模拟电子技术基础简明教程(第三版)第六章
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案详解
学 习 计 划 表
周一至周五
时间
内容
要求
18：00～19：30
做作业
1.限时；2.不要看书；3.不会的题先放过。
19：40～20：00
测试
如没有，则休息。
20：10～20：40
补习
1. 对作业和测试中未掌握的内容进行补习。
2. 对相关知识进行检测，直至真正掌握。
3. 对当天所学新课行梳理与归纳。
具体方法： 先自己回顾老师上课讲的，找差距。
4. 如果没有学习新课程，将上次学习的疏漏的知识点进行补习。
20：45～21：00
预习
对将要学习的知识点进行预习。
21：03～21：23
查
漏
补
缺
1.21：03～21：10英语：
掌握5个单词（1.拼写 2.发音3.翻译4.词性5.运用）并记录。
2.21：10～21：15数学：
对以往的知识点进行考查（每周2个）；
对未掌握的知识点进行补习；
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 答案全面解析
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
数字电子技术基础简明教程第三版4-6章(含答案)
第四章（选择、判断、填空共30题）一、选择题1.N个触发器可以构成能寄存位二进制数码的寄存器。
A.N-1B.NC.N+1D.2N2．在下列触发器中，有约束条件的是。
A.主从J K F/FB.主从D F/FC.同步R S F/FD.边沿D F/F3．一个触发器可记录一位二进制代码，它有个稳态。
A.0B.1C.2D.3E.44．存储8位二进制信息要个触发器。
A.2B.3C.4D.85．对于T触发器，若原态Q n=0，欲使新态Q n+1=1，应使输入T=。
A.0B.1C.QD.Q6．对于T触发器，若原态Q n=1，欲使新态Q n+1=1，应使输入T=。
A.0B.1C.QD.Q7．对于D触发器，欲使Q n+1=Q n，应使输入D=。
A.0B.1C.QD.Q8．对于J K触发器，若J=K，则可完成触发器的逻辑功能。
A.R SB.DC.TD.Tˊ9．欲使J K触发器按Q n+1=Q n工作，可使J K触发器的输入端。
A.J=K=0B.J=Q,K=QC.J=Q,K=QD.J=Q,K=0E.J=0,K=Q10．欲使J K触发器按Q n+1=Q n工作，可使J K触发器的输入端。
A.J=K=1B.J=Q,K=QC.J=Q,K=QD.J=Q,K=1E.J=1,K=Q11．欲使J K触发器按Q n+1=0工作，可使J K触发器的输入端。
A.J=K=1B.J=Q,K=QC.J=Q,K=1D.J=0,K=1E.J=K=112．欲使J K触发器按Q n+1=1工作，可使J K触发器的输入端。
A.J=K=1B.J=1,K=0C.J=K=QD.J=K=0E.J=Q,K=013．欲使D触发器按Q n+1=Q n工作，应使输入D=。
A.0B.1C.QD.Q14．下列触发器中，克服了空翻现象的有。
A.边沿D触发器B.主从R S触发器C.同步R S触发器D.主从J K触发器15．下列触发器中，没有约束条件的是。
A.基本R S触发器B.主从R S触发器C.同步R S触发器D.边沿D触发器16．描述触发器的逻辑功能的方法有。
模拟电子技术基础简明教程杨素行(第三版)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=这个很棒，好好看不错我们一台习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80A μ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8C BO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)ppt
一、本征半导体(intrinsic semiconductor) 本征半导体(intrinsic
1. 半导体 半导体(semiconductor)
半导体的定义： 半导体的定义：将导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类物 质统称为半导体 半导体。 质统称为半导体。
两种载流子总是成对出现 称为 电子 – 空穴对
+4 +4 +4
两种载流子浓度相等
电子 – 空穴对
+4
在一定温度下电子 空穴对的 在一定温度下电子 – 空穴对的 产生和复合达到动态平衡。 产生和复合达到动态平衡。
+4
+4
本征载流子的浓度对温度十分敏感
死区 10 电压 0 0.5 1.0 1.5 U/V
二极管正向特性曲线
导通压降： 导通压降：
反向特性 反向饱和电流 反偏时，反向电流值很小， 反偏时，反向电流值很小， IS
UBR
I/mA -10 0 U/V -2
第二节 半导体二极管
PN结及其单向导电性 PN结及其单向导电性 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 稳压管
一、PN结及其单向导电性 PN结及其单向导电性
1. PN结中载流子的运动 PN结中载流子的运动
又称耗尽层， PN结 又称耗尽层，即PN结。 漂移 内电场又称阻挡层， 内电场又称阻挡层，阻止扩散 又称阻挡层 运动，却有利于漂移运动。 运动，却有利于漂移运动。
+4
共价键covalent 共价键covalent bond
晶体中的价电子与共价键
2. 本征半导体(intrinsic semiconductors) 本征半导体( semiconductors) 纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 本征半导体 在本征半导体中，由于晶体中共价键的结合力很强， 在本征半导体中，由于晶体中共价键的结合力很强， 在热力学温度零度（ 在热力学温度零度（即T = 0 K ）时， 价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚， 价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚， 晶体中不存在能够导电的载流子， 晶体中不存在能够导电的载流子， 半导体不能导电，如同绝缘体一样。 绝缘体一样 半导体不能导电，如同绝缘体一样。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案
+
习题1-3 某二极管的伏安特性如图(a)所示�
①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压�如图 (b)�此时二极管的电流 I 和电压U各为多少�
②如将图(b)中的1.5V电压改为3V�则二极管的电流和电
压各为多少�
I/mA
解�根据图解法求解 3
②
I � U �U Z � 30mA R
� IZ � I � I RL � 30 � 6 � 24mA
③
I RL
� UZ RL
� 3mA
� IZ � I � I RL � 20 � 3 � 17mA
习题1-8 设有两个相同型号的稳压管�稳压值均为6V� 当工作在正向时管压降均为0.7V�如果将他们用不同的方 法串联后接入电路�可能得到几种不同的稳压值�试画出
2kΩ 20kΩ
10V
(c)
IB � 0.465mA IC � 23.25mA U CE � �36.5V
以上算出的IC 与UCE值是荒谬 的�实质上此时三极管巳工作 在饱和区�故IB=0.465 mA� IC≈ VCC/ RC=5mA� UC E=UC ES ≈0.3V�见图P1-14(g)中C点。
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线�并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值�以及 当 uDS =15V� uGS =4V时的跨导 gm。
uDS=15V
由图可得�开启电压 UGS(th )=2V� IDO =2.5mA�
(b)交流通路
习题1-4 已知在下图中�uI = 10sinωt (V)�RL=1kΩ�试 对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波 形�并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向
模拟电子技术基础简明教程李小明(第三版)
模拟电子技术基础简明教程李小明(第三版)简介《模拟电子技术基础简明教程李小明(第三版)》是一本介绍模拟电子技术基础知识的简明教程，旨在帮助读者快速了解和掌握该领域的基本概念和原理。
内容概述本教程共分为以下几个部分：第一部分：基础概念该部分主要介绍了模拟电子技术的基本概念，包括信号、电路和电子器件等方面的内容。
读者可以通过研究该部分，掌握电子技术的基础知识，并为后续研究打下坚实的基础。
第二部分：电路分析与设计该部分详细讲解了电路的分析与设计方法。
包括基本电路的分析、电流电压关系、戴维南定理等内容。
读者可以通过研究该部分，了解电路分析与设计的基本原理和方法，能够独立进行简单电路的分析与设计。
第三部分：放大电路与滤波器该部分详细介绍了放大电路和滤波器的原理和应用。
包括共射放大器、共基放大器、半导体器件和滤波器等方面的内容。
读者可以通过研究该部分，了解放大电路和滤波器的基本原理和性能指标，能够进行简单的放大电路和滤波器的设计。
第四部分：模拟集成电路该部分介绍了模拟集成电路的基本概念和设计方法。
包括运算放大器、比较器和模拟乘法器等方面的内容。
读者可以通过研究该部分，了解模拟集成电路的基本原理和设计技巧，能够进行简单的模拟集成电路的设计和应用。
第五部分：实践案例该部分提供了一些实践案例，帮助读者将所学的理论知识应用到实际问题中。
通过研究这些实践案例，读者可以更好地理解和掌握模拟电子技术的应用。
结语《模拟电子技术基础简明教程李小明(第三版)》是一本适合初学者的模拟电子技术入门教材。
通过系统学习该教程，读者可以快速了解和掌握模拟电子技术的基本概念和原理，为今后深入学习和应用奠定基础。
模拟电子技术基础简明教程第三版教学大纲
模拟电子技术基础简明教程第三版教学大纲
课程目标
本门课程旨在介绍模拟电子技术的基础知识，包括基本电路原理、
模拟信号的产生、传输、处理和变换及常见模拟电子器件的工作原理
和特点。
通过本门课程的学习，学生将掌握模拟电子技术的基础知识，了解模拟电子技术在实际应用中的重要性，并具备基本的模拟电子电
路的设计和分析能力。
教学内容
第一章电子元器件基础
本章介绍电子元器件的基本概念和分类，包括二极管、晶体管、场
效应管、放大器、操作放大器、滤波器等。
同时，讲解电子元器件的
特性、参数和使用方法。
第二章基本电路原理
本章讲述基本电路原理，包括欧姆定律、基尔霍夫定律、电容、电
感等电路元件的特性和应用，以及这些元件在电路中的组合和应用。
第三章模拟信号的表示和处理
本章介绍模拟信号的产生、表示和处理方法，包括正弦波、方波、
三角波等基本波形的产生方法，以及滤波、放大、变换等信号处理方法。
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uBE = uI – uF 负反馈
+ + 减小
VT1 + uBE - + RF + uF Re1
uo
ui
-
uF = 0
电压反馈
11
第六章 放大电路中的反馈
4. 串联反馈和并联反馈 串联反馈：串联负反馈可提高输入电阻。
反馈信号与输入信号在输入回路中以电压形式求和。
并联反馈：并联负反馈降低输入电阻。
9
第六章 放大电路中的反馈
+VCC
减小 iI
Rs us + iF ≠ 0
Rc1
Rc2
+
iB
iF
VT1 RF Re1
+ VT2
负反馈
-
iE
Ce
uo
Re2
-
电流反馈
uB1 – uE2 iF = RF
10
i B = iI – i F
第六章 放大电路中的反馈
+VCC Rb Rc1 Rc2 + VT2 CF Re2 +
第六章 放大电路中的反馈
第六章 放大电路中的反馈
§6.1 反馈的基本概念 §6.2 负反馈的四种组态和反馈的一般表达式 §6.3 负反馈对放大电路性能的影响 §6.4 负反馈放大电路的分析计算 §6.5 负反馈放大电路的自激振荡
1
第六章 放大电路中的反馈
本章基本要求
• 会判：判断电路中有无反馈及反馈的性质 • 会算：估算深度负反馈条件下的放大倍数 • 会引：根据需求引入合适的反馈 • 会判振消振：判断电路是否能稳定工作，会消 除自激振荡。
A F
开环放大倍数 反馈系数
整理得闭环放大倍数 Af ：
AF 回路增益 1+ A F 反馈深度
25
X A = o = A f F X A 1 + i
第六章 放大电路中的反馈
1+ A F > 1 1+ A F < 1 1+ A F >> 1
Af < A 说明引入的反馈为负反馈。 Af > A
30
第六章 放大电路中的反馈
20 lg A 20 lg A
m
3dB BW 3dB BWf fLf fL fH fHf f
20 lg A mf
图 6.3.3
负反馈对通频带和放大倍数的影响
31
第六章 放大电路中的反馈
6.3.4 改变输入电阻和输出电阻
不同类型的负反馈，对输入电阻、输出电阻的影响不同。
14
串联负反馈
第六章 放大电路中的反馈
6.2 负反馈的四种组态和反馈的一般表达式
6.2.1 负反馈的四种组态
6.2.2 反馈的方块图和一般表达式
15
第六章 放大电路中的反馈
6.2.1 负反馈的四种组态
1. 电压串联负反馈
+ Ui + R2 R1 Uf + + + U'i - + RF + Uo + Ui + U'i + Uf Auu Fuu 方框图 + Uo -
+VCC Rc1 Rc2 +
iI
Rs us +
iB iF
VT1 RF Re1
VT2 uo Re2 Ce -
i B = iI – i F
13
并联负反馈
第六章 放大电路中的反馈
+VCC Rb Rc1 Rc2 VT2 + +
ui
-
+ uBE + uF -
VT1 RF Re1 CF Re2
uo
-
uBE = uI – uF
① 先假定输入信号为某一个瞬时极性， ② 然后逐级推出电路其他相关各点瞬时信号的变化情况， ③ 最后判断反馈到输入端信号的瞬时极性是增强还是削弱了 原来的输入信号。
5
第六章 放大电路中的反馈
+ 表示瞬时极性的正，该点瞬时信号的变化为增大。 - 表示瞬时极性的负，该点瞬时信号的变化为减小。
+
ui R1 uid
电流串联负反馈
+ ube
VT1 +
VT2 +
io if
VT3 + Re3
+
+ Re1 减小 uf -
-
Rc2
RF
uo
Re3 io if = RF + Re3+ Re1
io
-
uf ≈ Fui = uf io
if Re1 = =
Re3 Re1 RF + Re3+ Re1
Re3 Re1 RF + Re3+ Re1
-
R2
i′ = I i − I f I
o U f ≈ − I RF
+
Ii
I'i
-
+ Ui
+
R1
-
-
转移电阻:
o U ui = A i′ I
f I 1 Fiu = ≈− o U RF
反馈系数:
17
第六章 放大电路中的反馈
3. 电流串联负反馈
+ Ui + + A U'i + Io + Uf RF RL Uo + Ui + U'i Uf + Aiu RL Io + Uo -
Fui
方框图
i′ = U i − U f U
f = I o ⋅ RF U
18
o I iu = 转移电导: A i′ U
f U ui = = RF 反馈系数: F o I
第六章 放大电路中的反馈
4. 电流并联负反馈
R1 R2 If + I'i RF A RL R3 + IoUo + Ui -
一、负反馈对输入电阻的影响
1. 串联负反馈使输入电阻增大
′ U Ri = i I i
′ U ′+U ′ + AFU U U i i f i i R = = = if I I I i i i
串联负反馈对Ri的影响
F )R 得： Rif = (1 + A i
+
+ A
R2 uid R1
R2
uo
ui
+ A -
+
R3
uo
增大
+ uF -
R3
减小
uF
+ -
+
R4
反馈电压增强输入信号 使放大倍数提高 正反馈
6
反馈电压削弱输入信号 使放大倍数降低 负反馈
第六章 放大电路中的反馈
2. 直流反馈和交流反馈 直流反馈：反馈信号中只包含直流成分。 交流反馈：反馈信号中只包含交流成分。
反馈信号与输入信号在输入回路中以电流形式求和。
☆ 从电路结构上的判断方法
如果输入信号加在集成运放的某一个输入端，而来自输出端 的反馈信号接到另一个输入端，通常为串联反馈； 如果输入信号加在集成运放的某一个输入端，而来自输出端 的反馈信号接到同一个输入端，通常为并联反馈。
12
第六章 放大电路中的反馈
减小
VT
+ + Re uf -
C2 + uo -
电压串联负反馈
Fuu
uf = =1 uo
（ a）
21
第六章 放大电路中的反馈
减小 +
Rs + us C1
Rc1
Rc2
+VCC C2 + uo
i'i if
VT1 RF
ib = i i − if
VT2
ii
io Re2
电流并联负反馈
-
（ b）
Re2 if Fii = =− io RF + Re2
6.3.1 提高放大倍数的稳定性 6.3.2 减小非线性失真和抑制干扰 6.3.3 展宽频带 6.3.4 改变输入电阻和输出电阻
27
第六章 放大电路中的反馈
6.3.1 提高放大倍数的稳定性
闭环放大倍数：
A = A f F 1+ A
中频区时，对变量A求导数，可得：
1 + AF − AF dA dAf = dA = 2 2 (1 + AF ) (1 + AF )
UE= IERE
+
iB
VT + UBE uE Re iE
UBE= UB – UE
RL Ce 4
uo
Rb1
-
第六章 放大电路中的反馈
6.1.2 反馈的分类
1. 正反馈和负反馈 正反馈：引入的反馈信号增强了外加输入信号的作 用，从而使放大电路的放大倍数提高。 负反馈：引入的反馈信号削弱了外加输入信号的作 用，从而使放大电路的放大倍数降低。 判断方法：瞬时极性法
i′ = U i − U f U
f = U R1 o U R1 + RF
o U uu = 电压放大倍数: A i′ U f U R 1 uu = F = 反馈系数: o R1 + RF U
16
第六章 放大电路中的反馈
2. 电压并联负反馈
If RF + Ui Uo Ii R1 I'i If Aui Fiu 方框图 + Uo
第六章 放大电路中的反馈
四种反馈类型的比较
输出信号 反馈信号 电压 串联式 电压 并联式 电流 串联式 电流 并联式 放大倍数 反馈系数