模拟电子技术期中试卷(二)
模拟电子技术期中考试卷
模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。
选择正确答案填入空内。
（1）电路中D1和D2管的作用是消除 。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。
A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。
A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。
A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管 。
A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。
模拟电子技术复习试题二
模拟电子技术复习试题二一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成_________电流，由外加电场引起载流子运动形成_________电流。
2.温度升高时，晶体二极管的I s将_________，V D(on)将_________。
3.晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和_________结均为_________偏置。
4.N沟道MOSFET中，为保证器件正常工作，_________极应接在电位的最低点，而P沟道的MOSFET，则该电极应接在电位的_________。
5.P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是_________和_________。
6.放大器的失真根据其产生的机理不同可分为_________失真和_________失真两大类。
7.电流源电路的主要参数是_________和_________。
8.反馈元件并接到输入信号源两端的为_________反馈，否则为_________反馈。
9.负反馈放大电路自激的幅度条件是_________，相位条件是_________。
10.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的_________电阻、无限大的差模电压增益和_________抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。
二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.杂质半导体中多数载流子浓度( )A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关2.一个硅二极管在正向电压V D=0.6V时，正向电流I D为10mA，若V D增大到0.66V(即增加10%)，则电流I D( )A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)C.约为100mA(增大到原先的10倍)D.仍为10mA(基本不变)3.某晶体三极管的I B为10μA，I C为1mA，I CEO为0.1mA则该管的β值为( )A. 100B. 110C. 90D. 804.已知某三极管V BE=0.7V，V CE=3V，则该管工作在_________区。
新版模拟电子技术 部分参考答案(二)
习 题 55.1 阻容耦合放大电路如图5.1所示，已知1250ββ==，BEQ 0.7V U =，指出每级各是什么组态的电路，并计算电路的输入电阻i R 。
u S图5.1 习题5.1电路图解： 第一级为共集放大电路，第二级为共射放大电路 (1) )μA (1.51551257.015BQ1=⨯+-=I )m (56.2BQ1CQ1A I I =⋅=β)V (2.2556.215e1CQ1CC CEQ1=⨯-=⋅-=R I V U)(81856.22651300be1Ω=⨯+=r (2) )V (5.215501010BQ2=⨯+=V )mA (64.111.07.05.2EQ CQ2=+-=≈I I)V (5)11.05(64.115CEQ2=++⨯-=U)k (1.164.12651300be2Ω=⨯+=r (3) )k (56.3])1(//['//'e222be b2b12i Ω=++=R r R R R β )k (26.20]//)1(//[2i e111be b1i Ω=++=R R r R R β5.2 电路如图5.2所示，设两管的β=100，U BEQ =0.7V ，求：（1）I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2；（2）A u1、A u2、A u 、R i 和R o 。
u s-+u o图5.2 习题5.2电路图 图5.3 习题5.3电路图解： (1) CQ1EQ1CQ2010.2mA I I I I ====CQ1BB BEQ EQ160.7 5.3V,0.7V U V U U =-=-==-CEQ1CQ1EQ1 5.3(0.7)6V U U U =-=--=CEQ2CQ2EQ2CC CQ2C2EQ21510.20.47 5.3 4.91(V)U U U V I R U =-=-⋅-=-⨯-=(2) be2i25505.511100r R β===Ω++,i2u1be1100 5.51550R A r β⨯=-=-=- C2u2be210047085.4550R A r β⨯===，u u1u2(1)85.485.4A A A =⨯=-⨯=-i be1550R r ≈=Ω,o o2c2470R R R ≈==Ω5.3 电路如图5.3所示，设VT 1与VT 2的小信号参数分别为β1、r be1和β2、r be2。
《电子技术基础(二)》期终考试试卷
《电子技术基础（二）》期终考试试卷题号 一 二 三 四 五 总分 积分人 分数 一、填空题（每空档1分，共28分） 1、半导体数码管的连接方式有 和 。
2、加法器分为 和 。
3、三态门有三种输出状态，即： 、 和高阻状态。
4、数字电路在稳态时，二极管、三极管处于 状态。
5、在逻辑电路中，用 和 表示两种对立的逻辑状态。
6、基本逻辑门电路有三种，即 门电路、 门电路和非门电路。
7、按功能译码器可分为和 两大类。
8、基本RS 触发器中，若S = 0，R = 1时，触发器状态置 。
9、异步计数器是指计数脉冲 加到所有触发器的CP 端，只作用 于 触发器的CP 端。
当计数脉冲到来时，各触发器的翻转时 刻 。
10、同或门和异或门之间的运算是 运算。
11、时序逻辑电路的结构组成通常包含 电路和 电路两部分。
常见时序电路中的存储电路由 构成。
12、JK 触发器Q n+1逻辑函数表达式为： 。
13、计数器除具有计数功能外，还具有 。
14、在优先编码器74LS147中，当输入I 7I 8I 9 = 000时，输出为 。
15、555定时器电路中，当u i1>U R1, u i2>U R2时，基本RS 触发器被置 ， 即输出u 0 = ,同时V 导通，电容 。
16、TTL 与非门的开关速度高是指平均传输延迟时间t p d 。
二、判断题（正确的打“√”,错误的打“×”）（每题3分，共24分）1、具有时钟输入的触发器称为基本RS触发器。
（）2、同步RS触发器中，当脉冲到来时，S = 1，R = 0，触发器状态为0态。
（）3、优先编码器的工作特点是允许同时输入二个或二个以上的编码信号。
（）4、正弦波和方波都是数字信号。
（）5、寄存器的功能是统计输入脉冲的个数。
（）6、由三个开关并联起来控制一只电灯时，电灯的亮或不亮同三个开关的闭合或断开之间的对应关系属于“或”逻辑关系。
（）7、在数字电路中，“1”比“0”大。
模拟电子技术试卷2附答案
考试科目 《模拟电子技术》 专业 （A 类B 卷）学号 姓名 考试日期： 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分，共20分)1．电路如图所示，()V sin 05.0i t u ω=，当直流电源电压V 增大时，二极管V D 的动态电阻将__ __。
A ．增大，B ．减小，C ．保持不变2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。
GS u =3V ，DS u =10V ，判断管子工作在 。
A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 4V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 8V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为________________。
A ．80 ，B ．40，C ．－40，D ．20 4. 在某双极型晶体管放大电路中，测得)m V 20sin (680BE t u ω+=，A μ)10sin (20B t i ω+=，则该放大电路中晶体管的_ ___。
A ．2，B ．34，C ．0.4，D ．15. 差分放大电路如图所示。
设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。
若R e 增加，差模电压放大倍数d u A 。
A ．增大，B ．减小，C ．基本不变6. 为使其构成OCL 电路，V 2CES ≈U ，正常工作时，三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。
A ．36VB ．34VC ．32VD ．18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的＝50，＝1k 。
该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _（A ．50， B ．100， C ．200）；下限截止频率约为___ __Hz（A ．16， B ．160， C ．1.6k ）；当输入信号频率f ＝时，输出电压与输入电压相位差约为 _ _（A ．45°， B ．－45°， C ．－135°， D ．－225°）。
《模拟电子技术(第2版)》试题库 模电期中试卷
《模拟电路》课程期中试卷班级姓名学号成绩一、选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分）1. 在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变( )A.发射极电阻B. 基极电阻C. 集电极电阻D.三极管的值2.在三极管的基本组态电路中 ( )A.共发组态输出电阻最小B.共发组态输入电阻最小C.共基组态输出电阻最小D.共集组态输入电阻最大3. 若要稳定输出电流同时提高输入电阻，可加入下列负反馈()A.电流串联B.电压串联C.电流并联D.电压并联4. 为了稳定静态工作点，电路中应该引入()A.交流负反馈B.直流负反馈C.直流正反馈D.交流正反馈5. 差分放大器是一种直接耦合放大器，它( )A.只能放大直流信号B.只能放大交流信号C.不能放大交流信号D.可以抑制共模信号6. 直接耦合放大电路零点漂移产生的主要原因是( )A.输入信号较大B.环境温度C.各元件质量D.电压放大倍数7. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV”的指示值是2μs，则所测正弦波的频率为（）A．500kHz B．250kHz C．125kHz D．100kHz8. 如上图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“mV/DIV”的指示值是50，则所测正弦波的最大值为（）A.230 mV B．80 mV C．115 mV D．100 mV9. 用万用表欧姆档辨别发光二极管的阴、阳极时，应该把欧姆档拨到（）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档10. 若反馈信号与输出电压信号成比例，则引入的反馈是( )A.电流负反馈B.电压负反馈C.并联负反馈D.串联负反馈11. 在深度负反馈下闭环放大倍数比较稳定的原因是( )A.改善了非线性失真B.输入电阻增大C.输出电阻减小D.反馈网络的稳定特性12. 集成运放为了克服温漂问题，输入级大多采用的电路为( )A.共射电路B.差分放大电路C. 共集电路D. 共基电路13. 要从函数信号发生器上输出峰峰值为50mV的信号，正确的衰减设置( )A.全部弹出B.仅20dB按钮按下C.仅40dB按钮按下D.全部按下14. 电压跟随器在电路中可能起的作用有( )A.放大电压信号B.放大电流信号C.减小电路的输入电阻D.缓冲数据15. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,后者的运放通常工作在（）A．深度负反馈状态 B. 放大状态 C. 开环或正反馈状态 D.线性工作状态二、填空题（每小题2分，共12分）1. PNP型三极管工作在放大状态，三点的电位关系为。
宁夏大学物理电气信息学院模拟电子技术
模拟电子技术期中试卷（一）一、选择题。
（每题3分，共36分）1.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于_______。
A.掺杂工艺B.温度C.杂质浓度D.晶体缺陷2.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，已量出由此可知对应电极①是______。
A.发射B.基极C.集电D.不定3.晶体三极管用来放大时,应使发射结处于_______偏置,集电结处于_______偏置.A.正向,反向B.反向,正向C.反向,反向D.不定4.如果在电路中测出某NPN管三个电极对地电位分别为:则该管工作在______区。
A.放大B.饱和C.截止D.击穿5.PNP型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是______。
A.<<B.<<C.>>D.<<6.在图示电路中,设C1、C2对交流信号的影响可以忽略不计,当输入f=1KHz的正弦电压信号后,用示波器观察和,则二者的相位关系为_______。
A.相差90oB.相差45oC.相同D.相差180o7.为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用。
A．共射电路 B.差动放大电路C．OCL电路（互补对称电路）D.共集电路8.在放大器中引入直流负反馈,说法正确的是______。
A.稳定输出电压B.稳定输出电流C.性能不变D.静态工作点稳定性变好9．射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（）A.电压放大倍数近似为1B.r i很大C.r O很小10.PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，______。
A．其反向电流增大B．其反向电流减小C．其反向电流基本不变11.由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为_______。
A.-12VB.+6VC.-6VD.+12V12.在甲乙类互补对称功放电路中，为了改善交越失真，应_______。
A.适当提高电源电压B.适当增加负载电阻的阻值C.适当减小功放管静态参数D.适当增大功放管静态参数二、填空题。
模拟电子技术期中测验题及答案
模拟电子技术期中测验题及答案————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：2013－2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术教师签字一、选择及填空题:（共52分，每空2分）1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。
由此可判断电极①是 C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ，B ．100，C ．400）。
2．写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 0v 。
3.已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。
影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小的因素是 A 。
（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）ff Hf LOC R b R c+V CCu i( a )( b ).A u20lg u o当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C.0.9）倍。
当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。
题号 一 （52分） 二.1 （18分） 二.2 （14分） 二.3（16分） 总成绩 得分 班 级 学 号 姓 名密封装订线密封装订线R b +V CCC 2R LC 1u i u o 120236u CE V60μA 40μA50μA 30μA 51448=10μA I B 20μA 2610VTR c Qi C mA4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为 4V ，这说明放大电路的输出电阻为 0.5K Ω 。
模拟电子技术应用(二)复习题及答案.
模拟电子技术应用（二）复习题及答案1. 设图中VD 为普通硅二极管，正向压降为 0.7V ，试判断VD 是否导通，并计算U O 的值。
5V5V( a )( b )（a ）设VD 断开，求得U O ≈－0.45V ，小于硅二极管的死区电压，所以VD 截止，U O ≈－0.45V（b ）VD 导通，U O ＝2.3V2. 计算下图电路中二极管上流过的电流I D 。
设二极管的正向导通压降为0.7V ，反向电流等于零。
( a )( b )（a ）V 1D -=U ，VD 截止，0D =I（b ） 2.75mA m A 37.0527.010D =⎪⎭⎫⎝⎛--+-=I3. 电路如图所示，VD 为理想二极管，画出各电路的电压传输特性()(I O u f u =曲线），并标明转折点坐标值。
( a )( b )( a )( b )4. 已知电路中，)V ( Sin 5i t u ω=，二极管正向压降为0.7V ，画出各电路中u O1、u O2波形，并注明其电压幅值。
uu ( a )( b )－0－5. 在如图所示电路中，已知稳压管VD Z1的稳定电压 U Z1＝6.3V ， VD Z2的稳定电压U Z2＝7.7V ，它们的正向导通电压U D 均为0.7V ，U I 和R 的取值合理，U I 的实际极性和U O1～U O4的假设极性如图中所标注。
填空： U O1＝ V ，U O2＝ V ，U O3＝ V ，U O4＝ V 。
U IU IU U O1U O2U O3U O414 ， 7， －0.7， －6.36. 从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。
用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
（A ．放大， B ．饱和 ， C ．截止 ， D ．损坏）⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。
( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+9V +12V－－12V0V+2.3V( 4 )（1）C （2）A （3）C （4）B （5）D7. 从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。
模拟电路期中试卷
模拟电子技术期中考试试卷教师签字一、选择及填空题:（共54分，每空2分）1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。
由此可判断电极①是 ，电极②是__ __，电极③是_ ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是____（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____（A ．40 ，B ．100，C ．400）。
2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的V V T 4=。
下表给出了三种状态下u GS 和u DS 的值，判断各状态下管子工作在什么区。
A. 恒流区B. 可变电阻区C. 截止区3.已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。
影响f L 大小的因素是 ，影响f H 大小的因素是 。
（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）HLV CC( a )( b )当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9）倍。
当f ＝ f L 时，oU 与i U 相位关系是 （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。
4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为班 级 学 号 姓密封装订线 密封装订线 密封装订线R L12E V4826104V，这说明放大电路的输出电阻为。
5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。
（1）．电压放大倍数uA >10，并具有较大的电流放大能力的电路是。
（2）．电压放大倍数uA >10，并且输出电压与输入电压同相的电路是。
（3）．电压放大倍数uA ≈1，输入电阻iR>100kΩ的电路是。
L( a )L( b )L( c )6．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q点也标在图上（设U BEQ＝0.7V）。
模拟电路试卷02
（2 分）
I BQ
I EQ 1
1.048 10.4A 101
（1 分） （2 分）
VCEQ VCC I CQ Rc I EQ R f Re 10 1.048 3 1.5 0.2 5.07V
（3）
v Rc AV o vi rbe (1 ) R f
解：UO1≈1.3V（2 分） ，UO2＝0（2 分） ，UO3≈－1.3V（2 分） ，UO4≈2V（2 分） 。
2．电路如图所示，其中二极管为理想元件，已知 u 2 100 2 sin 314t V ， RL 90 ，试求： （1）该电路的名称及作用； （2）交流电压表 ( V1 ) 、直流电流表 ( A 2 ) 以及直流电压表 ( V2 ) 的读数各是多少？(设电流表内阻为零， 电压表内阻为无穷大)。 （6 分）
. Ii . Ib
+VCC Rb2 C1 + + vi Rb1 Rc C 2 + T Rf Re vo + Ce RL
+
b
rbe
c
. Ic .
+
. Vi Rb1 Rb2
+
Rc . RL Vo
e
Rf
Ib
-
-
（4 分） （2）
I EQ
Rb1 33 10 0.7 R R Vcc VBE b2 b2 133 1.048mA I CQ R f Re 0.2 1.5
5．为了稳定放大电路的静态工作点，可采用 直流 负反馈。为了改善稳定放大电路的动态性能，可 采用 交流 负反馈。
二、单项选择题(本大题共5小题，每小题2分，共10分)
模拟电子技术期中试卷(101102)
浙江传媒学院《模拟电子技术》期中考试卷2010 — 2011学年第二学期班姓名学号V U 82-=、V U 2.53-=，则三极管对应的电极是：1为 极、2为 极、3为 极，该三极管属 型三极管。
4、在下图所示电路中， 已知VCC ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。
试求下列空格（要求先填文字表达式后填得数）。
（1）当i U ＝0V 时，测得U BEQ ＝0.7V ，若要基极电流I BQ ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和Rb ＝______________________≈_________k Ω；而若测得U CEQ ＝6V ，则Rc ＝______________________≈____________k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数u A ＝_____________________≈________。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载后输出电压有效值o U ＝_______________＝___________V 。
5、在三极管三种组态放大电路中，输出电阻最小的是____________，高频特性最好的是___________________，输入电阻最大的是____________________。
三、简答题（每小题5分，共10分）1、简述利用半导体可以制造哪些器件？其各自的特性是什么？2、温度的变化对放大器有什么影响？如何解决？四、分别改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
(每小题5分，共20分)五、计算题(共计40分)1、电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
(8’)2、电路如图P2.19所示，晶体管的 ＝60，'bb r =100Ω。
东莞理工学院模拟电子技术试卷含答案二
《模拟电子技术》模拟试题二一．填充题（每空1分，共20分）1．掺杂半导体有 型半导体和 型半导体两类。
2．PN 结的电容效应用 电容和 电容等效。
3．当温度升高时，晶体管的β和CBO I BE u （B i 不变456．为了使放大电路的o R 增大应引入电流负反馈；深反馈的条件是7络反馈系数的模F = 1/3 。
8．乙类互补推挽功率放大电路的静态功耗为 0 ，在理想情况下的最高能量转换效率可达到 78.5% 。
9．运放组成的方波-三角波发生器由迟滞比较器和 积分器 两个单元电路组成。
10．在整流电路的输入电压相等的情况下，半波、全波、桥式三种整流电路中，输出电压平均值最低的是半波 整流电路，二极管承受反向电压最高的是全波 整流电路。
二．分析计算题（共80分）1．（9分）电路如附图2.1所示，设T 的DSS I =2mA 、GS(off)U =－5V 。
试求：GSQ U 、DQ I 、DSQ U 值。
2．（12分）电路如附图2.2所示，设集成运放A 性能理想。
试问4R 引入什么反馈？并求Ou 的表达式。
3．（12分）电路如附图2.3所示，设T 1、T 2的特性完全对称，β=120、BE U = 0.6V ，开关S 闭合。
试求：（1）R I 、C2I 值；（2）若将开关S 打开，经过多少时间后，O u 下降到7.8V 。
4．（18分）电路如附图2.4所示，已知T 为3DG4A 型硅管，β=50、'bb r =80Ω， 1C 、2C 、e C 的电容量均足够大。
试求：（1）BQ U 、CQ I 、CEQ U 值；（2）i o u /U U A =、s o us /U U A =、i R 及o R 值。
5．（11分）一个尚未设计完成的文氏电桥振荡器及三个未接入的元件如附图2.5所示，已知灯泡t R 的冷态电阻小于1k Ω。
（1）请将1R 、2R 、t R 接到应接的位置完成这一电路设计。
（2）求出该文氏电桥振荡器的振荡频率0f 。
模拟电子技术试卷
模拟电子技术测验 试卷二一、 填空题：将正确的答案填入空格中。
（本大题分15小题，每小题2分，共30分）1． 在分析BJT 放大电路高频响应时，常应用BJT 的__________________________模型对放大电路进行分析。
2． 稳压管反向击穿区的特性曲线越陡，管子的动态电阻就越_____________，稳压性能就越_____________。
3． P N 结在外加正向电压作用下，扩散电流____________漂移电流。
PN 结在外加反向电压作用下，扩散电流_____________漂移电流。
4． 在图示电路中，D 1和D 2均为理想二极管，则当v i >12V 时，v o =_____________V 。
5． 电路如图所示，当v i ＝ 3V 时，v o ＝_____________V 。
vv i v o6． 功率放大电路是在大信号下工作。
研究的重点是如何在允许的失真情况下，尽可能提高__________________________和__________________________。
7． 乙类双电源互补对称功放电路如下图所示，v i 为正弦波。
在BJT 的饱和压降V CES 忽略不计的条件下，负载R L 上能得到的最大输出功率P om =_____________W 。
8． 理想运算放大器的共模抑制比等于_____________，输出电阻等于_____________。
9． 根据相位平衡条件，判断下图所示电路是否可能振荡。
答：_____________。
v o v i 12 VR B2R B110．电路如图所示，，已知R 1＝5k Ω，R 2＝15k Ω，R 3＝10k Ω，R C＝2k Ω，R E ＝，该电路中的晶体管状态。
11．一单级阻容耦合放大电路的通频带是50Hz ~50kHz ，中频电压增益dB 40=VMA ，最大不失真交流输出电压峰值范围是－3V ~＋3V 。
《模拟电子技术基础》试题2
机电3+2《模拟电子技术基础》试题库2考生须知：1．本试卷分问卷和答卷两部分，满分100分，考试时间90分钟。
2．在答题卷密封区内请写明校名、姓名和学籍号。
3．全部答案都请做在答题卷标定的位置上，务必注意试题序号与答题序号相对应，直接做一、填空题（每空1分，共30分）1．根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和三类。
2．PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极。
3. 三极管按内部结构分为型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。
4. 硅二极管导通时的正向管压降约 V，锗二极管导通时的正向管压降约 V。
5. 三极管工作在饱和状态的外部电压条件是：发射结，集电结。
6.当测得晶体三极管的集电极对地电压V C接近电源电压V CC时，表明该三极管处于________状态。
7.一放大器无反馈时的放大倍数A=120，加入负反馈后，放大倍数下降为A f=20，它的反馈深度1+AF= ，反馈系数F= 。
8．某工作在放大区的三极管，如果当I B从22μA增大到42μA，I C从1mA变为2mA，则它的放大倍数β为__________。
9．负反馈能使放大器的通频带__________，非线性失真__________。
10.在低通滤波电路中，电容器与负载联，电感与负载联。
11.通常使用法判断反馈放大器的反馈极性。
根据反馈信号是交流还是直流来分，可分为反馈和反馈。
12.由NPN三极管组成的放大电路中，输出电压波形的正半周失真，则产生了失真，它的静态工作点位置。
13.放大器的输出电阻，放大器能力越强。
14.单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率，相位。
二、单项选择题（每小题3分，共30分）1.对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是（ ） A.三极管可以把小能量放大成大能量 B.三极管可以把小电流放大成大电流C.三极管可以把小电压放大成大电压D.三极管可用较小的电流控制较大的电流2. 交流电源电压V 2=11伏的单相桥式整流电路，直流负载电阻RL=5欧，每个二极管通过的电流约为( )安。
模拟电子技术试卷及答案
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反应；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反应。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可到达_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反应；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，那么这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，假设uI = 20 mV，那么电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如下图复合管，V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，那么复合后的 b 约为( )。
模拟电子技术期中考试试题
12预科（2）电子线路期中考试试题考试时间：90分钟班级____________ 姓名____________ 学号_______________一、填空题(每格1分共25分)1．半导体一种导电能力介于与之间的物质。
2．PN结具有_________导电性。
PN结的正向偏置就是在P区加_______偏置电压，N加__________偏置电压。
3．硅二极管的导通压降为________V，死区电压为______V，锗二极管的导通压降为______V，死区电压为______V。
4．三极管工作状态有三种，即______状态，_____状态和_______状态。
要使三极管工作在放大状态，发射结必须加______偏置，集电结加_____偏置，要使信号不失真的放大，三极管应工作于____状态。
5．三极管的三种基本组态是电路、电路、共集电极电路.6．画直流通路时将电容视为，主要用于分析放大器的；画交流通路时，将______________视为短路，将接地、其余不变。
7.用直流电压表测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管，各电极对地电位是：U1＝2V，U2＝6V，U3＝2.7V，可判断管脚：1是_____2是_______，3是________，三极管工作于________状态。
二、选择题(每题2分共20分)( ) 8.用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管的好坏时，应把欧姆档拨到A R×100Ω或R×1KΩB R×1Ω档C R×10KΩ( ) 9.当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体管相当于A小阻值电阻B阻值很大的电阻C内部短路( )10.要使发光二极管发光，必须A 电源正向连接B电源反向连接C正、反向连接都可以( ) 11.晶体三极管工作在饱和状态时，它的集电极电流将（）A随I B增加而增加B随I B增加而减少C与I B无关，只决定于R L和R C ( ) 12.当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将( )。
全国自考(模拟、数字及电力电子技术)模拟试卷2(题后含答案及解析)
全国自考（模拟、数字及电力电子技术）模拟试卷2(题后含答案及解析)题型有：1. 单项选择题 2. 填空题 3. 分析计算题 4. 设计题单项选择题1．在某种纯净的半导体中掺入【】物质，可以形成N型半导体。
A．含四价元素的杂质B．含空穴的杂质C．三价元素镓D．五价元素磷正确答案：D解析：掺入正三价硼可以构成P型半导体；掺入正五价磷可以构成N型半导体。
2．场效应晶体管是一种【】元件。
A．电压控制电压B．电压控制电流C．电流控制电压D．电流控制电流正确答案：B解析：场效应管工作在恒流区时，漏极电流iD的大小基本上由栅源电压uGS 控制，uGS越大，iD越大，所以称场效应管为电压控制电流型器件。
3．在基本共射放大电路中，负载电阻RL增大时，输出电阻Ro将【】A．增大B．减少C．不变D．不能确定正确答案：C解析：共射极放大电路的输出电阻与负载电阻RL无关。
4．某两级放大电路中，第一级电压放大倍数为30倍，第二级电压放大倍数为40倍，则放大电路总的电压当大倍数为【】A．70B．1 200C．40D．80正确答案：B解析：多级放大电路的总的放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积。
5．已知某逻辑电路的输入、输出波形如题5图所示，该电路完成【】A．与非逻辑B．或逻辑C．异或逻辑D．或非逻辑正确答案：C解析：从图中可以看出，当输入信号A、B相同时，输出Y为0；当输入信号A、B相反时，输出Y为1，所以该电路完成的是异或关系。
6．L＝AB＋C的对偶式为【】A．L’＝A＋BCB．L’＝(A＋B)CC．L’＝A+B+CD．L’＝ABC正确答案：A解析：逻辑函数的对偶定理是求对偶式的依据。
对于函数Y，如果将表达式中所有的“与”换成“或”，“或”换成“与”，即得到原函数的对偶式。
7．只有译码器74LS138的使能端取值为【】时，才处于正常译码状态。
A．01 1B．100C．101D．010正确答案：B解析：71LS138有三个使能端，只有当着三个使能端同时有效时，芯片才能正常工作，故这三个使能端应取100时，芯片开始译码。
模拟电子技术（西安交大）模拟考题二及参考答案
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。
模拟电子技术试卷
模拟电子技术试卷（第2套）一、填空题（除6题外，每空1分，共20分）1．稳压管是一种特殊的二极管，它工作在____________ 状态.2．甲类、乙类和甲乙类放大电路中，_______________电路导通角最大；_______________电路效率较高；_______________电路交越失真最大，为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________。
3．直接耦合放大电路存在____________ 现象。
4．图1示电路，要求达到以下效果，应该引人什么反馈？（1）希望提高从b1端看进去的输入电阻，接Rf从_______到________；（2）希望输出端接上负载RL后，Uo（在给定Ui情况下的交流电压有效值）基本不变，接Rf从_______到________；（用A～F的字符表示连接点）。
5．集成运放内部一般包括四个组成部分，它们是______________，_ __________，______________和_______________。
6．在图2示差动放大电路中，假设各三极管均有β=50，U BE=0.7V。
求（1）I CQ1=I CQ2=__________mA；（2分）（2）U CQ1=U CQ2=__________V（对地）；（2分）（3）Ro = __________KΩ。
（2分）二、OCL 电路如图3所示，已知Vcc=12V ，R L = 8Ω ，vi 为正弦电压。
（10分） 1．求在Vces = 0的情况下，电路的最大输出功率Pmax 、效率η和管耗P T 。
2．求每个管子的最大允许管耗P CM 至少应为多少？三、某放大电路的频率响应如图4所示。
（12分） 1．该电路的中频放大倍数|A um | = ？2．该电路的增益频率响应 A U （j ω）表达式如何？3．若已知其输出电压最大不失真动态范围为Uom = 10V ，当输入信号)()10502sin(2)105.12sin(1.032V t t Ui ⨯⨯+⨯⨯=ππ时，试判断输出信号是否会失真？说明理由。
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模拟电子技术期中试卷（二）
一、选择题。
（每题3分，共36分）
1.在本征半导体中，电子浓度_______空穴浓度。
A.大于
B.小于
C.等于
D.不定
2.使用万用表直流电压挡,测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的
电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在_____。
A.饱和状态.
B.放大状态
C.截止状态
D.倒置状态
3.共模抑制比
K是______之比.
GMR
A．差模输入信号与共模输入信号
B．输出量中差模成分与共模成分
C．差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)
D．交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)
4.差动放大电路的主要优点是。
A、稳定的放大性能
B、较高的输入电阻
C、能有效地抑制零点漂移
D、有稳定地静态工作点
5.稳压管的稳压区是工作在______。
A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区
6.二极管两端地反向偏置电压增高时，在达到______电压以前，通过
的电流很小。
A．击穿 B．最大 C．短路
7.如图所示电流放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻
R
_______。
i
A．R
1 B．（1+β）R
1
C．R
1
/ 1+β D．R
1
/ β
8.变容二极管在电路中使用时，其PN结是_______。
A．正向运用B．反向运用
9.当晶体管工作在放大区时，_______。
A．发射结和集电结均反偏；
B．发射结正偏，集电结反偏；
C．发射结和集电结均正偏。
10.在非线性失真中，饱和失真也称为（）
A．顶部失真B．底部失真C．双向失真11．简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起______形成PN结。
A．能够B．不能C．不一定
12.当二极管两端正向偏置电压大于______电压时，，二极管才能导通。
A．击穿B．饱和C．门槛
二、填空题。
（每空2分，共12分）
1.写出下列正弦波电压信号的表达式：
A.峰—峰值10V，频率10kHz ( )
B.均方根值220V，频率50Hz ( )
C.峰—峰值100mV，周期1ms（）
D.峰—峰值0.25V，角频率1000rad/s( )
2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻
断开时，输出电压上升到 1.1V。
则该放大电路的输出电阻R。
为
（）。
3.共模信号是指大小相等，极性（）的信号。
三、两只处于放大状态的三极管，测得①、②、③脚对地电位分别为-8V、-3V、
-3.2V和3V、12V、3.7V，试判断管脚名称，并说明是PNP型管还是NPN 型管，是硅管还是锗管？（6分）
四、如图所示的电路中，已知ui=30sinωtV，二极管的正向压降可忽略不计，
试画出输出电压的波形。
（5分）
i
u o
u
R
五、电路如图所示，已知V CC =V EE =15V.晶体管T 1,T 2的β＝100,r bb =200Ω
R C =R L =6k Ω,R E =7.2k Ω
1.估算T 1,T 2管的静态工作点I CQ ,V CEQ （5分）
2.计算A VD =V O /(V i1-V i2),R id ,R od （8分）
CC
v i1v
六、FET 恒流源电路如图，设已知管子的参数m g 、d r ，
试证明AB 两端的小信号电阻d m AB r R g R r )1(++=。
（8分）
DD
SS
V -A L
R
七、图中R S 、R e 、R b1、R b2、、R C 、R L 、V CC 均已知；求：I C 、I B 、V CB （8分）
八、已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为
)
10
1)(101(101005f j f j f j
A V ++=
(式中f 的单位为Hz) 求：1.该电路的上、下限频率；
2.中频电压增益的分贝数；
3.输出电压与输入电压在中频区的相位差。
（12分）。