四川大学射频通信电路2004-2005期末试题

12. Admittance matrix 15. Cut-off frequency
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教务处试题编
四 简答计算题（共 30 分） 1. 下图中 a1、a2 分别 1 端口和 2 端口的入射功率波，b1、b2 分别为 1 端口和 2 端口的反 射功率波，试写出此微波晶体管两端口网络 S 参数中 S11 和 S21 的表达式，及其物理意 义。
）。 线性 非
7. 8.
A
B
C 9. A
D
如果 VG 表示栅极电压，VD 表示漏极电压，则 MESFET 射频放大器的直流偏置通常要求（ VG>0, VD>0 B VG<0, VD>0 C VG>0, VD<0 D ）网络参数。 C
10. 为了便于计算和分析级联两端口网络，一般采用（ A [Z] B [Y] 三、专业词汇翻译（15 分） 1. 4. Voltage reflection coefficient Surface mounted 2. 5. Scattering parameter Capacitive 3. 6.
四 川 大 学期
考 试 试 题
（2004——2005 学年第 2 学期）
课程号 20507730 教师：刘长军 课序号：0 课程名称：射频通信电路 成绩： 学生人数： 106 姓名： 印题份 任课
适用专业年级： 2002 级 数： 学号：
题 评 分 评 分
目 一 二 三 四 五 六 总分
阅卷教师签 名 四川大学学生参加由学校组织或由学校承办的各级各类考试，必须严格执行《四川大 学考试工作管理办法》和《四川大学考场规则》。有考试违纪作弊行为的，一律按照《四 川大学学生考试违纪作弊处罚条例》进行处理。 四川大学各级各类考试的监考人员，必须严格执行《四川大学考试工作管理办法》、 《四川大学考场规则》和《四川大学监考人员职责》。有违反学校有关规定的，严格按 照《四川大学教学事故认定及处理办法》进行处理。
[ABCD]
Resonant frequency Frequency
device 7. Equi-ripple 8.
impedance Coaxial transmission line 9.
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transformation MESFET
10. Diode 13. Lumped parameter
11. Signal flow chart 14. Cascading connection
2.
计算下图中两端口网络的 S 参数。（假设系统的阻抗为 Z0）
3.
在滤波电路的设计中，利用 Richard 变换可以使用/8 终端短路和终端开路传输线 替代电感和电容。如果工作频率为 f，试分别计算替代电感 L 和电容 C 的传输线的特 征阻抗 Z0L 和 Z0C。
五、分析设计题（共 35 分） 1. 设计一个 3dB 的型衰减器， 其电路结构如下图所示。 假设该衰减网络接入到一个传 输线特性阻抗为 50 的通信系统中。试计算出该网络元件的电阻值。
10. 如果下一级电路的输入阻抗为 ZIN=RIN+jXIN，则当上一级电路得输出阻抗 ZOUT 为 时，可以得到最大功率的传输。 二、单项选择题（10 分） 1. A 某手机的上行频率为 890MHz，按 IEEE 对频谱的划分，此工作频率属于（ ）频段。 L 波段 B C 波段 C Ku 波段 D P 波段
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2. 3.
在史密斯阻抗圆图中，感性负载对应的点应该全包含在（ A 上半平面 B 下半平面 3dB 射频衰减器的 S 参数可以表示为（ ）
C
）。 左半平面
A 4.
B
C
RLC 串联谐振电路在谐振频率维持不变时，如果需要提高电路的品质因数，则需要（ A 提高电感 L，降低电容 C B 降低电感 L，降低电容 C C 降低电感 L，提高电容 C D 提高电感 L，提高电容 C 下图电路是（ ）类型的滤波器。
注意：所有试题均答在答题纸上，答在试题页上无效！ 一、填空（10 分） 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 一般定义微波的频率范围为 300MHz 至 。
如果一个金属圆柱的半径为 R，趋肤深度为，当满足条件 R>>时，其射频电阻 RRF 与直流电阻 RDC 的比值为 。 一个贴片电容上的标称是 103，则这个电容器的电容是 。 在射频频段，电容器的寄生参数必须考虑。如果一个电容的工作频率大于其自身谐 振频率时，电容将呈现出 阻抗。 无耗传输线特征阻抗为 Z0，终端接负载 ZL。当满足条件 ZL=Z0 时，传输线上的电压驻 波系数 VSWR 为 。 在 1947 年， 实验室发明了锗材料的双极型晶体管。 由于肖特基（Schottky）二极管具有很强的非线性特性，非常适合用 于 电路。此外，肖特基二极管还可以用于检波电路和整流电路。 变容二极管的等效电容随外加电压的变化而变化，可以用于频率调谐电路。在大多 数应用中，要求变容二极管的外加电压为 向偏置。 RFC 在射频晶体管放大器的偏置电路中，主要作用是将射频信号 与 分离。
5.
A HPF 6.
LPF
B
BPF
射频三极管的大信号模型是（ ），射频三极管的小信号模型是（ A 线性模型 非线性模型 B 非线性模型 C 线性模型 线型模型 D 非线性模型 甲乙类放大器的最大理论值效率（）。 A 50 B 78.5 C 表示正常工作的射频三极管 S 参数的是（ 100 ） D 25
2.
如下图所示，晶体管放大电路的输出稳定圆，其中L 为输入端口的电压反射系数， 在|S11|<1 和|S11|>1 两种情况下， 请分别用阴影标出放大电路的稳定区域的位置。 （在 答题纸上绘出大致图案即可。）
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3.
Design a prototype of a Chebyshev 3rd order low-pass filter whose input and output are matched to 50 impedance and that meets the following specifications: cut-off frequency of 3GHz; equi-ripple of 0.5 dB. Chebys hev filter coefficients: 0.5 dB filter design (N=1 to 10)
4.
某晶体管放大电路的输入阻抗为 ZA=31.25（对应于下面 Smith 圆图中的点）。一 个无源匹配电路将阻抗 ZA 匹配到 ZE=50，请画出匹配电路的电路图（不要求给出元 件的具体参数）。
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