封装工艺流程ppt课件

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《DIP工艺流程图》课件

《DIP工艺流程图》课件
械强度和可靠性。
DIP工艺适用于各种类型 的IC和PCB,可以满足 不同规格和性能要求。
DIP工艺易于实现自动化 生产和组装,提高了生
产效率。
DIP工艺的应用场景
01
02
03
04
消费电子
DIP工艺广泛应用于消费电子 产品中,如电视、音响、电脑
等。
通信设备
在通信设备领域,DIP工艺常 用于制造手机、路由器、交换
个性化和定制化
随着消费者需求的多样化,个性化和定制化已成为未来 DIP工艺流程的重要发展趋势。通过提供个性化的产品和 定制化的服务,可以满足消费者的不同需求,提高市场竞 争力。
个性化的产品可以满足消费者的独特需求,提高产品的附 加值。定制化的服务可以为消费者提供量身定制的产品, 满足消费者的特殊需求。个性化和定制化不仅可以提高市 场竞争力,还可以促进企业的创新和发展。
THANKS
感谢您的观看
帮助理解和分析工艺流程 ,找出流程中的瓶颈和优 化点,提高生产效率和产 品质量。
流程图绘制工具
常用的绘制工具包括Visio 、PowerPoint等。
流程步骤说明
流程步骤1
确定工艺目标,分析产品特性 和要求。
流程步骤2
设计工艺流程,确定各步骤的 顺序和相互关系。
流程步骤3
绘制初步的流程图,根据实际 情况进行调整和优化。
它主要用于将集成电路(IC) 固定在印刷电路板(PCB)上 ,并实现电气连接和保护。
DIP工艺通过将IC放置在PCB的 两侧,并使用引脚插入到PCB 的孔中来实现连接。
DIP工艺的特点
成本低廉
可靠性高
适用性强
易于自动化
DIP工艺是一种成熟且成 本较低的封装技术。

生产工艺培训课件(PPT65张)

生产工艺培训课件(PPT65张)
生产工艺培训
主讲:杨高平
主要内容:
一.封装生产工艺流程
二.清洗工序
三.焊接工序
四.层压工序
五.高压釜工序
一、封装工艺生产流程
裁切PVB
背玻璃清 洗
制备传来 的前电池
超声波焊 接
摊铺PVB
合背板
功率测试 装接线盒
合 格
检验
层压工序
不合格 成品层压
清洗包装 入库
返修
高压釜
半成品层压
二、清洗工序
清洗工序:

什么是钢化玻璃:

钢化玻璃是用普通平板玻璃或浮法玻璃加工处 理而成,是普通平板玻璃的二次加工产品; 普通平板玻璃要求用特选品或一等品;浮法玻 璃要求用优等品或一级品。

什么是钢化玻璃:

钢化玻璃的加工可分为物理钢化法和化学钢化 法。 这里只介绍物理法

什么是钢化玻璃:

物理钢化玻璃又称为淬火钢化玻璃。它时将普 通平板玻璃在加热炉中加热到接近玻璃的软化 温度(600℃)时,通过自身的形变消除内部 应力,然后将玻璃移出加热炉,再用多头喷嘴 将高压冷空气吹向玻璃的两面,使其迅速且均 匀地冷却至室温,即可制得钢化玻璃。 简单说:普通玻璃或浮法玻璃,先加热到600 度左右,再急速冷却,就得到钢化玻璃;
水分含量 % 拉伸程度 Mpa 断裂伸长率 % 雾度 % 收缩率 (60℃/15min) % 0.4-0.6 ≥20.0 ≥200 < 0.4 ≤12
PVB裁切的要求:
裁切的尺寸要符合要求; 不允许一次裁切大量PVB搁置很长时间后 才使用,原则上每次裁切最多30--60块, 裁切好的PVB要在30分钟内投入使用; 班长,要根据生产情况,安排好裁切PVB 的数量,严禁停产后仍然有大量的PVB没 有使用,出现此类情况追究班长责任;

功率器件封装工艺流程ppt

功率器件封装工艺流程ppt

目的
将功率器件按照电路连接需求装配到预定位置,实现电路功能。
主要步骤
定位:确定器件在封装板上的位置,确保器件与电路板连接的准确性;- 插入引脚:将器件引脚插入到封装板上的引脚孔中;- 固定:采用焊接、压接等方式固定器件在封装板上。
装配
检测
检测封装后的功率器件是否符合技术要求,保证产品的质量和可靠性。
目的
电性能检测:检测封装后的功率器件的电气性能指标是否符合设计要求;- 外观检测:检查封装后的器件表面及引脚是否完好无损,是否符合外观标准;- 环境适应性检测:模拟器件在实际使用中可能遇到的环境条件,检测其稳定性和可靠性。
主要步骤
封装工艺材料
03
03
介质损耗因数
绝缘材料在交流电压作用下消耗的能量与总能量之比,反映材料的介质损失。
封装工艺与功率器件性能
背景介绍
1
封装工艺重要性
2
3
良好的封装工艺能够保护功率器件免受环境影响,提高器件性能和稳定性。
提高器件性能
功率器件在工作过程中会产生大量热量,良好的封装工艺能够增强器件的散热能力,保证器件的正常运行。
增强散热能力
封装工艺对功率器件的电路设计具有重要影响,良好的封装设计方案能够优化电路布局和性能。
环境友好型封装技术
IPC及其他国际质量标准在封装行业的应用情况
06
IPC标准的制定
IPC标准是电子封装行业的基础标准之一,包括封装设计、制造、组装和测试等方面的标准,对提高封装质量和可靠性具有重要意义。
IPC在封装行业的应用情况
IPC标准的推广
IPC标准在电子封装行业得到了广泛的应用和推广,特别是在微电子、半导体等领域,已经成为封装企业必须遵守的基础标准之一。

IC封装工艺流程ppt课件

IC封装工艺流程ppt课件

精选课件ppt
5
傳統 IC 主要封裝流程-2
精选课件ppt
6
芯片切割 (Die Saw)
目的:用切割刀将晶圆上的芯片切 割分离成单个晶粒(Die)。
其前置作业为在芯片黏贴(Wafer Mount),即在芯片背面贴上蓝膜 (Blue Tape)并置于铁环(Wafer Ring) 上,之后再送至芯片切割机 上进行切割。
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7
晶粒黏贴 (Die Bond)
目的:将晶粒置于框架(Lead Frame) 上,并用银胶(Epoxy)黏着固定。
导线架是提供晶粒一个黏着的位置 (称作晶粒座,Die Pad),并预设有 可延伸IC晶粒电路的延伸脚。黏晶完 成后之导线架则经由传输设备送至金 属匣(Magazine)内,以送至下一制 程进行焊线。
Dam Bar
去胶位置
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18
去纬 (Trimming)
去纬(Trimming)的目的: 去纬是指利用机械模具将脚间金属连接杆切除。
去纬位置
外腳位置
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19
去框 (Singulation)
去框(Singulation)的目的: 將已完成盖印(Mark)制程 的Lead Frame,以沖模的方 式将Tie Bar切除,使 Package与Lead Frame分开, 方便下一个制程作业。

精选课件ppt
22
检验 (Inspection)
在制程当中,为了确保产品之质量,也需要做一些检测
(In-Process Quality Control)。如于焊线完成后会进行 破坏性试验,而在封胶之后,则以X光(X-Ray)来检视胶 体内部之金线是否有移位或断裂之情形等等。一颗已完

半导体封装流程 ppt课件

半导体封装流程 ppt课件
第四,可靠性:任何封装都需要形成一定的可靠性,这是 整个封装工艺中最重要的衡量指标。原始的芯片离开特定的生 存环境后就会损毁,需要封装。芯片的工作寿命,主要决于对 封装材料和封装工艺的选择。
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半导体封装流程
Customer 客户
IC Design IC设计
SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
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半导体封装流程
第一,保护:半导体芯片的生产车间都有非常严格的生产 条件控制,恒定的温度(230±3℃)、恒定的湿度(50±10% )、严格的空气尘埃颗粒度控制(一般介于1K到10K)及严格 的静电保护措施,裸露的装芯片只有在这种严格的环境控制下 才不会失效。但是,我们所生活的周围环境完全不可能具备这 种条件,低温可能会有-40℃、高温可能会有60℃、湿度可能 达到100%,如果是汽车产品,其工作温度可能高达120℃以上 ,为了要保护芯片,所以我们需要封装。
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半导体封装流程
【Lead Frame】引线框架
➢提供电路连接和Die的固定作用; ➢主要材料为铜,会在上面进行镀银、
NiPdAu等材料; ➢L/F的制程有Etch和Stamp两种; ➢易氧化,存放于氮气柜中,湿度小 于40%RH; ➢除了BGA和CSP外,其他Package都会采用Lead Frame,
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半导体封装流程
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半导体封装流程
一、概念
半导体芯片封装是指利用膜技术及细微加工 技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布局、 粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝 缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺。此 概念为狭义的封装定义。更广义的封装是指封装 工程,将封装体与基板连接固定,装配成完整的 系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工 程。将前面的两个定义结合起来构成广义的封装 概念。

《IC封装技术》课件

《IC封装技术》课件
方形平面封装,引脚密集,适 用于高密度集成电路。
TQFP
薄型方形平面封装,厚度更薄, 适用于要求更小封装尺寸的应 用。
BGA
球栅阵列封装,引脚以焊球形式存在,适用于高速 和高密度的应用。
CSP
芯片级封装,芯片表面直接焊接,尺寸更小,适用 于小型化的应用。
封装材料
1 塑封料
用于封装芯片的塑料材料,具有良好的绝缘和保护性能。
通过精确的手工焊接过程, 将芯片和基板连接,确保稳 定的电连接。
制备小型焊球,用于连接焊球上形成保护层,确保电连接的稳定性和可 靠性。
将焊球与芯片焊接在一起,实现稳定的电连接并 保护芯片。
封装种类
DIP
双列直插封装,适用于连接较 粗的引脚。
QFP
2 金属材料
用于封装芯片的金属材料,具有良好的散热性能和电导性。
应用领域
通讯
IC封装技术在通信设备中的应 用广泛,包括移动通信和网络 设备。
汽车电子
汽车电子领域对封装技术的要 求越来越高,应用于车载电子 控制系统和安全系统等。
多媒体
音视频设备和娱乐系统广泛采 用IC封装技术,实现高质量的 音视频处理和输出。
工艺流程
1
热压封装工艺流程
通过热压技术将芯片与封装基板结合,实现电连接和封装保护。
2
焊球压装工艺流程
使用焊球将芯片与基板连接,提供稳定的电连接并实现封装保护。
3
直立式封装工艺流程
将芯片直立安装在基板上,实现更高的功率密度和封装效果。
主要工艺
1 脱模
2 人工对焊
3 焊球制备
从封装模具中取出芯片,准 备封装过程。
动力电子
动力电子设备中常用的电源模块封装技术可以提供 高效率和高可靠性的电能转换。

SOP封装工艺流程介绍课件

SOP封装工艺流程介绍课件
Lead Frame
Epoxy
Die
Epoxy Void Check
Die Attach
Die Shear
Quality Control
Epoxy Thickness & Fillet Height
Die Attach
Die Location
Rej
Quality Control
Wire Bond
1st bond
1st bond
IMC Thickness
Crater Test
Looping
Quality Control
Rej缺角
冲线值量测
外观检查
Looping
上下错位
内部气泡
Mold
孔洞
溢胶
Rej
Rej
Rej
Rej
Rej外观检查镀层厚度量测Rej
CompoundPot
Bottomcull block
Top cull block
Bottomchase
Gate insert
Molding
Topchase
Airvent
Leadframe
Plunger
Cavity
Runner
Molding
Lead FrameEpoxy
unload
Working area
unloadunload
Trim Form
Forming
Lead Cut
Quality Control
Chipping
划片宽度量测
Die Saw
外观检查
切偏
Rej
Rej
Quality Control

功率器件封装工艺流程 ppt课件

功率器件封装工艺流程 ppt课件

至诚至爱,共创未来
SI SEMI.
24
功率器件封装工艺流程
一、降低热阻 二、控制“虚焊” 三、增强塑封气密性
至诚至爱,共创未来
SI SEMI.
25
功率器件封装工艺流程
降低器件发热量的三个途径 一、通过优化电路,避免开关器件进入放大区,减
小器件上的功率消耗 。 二、降低器件的热阻,即提高器件的散热能力。 三、提高器件的电流性能,降低饱和压降 。
测试
wire bonding
切筋
molding 老化
Inspection Testing segregating Heat
包装
入库
aging
Packing Ware house
打印 marking
管脚上锡 plating
至诚至爱,共创未来
SI SEMI.
3
功率器件封装工艺流程
圆硅片
划片及绷片 后的圆片
划片
划片:将圆片切割成单个分离的芯片 划片特点:日本DISCO划片机,具有高稳 定性,划片刀的厚度25um,芯片损耗小。
至诚至爱,共创未来
SI SEMI.
4
功率器件后封装工艺流程-划片车间
日本DISKO划片机
至诚至爱,共创未来
SI SEMI.
5
功率器件封装工艺流程
(将单颗芯片粘结到引线框架上)
实物图
金丝 或铝丝
金丝-金丝球焊 铝丝-超声波焊
压焊示意图
至诚至爱,共创未来
SI SEMI.
10
功率器件封装工艺流程
1、自动压焊机,一致性好,焊点、弧度、 高度最佳,可靠性高。
2、根据管芯的实际工作电流选择引线直 径规格,保证了良好的电流特性 。

封装工艺流程PPT122页

封装工艺流程PPT122页

第二章 封装工艺流程
• 2.3 芯片贴装 芯片贴装,也称芯片粘贴,是将芯片固定于封装基板或引
脚架芯片的承载座上的工艺过程。
贴装方式
• 共晶粘贴法 • 焊接粘贴法 • 导电胶粘贴法 • 玻璃胶粘贴法
第二章 封装工艺流程
• 2.3.1共晶粘贴法 共晶反应 指在一定的温度下,一定成分的液体同时结晶出两种一定
凸块式芯片TAB,先将金属凸块长成于IC芯片的铝键合点 上,再与载带的内引脚键合。预先长成的凸块除了提供引脚 所需要的金属化条件外,可避免引脚与IC芯片间可能发生短 路,但制作长有凸块的芯片是TAN工艺最大的困难。
第二章 封装工艺流程
• 2.4.2 载带自动键合技术
芯片凸点制作技术 凸点因形状不同可分为两种
第二章 封装工艺流程
• 2.4.1 打线键合技术
打线键合技术
超声波键合(Ultrasonic Bonding ,U/S bonding)
热压键合(Thermocompression Bonding T/C bonding) 热超声波键合(Thermosonic BoBiblioteka ding,T/S bonding)
第二章 封装工艺流程
• 2.4 芯片互连 芯片互连是将芯片焊区与电子封装外壳的I/O引线或基
板上的金属焊区相连接。 芯片互连常见的方法:
打线键合(WB wire bonding)
倒装芯片键合(FCB flip chip bonding,C4)
载带自动键合(TAB tape automate bonding)
• 2.4.1 打线键合技术介绍 (2)热压键合
第二章 封装工艺流程
• (3)热超声波键合
热超声波键合是热压键合与超声波键合的混合技术。在工 艺过程中,先在金属线末端成球,再使用超声波脉冲进行金 属线与金属接垫之间的接合。

《微系统封装基础》课件

《微系统封装基础》课件
寿命测试是通过加速老化试验等方法 评估微系统封装的寿命,预测其在不 同使用条件下的可靠性表现。
04
微系统封装的应用
通信领域
通信设备小型化
微系统封装技术可以使通信设备体积更小,便于 携带和移动。
高速信号传输
通过微系统封装技术,可以实现高速、高带宽的 信号传输,满足现代通信的需求。
降低能耗
通过优化微系统封装设计,可以降低通信设备的 能耗,延长设备的使用时间。
ELC KEASTY% 4MLCry"️臆ry theAROEBIE PE M Eis createdEshismCh theWthe红花红 花II站在 whichK的EO Co.M白发
THANKS
THANK YOU FOR YOUR WATCHING
微系统封装的发展趋势与挑战
要点一
要点二
要点三
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半导体封装制程及其设备ppt课件

半导体封装制程及其设备ppt课件
width direction
24~32
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
6
Surface Mount
SOP Small Outline Package
QFP Quad-Flat
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Wafer Mount
Plasma
UV Cure (Optional)
Wire Bond
Molding
Post Mold Cure Laser mark
Laser Cut
Package Saw
Cleaner
Memory Test
Card Asy
Card Test
Packing for Outgoing
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
lead
16~24
Plastic
1.778 mm (70miles)
20 ~64
5
Through Hole Mount
SK-DIP
Skinny Dual In-line
Package
PBGA
Pin Grid Array
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles) half-size pitch in the

《LED封装流程简介》课件

《LED封装流程简介》课件
3 封装材料
封装材料包括粘合剂、热敏胶、塑料封装材料等,以及封装工艺所需的固化剂、抗剪强 度增强剂等。
封装流程步骤
1
准备工作
准备封装所需的基材、芯片、胶水等材
芯片固定
2
料,并检查设备的工作状态。
将芯片精确定位并固定在基材上,确保
芯片与基材之间的电连接畅通。
3
倒盖覆胶
在芯片上方的基材上倒覆胶水,形成保
《LED封装流程简介》PPT 课件
本PPT课件将介绍LED封装的流程、分类、材料以及产业现状和未来发展。欢 迎加入这个充满发展前景的领域!
封装流程介绍
1 封装定义
LED封装是指将裸露的LED芯片封装到套管中,以保护芯片并实现特定的电性能和光学性 能。
2 封装分类
根据封装方式和结构,LED封装可分为片式封装、芯片级封装和模组封装。
焊接
4
护层以及提Leabharlann 光学效果。进行电连接的焊接工序,确保芯片与基
材之间的可靠电性连接。
5
成品检测
通过光学检测和电学测试等手段对成品 进行质量检验,确保产品符合要求。
封装工艺流程图
封装材料介绍
封装材料分类
封装材料可分为粘合剂、热敏胶、塑料封装材 料等,每种材料都有不同的特性和用途。
热敏胶
热敏胶可以在封装过程中,通过温度的变化实 现不同的封装效果,如粘合、硬化和保护等。
粘合剂
粘合剂用于将芯片与基材粘合在一起,确保电 性连接和结构的稳定。
封装材料性能
封装材料应具有良好的导热性、抗高温性、防 潮性和阻燃性,以确保LED产品的长期稳定性和 可靠性。
LED封装及产业现状
封装工厂
LED封装工厂拥有先进的生产设 备和严格的质量控制标准,为 LED产业的发展提供关键支持。

《LED封装介绍》课件

《LED封装介绍》课件
智能化与联网化 随着物联网技术的发展,LED封 装产品趋向于智能化和联网化, 实现远程控制、智能调节等功能 。
LED封装面临的挑战
技术创新
LED封装技术需要不断进行创新,提高 光效、降低成本,以满足市场需求。
产能与供应链管理
随着市场的不断扩大,LED封装企业 需要加强产能和供应链管理,确保产
品的及时供应。
表面贴装LED封装技术是一种将LED直接粘贴在电路板上的封装形式,具有体积 小、易于自动化生产等特点。
详细描述
表面贴装LED封装技术采用小型化的封装体和引脚,可以直接将LED粘贴在PCB 板上,简化了组装过程。这种封装形式广泛应用于消费电子产品中,如手机、电 视等。
功率型LED封装技术
总结词
功率型LED封装技术是一种高功率、高可靠性的LED封装形式 ,具有较长的使用寿命和较好的散热性能。
LED封装发展趋势
高效能化 随着LED照明技术的不断进步, 高效能、高光效的LED封装产品 成为发展趋势,能够满足市场对 节能照明的需求。
环保化 随着环保意识的提高,无铅、无 汞等环保型LED封装产品成为发用领域的拓宽,LED封装 产品趋向于小型化和集成化,以 适应不同空间和设计要求。
详细描述
功率型LED封装技术采用较大的芯片和特殊的散热设计,能 够承受较高的工作温度和电流密度。这种封装形式广泛应用 于照明、汽车等领域,需要解决的关键问题是散热和可靠性 问题。
05
LED封装应用领域
显示屏
01
02
03
广告牌显示屏
利用LED封装技术制作的 大型广告牌,具有高亮度 、长寿命和低能耗的特点 。
和散热的作用。
环氧树脂的质量和配比对LED的 透光率、耐热性和寿命有很大影

第13章-先进封装技术PPT课件

第13章-先进封装技术PPT课件
①相当于裸片大小的小型组件(在最后工序切割分片); ②以圆片为单位的加工成本(圆片成本率同步成本); ③加工精度高(由于圆片的平坦性、精度的稳定性)。
.
35
.
36
5、薄膜型CSP
❖ 薄膜型CSP:由日本三菱电机公司开发的CSP结构 如图6所示。它主要由IC芯片、模塑的树脂和凸点 等构成。芯片上的焊区通过在芯片上的金属布线与 凸点实现互连,整个芯片浇铸在树脂上,只留下外 部触点。这种结构可实现很高的引脚数,有利于提 高芯片的电学性能、减少封装尺寸、提高可靠性, 完全可以满足储存器、高频器件和逻辑器件的高 I/O数需求。同时由于它无引线框架和焊丝等,体 积特别小,提高了封装效率。
.
25
CSP的基本结构
❖ CSP的结构主要有4部分:IC芯片,互连层, 焊球(或凸点、焊柱),保护层。互连层是 通过载带自动焊接(TAB)、引线键合 (WB)、倒装芯片(FC)等方法来实现芯 片与焊球(或凸点、焊柱)之间内部连接的, 是CSP封装的关键组成部分。CSP的典型结构 如下图所示。
.
26
第13章
先进封装技术
.
1
主要内容
❖ BGA ❖ CSP ❖ FC技术 ❖ WLP技术 ❖ MCM封装与三维封装
.
2
目前的先进封装技术包含了单芯片封装的改进和多 芯片集成的创新两大方面。主要包括:
(1)以适应芯片性能并提高互联封装效率的BGA封装
(2)以提高芯片有效面积的芯片尺寸封装(CSP)
(3)以减少制造环节和提高生产效率的晶圆级封装( WLP)
.
42
FC技术定义
❖ FC是芯片有源区面对基板,直接通过芯 片上呈阵列排列的凸点来实现芯片与衬底 (或电路板)的互连。由于芯片以倒扣方 式安装到衬底上,故称为“倒装芯片” (Flip-Chip) 。
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这两种方法都很好地避免了或减少了减薄引起 的硅片翘曲以及划片引起的边缘损害,大大增强了 芯片的抗碎能力。
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第二章 封装工艺流程
2.3 芯片贴装 芯片贴装,也称芯片粘贴,是将芯片固定于封装基板或引
脚架芯片的承载座上的工艺过程。
贴装方式
• 共晶粘贴法 • 焊接粘贴法 • 导电胶粘贴法 • 玻璃胶粘贴法
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第二章 封装工艺流程
2.1.2 封装工艺流程概况 流程一般可以分成两个部分:在用塑料封装之前的工序
称为前段工序,在成型之后的操作称为后段工序。成型工 序是在净化环境中进行的,由于转移成型操作中机械水压 机和预成型品中的粉尘达到1000级以上(空气中0.3μm 粉尘达1000个/m3以上)。
现在大部分使用的封装材料都是高分子聚合物,即所谓 的塑料封装成型技术、预成型技术,其中转移成型 技术使用最为普遍。
.
第二章 封装工艺流程
2.2.2减薄工艺
先划片后减薄和减薄划片两种方法
DBG(dicing before grinding) 在背面磨削之前,将硅片 的正面切割出一定深度的切口,然后再进行磨削。
DBT(dicing by thinning) 在减薄之前先用机械的或化学 的方法切割出一定深度的切口,然后用磨削方法减薄到一 定厚度后,采用常压等离子腐蚀技术去除掉剩余加工量。。
2.3.3 导电胶粘贴法 导电胶是银粉与高分子聚合物(环氧树脂)的混合物。银
粉起导电作用,而环氧树脂起粘接作用。
导电胶有三种配方: (1)各向同性材料,能沿所有方向导电。 (2)导电硅橡胶,能起到使器件与环境隔 绝,防止水、汽对芯片的影响,同时还可 以屏蔽电磁干扰。 (3)各向异性导电聚合物,电流只能在一 个方向流动。在倒装芯片封装中应用较多。 无应力影响。
三种导电胶的特点是:化学接合、具有导电功能。
.
第二章 封装工艺流程
导电胶贴装工艺
膏状导电胶: 用针筒或注射器将粘贴剂涂布到芯
片焊盘上(不能太靠近芯片表面,否则 会引起银迁移现象),然后用自动拾片 机(机械手)将芯片精确地放置到焊盘 的粘贴剂上,在一定温度下固化处理 (150℃ 1小时或186℃半小时)。 固体薄膜:
将其切割成合适的大小放置于芯片 与基座之间,然后再进行热压接合。采 用固体薄膜导电胶能自动化大规模生产。
导电胶粘贴法的缺点是热稳定性不好,高温下会引 起粘接可靠度下降,因此不适合于高可靠度封装。
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第二章 封装工艺流程
玻璃胶粘贴法
与导电胶类似,玻璃胶也属于厚膜导体材料(后 面我们将介绍)。不过起粘接作用的是低温玻璃粉 。它是起导电作用的金属粉(Ag、Ag-Pd、Au、 Cu等)与低温玻璃粉和有机溶剂混合,制成膏状。
2.3.2 焊接粘贴法 焊接粘贴法是利用合金反应进行芯片粘贴的方法。优点是
热传导性好。 一般工艺方法
将芯片背面淀积一定厚度的Au或Ni,同时在焊盘上淀积 Au-Pd-Ag和Cu的金属层。然后利用合金焊料将芯片焊接在 焊盘上。焊接工艺应在热氮气或能防止氧化的气氛中进行。
硬质焊料
合金焊料
软质焊料
.
第二章 封装工艺流程
硅片背面减技术主要有: 磨削、研磨、化学抛光 干式抛光、电化学腐蚀、湿法腐蚀 等离子增强化学腐蚀、常压等离子腐蚀等
减薄厚硅片粘在一个带有金属环或塑料框架的薄膜 (常称为蓝膜)上,送到划片机进行划片。现在划片机都 是自动的,机器上配备激光或金钢石的划片刀具。切割分 部分划片(不划到底,留有残留厚度)和完全分割划片。 对于部分划片,用顶针顶力使芯片完全分离。划片时,边 缘或多或少会存在微裂纹和凹槽这取决于刀具的刃度。这 样会严重影响芯片的碎裂强度。
.
第二章 封装工艺流程
2.2 芯片切割
2.2.1、为什么要减薄
半导体集成电路用硅片4吋厚度为520μm,6吋厚度为 670μm。这样就对芯片的切分带来困难。因此电路层制作 完成后,需要对硅片背面进行减薄,使其达到所需要的厚度 ,然后再进行划片加工,形成一个个减薄的裸芯片。
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第二章 封装工艺流程
2.2.2减薄工艺
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第二章 封装工艺流程
2.3.1共晶粘贴法 共晶反应 指在一定的温度下,一定成分的液体同时结晶出两种一定
成分的固相反应。例如,含碳量为2.11%-6.69%的铁碳合 金,在1148摄氏度的恆温下发生共晶反应,产物是奥氏体 (固态)和渗碳体(固态)的机械混合物,称为“莱氏体 ”。
一般工艺方法 陶瓷基板芯片座上镀金膜-将芯片放置在芯片座上-热氮气
板上的金属焊区相连接。 芯片互连常见的方法:
打线键合(WB wire bonding)
倒装芯片键合(FCB flip chip bonding,C4)
载带自动键合(TAB tape automate bonding)
这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路 芯片集成度的限制各有不同的应用范围。
氛中(防氧化)加热并使粘贴表面产生摩擦(去除粘贴表 面氧化层)-约425℃时出现金-硅反应液面,液面移动时, 硅逐渐扩散至金中而形成紧密结合。
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第二章 封装工艺流程
2.3.1共晶粘贴法 预型片法,此方法适用于较大面积的芯片粘贴。优点是
可以降低芯片粘贴时孔隙平整度不佳而造成的粘贴不完全 的影响。
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第二章 封装工艺流程
集成电路封装技术
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第二章 封装工艺流程
2.1.1 为什么要学习封装工艺流程
熟悉封装工艺流程是认识封装技术的前提,是进 行封装设计、制造和优化的基础。
芯片封装和芯片制造不在同一工厂完成 它们可能在同一工厂不同的生产区、或不同的地区,甚至
在不同的国家。许多工厂将生产好的芯片送到几千公里以外 的地方去做封装。芯片一般在做成集成电路的硅片上进行测 试。在测试中,先将有缺陷的芯片打上记号(打一个黑色墨 点),然后在自动拾片机上分辨出合格的芯片。
在芯片粘贴时,用盖印、丝网印刷、点胶 等方法将胶涂布于基板的芯片座中,再将芯片 置放在玻璃胶之上,将基板加温到玻璃熔融温 度以上即可完成粘贴。由于完成粘贴的温度要 比导电胶高得多,所以它只适用于陶瓷封装中。 在降温时要控制降温速度,否则会造成应力破 坏,影响可靠度。
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第二章 封装工艺流程
2.4 芯片互连 芯片互连是将芯片焊区与电子封装外壳的I/O引线或基
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