋于无穷大 3、功率放大器的基本要求有( ) A.尽可能大的输入功率 B.尽可能高的效率 C.较小的非线性失真 D.较好的散热装置 4、OTL电路和OCL电路的区别主要有( ) A.有无输出电容 B.有无输出变压器 C.双电源或单电源供电 D.是否存在交越失真 5、三极管各个极的电位如下,不处于放大状态的三极管是( ) A.VB=0.7V,VE=0V,VC=0.3V B.VB=-6.7V,VE=-7.4V,VC=-4V C.VB=-3V,VE=0V,VC=6V D.VB=2.7V,VE=2V,VC=2V 三、填空题(5小题,每题2分,共10分) 1、多级放大电路通常有三种耦合方式,即 、变压器耦 合和 方式。 2、集成运放工作在线性区的特征是引入深度 。工作在线性放 大状态的集成运放具有两个重要特点,分别是 。 3、大小相等、极性相反的信号称为 信号;大小相等、极性 相同的信号称为 信号。 4、乙类功放电路中,功放管静态工作点设置在 边缘,因此几 乎无静态电流,电路的功率损耗减到最小,放大器的效率最高可达
中职《电子技术基础》期中考试题
中职《电子技术基础》试题一、单项选择题1.某硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为()A、约等于150伏B、可略大于150伏C、不得大于40伏D、等于75伏2. 晶体三极管工作在饱和状态时,它的集电极电流IC将()。
A.随I B增加而增加 B.随I B增加而减少C.与I B无关,只决定于V c和R C3.单管共射放大器输入正弦电压,用示波器观察到输出波形的正半周被削顶,该放大器的静态工作点设置得 ( )A.正常B.偏低C.偏高D.无法确定4.稳压二极管稳压时,其工作在( ),发光二极管发光时,其工作在( )。
A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区5、由NPN型三极管组成的基本共射放大电路的静态工作点设置不当时,输出波形容易产生失真,Q点偏高时的失真叫做失真,对应的输出电压波形将出现失真。
A 饱和;顶部B 饱和;底部C 截止;底部D 截止;顶部二、填空题1、晶体二极管加一定的电压时导通,加电压时,这一导电特性成为二极管的特性。
2.PN 结处于导通状态时电阻_______,处于截止状态时电阻_________。
3.用万用表“R x 1K"挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。
4.晶体三极管有三种基本联接方式:接法、接法和接法。
5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态,并指出管型。
管 型 (1)_______(2)_______(3)_______(4)_______ 工作状态 (1)_______(2)_______(3)_______(4)_______6.射级输出器晶体管的公共端是_______。
7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;画交流通路时将_______视为_______,将直流电源视为_______。
8.在检测三极管管脚极性时,万用表黑表笔固定在某一管脚,红表笔分别接另外两管脚,两次阻值均较小,则黑表笔所接管脚为_________,三极管管型为_________。
中职《电工电子技术基础》期中考试试卷及答案
中职第一学期电工班级: 姓名: 得分:一、填空题:(每空1分,共 30 分)1. 任何一个完整的电路都一般由 电源 、 负载 和 中间环节(导线和开关) 三个基本部分组成。
2、根据电源的外特性和全电路欧姆定律U=E-Ir 的概念,可见,电源端电压U 随着电流I 的增大而 减小 ,而电源的电动势随着内阻的增大而 减小 。
一般电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态,电源 短路 是严重的故障状态,必须避免发生。
3、一般规定参考点的电位规定为 零电位 ,低于参考点的电位是 负电位 ,而高于参考点电位是 正电位 。
4取决于导体的 长度 、 横截面积 和 自身的材料 ,其表达式 5电压和功率的最大值都有一定的限制,分别称为 额定电流 、 额定电压 、 额定功率 。
6、分析和计算复杂电路的主要依据是: 基尔霍夫 定律和 欧姆 定律。
7内阻r 数值 不变 ,电路图改为 并 联。
8、用一个恒定的电动势与内阻r 串 联表示的电源称为 电压源 。
用一个恒定的电流Is 与内阻r 并 联表示的电源称为 电流源 。
9、电磁铁的形式很多,但基本组成部分相同,一般由 励磁线圈 、 铁心 、 衔铁 三个主要部分组成。
二、判断下列说法的正确与错误:正确的打(√),错误的打(×),每小题1分,共 10 分1、( × )电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。
2、( × )电压是产生电流的根本原因。
因此电路中有电压必有电流。
3、( × )绝缘体两端的电压无论再高,都不可能通过电流。
4、( × )电路处于开路状态时,电路中既没有电流,也没有电压。
5、( √ )理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。
6、( √ )对于一个电源来说,在外部不接负载时,电源两端的电压大小等于电源电动势的大小,但方向相反。
7、( × )电阻并联后的总电阻大于其中任一只电阻的阻值。
8、( × )在复杂电路中,各支路中元器件是串联的,流过它们的电流是相等的。
职业高中《电子技术》期中考考试题及答案
2018——2018年度第二学期高一年级《电子》期中考试试卷一、判断题<每空1分,共10分)1.二极管导通时,电流是从负极流出,正极流入的。
< )2.硅和锗是制作半导体的主要材料。
< )3.按照两个PN结组合方式的不同,三极管可分为硅三极管和锗三极管。
< )4.整流的主要目的是将交流电源变换成脉动的直流电压。
< )5.单相桥式整流电路在输入交流电压的每半周内都有两只二极管导通。
< )6、三极管的c、e极可以互换。
< )7、二极管的型号基本能反映其所用半导体材料、性能、类别极质量。
< )8、放大电路采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。
< )9、同一只三极管的直流放大系数和交流放大系数数值上很接近,在应用时可相互代替。
< )10 只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。
< )二、选择题<每空2分,共20分)1、实际功率放大电路时采用< )放大电路。
A、甲类B、乙类C、甲乙类D、丙类2、单管甲类功率放大电路结构简单,但最大的缺点是< )。
A、有交越失真B、效率低C、易产生自激D、输出功率小3、分压式的偏置电路利用< )的负反馈来稳定工作点A、基极电阻B、集电极电阻C、发射极电阻D、电容4、单向桥式整流电容滤波电路中,在满足RLC≥<3~5)T/2时,负载电阻上的平均电压估算为< )b5E2RGbCAPA、1.1U2B、0.9U2C、1.2U2D、0.45U25、三极管是一种< )的半导体。
A、电流控制B、电压控制C、功率控制D、频率6、三极管工作在饱和区时的条件是< )。
A、发射结正偏,集电结饭偏B、发射结反偏,集电结正偏C、发射结正偏,集电结正偏D、发射极正偏,集电极正偏7、整流的目的是< )。
A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、将直流变为交流D、将正弦波变为方波8、测得放大电路的开路输出电压为6V,接入2kΩ负载电阻后,其输出电压降为4V,则此放大电路的输出电阻R0为<)p1EanqFDPwA、R0=1kΩB、R0=2kΩC、R0=4kΩD、R0=6kΩDXDiTa9E3d9、如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很小,则二极管< )。
秋季期《电子技术基础》期中考试试卷
秋季期《电子技术基础》期中考试试卷班学号:姓名:1.为了正确选用电阻器,必须了解电阻器的()A.技术参数B.大小C.颜色D.长短2.电阻的单位()A.ΩB.FC.HD.V3.电阻器的额定功率是指电阻器在一定气压和温度下长期连续工作所允许承受的()A.最小功率B.最大功率C.被烧毁功率D.延长寿命功率4.用文字符号表示电阻器的阻值与误差,文字符号有R(Ω)、K、M、G、T,其中R表示()A.(100)欧姆B.千欧(103)C.吉欧(109)D.兆欧(106)5.电阻器的颜色为棕色,它的倍系数是()A.101B.102C.103D.1046.电阻色环颜色误差为±1%的是()A.红B.棕C.金D.银7.测20Ω的电阻器时,应选用()A. R×1挡B. R×10挡C.R×100挡D. R×10K挡8.电阻器阻值在1KΩ到100KΩ之间,标注单位为()A. KB. M C . KM D. MΩ9.102表示标称容量为()A. 102PB. 100PC.1000PD.120P10.6K8表示电阻器的阻值为()A.6800Ω B. 680Ω C. 68Ω D. 68000Ω11.电路的组成不包括()A.电源B.负载C.导线D.电动机12.电路中的主要物理量不包括( )A.电流B.电动机C.电位与电压D.电动势二、填空题(每空3分,共30分)1.常用的电工电子测量仪表主要有:、、、兆欧表、钳形电流表、功率表、电度表。
2.导体电阻的阻值不仅与导体自身的材料有关,而且与导体的长度成,与导体的横截面积成。
3.欧姆定律说明,流经负载的电流I与加在电路两端的电压成,与电路的电阻R成,用公式可表示为I= 。
4.电路的工作状态有三种,即开路、和。
三、判断题(把正确答案填在答题卡内.正确的打上√ , 错误的打上×,共15分)1.通路是指电路在正常工作情况下,电能从电源的一端流出,经负载后回到电源的另一端,构成闭合回路的状态。
中职电子基础试题及答案
中职电子基础试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 电子电路中,二极管的主要作用是:A. 放大信号B. 整流C. 滤波D. 振荡答案:B2. 在数字电路中,逻辑与门的输出为高电平的条件是:A. 所有输入端均为高电平B. 至少有一个输入端为高电平C. 所有输入端均为低电平D. 至少有一个输入端为低电平答案:A3. 晶体三极管的放大作用是基于:A. 欧姆定律B. 基尔霍夫定律C. 光电效应D. 量子隧道效应答案:B4. 以下哪种元件不是构成RC振荡器的元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D5. 在电子电路中,稳压二极管的主要功能是:A. 整流B. 稳压C. 放大D. 开关答案:B6. 集成电路的英文缩写是:A. ICB. PCBC. LEDD. LCD答案:A7. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 矩形波C. 三角波D. 锯齿波答案:D8. 电子电路中的反馈可以分为:A. 正反馈和负反馈B. 直流反馈和交流反馈C. 电压反馈和电流反馈D. 串联反馈和并联反馈答案:A9. 电子电路中的滤波器,其主要作用是:A. 放大信号B. 整流信号C. 滤除噪声D. 产生振荡答案:C10. 电子电路中的振荡器,其主要作用是:A. 放大信号B. 整流信号C. 产生周期性信号D. 滤除噪声答案:C二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 以下哪些元件可以用于构成振荡器?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:ABC2. 在数字电路中,以下哪些门电路可以实现逻辑与功能?A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案:A3. 晶体三极管的三个主要极是:A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 栅极答案:ABC4. 以下哪些元件可以用于构成滤波器?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:ABC5. 以下哪些因素会影响电子电路的稳定性?A. 温度B. 电源电压C. 元件老化D. 信号干扰答案:ABCD三、判断题(每题2分,共10分)1. 晶体三极管的放大倍数与工作温度无关。
中职《电子技术基础》期中试卷及及参考答案
中职《电子技术基础》期中试卷及及参考答案电子技术基础》期中试卷一、填空题(每空1分,共32分)班级:题号一二三四五六七八九总分得分1、晶体二极管加一定的电压时导通,加电压时,这一导电特性成为二极管的特性。
2.PN结处于导通状态时电阻_______,处于截止状态时电阻_________。
3.用万用表“Rx 1K "挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的姓名:_______极,与红管接触的是二极管的_______极。
4.场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。
场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P 沟道和_______沟道的区分。
5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态,并指出管型。
管型(1)_______(2)_______(3)_______(4)_______学号:工作状态(1)_______(2)_______(3)_______(4)_______6.Iceo称为三极管的_______电流,它反映三极管的_______,Iceo越_______越好。
7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;画交流通路时将_______视为_______,将直流电源视为_______。
8.放大器的输入电阻_______,则放大器要求信号源提供_______越小,信号源负担就越轻。
放大器的输出电阻_______,放大器_______越强。
二、判断题(每题2分,共14分)l.放大器放大信号说明三极管的放大倍数起到了能量的晋升感化。
()2.在根本共射极放大电路中,当电源电压Vcc增大时,若电路其他参数稳定,则电压放大倍数Av值应增大。
()3.在共射极单管放大电路中,若电源电压不变,只要改变集电极电阻Rc就能改变集电极电流Ie值。
()4.共基极三极管电路只能放大电压而不能放大电流。
()5.二极管一旦反向击穿就会损坏。
职业技术学校电子专业中期考试1
城口县职教中心《电子技术基础》中期考试试题共100分(120分钟)班级姓名分数一、判断正误(对的打“√”错的打“×”)(每题1分,共10分)1.自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类:导体、半导体和绝缘体。
()2.三极管从结构上来讲分为两类:NPN型三极管和PNP型三极管。
()3.由锗材料制成的三极管,称为锗三极管。
()4.饱和失真是放大电路的静态工作点Q选取比较低时引起的()5.半导体中只存在一种载流子:是自由电子。
()6.P型半导体中,空穴为多数载流子。
()7.P型半导体主要靠电子导电。
()8.二极管箭头的方向表示正向电流的方向()9.选择三极管时,β值越大越好()10.三极管放大原理是用基极电流微小变化去控制集电极电流较大的变化()二、单项选择(每题2分,共30分)1.二极管有几个电极几个PN结()A.1、2 B.2、1 C.2、22.三极管有几个电极几个PN结()A.3、2 B.2、3 C.3、33.三极管可以是由半导体硅材料制成,称为()A.晶体管B.半导体C.硅三极管4.NPN型三极管的基区是()型A.N B.P C.PN5.三极管制作时,通常它们的基区做得很()A.很厚B.很薄C.一样6.半导体中存在两种载流子()A.电子B.空穴C.电子和空穴7.三极管截止状态时,三极管相当于一个开关()A.闭合B.时开时合C.断开8.三极管电流分配关系是()A.Ic+Ib=Ie B.Ic=Ib+Ie C.Ib=Ie+Ic9.P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的( )。
A、硅元素B、硼元素C、磷元素10.二极管两端的电压U及其流过二极管的电流I之间的关系曲线,称为()A.二极管的伏安特性B.三极管的伏安特性C.二极管的主要参数11、工作在放大电路中的两个晶体管,其电流分别如图所示,由此判断它们的管型是()A、两只管子均为NPN型B、两只管子均为PNP型C、(a)为NPN,(b)为PNPD、(a)为PNP,(b)为NPN12、如图所示,能起正常放大作用的是()(A)(B)(C)(D)13、如图所示的三极管为硅管处于正常放大状态的是()14、其处于放大状态的NPN管,各脚对地电位是V1=2V,V2=6V,V3=2.7V。
《电子技术基础》期中考试试卷及参考答案
2014-2015学年第一学期《电子技术基础》期中考试卷班级:姓名:学号:得分:一、填空题(每空格1分,共30 分)1、半导体材料通常有、锗和砷等。
2、P型半导体中多数载流子是,少数载流子是。
3、PN结加正向电压时________,加反向电压时________,这种特性称为PN结的单向导电性。
4、硅二极管的死区电压约为左右,锗二极管的死区电压约为0.1V-0.2V。
5、已知三极管的发射极电流IE=3000uA ,基极电流IB=50uA,则集电极电流IC=。
6、三极管有三个管脚,分别称为、、。
7、整流是指将变换为的过程,常见的整流电路有整流电路、整流电路和单相全波整流电路三种。
8、稳压管二极管正常工作时须工作在状态。
9、三极管工作时通常有、、三种工作状态。
10、半导体三极管又称双极型三极管,它是利用输入电流控制输出电流的半导体器件,称为器件;场效应管是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的半导体器件,称为器件。
11、放大器无信号输入时的直流工作状态称为________,给放大器设置合适的静态工作点是为了__ ______。
12、已知某三极管的IB1=10uA时,IC1=0.8mA,当IB2=30uA时,IC2=2.4mA,求该三极管的β值为,若IB3=60uA,那么IC3= 。
13、画交流通路时,是把较大的和视为短路,画直流通路时是把视为开路。
14、半波整流电路中,若变压器次级电压为V2=10V,那么负载两端电压V0= 。
15、在单向半波整流电路负载两端并接滤波电容时,输出电压平均值=oV________2V;在桥式整流电路负载两端并接滤波滤波电容时,输出电压平均值=oV________2V。
二、判断题(每题2分,共10分)()1、二极管是非线性器件。
()2、将脉动直流电变换为平滑直流电的过程称为滤波。
()3、PNP型三极管一定是硅管,NPN型三极管是锗管。
()4、分压式偏置放大电路的静态工作点会随温度的变化而发生很大的变化。
中职 电升 电子技术期中考试试卷
电子技术期中考试试卷姓名: 班级:一、填空题:(每空2分,共40分)1.八进制数 (34.2 ) 8 的等值二进制数为 ;十进制数 98 的 8421BCD 码为 。
2.试写出下列图中各门电路的输出分别是什么状态(高电平、低电平)?(其中(A )(B )为TTL 门电路,而(C )为CMOS 门电路)(A ) (B ) (C )Y 1= Y 2= Y 3= 3.一个 JK 触发器有 个稳态,它可存储 位二进制数。
4. 有一个稳定状态和一个暂稳状态。
有两个稳定状态、有两个不同的触发电平,具有回差特性。
没有稳定状态,只有两个暂稳态。
以上三种电路均可由 外接少量阻容元件构成。
5.常用逻辑门电路的真值表如右图所示,则 F 1 、F 2 、F 3 分别属于何种常用逻辑门。
F 1 ,F 2 ,F 3 。
6.OC 门的输出端可并联使用,实现__ ____功能;三态门的输出状态有____________、 、 三种状态。
7.时序逻辑电路的输出不仅和____ ___有关,而且还与___ ____有关。
二、选择题: (选择一个正确答案填入括号内,每题3分,共30分 ) 1.在四变量卡诺图中,逻辑上不相邻的一组最小项为:( )A .m 1 与m 3B .m 4 与m 6C .m 5 与m 13D .m 2 与m 82.L=AB+C 的对偶式为:( )A B F 1 F 2 F 3 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 01A . A+BCB . (A+B)C C . A+B+C D. ABC 3.属于组合逻辑电路的部件是()。
A.编码器B.寄存器C.触发器D.计数器4.T触发器中,当T=1时,触发器实现()功能。
A.置1 B.置0 C.计数D.保持5.指出下列电路中能够把串行数据变成并行数据的电路应该是()。
A.JK触发器B.3/8线译码器C.移位寄存器D.十进制计数器6.某电路的输入波形 uI 和输出波形 uO下图所示,则该电路为()。
电子技术基础期中试卷
《电子技术基础》试卷+答案一、填空题(每空1分,共35分)1.一个良好的差动放大电路,对_________信号有放大作用,对_______信号有抑制能力。
2.两个大小相等,极性________的输入信号称为共模信号;两个大小相等,极性_______的信号称为差模信号。
3.理想运放的输入电流I i≈、两输入端电位差V P-V N≈。
4.理想集成运放的开环放大倍数为;差模输入电阻为。
5.功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有____________类功放、____________类功放和____________类功放电路。
6.运算放大器的两个输入端分别为和,前者的极性和输出端极性相反;后者的极性和输出端性相同。
7.与门电路的逻辑表达式为,或门电路的逻辑表达式为,非门电路的逻辑表达式为。
8.数字逻辑电路中三种基本逻辑关系是、和,能实现这三种逻辑关系的电路分别是、和。
9.逻辑电路的两种逻辑体制中,正逻辑的高电平用表示,低电平用表示;负逻辑的高电平用表示,低电平用表示。
10.TTL与非门LS00集成门电路电源电压V CC为_______V。
门槛电压V T为_______V。
11.三态门除了高电平、低电平两个状态外,还有第三个状态,这第三个状态常称为____________12.CMOS电路是由________管和_________管组成的互补电路。
CMOS电路的主要优点是_________、__________、____________、_____________。
二、选择题(每题2分,共20分)1、与乙类功放电路比较,甲乙类功放电路的主要优点是( )。
A.放大倍数大B.效率高C.无交越失真D.无法比较2、差分放大电路主要特点是()。
A.放大倍数非常大B.电路左、右结构完全对称C.电路左、右结构完全对称,并且静态工作点不同D.电路左、右互补,完成对一个正弦波的放大作用3、集成运放输入级一般采用的电路是()。
中职 电子技术基础考试题
电子技术期中考试试题卷姓名________ 班级_________学号___________时间:90分钟 满分:100分一、 选择题1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A): 掺入杂质的浓度、 (B): 材料、 (C): 温度2.测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V ,则该管工作于( ) (A): 放大状态 、 (B): 饱和状态、 (C): 截止状态3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍 、 (B): 约为原来的2倍、 (C): 基本不变4.由NPN 管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是 ( ) (A )饱和失真 (B ) 截止失真 (C ) 频率失真5.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量 ( ) (A )增加 (B )减少 (C )不变6.对于桥式整流电路,正确的接法是( )7.晶体三极管工作在饱和状态时,满足( )A. 发射结、集电结均正偏B. 发射结、集电结均反偏C. 发射结正偏、集电结反偏D. 发射结反偏、集电结正偏 8.稳压二极管正常工作时应工作在( )区。
A. 死区B. 正向导通C. 反向截止D. 反向击穿9、某负反馈放大电路框图如下所示,则电路的增益i o F X X A 为( )。
A 、100B 、10C 、90D 、0.0910.图示电路中,AB 之间电压V 对应的方程式为( )。
A.V=IR+EB.V=IR-EC.V=-IR-ED. -V=IR+E二、填空题:1.N 型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______。
2.PN 结具有_________特性。
3.利用半导体材料的某种敏感特性,如_______ 特性和_______ 特性,可以制成热敏电阻和光敏元件。
4.画放大器直流通路时,_______视为开路,画交流通路时,藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。
中职电子技术基础期终考试试题(一)
《电子技术基础》试题时间:90分钟一、填空题(1*47=47)1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为()、()、()三类。
2、半导体中导电的不仅有(),而且还有(),这是半导体区别于导体导电的重要特征。
3、半导体按导电类型分为()型半导体和()型半导体。
4、PN结正偏时,P区接电源的()极,N区接电源的()极。
5、二极管的主要特征是(),硅二极管的死区电压为(),锗二极管的死区电压为()。
6、晶体三极管有两个PN结,即()结和()结;有三个电极,即()、()、(),分别用()、()、()表示。
7、晶体三极管的输出特性可以分为三个区域,即()、()、()。
8、放大电路按三极管连接方式可分为()、()、()。
9、放大器中晶体三极管静态工作点是指()、()、()。
10、画放大电路的直流通路时,把()看成开路;画放大电路的交流通路时,把()和()看成短路。
11、多级放大电路常用的级间耦合方式有()、()、()。
12、通常采用()法判别正反馈还是负反馈。
13、射极输出器也叫(),是()负反馈放大器;它的电压放大倍数(),输出电压与输入电压相位()。
14、要使电路产生稳定的振荡,必须满足()和()两个条件。
15、将()变成()的过程,叫整流。
16、单相半波整流电路,若电源变压器二次侧电压的有效值是200V,则负载电压将是()。
17、滤波电路中,滤波电容和负载()联,滤波电感和负载()联。
二、判断题。
(1*5=5)1、()PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止。
2、()晶体二极管是线性元件。
3、()负反馈提高了放大器放大倍数的稳定性。
4、()直接耦合放大器级数越多,零漂越小。
5、()理想集成运放的同相输入端和反相输入端之间不存在“虚短”、“虚断”现象。
三、选择题。
(1*16=16 )1、如果晶体二极管的正反向电阻都很大,则晶体二极管()。
A、正常B、已被击穿C、内部断路2、当晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,该管工作在()。
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2012年秋学期
《电子技术基础》期中测试
2012.11.
一、填空题(0.5’×50)
1、半导体中有两种载流子:和。
2、晶体二极管具有特性,即加电压时导通,加电压时截止。
3、晶体三极管具有作用,是一种控制型器件,通过
电流的变化去控制较大的电流变化。
4、晶体三极管内部结构有三个区:区、区和区;两个PN 结:和;三个电极:、和,分别用字母、、表示。
5、晶体三极管工作在的偏置条件(外部条件)是:、工艺条件(内部条件)是:、、。
6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同,分为和两种类型,它们的图形符号分别为和,基区为N型半导体的是型。
7、晶体三极管有三种基本联接方式:接法、接法和
接法。
三极管的三个电极中,极既可以作为输入端,又可以作为输出端。
9、硅管的门坎电压约为V,导通电压约为V;锗管的门坎电压约为V,导通电压约为V。
10、若测得某晶体三极管的电流为:当I B=20µA时,I C=2mA;当I B=60µA时,I C=5.4mA,则可求出该管β为,I CEO为,I CBO为。
12、晶体三极管的输出特性曲线是在I B一定时,测出与对应值的关系,它可以分为三个区域,即区、区和区。
当三极管工作在区时,关系式I C =βI B才成立;当三极管工作在区时,I C≈0;当三极管工作在区时,V CE≈0;三极管在区时,具有恒流特性。
二、判断题(2’×10)
1、晶体二极管一旦发生击穿,就会被烧毁。
( )
2、N 型半导体的多数载流子是电子,因此N 型半导体带负电。
( )
3、环境温度升高,晶体二极管的反向饱和电流将增大。
( )
4、在半波整流电路中,二极管极性接反,将无整流作用。
( )
5、用万用表测量小功率二极管,一般使用R ×10K Ω挡。
( ) 6.用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“+”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极,另一电极是负极。
( ) 7、无论哪种晶体三极管,当处于放大状态时,b 极电位总是高于e 极电位,c 极电位也总是高于b 极电位。
( ) 8、晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体构成,所以e 极和c 极可以互换使用。
( ) 9、对于NPN 型三极管,若U BE >0,U BE >U CE ,则该管工作在饱和状态。
( ) 10、分压式偏置放大电路具有稳定静态工作点的作用。
( )
三、选择题(2’×10)
1、某硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为( ) A 、约等于150伏 B 、可略大于150伏 C 、不得大于40伏 D 、等于75伏
2、电路如图所示,图中二极管为理想二极管, 当输入电压Vi=0V 时,输出电压Vo=( )V ; 当输入电压Vi=20V 时,输出电压Vo=( )V 。
A 、3V B 、0V C 、10V D 、20V
3、在一块放大电路板上,测得某三极管对地电位如图所示,则管子的导电类型,管脚自左至右的顺序分别为( )。
A 、NPN 型,ebc
B 、PNP 型,ebc
C 、NPN 型,bce
D 、PNP 型,bce
4.在半波整流滤波电路中,如已知U2=10V ,则负载RL 上的输出电压为( )。
A .12V B .9V C .4.5V D .10V 5.晶体三极管工作在饱和状态时,它的集电极电流I C 将 ( )。
A .随I B 增加而增加 B .随I B 增加而减少
V +
_
O
C .与I B 无关,只决定于Uce 和R C 6、电路如下图所示,设二极管正向电阻为零, 反向电阻为无穷大,则电压V AB 为( )。
A .-3V B .5V ; C .8V
D .-8V
7、三极管各电极对地电位如下图所示,工作于饱和状态的三极管是 ( )。
8、上图中处于截止状态的三极管是 ( )。
9、分压式偏置电路中,如R b1增大,电路中其余条件不变,则I C 将 ( )。
A .增大 B .减小 C .不变 D .无法确定
四、分析计算题(35’)
1.画出下图放大电路中的交、直流通路。
(8’)
(a )
(b )
+
_
L
A
B
C
D
+
_
L
G
2、试判断下图中的二极管状态,并计算输出电压V o 。
(4’)
3、如图所示放大器中已知V G =15V ,R C =3K Ω,R b =500 K Ω,β=60,试估算放大器的静态工作点和输入电阻r i 、输出电阻r o 、和电压放大倍数A V 。
(12’)
4、如图所示分压式偏置电路中中:V G =12V ,R b1=200 K Ω,R b2=100K Ω,R C =2K Ω,β=60,试估算I CQ 和V CEQ 。
(6’)
5、画出单相半波整流电路图,若输出电压V L 为45V ,负载R L =5K Ω,试计算变压器次级电压V 2和流过二极管的电流I V 及二极管承受的最大反向电压V RM 。
(5’)
+
_
L
Vo
+_
+V G。