半导体二极管参数符号

二极管类型及符号正负

二极管类型及符号正负
二极管是一种半导体器件,可以用于电流控制和稳压电路中。

以
下是常见的二极管类型及其符号:
1. 正向二极管:符号为D,通常由两个p字形的半导体接触面组成。

正向电压下,D导通,电流通过它;负向电压下,D截止。

2. 反向二极管:符号为N,通常由一个p字形和一个n字形半导
体接触面组成。

反向电压下,N极导通,电流从N极流向P极。

3. 稳压二极管:符号为VR,主要用于电路中的稳压作用。

稳压二极管通常由两个p字形半导体接触面组成,之间的区域为电场屏蔽层。

正向电压下,VR导通,稳压电流增加;负向电压下,VR截止。

4. 整流二极管:符号为A,用于将交流电源转换为直流电。

整流
二极管通常由两个p字形半导体接触面组成,之间的区域为电场屏蔽层。

正向电压下,A导通,电流开始流动;负向电压下,A截止。

5. 发光二极管:符号为LED,用于产生不同颜色的光线。

发光二
极管通常由两个p字形半导体接触面组成,之间的区域为电场屏蔽层,正向电压下可以发光;负向电压下,LED截止。

以上是常见的二极管类型及其符号,不同的应用场景可能需要不
同种类的二极管。

二极管的两个主要参数

二极管的两个主要参数二极管是一种电子元件，由P型半导体和N型半导体组成，具有两个主要参数：导通电压和截止电压。

1. 导通电压（Forward voltage）：导通电压是指在二极管的正向工作条件下，从P区到N区施加足够的正电压，使得二极管开始导电的最小电压。

一般以VF表示。

当外加的正向电压大于导通电压时，二极管进入导通状态，电流开始流动；当外加的正向电压小于导通电压时，二极管处于截止状态，不导电。

导通电压的大小取决于二极管的材料性质和制造工艺。

对于硅（Silicon）材料的二极管，导通电压一般为0.6V到0.7V；对于砷化镓（Gallium Arsenide）材料的二极管，导通电压一般为0.2V到0.3V。

导通电压的具体数值指导了二极管在电路中的应用范围，过小或过大的导通电压都可能会导致电路的不稳定性或无法正常工作。

2. 截止电压（Reverse voltage）：截止电压是指在二极管的反向工作条件下，施加的反向电压达到一定程度时，二极管开始截止导电的最大电压。

一般以VR表示。

当反向电压小于截止电压时，二极管处于正向偏置条件，开始导通；当反向电压大于等于截止电压时，二极管进入截止状态，不导电。

截止电压的大小取决于二极管的材料性质，是通过制造工艺和外部保护结构来确定的。

对于硅材料的二极管，截止电压一般为50V到100V；对于砷化镓材料的二极管，截止电压一般为5V到10V。

截止电压的高低决定了二极管在反向电压下能承受的最大值，过高或过低的截止电压都可能会导致二极管烧毁或不稳定。

总结：二极管的导通电压和截止电压是两个重要的电性能参数。

导通电压决定了二极管在正向电压下能否导通，截止电压决定了二极管在反向电压下能否截止导电。

这两个参数的合理选择和设计，对于保证二极管在电路中的正常工作和保护二极管不被损坏起着至关重要的作用。

半导体二极管参数符号

半导体二极管参数符号CT-势垒电容Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）-正向平均电流IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH-恒定电流、维持电流。

Ii-发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io-整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)-正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流IGT-晶闸管控制极触发电流IGD-晶闸管控制极不触发电流IGFM-控制极正向峰值电流IR（AV）-反向平均电流IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM-反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp-反向恢复电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。

各种二极管分类符号

各种二极管分类符号
二极管有多种分类方式，以下是几种常见的分类及对应的符号：
1. 按所用的半导体材料：
* 锗二极管（Ge管），用符号Ge表示。

* 硅二极管（Si管），用符号Si表示。

2. 按管芯结构：
* 点接触型二极管，用符号D表示。

* 面接触型二极管，用符号S表示。

* 平面型二极管，用符号F表示。

3. 根据不同用途：
* 检波二极管，用符号D表示。

* 整流二极管，用符号DZ或D表示（D是整流的英文缩写）。

* 稳压二极管，用符号DZ或D表示。

* 开关二极管，用符号D表示。

* 隔离二极管，用符号D表示。

* 肖特基二极管（Schottky Diode），用符号DB或D表示。

* 发光二极管（LED），用符号LED或D表示。

* 硅功率开关二极管，用符号K或SK表示。

* 旋转二极管，用符号D表示。

以上是各种二极管的分类及对应的符号，希望对解决您的问题有所帮助。

二极管的符号、判别、参数和分类

二极管符号二极管（国标）二极管的判别及参数 1.简述半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。

半导体最重要的两种元素是硅(读“guī”)和锗(读“zhě”)。

我们常听说的美国硅谷，就是因为那里有好多家半导体厂商。

二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。

很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。

二极管最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。

我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量，红表笔接二极管的负极，黑表笔接二极管的正极时，表针会动，说明它能够导电；然后将黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点，说明导电不良(万用表里面，黑表笔接的是内部电池的正极)。

常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。

像它的名字，二极管有两个电极，并且分为正负极，一般把极性标示在二极管的外壳上。

大多数用一个不同颜色的环来表示负极，有的直接标上“—”号。

大功率二极管多采用金属封装，并且有个螺母以便固定在散热器上。

2．半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP17等。

如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。

塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。

无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。

根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R×100或R×1k挡。

不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。

二极管的主要参数

二极管的主要参数二极管是一种主要由两个电极（即正极和负极）组成的电子器件。

它是半导体器件的一种，具有一些重要的参数，下面将详细介绍这些参数。

1.额定峰值反向电压（VR）：指二极管所能承受的最大反向电压。

当反向电压高于额定峰值时，会导致二极管击穿，失去正常功能。

2.额定直流正向电流（IF）：指在正向电压下，二极管所能承受的最大电流。

当超过额定直流正向电流时，二极管可能会过载损坏。

3.最大导通电流（IFM）：指二极管在导通状态下所能承受的最大电流。

超过该电流，二极管可能会由于过热而损坏。

4.静态电阻（RS）：指二极管正向导通时的电阻。

该参数影响二极管的电压降和功耗。

5.正向压降（VF）：指二极管正向导通时的电压降。

不同类型的二极管具有不同的正向压降，这个参数会影响电路的设计和功耗。

6. 动态电阻（rd）：指在二极管正向导通时，电压变化与电流变化之比。

动态电阻决定了二极管的响应速度和频率特性。

7.反向漏电流（IR）：指二极管在反向电压下的漏电流。

该参数影响二极管的反向恢复速度和反向漏电功耗。

8. 反向恢复时间（trr）：指二极管由正向导通到反向截止状态的时间。

这个时间决定了二极管在高频应用中的性能。

9. 反向恢复电荷（Qrr）：指正向导通状态下，当二极管截止时，由于载流子的复合和电荷移动而产生的额外电荷。

这个参数决定了二极管的反向恢复能力。

10. 热阻（Rth）：指二极管在正常工作温度下的散热能力。

较低的热阻可以帮助降低二极管的温度，提高其可靠性和寿命。

除了以上提到的参数，还有一些其他参数也很重要，例如温度系数、漂移电流、噪声系数等。

这些参数在不同应用场合下扮演着不同的角色，并且通过适当的选择和优化可以使二极管在电路中发挥出最佳的性能。

总结起来，二极管的主要参数可以分为电流参数、电压参数、速度参数和热参数等几个方面。

在实际应用中，选择合适的二极管必须综合考虑这些参数，并与具体的电路需求相匹配，以确保电路的稳定和可靠性。

半导体器件芯片通用型号参数

半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体技术参数-符号含义(精)

半导体技术参数 -符号含义来源:生利达成时间:2008-10-30一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下, 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流 (正向测试电流。

锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下, 通过极间的电流; 硅整流管、硅堆在规定的使用条件下, 在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流 (平均值 , 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流; 测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF (AV ---正向平均电流IFM (IM ---正向峰值电流(正向最大电流。

在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR (AV ---反向平均电流IR (In ---反向直流电流(反向漏电流。

在测反向特性时, 给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中, 加反向电压规定值时, 所通过的电流; 硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下, 产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体器件芯片常用型号参数

半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体二极管

(1-4)
1. 4 二极管的主要参数
1. 最大整流电流 IFM
在规定的环境温度和散热条件下，二极管长期使用时，所允许流过二极管的最大正向平均电流。
2. 最高反向工作电压URM
通常称耐压值或额定工作电压，是指保证二极管截止的条件下，允许加在二极管两端的最大反向电压。手册上给出的最高反向工作电压URM一般是击穿电压UBR的一半。
(1-5)
3. 反向电流 IR
指二极管未击穿时的反向电流。反向电流越小越好。通常反向电流数值很小，但受温度影响很大，温度越高反向电流越大，一般温度每升高10o,反向电流约增大一倍。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。
4. 最最高工作频率fM
指保证二极管导向导电作用的最高工作频率。当工作频率超过fM时，二极管将失去导向导电性。
模拟电子技术
半导体二极管
1. 1 半导体二极管的结构和符号
PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。
点接触型
触丝线
PN结
引线外壳线
基片
面接触型
二极管的ห้องสมุดไป่ตู้路符号：阳极
阴极
(1-2)
二极管的主要特性---单向导电
1、二极管的偏置：二极管单向导电的特性，只有外加一定极性的电压（称为偏置）才能表现出来。阳极电位高于阴极电位称为二极管的正向偏置，反之称为反向偏置。
2、二极管的主要特性：单向导电，即正向导通，反向截止。或曰：只能一个方向导电，另一个方向不导电，即由阳极向阴极可以顺利的流电流，反方向不流电流。
只能一个方向电，
(1-3)
1. 3 二极管的伏安特性
I
反向击穿电压UBR

半导体器件芯片常用型号参数

半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管分类和符号表示

二极管分类和符号表示
二极管有多种分类方式，根据其使用的半导体材料、结构、用途等可以分成不同的类型。

以下是一些常见的分类和相应的符号表示：
1. 按所用的半导体材料：
锗二极管（Ge管），用符号Ge表示。

硅二极管（Si管），用符号Si表示。

2. 按管芯结构：
点接触型二极管，用符号D表示。

面接触型二极管，用符号S表示。

平面型二极管，用符号F表示。

3. 根据不同用途：
检波二极管，用符号D表示。

整流二极管，用符号DZ或D表示（D是整流的英文缩写）。

稳压二极管，用符号DZ或D表示。

开关二极管，用符号D表示。

隔离二极管，用符号D表示。

肖特基二极管（Schottky Diode），用符号DB或D表示。

发光二极管（LED），用符号LED或D表示。

硅功率开关二极管，用符号K或SK表示。

旋转二极管，用符号D表示。

4. 其他特殊类型：
瞬态电压抑制器（TVS），是一种固态二极管，专门用于ESD保护。

符号表示法没有统一规定，常见的是用一个类似于雪花符号的图案来表示。

光敏二极管，将光信号变成电信号，用符号GD表示。

双色发光二极管，功能同发光二极管，用符号LED或D 表示。

半导体二极管的主要参数

半导体二极管的主要参数描述二极管特性的物理量称为二极管的参数，它是反映二极管电性能的质量指标，是合理选择和使用二极管的主要依据。

在半导体器件手册或生产厂家的产品目录中，对各种型号的二极管均用表格列出其参数。

二极管的主要参数有以下几种：1．最大平均整流电流I F（A V）I F（A V）是指二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。

它与PN结的面积、材料及散热条件有关。

实际应用时，工作电流应小于I F（A V），否则，可能导致结温过高而烧毁PN结。

2．最高反向工作电压V RMV RM是指二极管反向运用时，所允许加的最大反向电压。

实际应用时，当反向电压增加到击穿电压V BR时，二极管可能被击穿损坏，因而，V RM通常取为（1/2 ～2/3）V BR。

3．反向电流I RI R是指二极管未被反向击穿时的反向电流。

理论上I R=I R（sat），但考虑表面漏电等因素，实际上I R稍大一些。

I R愈小，表明二极管的单向导电性能愈好。

另外，I R与温度密切相关，使用时应注意。

4．最高工作频率f Mf M是指二极管正常工作时，允许通过交流信号的最高频率。

实际应用时，不要超过此值，否则二极管的单向导电性将显著退化。

f M的大小主要由二极管的电容效应来决定。

5．二极管的电阻就二极管在电路中电流与电压的关系而言，可以把它看成一个等效电阻，且有直流电阻与交流电阻之别。

（1）直流等效电阻R D直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D与流过二极管的直流电流I D 之比，即R D的大小与二极管的工作点有关。

通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。

不过应注意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。

其原因是二极管工作点的位置不同。

一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。

正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。

（2）交流等效电阻r dr d亦随工作点而变化，是非线性电阻。

半导体参数符号及其解释

Po
输出功率
PR
反向浪涌功率
Ptot
总耗散功率
Pomax
最大输出功率
Psc
连续输出功率
PSM
不重复浪涌功率
PZM
最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）
正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
IL
光电流或稳流二极管极限电流
ID
暗电流
IB2
单结晶体管中的基极调制电流
IEM
发射极峰值电流
IEB10
双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20
双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM
最大输出平均电流
IFMP
正向脉冲电流
IP
峰点电流
IV
谷点电流
IGT
晶闸管控制极触发电流
IGD
晶闸管控制极不触发电流
VF
正向压降（正向直流电压）
△VF
正向压降差
VDRM
断态重复峰值电压
VGT
门极触发电压
VGD
门极不触发电压
VGFM
门极正向峰值电压
VGRM
门极反向峰值电压
VF（AV）
正向平均电压
Vo
交流输入电压
VOM
最大输出平均电压
Vop
工作电压
Vn
中心电压
Vp
峰点电压
VR
反向工作电压（反向直流电压）
VRM
反向峰值电压（最高测试电压）
IGFM
控制极正向峰值电流
IR（AV）

二极管符号及参数

二极管符号及各种参数的翻译CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管

无光照时，与普通二极管一样。无光照时，与普通二极管一样。有光照时，分布在第三、四象限。有光照时，分布在第三、四象限。
2、测量：万用表R×1K挡，无光照时电阻大，测量：测量 × 挡无光照时电阻大，有光照时电阻小
课堂巩固练习
1．电路如图4—1所示，设二极管正向压降忽略不计，二极电路如图4 1所示，设二极管正向压降忽略不计， B 管处于_______状态，电流表的读数是_______ _______状态 _______。管处于_______状态，电流表的读数是_______。导通／ B．导通／ A．导通／1．8A B．导通／0．6A 截止／ D．截止／ C．截止／0．6A D．截止／0A
B Uo等于_______。 3．电路如图4—3所示，输出电压Uo等于_______。(设二极管电路如图4 3所示，输出电压Uo等于_______ 的正向压降为0 的正向压降为0．7V) B． C． D．11． A．12V B．0 V C．0．7V D．11．3V
图4－3
图4－4
4．电路如图4—4所示，设二极管正向压降为0．7V，则输电路如图4 4所示，设二极管正向压降为0 7V，出电压U0= 出电压U0= D 。 B． C． D．11． A．12V B．0V C．0．7V D．11．3V
四、二极管主要参数
•最大整流电流 IFM—— 二极管的实际工作电流最大整流电流I ——二极管的实际工作电最大整流电流超过此值。要超过此值。
不
•最高反向工作电压VRM——反向电压超过此值会击穿。最高反向工作电压V ——反向电压超过此值击穿。最高反向工作电压最高反向工作电压为击穿电压的1/2--1/3 1/2-(最高反向工作电压为击穿电压的1/2--1/3） •反向电流IS——越小越好。（此值受温度影响大，温反向电流I ——越小越好越小越好。（此值受温度影响大，反向电流度升高，度升高，方向电流急剧增大） •最高工作频率fM——如通过二极管电流的频率最高工作频率f ——如通过二极管电流的频最高工作频率大于该值，大于该值，二极管将不起单向导电作用。单向导电作用。

二极管半导体符号及意义

Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
Cre---共发射极反馈电容
Cic---集电结势垒电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cp---并联电容（外电路参数）
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压 BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压 D---占空比
Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流； IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲 IH---恒定电流、维持电流。

fr203二极管参数

fr203二极管参数【原创实用版】目录1.引言2.fr203 二极管的基本参数3.fr203 二极管的参数符号和单位4.fr203 二极管的主要参数及其含义5.结论正文fr203 二极管是一种常用的半导体元器件，广泛应用于各种电子设备中。

了解 fr203 二极管的参数对于电子工程师来说非常重要。

fr203 二极管的参数主要包括：1.引言fr203 二极管是一种普遍使用的整流器件，主要用于整流、限幅和开关等电路。

了解 fr203 二极管的参数有助于工程师更好地选择和使用这种元器件。

2.fr203 二极管的基本参数fr203 二极管的基本参数包括：正向电压、反向电压、正向电流、反向电流、动态响应等。

3.fr203 二极管的参数符号和单位fr203 二极管的参数符号和单位如下：- 正向电压：Vf（伏特）- 反向电压：Vr（伏特）- 正向电流：If（安培）- 反向电流：Ir（安培）- 动态响应：tr（纳秒）4.fr203 二极管的主要参数及其含义(1) 正向电压（Vf）：正向电压是指二极管正向导通时的电压。

fr203 二极管的正向电压一般在 0.7V 左右。

(2) 反向电压（Vr）：反向电压是指二极管反向截止时的电压。

fr203 二极管的反向电压一般在 1000V 以上。

(3) 正向电流（If）：正向电流是指二极管正向导通时的电流。

fr203 二极管的正向电流一般在 100mA 左右。

(4) 反向电流（Ir）：反向电流是指二极管反向截止时的电流。

fr203 二极管的反向电流非常小，通常在 10nA 以下。

(5) 动态响应（tr）：动态响应是指二极管从正向导通到反向截止，或从反向截止到正向导通所需的时间。

fr203 二极管的动态响应一般在100ns 以下。

5.结论了解 fr203 二极管的参数对于电子工程师非常重要，这有助于他们更好地选择和使用这种元器件。

半导体器件芯片常用型号参数特性解析大全(精)

半导体器件常用型号参数解析一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。