单管共射放大电路
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输入值350mv
示波器测量值：
10hz 100Hz 200Hz 300Hz 600Hz 650Hz 700Hz 800Hz
VPP：9.2 14.6 14.6 14.6 14.6 14.8 15.0 15.0
900Hz 1K 1.1k 1.2K 1.3k 2k 3k 4K
VPP: 15.0 15.0 15.2 15.4 15.4 15.4 15.6 15.6
b)在万用板上焊接电路，并引出测试用插针。
c)在实际环境中用示波器与函数信号发生器来测试电路工作情况，先将函数信号发生器的波形调节到1kHz，输出值调节到400mvp，观察输出波形有无失真，记下输出vpp值，并从1kHz将频率逐步增大到1MHz，记下相应vpp。
四、实验结果（详细列出实验数据、结论分析）
5K 20K 50K 100k 150k 200k 300k 400k
VPP: 15.8 15.8 15.8 15.8 15.8 15.Байду номын сангаас 15.4 15.2
450k 500k 600k 700k 800k 900k 1M 1.2M
VPP: 15.0 14.8 14.4 14.2 13.6 13.2 12.8 12.0
1.3M 1.4M
VPP: 11.6 11.2
分析实验数据，达到了Av大于20dB，输出Vpp大于10V，3dB带宽为10Hz到1MHz，使用了15V电压供电，已经达到了实验要求。
五、实验总结（实验中遇到的已解决和未解决的问题）
实验基本上达到了要求。在实验的进行过程中，翻阅了一些有关晶体管电路设计的有关资料，学习了晶体管放大电路的工作原理。并熟练使用仿真软件，但是实际上还是与与仿真结果有所差别，经过不断调试，基本达到实验要求。
3.频率响应的计算，要求10HZ时的输入电容的容抗1/ωC=Ri这样，Ri=3.3K时用ω=2πf带入得Cb=4.7uF，取这个电容能够使得在10Hz时输入的电压下降3dB，高频特性在RC两端并联一个小电容，这样在高频信号时这个电容的容抗很小，这样就能够够将放大倍数降低。且理论来说在1/ωC=Ro时正好可以使输出电压降为原来的0.707倍，这样算出的电容值为200PF。
2.放大部分参数确定：
实测8050的β为247，分析输出VPP大于10V，只需3.5V即可，取5V的输出电压，由于输出5V，电压设置为15V，Av>=10，取Av=12，Av=-Rc/Re。
电源电压为15V，设置VCE为5V设置ICQ=15MA，且有VCC-IC(RE+RC)=VCE，VCE=10V，RE=15RC，带入进行计算，IC*RE=VEQ=0.625，则Re=100Ω，Rc=12Re，Rc=1.2k，且Ic^2Re=0.135<0.25,用四分之一瓦电阻足够了，确定了Re与Rc后，VEQ=0.625，所以VBQ=1.325，设置偏置电阻RB1与RB2时，ICQ=15MA，IBQ=75UA,所以两个偏置电阻上流过的电流要远大于IBQ，0.75ma就可以了，但是RB1相对于RB2还有（1+β）（rbe+Re）很小，直接将Rb1当做Ri，设置Rb1为4.7K，则VBQ=1.325，所以RB2=47k，这样放大部分的电路就完成了.
一、实验目的（详细指明输入输出）
1、增益≥20dB
2、3dB带宽10Hz~1MHz
3、采用单电源供电
4、输出幅值≥10Vpp
二、实验原理（详细写出理论计算、理论电路分析过程）(不超过1页)
1.放大电路拓扑结构分析：
由于指标要求增益大于20dB，相对来说电路增益不大，且要求输出Vpp值需要大于10V，故选择没有旁路掉Re的分压式共射放大电路拓扑。
三、实验过程（记录实验流程，提炼关键步骤）（尽可能详细）
a)在multisim软件上进行仿真
a）由于没有8050三级管的模型，用2n5551代替，取计算出阻值的电阻还有电容建立好电路，用虚拟示波器观察波形有无明显失真，并观察VPP值是否大于10，再用失真分析仪分析THD的值，然后用波特图绘制器绘制波特图曲线，观察是不是在10Hz与1MHz点下降3dB，并且正常放大倍数是不是大于20dB，完成上述步骤后就可以进行焊接。
示波器测量值：
10hz 100Hz 200Hz 300Hz 600Hz 650Hz 700Hz 800Hz
VPP：9.2 14.6 14.6 14.6 14.6 14.8 15.0 15.0
900Hz 1K 1.1k 1.2K 1.3k 2k 3k 4K
VPP: 15.0 15.0 15.2 15.4 15.4 15.4 15.6 15.6
b)在万用板上焊接电路，并引出测试用插针。
c)在实际环境中用示波器与函数信号发生器来测试电路工作情况，先将函数信号发生器的波形调节到1kHz，输出值调节到400mvp，观察输出波形有无失真，记下输出vpp值，并从1kHz将频率逐步增大到1MHz，记下相应vpp。
四、实验结果（详细列出实验数据、结论分析）
5K 20K 50K 100k 150k 200k 300k 400k
VPP: 15.8 15.8 15.8 15.8 15.8 15.Байду номын сангаас 15.4 15.2
450k 500k 600k 700k 800k 900k 1M 1.2M
VPP: 15.0 14.8 14.4 14.2 13.6 13.2 12.8 12.0
1.3M 1.4M
VPP: 11.6 11.2
分析实验数据，达到了Av大于20dB，输出Vpp大于10V，3dB带宽为10Hz到1MHz，使用了15V电压供电，已经达到了实验要求。
五、实验总结（实验中遇到的已解决和未解决的问题）
实验基本上达到了要求。在实验的进行过程中，翻阅了一些有关晶体管电路设计的有关资料，学习了晶体管放大电路的工作原理。并熟练使用仿真软件，但是实际上还是与与仿真结果有所差别，经过不断调试，基本达到实验要求。
3.频率响应的计算，要求10HZ时的输入电容的容抗1/ωC=Ri这样，Ri=3.3K时用ω=2πf带入得Cb=4.7uF，取这个电容能够使得在10Hz时输入的电压下降3dB，高频特性在RC两端并联一个小电容，这样在高频信号时这个电容的容抗很小，这样就能够够将放大倍数降低。且理论来说在1/ωC=Ro时正好可以使输出电压降为原来的0.707倍，这样算出的电容值为200PF。
2.放大部分参数确定：
实测8050的β为247，分析输出VPP大于10V，只需3.5V即可，取5V的输出电压，由于输出5V，电压设置为15V，Av>=10，取Av=12，Av=-Rc/Re。
电源电压为15V，设置VCE为5V设置ICQ=15MA，且有VCC-IC(RE+RC)=VCE，VCE=10V，RE=15RC，带入进行计算，IC*RE=VEQ=0.625，则Re=100Ω，Rc=12Re，Rc=1.2k，且Ic^2Re=0.135<0.25,用四分之一瓦电阻足够了，确定了Re与Rc后，VEQ=0.625，所以VBQ=1.325，设置偏置电阻RB1与RB2时，ICQ=15MA，IBQ=75UA,所以两个偏置电阻上流过的电流要远大于IBQ，0.75ma就可以了，但是RB1相对于RB2还有（1+β）（rbe+Re）很小，直接将Rb1当做Ri，设置Rb1为4.7K，则VBQ=1.325，所以RB2=47k，这样放大部分的电路就完成了.
一、实验目的（详细指明输入输出）
1、增益≥20dB
2、3dB带宽10Hz~1MHz
3、采用单电源供电
4、输出幅值≥10Vpp
二、实验原理（详细写出理论计算、理论电路分析过程）(不超过1页)
1.放大电路拓扑结构分析：
由于指标要求增益大于20dB，相对来说电路增益不大，且要求输出Vpp值需要大于10V，故选择没有旁路掉Re的分压式共射放大电路拓扑。
三、实验过程（记录实验流程，提炼关键步骤）（尽可能详细）
a)在multisim软件上进行仿真
a）由于没有8050三级管的模型，用2n5551代替，取计算出阻值的电阻还有电容建立好电路，用虚拟示波器观察波形有无明显失真，并观察VPP值是否大于10，再用失真分析仪分析THD的值，然后用波特图绘制器绘制波特图曲线，观察是不是在10Hz与1MHz点下降3dB，并且正常放大倍数是不是大于20dB，完成上述步骤后就可以进行焊接。