场效应管的测量方法

合集下载

场效应管怎么测量好坏

场效应管怎么测量好坏
场效应管测量好坏有以下方法：
方法一将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。

场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S （源极）。

将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。

用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。

方法二将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。

黑表笔接D极，红表笔接S极，此时，应显示一个数值，一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。

然后，再对换表笔，应无显示，为“1”。

然后，黑表笔接D极，红表笔先去触碰一下G极，然后红表笔再接到S极上，此时，会发现显示的数值与原来相比，变小了许多，一般为100多Ω到几十Ω之间。

这说明，此场效应管已被触发导通了。

在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。

这说明，此场效应管是完好的。

如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。

一般情况下，D极和S极击穿的比较常见。

用数字万用表的“二极管”档测，会听到蜂鸣器的响声。

场效应管的主要参数意义及其测试方法

场效应管的主要参数意义及其测试方法场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种三端器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。

场效应管的主要参数包括漏极-源极电流（IDSS）、漏极-源极截止电压（VGS(Off)）、漏极电阻（RDS(On)）和跨导（Transconductance），其测试方法主要包括IDSS测试、VGS截止测试、RDS测试和跨导测试。

1.漏极-源极电流（IDSS）：IDSS是指在给定源极-栅极电压下，场效应管的漏极电流。

它反映了场效应管的导通能力，通常单位为毫安（mA）。

IDSS测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，将源极-漏极电压保持为0V，测量漏极电流。

2. 漏极-源极截止电压（VGS(Off)）：VGS(Off)是指在给定漏极电流下，场效应管的截止电压。

它反映了场效应管在关闭状态下的电压阈值，通常单位为伏特（V）。

VGS(Off)测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，并将漏极电流维持在预定值，测量栅极-源极电压。

3.漏极电阻（RDS(On)）：RDS(On)是指在给定栅极-源极电压下，场效应管的漏极电阻。

它反映了场效应管的导通状态下的电阻情况，通常单位为欧姆（Ω）。

RDS测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，并将栅极-源极电压维持在预定值，测量漏极电阻。

4. 跨导（Transconductance）：跨导是指在给定栅极-源极电压下，场效应管的斜率。

它反映了场效应管的输入导通能力，通常单位为毫安/伏特（mA/V）。

跨导测试方法为：将场效应管的源极和漏极短接，连接好栅极回路，并将栅极-源极电压维持在预定值，测量漏极电流对应的变化。

场效应管的测量方法

场效应管的测量方法场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的半导体器件，用于放大电信号和控制电流流动。

它是现代电子技术中至关重要的组成部分，广泛应用于通信、计算机、电力、医疗设备等领域。

本文将从测量方法的角度对场效应管进行全面评估，并探讨其在实际应用中的价值和意义。

一、场效应管的基本原理1.1 堆叠型场效应管堆叠型场效应管是一种常见的结构，由源极、栅极和漏极组成。

其中，栅极是控制电流流动的关键部分，通过改变栅极电压来控制电流的大小。

当栅极电压为正时，沟道中的电子流可以被栅极电场引导，从而形成导电通路；当栅极电压为负时，电子流被屏蔽，无法通过沟道，电流几乎为零。

这种控制电流的特性使得场效应管成为一种理想的放大器和开关。

1.2 压敏型场效应管压敏型场效应管则是利用栅极与源极之间的电场形成PN结，具有较高的电压稳定性。

这种结构特点使得压敏型场效应管在防火、防雷等领域得到广泛应用。

二、场效应管的测量方法2.1 静态参数测量静态参数测量主要是通过电流-电压（I-V）特性曲线来评估场效应管的性能。

通过改变栅极电压和漏极电压，测量器件的电流变化，以确定其工作状态和性能指标。

常见的静态参数包括：- 零漏极电流（IDSS）：在源极和栅极间施加零电压时，测量的漏极电流；- 转移特性曲线：以栅极电压为横轴，漏极电流为纵轴，绘制的特性曲线；- 漏极截止电压（VDS(off)）：当栅极电压为零时，测量的漏极电压。

2.2 动态参数测量动态参数测量主要是评估场效应管的响应速度和频率特性。

常见的动态参数包括：- 开关时间：指场效应管从开关状态到导通状态所需的时间；- 内部电容：用于描述电荷移动的速度，在高频应用中尤为重要；- 过载能力：指器件在负载变化时的电流变化能力。

三、场效应管在实际应用中的价值3.1 放大器场效应管作为一种理想的放大器，具有高增益、低噪声和低失真等特点，被广泛应用于音频放大、射频放大等领域。

场效应管的测量方法

场效应管的测量方法
场效应管的测量方法一般包括以下几个步骤：
1. 确定引脚：首先要确认场效应管的引脚布置，一般有栅极（G）、源极（S）和漏极（D）三个引脚。

2. 确定测试电路：选择适当的测试电路来测量场效应管的性能。

常见的测试电路包括单端共源（Common Source）、单端共漏（Common Drain）和单端共栅（Common Gate）等。

3. 测量电流和电压：在选定的测试电路上，通过恰当的电压源和电流源，分别在引脚上施加适当的电压和电流进行测量。

常用的测量参数有栅极-源极电压（Vgs）、漏极-源极电压（Vds）和漏极电流（Ids）等。

4. 测量曲线：根据测量电流和电压的数据,绘制出I-V特性曲线。

常见的曲线有输入特性曲线和输出特性曲线等。

5. 性能分析：根据测得的曲线数据对场效应管进行性能分析，如确定场效应管的增益、截止频率以及最大功率等。

需要注意的是，在测量场效应管时，要特别注意避免超过场效应管的最大电压和电流规格，以防止损坏设备。

同时，在测量之前也需要对测量电路进行合理的连
接和参数设置。

场效应管测量方法

场效应管测量方法
场效应管（Field Effect Transistor，FET）的测量方法包括静态参数测试和动态参数测试。

静态参数测试是指测量场效应管的静态电气参数，主要包括栅极漏电流、栅极截止电压、输出导通电流等。

其中，栅极漏电流可以通过将栅源端短路，然后测量栅极到源极之间的电流来测量；栅极截止电压可以通过将栅源端短路，然后在栅极和源极之间施加一系列电压并测量对应的输出电压来测量；输出导通电流可以通过在栅极和源极之间施加一定的栅极电压，同时测量输出电流来测量。

动态参数测试是指测量场效应管的动态电性能，主要包括开关时间、开关损耗、放大增益等。

其中，开关时间可以通过在输入端施加一个快速的信号，然后测量输出端的响应时间来测量；开关损耗可以通过测量在开关过程中的功率消耗来测量；放大增益可以通过在输入端施加一个小信号，然后测量输出端的变化来测量。

总之，场效应管的测量方法涉及到静态参数测试和动态参数测试，通过测量这些参数可以评估场效应管的性能和可靠性。

用万用表定性判断场效应管、三极管

用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏
一、定性判断MOS型场效应管的好坏
先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。现在锗合金管已经少见了。
这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。
1.找出基极，并判定管型（NPN或PNP）
对于PNP型三极管，C、E极分别为其内部两个PN结的正极，B极为它们共同的负极，而对于NPN型三极管而言，则正好相反：C、E极分别为两个PN结的负极，而B极则为它们共用的正极，根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。具体方法如下：
将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时，若公共管脚是红表笔，所接触的是基极，且三极管的管型为PNP型；若公共管脚是黑表笔，所接触的是也是基极，且三极管的管型为NPN型。
2.判别发射极和集电极
注意事项：
（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。
三、晶体三极管管脚判别

场效应管在电路板上测量方法

场效应管在电路板上测量方法好嘞，今天我们来聊聊场效应管在电路板上测量的方法，听起来有点高深，但其实也没那么复杂。

大家知道，场效应管就像电路里的“小明星”，它负责控制电流的流动，能让我们的设备运行得更加顺畅。

想象一下，如果没有它，电路就像个没头苍蝇，乱撞一气。

现在，咱们就来看看如何测量这个“小明星”，保准你听了之后就觉得简单多了。

拿起你的工具。

要测量场效应管，你得有个万用表，听起来有点高级，其实就是个测量电压、电流和电阻的工具，像个电路的“万金油”。

还有一些小小的配件，比如杜邦线，方便你连接电路。

准备好了吗？咱们先来测量一下场效应管的漏电流。

这可是个重要的步骤，漏电流高了，说明管子可能出问题了。

怎么测呢？把万用表调到“电流”档，然后把它的两个探头分别接到场效应管的源极和漏极上。

看到读数了吗？如果数值在正常范围，那就说明这家伙还不错，如果偏高，嘿嘿，可能要考虑换新的了。

我们可以测量一下它的门极电压。

这个步骤也挺简单，拿出万用表，调到“直流电压”档，分别测量门极与源极之间的电压。

电压正常的话，这个场效应管的控制就没问题。

记得保持小心，电路板上可不想“触电”啊！测量的时候尽量避免短路，虽然说短路有时也会带来意外惊喜，但我们还是喜欢稳妥一些，对吧？咱们聊聊场效应管的增益。

增益就像是电路的“助推器”，能让信号更强。

想测量增益，得先给它施加一个适当的门极电压，然后观察输出电流。

简单来说，你把门极的电压调到某个值，然后测量源极和漏极之间的电流，最后计算一下，看看增益是否在你预期的范围内。

测增益的时候，别忘了记下读数，有时候数据就像是个调皮的小孩，稍不留神就跑掉了。

还有一点要注意，场效应管的极性很重要。

把它接错了，结果可就不妙了。

一般来说，场效应管有三根脚，源极、漏极和门极，记得接错可真是“贻笑大方”。

在测量的时候，确认好每根脚的作用，再进行连接，免得搞得一团糟，最后还得重新整理，麻烦得很。

说到这，我就想起了上次测量的时候，居然把源极和漏极搞混了，结果电路短路，真是气得我差点把万用表扔出窗外。

用万用表测量场效应管

用万用表测量场效应管用万用表测量（试）vmos功率场效应管1、判断引脚极性（电极）万用表复置r×1k档，分别测试三个电极间的阻值，如果其中—脚与另两脚间的电阻为无穷大，且互换表笔测试仍—样．表明这—脚为栅极g。

由图1(b)可以窥见，源、漏极之间相等于一个pn结，测量其正、逆向电阻，以阻值较小(约几千欧)的那次为依据，白表笔接的是源极(p型)s，白表笔直奔的就是漏极(n型)d，对n导线vmos管推论恰好相反。

通常vmos管曲面极d与外壳(或散热片)就是连在一起的，这就是更容易区分凿、源两电极了。

图1vmos功率场效应管外形及内部结构示意图①万Weinreb复置r×1k档，先短路一下栅－源极，泄压下栅极上感应器的电荷，然后用黑表笔接s，白表笔接d，例如测到的阻值在几千欧，再短接—之下g、s后互换表笔测得阻值为无穷大，表明管子凿、源极间pn结是不好的。

②用导线将g、s短路起来，万用表置r×1档，黑表笔接s，红表笔接d，如测得的阻值在几欧姆，说明管子是好的，并且阻值越小，还说明管子的放大能力越强。

其判断理由是：将g、s极短路并用黑表笔接源极s时，就相当于给栅极加上了正偏压，这个正电压产生的电场会把源极n+型和p沟道区内的电子吸附到氧化膜的表面，从而分离出大量的空穴参予导电，使电流剧增，电阻减小。

③万用表复置r×10档，分别测量g－s、g－d极间的两极向电阻，如果都为无穷大，表明管于是不好的，否则表明栅极与漏、源极间存有漏电或者打穿损毁。

对于n导线管互换表笔测试即可。

3、放大能力（跨导）的测量vmos管及的压缩能力(跨导)的测量可以参照《绝缘栅场效应管的测量》一文中关于mos管压缩能力的测试方法。

MOS场效应管详解 BYCHIP 测量方法

MOS场效应管详解 BYCHIP 测量方法
MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）场效应管采用基本上是朝着金属电极表面晶体硅构成，它是一种半导体电子器件，主要有接收、放大和控制电信号的作用。

MOS场效应管在制造厂家BYCHIP的测量方法可分为四个步骤：
第一，在MOSFET的晶体硅栅极上放置一个测试电极，然后施加符合VDS – VDSM的测试
信号，最后将ID – VGS电流-（栅）压限测试电平施加到晶体硅栅极；
第二，在任何栅极上施加一个DC（直流电压）信号，在VGS信号幅度范围内限流；
第三步，使用测试电路评估MOSFET的能量解耦性的参数，以获得最准确的结果；
最后，应用替代元件原理（ACE)和传表测试（CTT)，并结合晶体硅栅极的测试参数得出精
准的结果；
BYCHIP的测量方法可大大简化MOSFET的测量，可以比较准确的反映出MOSFET的性能，并实现准确的校准，也可以提高测量精度，可以节约电能等资源。

因此，BYCHIP的MOSFET测量方法与传统的方法相比具有许多优势：它不仅简化了测量过程，而且可以准确地反映出MOSFET的性能，大大提高了测量效率；它具有节能性，可以
提高整个设备的耗能效率；它也更加准确，可以有效解决源与漏极的电压和电流的匹配问题，确保MOSFET的精确性。

总之，BYCHIP的MOSFET测量方法可以很好地解决半导体电子器件的测量过程中的精准性
和测量效率问题。

在晶体硅电子器件的测量中是一个非常有用的工具。

场效应管检测方法

场效应管检测方法
场效应管（也叫MOSFET）的检测方法如下：
1. 使用万用表检测场效应管的极性。

将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。

如果万用表的示数没有变化或者非常小，说明场效应管是P型的；如果示数明显有变化，说明场效应管是N型的。

2. 使用万用表检测场效应管导通。

将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。

如果万用表的示数为低阻值，说明场效应管导通；如果示数为高阻值，说明场效应管截止。

3. 使用数字万用表或示波器检测场效应管的漏极/集电极电压和栅极/基极电压。

将黑表笔接触到场效应管的TO（源/栅/发射）引脚，将红表笔依次接触到场效应管的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。

通过读取数字万用表上的电压示数或示波器上的波形变化，可以确定场效应管所处的工作区域（截止、饱和或放大）。

以上是常用的场效应管检测方法，具体方法可以根据具体的测试设备和需求进行适当的调整。

场效应管好坏测量方法

场效应管好坏测量方法场效应管是一种常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、滤波等电路中。

场效应管的好坏直接影响到整个电路的性能，因此对场效应管进行准确的测量和评估是非常重要的。

本文将介绍几种常用的场效应管好坏测量方法，希望能为大家提供一些参考。

首先，我们可以通过静态参数来评估场效应管的好坏。

静态参数包括漏极电流、饱和电流、开启电压等。

通过测量这些参数，我们可以初步了解场效应管的基本性能。

漏极电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的电流，它反映了场效应管的导通能力。

饱和电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的最大电流，它反映了场效应管的最大导通能力。

开启电压是指在一定的漏极电流下，场效应管的栅极电压，它反映了场效应管的导通起始点。

通过测量这些参数，我们可以初步判断场效应管的好坏。

其次，我们可以通过动态参数来评估场效应管的好坏。

动态参数包括开关时间、导通电阻、截止频率等。

开关时间是指场效应管从截止到导通或者从导通到截止所需要的时间，它反映了场效应管的开关速度。

导通电阻是指场效应管在导通状态下的电阻大小，它反映了场效应管的导通能力。

截止频率是指场效应管在高频条件下的截止频率，它反映了场效应管在高频条件下的性能。

通过测量这些参数，我们可以更全面地评估场效应管的好坏。

最后，我们可以通过温度特性来评估场效应管的好坏。

温度特性是指场效应管在不同温度下的性能表现。

由于场效应管在实际应用中会受到温度的影响，因此了解场效应管在不同温度下的性能表现对于评估其好坏非常重要。

通过测量场效应管在不同温度下的静态和动态参数，我们可以更准确地评估场效应管的好坏。

综上所述，对场效应管进行好坏测量是非常重要的。

我们可以通过静态参数、动态参数和温度特性来评估场效应管的好坏。

通过准确的测量和评估，我们可以更好地选择和应用场效应管，从而提高电路的性能和稳定性。

希望本文介绍的方法能够帮助大家更好地了解和应用场效应管。

场效应管检测方法

场效应管检测方法一、用指针式万用表对场效应管进行（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

VMOS场效应管基础知识及检测方法

VMOS场效应管基础知识及检测方法VMOS（Vertical Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，垂直金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种特殊的场效应晶体管。

与传统的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）相比，VMOS的结构更加紧凑，具有更高的功率密度和更低的开通电阻。

本文将介绍VMOS场效应管的基础知识和检测方法。

一、VMOS场效应管的基础知识1.结构与工作原理2.优点与应用3.特征参数二、VMOS场效应管的检测方法1.静态参数测量静态参数是指在没有交流信号作用下，对场效应管进行直流参数测量的过程。

-零门源电流（IDSS）：将栅极与源极短接，通过漏极施加一定的电压，可以测量到的漏极电流即为零门源电流。

其值越大，场效应管的增益越高。

-零栅源电压漏极电流（IGSS）：在零栅源电压下，测量出的漏极电流即为零栅源电压漏极电流。

其值越小，场效应管的绝缘性能越好。

-耗散功率（PD）：在一定的漏源电压下，测量出的场效应管的耗散功率。

其值应小于最大耗散功率，以保证场效应管的安全工作。

-开通电阻和关断电阻：通过测量开通电压和电流，关断电压和电流，可以计算出场效应管的开通电阻和关断电阻。

开通电阻应尽可能小，关断电阻应尽可能大。

2.动态参数测量动态参数是指在有交流信号作用下，对场效应管进行参数测量的过程。

动态参数测量通常需要示波器等测试仪器，以下是几个常用的动态参数测量方法：-开通和关断时间：通过示波器观察开通时间和关断时间，可以评估场效应管的开关速度。

-频率响应：通过给场效应管施加一定频率的信号，测量输出的电压和电流，可以评估场效应管的频率响应能力。

-功率增益：通过测量输入和输出的电压和电流，可以计算功率增益，评估场效应管的放大能力和功率损耗。

总结起来，VMOS场效应管的检测方法包括静态参数测量和动态参数测量。

静态参数测量主要包括零门源电流、零栅源电压漏极电流、耗散功率以及开通电阻和关断电阻的测量。

测量MOS管好坏方法

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

【最新】场效应管测量方法

【最新】场效应管测量方法下面是对场效应管的测量方法场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管.而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管.下图为MOS管的标识我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。

不管是N沟道还是P沟道都一样。

把芯片放正。

从左到右分别为G极D极S极!如下图:用二极管档对MOS管的测量。

首先要短接三只引脚对管子进行放电。

1然后用红表笔接S极.黑表笔接D极.如果测得有500多的数值..说明此管为N沟道..2黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1.3红笔移回到S极.此时管子应该为导通...4然后红笔测D极.而黑笔测S极.应该测得数值为1.(这一步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压..所以DS之间还是导通的..不过大概10几秒后才恢复正常...建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先)5然后红笔不动.黑笔去测G极..数值应该为1到此我们可以判定此N沟道场管为正常有的人说后面两步可以省略不测...不过我习惯性把五个步骤全用上。

当然.对然P沟道的测量步骤也一样...只不过第一步为黑表笔测S极.红表笔测D极..可以测得500多的数值...测量方法描述到此结束....场效应管测量方法绝缘栅型场效应管(MOSFET)除了放大能力稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双极型三极管均有着明显的优势。

其中的大多数场效应管管，尤其是功率型场效应管管，内部集成有完好的保护电路，使用起来与双极型三极管一样方便。

不过，保护单元的存在却又使得场效应管内部结构变得更加复杂，测量方法也与传统双极型三极管差不多。

一、基本类型MOS管测试MOS管内部的保护环节有多种类型，这就决定了测量过程存在着多样性，常见的NMOS管内部结构如图1、图2所示。

图1、图2所示NMOS管的D-S间均并联有一只寄生二极管(InternalDiode)。

图解：数字式万用表检测场效应管

图解：数字式万用表检测场效应管场效应管与普通的三极管检测方法有很大区别。

由于常用的MOS场效应管的D-S极之间都有一个阻尼二极管，因此可以采用数字式万用表的二极管挡来检测D-S极之间的二极管压降，从而判断场效应管的性能，检测方法如下。

将数字式万用表的挡位开关拨至二极管挡，红表笔接S极、黑表笔接D极，此时万用表的屏幕上会显示出D-S极之间二极管的压降值，大功率场效应管的二极管压降值通常在0.4～0.8V之间，小功率场效应管的二极管压降值通常为0.5 5V左右；黑表笔接S极、红表笔接D极以及G极，与其他各引脚之间均应该无压降（以N沟道场效应管为例，P沟道场效应管应该是红表笔接D极、黑表笔接S极才有压降值）。

反之，则说明场效应管已经损坏。

在维修中，场效应管通常为击穿损坏，这时各引脚之间通常呈短路状态，因此各引脚间的压降值也通常为0V。

常用的贴片封装大功率场效应管5N03检测示意图分别如图1、图2所示。

图1 红表笔接S极、黑表笔接D极测量结果图2 红表笔接D极、黑表笔接S极测量结果常用的小功率场效应管BSP254A检测示意图如图3所示。

图3 常用的小功率场效应管BSP254A检测示意图常用的大功率场效应管FS10SM18A检测示意图如图4所示。

图4 常用的大功率场效应管FS10SM18A检测示意图在代换场效应管时，主要应该考虑如下参数：最大漏极功耗PDM（相当于普通三极管的PCM）、极限漏极电流ID、最大漏源电压VDS、导通电阻RDS（ON）。

除了考虑以上参数外，还要考虑引脚排列是否一致，因为场效应管的型号前缀字母与数字即使完全一致，只要后缀字母不相同，则引脚排列也可能不一致，如显示器中常用的行推动管BSP254与BSP254A，引脚排列就完全不一致。

在维修工作中，还要注意绝对不能用N沟道的场效应管代换P沟道的场效应管，反之也一样。

利用数字式万用表不仅能判定场效应管的电极、还可以测量管子的跨导（放大系数）。

结型场效应管的测量方法

结型场效应管的测量方法《结型场效应管的测量方法》结型场效应管是一种重要的电子器件，广泛应用于电子电路中。

为了确保结型场效应管的正常工作和性能，需要进行准确可靠的测量。

本文将介绍结型场效应管的常用测量方法。

首先是静态参数的测量。

静态参数包括截止电压、饱和电流、漏电流、源漏电流等。

常用的测量方法有两点法和三点法。

两点法是将源极与漏极直接连接，用电流表测量漏极电流和电压表测量源漏电压；三点法是在两点法的基础上，增加栅极电压的测量，用电压表测量栅极电压。

通过两点法和三点法，可以准确测量出结型场效应管的静态参数。

其次是动态参数的测量。

动态参数包括放大倍数、输入电容、输出电容等。

测量放大倍数可以用信号源给栅极施加信号，通过示波器测量输出信号和输入信号的幅度，计算得到放大倍数。

测量输入电容和输出电容时，可以将栅极和漏极断开，通过信号源给源极施加信号，测量输入信号和输出信号的幅度，计算得到输入电容和输出电容。

此外，还可以通过光谱仪对结型场效应管进行测量。

光谱仪可以测量电子器件在不同频率下的频率响应和增益，通过测量得到的光谱数据，可以更加全面地了解结型场效应管的性能。

最后是热特性的测量。

热特性包括最大耗散功率、最大工作温度等。

为了确保结型场效应管在正常工作范围内，需要进行热特性的测量。

常用的方法是通过电流表和电压表测量结型场效应管的电流和电压，从而计算出耗散功率。

同时，可以使用恒温槽或热电阻温度计对结型场效应管进行温度测量。

结型场效应管的测量方法多种多样，根据测量的参数和要求选择合适的方法进行测量是非常重要的。

通过准确可靠的测量，可以有效地评估结型场效应管的性能和工作状态，确保电子电路的正常工作。

bf245场效应管参数

bf245场效应管参数摘要：1.场效应管简介2.场效应管的主要参数3.场效应管参数的测量方法4.场效应管参数对电路性能的影响5.总结正文：一、场效应管简介场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，是基于半导体材料的电子运动方式而设计的。

场效应管是三种主要的晶体管之一，另外两种是双极晶体管和绝缘栅双极晶体管。

场效应管具有高输入阻抗、低噪声和低功耗等特点，在电路设计中有着广泛的应用。

二、场效应管的主要参数场效应管的主要参数包括：1.源极和漏极之间的电流ID：这是衡量场效应管导电能力的重要参数，单位为安培（A）。

2.源极和漏极之间的电压VDS：这是衡量场效应管工作状态的参数，单位为伏特（V）。

3.栅极和源极之间的电压VGS：这个参数决定了场效应管的导电状态，单位为伏特（V）。

4.栅极电流IG：这是衡量场效应管放大能力的参数，单位为安培（A）。

5.输入电阻Ri：这是衡量场效应管输入端阻抗的参数，单位为欧姆（Ω）。

6.输出电阻Ro：这是衡量场效应管输出端阻抗的参数，单位为欧姆（Ω）。

三、场效应管参数的测量方法场效应管参数的测量方法主要包括：1.直流参数测量法：这种方法主要用于测量场效应管的ID、VDS、VGS 等参数。

2.交流参数测量法：这种方法主要用于测量场效应管的IG、Ri、Ro 等参数。

3.脉冲参数测量法：这种方法主要用于测量场效应管的响应速度和信号传输速度等参数。

四、场效应管参数对电路性能的影响场效应管的参数对电路性能有着重要的影响，主要包括：1.ID 和VDS：这两个参数决定了场效应管的放大能力，如果ID 和VDS 过大，会导致场效应管工作在饱和状态，从而影响电路的性能。

2.VGS 和IG：这两个参数决定了场效应管的控制能力，如果VGS 和IG 过大，会导致场效应管的工作不稳定，从而影响电路的性能。

3.Ri 和Ro：这两个参数决定了场效应管的输入和输出阻抗，如果Ri 和Ro 过大，会导致电路的信号传输速度变慢，从而影响电路的性能。