界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结光伏电池性能的影响
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f n ［ 8］
在电池背面制备了 池前端制备了铝金 属 栅 线 电 极， 一层铝金属层背电极 .
： （4） （5） （6） （7） （8） （9） 模拟 计 算 中 使 用 的 部 分 参 数 如 表 1 所 列 . 这 些 结构 参 数 中 除 了 可 变 参 数 外，均 取 自 AFORS-HET 6， 19 ］ 软件的默认 值 . 另 外， 参 照 文 献［ 中关于缺陷 态的参数对各层和 界 面 层 的 缺 陷 态 进 行 设 置 . 取 衬 底 c-Si （ p ） 层中由 氧 引 入 的 体 缺 陷 态 位 于 带 隙 中 距
+ 缓冲层. 为了 得 到 较 低 的 电 阻 率， 在 a-Si ： H （ n ） + 和 a-Si ： H （ p ） 表面 都 沉 积 了 一 层 TCO. 最 后， 在电
J n 和 J p 分别为电子和空穴的电 其 中 E 为电场强度， 流密度，q 为 电 子 电 荷，ε 为 介 电 常 数，p 为 空 穴 密 q trap 为带间净陷阱电荷， N D 为电 度，n 为电子密度， 离施主密度，N A 为电离受主密度，U n 和 U p 分 别 为 电子和空 穴 的 净 复 合 率，G 为 光 生 载 流 子 净 产 生 率 . 模型中 同 时 考 虑 电 子 和 空 穴 的 直 接 隙 间 复 合 、 俄 歇 复 合 和 通 过 陷 阱 产 生 的 Shockley-Read-Hall 复合. 金属半导体接 触 模 型 使 用 电 压 控 制 边 界 条 件， 将前接触 （ x = 0 ） 的电势固定为零电势， 这样背接 触（ x = l ） 的 电 势 即 为 外 加 电 压 . 前 接 触 的 边 界 条 件和背接触的边界条件如下 φ（ 0 ） = 0 ， φ（ l） = f － b + V， J n （ 0 ） = qS （ n （ 0 ） － n eq （ 0 ） ） ， J n （ l ） = － qS b n （ n （ l ） － n eq （ l ） ） ， J p （ 0 ） = － qS fp （ p （ 0 ） － p eq （ 0 ） ） ， J p （ l ） = qS b p （ p （ l ） － p eq （ l ） ） ，
a-Si ： H （ n + ） 层 中 导 带 非晶硅具有 Urbach 带 尾 态 ， 和 价 带 特 征 能 量 分 别 为 0. 07 和 0. 1 eV ，指 数 因 子
8872
物
理
学
报
59 卷
21 3 －1 + 为 2 × 10 cm ·eV ； a-Si ： H （ p ） 层 中 导 带 和 价 带
［ 16 ］
；另 一 方 面， 背界面缺
* 国家自然科学基金（ 批准号：60977048 ） 、 “钱江人才计划 ” （ 批准号：2007R10015 ） 、 浙江省 宁波市重点 实 验 室 基 金 （ 批 准 号：2007 A22006 ） 和宁波大学王宽成幸福基金资助的课题 . E-mail ： ejzhou@ yahoo. com. cn
［ 7 ，8 ］
对于以 p 型单晶硅为衬底的硅异质结 （ SHJ ） 太 阳电池， 异质结界面特性对电池性能有显著的影 响
［ 1 ，2 ］
. 文 献［ 9， 10 ］ 的 研 究 表 明： 在 不
使 用 本 征 型 氢 化 非 晶 硅 （ a-Si ： H （ i ） ） 的 情 况 下 通 过衬底表面的预处 理 得 到 较 好 的 钝 化 效 果， 并在以 c-Si （ p ） 为衬底的 SHJ 太 阳 电 池 中 得 到 超 过 17% 的 能量转换效率 . 为了研究异质结 前 界 面 缺 陷 态 密 度 D it1 和 背 界 面缺陷态密度 D it2 均 取 不 同 值 时 衬 底 电 阻 率 与 电 池 性能的关系， 需 要 建 立 前 后 界 面 缺 陷 态 模 型. 关 于 前界面缺陷 态， 大 量 研 究 表 明： SCR 的 复 合 产 生 较 大的结漏电流是影响电池开路电压的主要因素 子的收集和 电 池 的 填 充 因 子
［ 4 ，5 ］
. 最 近，
6］ 文献［ 研究了前异质结 界 面 缺 陷 态 密 度 取 不 同 值 时衬底电阻率与电 池 性 能 的 关 系， 指出衬底电阻率 最优值 ρ op 的 取 值 将 随 着 前 界 面 缺 陷 态 密 度 D it1 的 降低 而 减 小， 改 变 了 人 们 一 直 以 来 认 为 ρ = 1. 0 6］ Ω cm 为衬底最佳电阻率的看法 . 但是， 文献［ 设计 如采用的铝背面场要在高 的电池结构有一些 缺 点， 于 800 ℃ 的温度下制备， 这对 SHJ 太阳电池的能 量 6］ 转换效率的提高有一定的 限 制 . 此 外， 文 献［ 对衬 底电阻率 与 背 异 质 结 界 面 缺 陷 态 密 度 的 关 系 和 对
20 －3 取 类 受 主 缺 陷 态 密 度 为 1 × 10 cm ，高 斯 峰 峰
特 征 能 量 分 别 为 0. 035 和 0. 075 eV ，指 数 因 子 为 2 × 10
wenku.baidu.com21
值 能 量 为 0. 66 eV ，峰 的 半 高 宽 为 0. 23 eV. 对 于 a-Si ：H（ p + ），取类 施 主 缺 陷 态 密 度 为 4 × 1019 cm － 3 ， 高 斯 峰 峰 值 能 量 为 1. 1 eV ，峰 的 半 高 宽 为 0. 23 eV ；取 类 受 主 缺 陷 态 密 度 为 4 × 10 20 cm － 3 ，高 斯 峰 峰 值 能 量 为 1. 2 eV ， 峰 的 半 高 宽 为 0. 23 eV. 另外， 前后金 属 和 半 导 体 接 触 均 被 设 置 为 平 带 接触， 反 射 率 分 别 为 0. 1 和 1. 0 . 模 拟 光 照 条 件 为 1 0 0 m W·cm
［ 12 ］ ［ 11 ］
. 如衬底电阻率可变时异质结界面态对太阳
［ 3］
电池性能的作用与衬 底 p 型 单 晶 硅 （ c-Si （ p ） ） 层 耗 尽区（ SCR ） 厚 度 的 变 化 有 关 . 然 而， 在异质结界 面态与太阳电池性能的关系中， 对 c-Si （ p ） 衬底电阻 率的作用目 前 研 究 还 不 够 深 入 . 长 期 以 来 都 是 将 ρ = 1. 0 Ω cm 作 为 衬 底 电 阻 率 的 最 优 值， 而将 ρ = 1. 0 —25. 0 Ω cm 视为可用 的 衬 底 电 阻 率
；
光生 载 流 子 在 SCR 中 的 复 合 影 响 电 池 的 光 生 载 流 . 由 此， 许多理论研
［ 13 — 15 ］
究使 用 类 c-Si 界 面 模 型 计 算 前 界 面 缺 陷 态 对 电 池 性能的影响， 并得到了相关的实验验证 . 但是 关于背 界 面 缺 陷 态 物 理 模 型 的 研 究 进 到目前为止， 展缓慢 . 有研究表 明：一 方 面， 背界面缺陷态增强了 光生少数载流子在 背 界 面 的 复 合， 提高了电池中的 漏电流并降 低 了 开 路 电 压
H （ n ） ） 为 异 质 结 电 池 的 发 射 层， p 型重掺杂非晶
+ 硅（ a-Si ： H （ p ） ） 为 背 面 场 . 为 了 减 少 非 晶 硅 层 的
+
厚度以达到最大化量子效率， 发射层、 背面场与衬 底 c-Si （ p ） 之 间 没 有 沉 积 本 征 非 晶 硅 （ a-Si ： H （ i ） ）
9 －3 价带边缘 0. 55 eV 处， 体 缺 陷 态 密 度 为 10 cm .
图1
模拟中使用的 SHJ 太阳电池结构
其中 φ 为 电 势，φ f 和 φ b 分 别 为 前 接 触 和 背 接 触 金
f S fp 和 S b Sb 属的功函数，V 为外加电压，S n ， n， p 分别为
前接触界 面 和 背 接 触 界 面 上 对 应 载 流 子 的 复 合 速 率，n eq 和 p eq 分 别 为 平 衡 状 态 下 电 子 密 度 和 空 穴
在异质结前界面缺陷态密度 D it1 和异质结背界面 缺 陷 态 密 度 D it2 均 取 不 同 值 时， 对 p 型 单 晶 硅 （ c-Si （ p ） ） 为 衬 底的硅异质结太阳电池的衬底电阻率 ρ 与电池性能的关系进行了数值研究 . 结果表明：衬 底 电 阻 率 的 最 优 值 ρ op 取 且 ρ op 随着 D it1 的增大而增大；当 ρ > ρ op 时，背界面缺陷态密度 D it2 对衬底电阻率的可 决于前界面缺陷态密度 D it1 ， D it2 越大衬底电阻率的可取值范围越小 . 取值范围具有较大影响，
第 59 卷 第 12 期 2010 年 12 月 10003290 /2010 /59 （ 12 ） /8870-07
物
理
学
报
ACTA PHYSICA SINICA
Vol. 59 ， No. 12 ， December ， 2010 2010 Chin. Phys. Soc.
界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结 * 光伏电池性能的影响
2. 物理模型
稳态下 半 导 体 材 料 中 的 电 场 和 电 流 分 布 的 物 理模型 由 下 面 的 Possion 方 程 和 电 流 连 续 性 方 程 描述
［ 18 ］
3. 电池结构
电池结构如图 1 所示 . n 型重掺杂非晶硅 （ a-Si ：
： dE q = （ p － n + q trap + N D － N A ） ， dx ε dJn = q（ U n － G） ， dx dJp = － q（ U p － G） ， dx （1） （2） （3）
12 期
周
骏等： 界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结光伏电池性能的影响
8871
陷态增强了光生多 数 载 流 子 的 复 合， 降低了电池短 路电流
［ 17 ］
密度 . 此外， 前接触界 面 和 背 接 触 界 面 缺 陷 层 中 的 连
［ 17 ］ 续缺陷态密度 D it 可以表示为
.
本文采用透明导电氧化物（ TCO ） / a-Si ： H （ n ） / cSi （ p ） / a-Si ： H （ p ） / TCO 电池 结 构， 针对不同的异质 结前界面缺陷态密度 D it1 和背界面缺陷 态 密 度 D it2 ， 应用 AFORS-HET 软件和类 c-Si 界 面 缺 陷 态 模 型 数 值研究背 界 面 缺 陷 态 的 作 用 以 及 衬 底 电 阻 率 对 电 16 ，17 ］ 并与 文 献［ 的实验结果进行 池性能的影响， 比较 .
关键词 ： 硅异质结太阳电池，衬底电阻率，c-Si （ p ） / a-Si ： H 界面缺陷
PACC ： 7340L ，8630J ，6185
氢化非晶 电池性能的 影 响 没 有 加 以 研 究 . 实 际 上，
1. 引
言
硅（ a-Si ： H ） 和氢化微晶 硅 （ μ c-Si ： H ） 因 其 低 温 制 备 特点 以 及 对 衬 底 的 钝 化 作 用 而 被 用 于 SHJ 太 阳 能 电池的背 面 场
周 骏
1）2）
邸明东
2）
孙铁囤
3）
孙永堂
2）
汪 昊
2）
1 ） （ 宁波大学光学与光电子技术研究所，宁波 2 ） （ 江苏大学光信息科学与技术系，镇江 3 ） （ 常州亿晶光电科技有限公司，常州
315211 ） 212013 ）
213223 ）
（ 2010 年 2 月 25 收到， 2010 年 5 月 4 日收到修改稿）
D it = ［G MGD （ E DA － E V ） + G MGA （ E C － E DA ） ］ x0 ， （ 10 ） G MGA 其中 G MGD 为单位能级上的施主体缺陷态密度， 为单位能级上的 受 主 体 缺 陷 态 密 度，E DA 为 施 主 体 缺陷态与受主体缺陷态的 界 限 能 级，E C 和 E V 分 别 为导带能级和价 带 能 级，x 0 为 类 c-Si 界 面 层 厚 度 . 由公式 （ 10 ） 可 知， 对 于 G MGD = G MGA 的 情 况， 则有 D it = G MGD （ E C － E V ） x 0 .
在电池背面制备了 池前端制备了铝金 属 栅 线 电 极， 一层铝金属层背电极 .
： （4） （5） （6） （7） （8） （9） 模拟 计 算 中 使 用 的 部 分 参 数 如 表 1 所 列 . 这 些 结构 参 数 中 除 了 可 变 参 数 外，均 取 自 AFORS-HET 6， 19 ］ 软件的默认 值 . 另 外， 参 照 文 献［ 中关于缺陷 态的参数对各层和 界 面 层 的 缺 陷 态 进 行 设 置 . 取 衬 底 c-Si （ p ） 层中由 氧 引 入 的 体 缺 陷 态 位 于 带 隙 中 距
+ 缓冲层. 为了 得 到 较 低 的 电 阻 率， 在 a-Si ： H （ n ） + 和 a-Si ： H （ p ） 表面 都 沉 积 了 一 层 TCO. 最 后， 在电
J n 和 J p 分别为电子和空穴的电 其 中 E 为电场强度， 流密度，q 为 电 子 电 荷，ε 为 介 电 常 数，p 为 空 穴 密 q trap 为带间净陷阱电荷， N D 为电 度，n 为电子密度， 离施主密度，N A 为电离受主密度，U n 和 U p 分 别 为 电子和空 穴 的 净 复 合 率，G 为 光 生 载 流 子 净 产 生 率 . 模型中 同 时 考 虑 电 子 和 空 穴 的 直 接 隙 间 复 合 、 俄 歇 复 合 和 通 过 陷 阱 产 生 的 Shockley-Read-Hall 复合. 金属半导体接 触 模 型 使 用 电 压 控 制 边 界 条 件， 将前接触 （ x = 0 ） 的电势固定为零电势， 这样背接 触（ x = l ） 的 电 势 即 为 外 加 电 压 . 前 接 触 的 边 界 条 件和背接触的边界条件如下 φ（ 0 ） = 0 ， φ（ l） = f － b + V， J n （ 0 ） = qS （ n （ 0 ） － n eq （ 0 ） ） ， J n （ l ） = － qS b n （ n （ l ） － n eq （ l ） ） ， J p （ 0 ） = － qS fp （ p （ 0 ） － p eq （ 0 ） ） ， J p （ l ） = qS b p （ p （ l ） － p eq （ l ） ） ，
a-Si ： H （ n + ） 层 中 导 带 非晶硅具有 Urbach 带 尾 态 ， 和 价 带 特 征 能 量 分 别 为 0. 07 和 0. 1 eV ，指 数 因 子
8872
物
理
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59 卷
21 3 －1 + 为 2 × 10 cm ·eV ； a-Si ： H （ p ） 层 中 导 带 和 价 带
［ 16 ］
；另 一 方 面， 背界面缺
* 国家自然科学基金（ 批准号：60977048 ） 、 “钱江人才计划 ” （ 批准号：2007R10015 ） 、 浙江省 宁波市重点 实 验 室 基 金 （ 批 准 号：2007 A22006 ） 和宁波大学王宽成幸福基金资助的课题 . E-mail ： ejzhou@ yahoo. com. cn
［ 7 ，8 ］
对于以 p 型单晶硅为衬底的硅异质结 （ SHJ ） 太 阳电池， 异质结界面特性对电池性能有显著的影 响
［ 1 ，2 ］
. 文 献［ 9， 10 ］ 的 研 究 表 明： 在 不
使 用 本 征 型 氢 化 非 晶 硅 （ a-Si ： H （ i ） ） 的 情 况 下 通 过衬底表面的预处 理 得 到 较 好 的 钝 化 效 果， 并在以 c-Si （ p ） 为衬底的 SHJ 太 阳 电 池 中 得 到 超 过 17% 的 能量转换效率 . 为了研究异质结 前 界 面 缺 陷 态 密 度 D it1 和 背 界 面缺陷态密度 D it2 均 取 不 同 值 时 衬 底 电 阻 率 与 电 池 性能的关系， 需 要 建 立 前 后 界 面 缺 陷 态 模 型. 关 于 前界面缺陷 态， 大 量 研 究 表 明： SCR 的 复 合 产 生 较 大的结漏电流是影响电池开路电压的主要因素 子的收集和 电 池 的 填 充 因 子
［ 4 ，5 ］
. 最 近，
6］ 文献［ 研究了前异质结 界 面 缺 陷 态 密 度 取 不 同 值 时衬底电阻率与电 池 性 能 的 关 系， 指出衬底电阻率 最优值 ρ op 的 取 值 将 随 着 前 界 面 缺 陷 态 密 度 D it1 的 降低 而 减 小， 改 变 了 人 们 一 直 以 来 认 为 ρ = 1. 0 6］ Ω cm 为衬底最佳电阻率的看法 . 但是， 文献［ 设计 如采用的铝背面场要在高 的电池结构有一些 缺 点， 于 800 ℃ 的温度下制备， 这对 SHJ 太阳电池的能 量 6］ 转换效率的提高有一定的 限 制 . 此 外， 文 献［ 对衬 底电阻率 与 背 异 质 结 界 面 缺 陷 态 密 度 的 关 系 和 对
20 －3 取 类 受 主 缺 陷 态 密 度 为 1 × 10 cm ，高 斯 峰 峰
特 征 能 量 分 别 为 0. 035 和 0. 075 eV ，指 数 因 子 为 2 × 10
wenku.baidu.com21
值 能 量 为 0. 66 eV ，峰 的 半 高 宽 为 0. 23 eV. 对 于 a-Si ：H（ p + ），取类 施 主 缺 陷 态 密 度 为 4 × 1019 cm － 3 ， 高 斯 峰 峰 值 能 量 为 1. 1 eV ，峰 的 半 高 宽 为 0. 23 eV ；取 类 受 主 缺 陷 态 密 度 为 4 × 10 20 cm － 3 ，高 斯 峰 峰 值 能 量 为 1. 2 eV ， 峰 的 半 高 宽 为 0. 23 eV. 另外， 前后金 属 和 半 导 体 接 触 均 被 设 置 为 平 带 接触， 反 射 率 分 别 为 0. 1 和 1. 0 . 模 拟 光 照 条 件 为 1 0 0 m W·cm
［ 12 ］ ［ 11 ］
. 如衬底电阻率可变时异质结界面态对太阳
［ 3］
电池性能的作用与衬 底 p 型 单 晶 硅 （ c-Si （ p ） ） 层 耗 尽区（ SCR ） 厚 度 的 变 化 有 关 . 然 而， 在异质结界 面态与太阳电池性能的关系中， 对 c-Si （ p ） 衬底电阻 率的作用目 前 研 究 还 不 够 深 入 . 长 期 以 来 都 是 将 ρ = 1. 0 Ω cm 作 为 衬 底 电 阻 率 的 最 优 值， 而将 ρ = 1. 0 —25. 0 Ω cm 视为可用 的 衬 底 电 阻 率
；
光生 载 流 子 在 SCR 中 的 复 合 影 响 电 池 的 光 生 载 流 . 由 此， 许多理论研
［ 13 — 15 ］
究使 用 类 c-Si 界 面 模 型 计 算 前 界 面 缺 陷 态 对 电 池 性能的影响， 并得到了相关的实验验证 . 但是 关于背 界 面 缺 陷 态 物 理 模 型 的 研 究 进 到目前为止， 展缓慢 . 有研究表 明：一 方 面， 背界面缺陷态增强了 光生少数载流子在 背 界 面 的 复 合， 提高了电池中的 漏电流并降 低 了 开 路 电 压
H （ n ） ） 为 异 质 结 电 池 的 发 射 层， p 型重掺杂非晶
+ 硅（ a-Si ： H （ p ） ） 为 背 面 场 . 为 了 减 少 非 晶 硅 层 的
+
厚度以达到最大化量子效率， 发射层、 背面场与衬 底 c-Si （ p ） 之 间 没 有 沉 积 本 征 非 晶 硅 （ a-Si ： H （ i ） ）
9 －3 价带边缘 0. 55 eV 处， 体 缺 陷 态 密 度 为 10 cm .
图1
模拟中使用的 SHJ 太阳电池结构
其中 φ 为 电 势，φ f 和 φ b 分 别 为 前 接 触 和 背 接 触 金
f S fp 和 S b Sb 属的功函数，V 为外加电压，S n ， n， p 分别为
前接触界 面 和 背 接 触 界 面 上 对 应 载 流 子 的 复 合 速 率，n eq 和 p eq 分 别 为 平 衡 状 态 下 电 子 密 度 和 空 穴
在异质结前界面缺陷态密度 D it1 和异质结背界面 缺 陷 态 密 度 D it2 均 取 不 同 值 时， 对 p 型 单 晶 硅 （ c-Si （ p ） ） 为 衬 底的硅异质结太阳电池的衬底电阻率 ρ 与电池性能的关系进行了数值研究 . 结果表明：衬 底 电 阻 率 的 最 优 值 ρ op 取 且 ρ op 随着 D it1 的增大而增大；当 ρ > ρ op 时，背界面缺陷态密度 D it2 对衬底电阻率的可 决于前界面缺陷态密度 D it1 ， D it2 越大衬底电阻率的可取值范围越小 . 取值范围具有较大影响，
第 59 卷 第 12 期 2010 年 12 月 10003290 /2010 /59 （ 12 ） /8870-07
物
理
学
报
ACTA PHYSICA SINICA
Vol. 59 ， No. 12 ， December ， 2010 2010 Chin. Phys. Soc.
界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结 * 光伏电池性能的影响
2. 物理模型
稳态下 半 导 体 材 料 中 的 电 场 和 电 流 分 布 的 物 理模型 由 下 面 的 Possion 方 程 和 电 流 连 续 性 方 程 描述
［ 18 ］
3. 电池结构
电池结构如图 1 所示 . n 型重掺杂非晶硅 （ a-Si ：
： dE q = （ p － n + q trap + N D － N A ） ， dx ε dJn = q（ U n － G） ， dx dJp = － q（ U p － G） ， dx （1） （2） （3）
12 期
周
骏等： 界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结光伏电池性能的影响
8871
陷态增强了光生多 数 载 流 子 的 复 合， 降低了电池短 路电流
［ 17 ］
密度 . 此外， 前接触界 面 和 背 接 触 界 面 缺 陷 层 中 的 连
［ 17 ］ 续缺陷态密度 D it 可以表示为
.
本文采用透明导电氧化物（ TCO ） / a-Si ： H （ n ） / cSi （ p ） / a-Si ： H （ p ） / TCO 电池 结 构， 针对不同的异质 结前界面缺陷态密度 D it1 和背界面缺陷 态 密 度 D it2 ， 应用 AFORS-HET 软件和类 c-Si 界 面 缺 陷 态 模 型 数 值研究背 界 面 缺 陷 态 的 作 用 以 及 衬 底 电 阻 率 对 电 16 ，17 ］ 并与 文 献［ 的实验结果进行 池性能的影响， 比较 .
关键词 ： 硅异质结太阳电池，衬底电阻率，c-Si （ p ） / a-Si ： H 界面缺陷
PACC ： 7340L ，8630J ，6185
氢化非晶 电池性能的 影 响 没 有 加 以 研 究 . 实 际 上，
1. 引
言
硅（ a-Si ： H ） 和氢化微晶 硅 （ μ c-Si ： H ） 因 其 低 温 制 备 特点 以 及 对 衬 底 的 钝 化 作 用 而 被 用 于 SHJ 太 阳 能 电池的背 面 场
周 骏
1）2）
邸明东
2）
孙铁囤
3）
孙永堂
2）
汪 昊
2）
1 ） （ 宁波大学光学与光电子技术研究所，宁波 2 ） （ 江苏大学光信息科学与技术系，镇江 3 ） （ 常州亿晶光电科技有限公司，常州
315211 ） 212013 ）
213223 ）
（ 2010 年 2 月 25 收到， 2010 年 5 月 4 日收到修改稿）
D it = ［G MGD （ E DA － E V ） + G MGA （ E C － E DA ） ］ x0 ， （ 10 ） G MGA 其中 G MGD 为单位能级上的施主体缺陷态密度， 为单位能级上的 受 主 体 缺 陷 态 密 度，E DA 为 施 主 体 缺陷态与受主体缺陷态的 界 限 能 级，E C 和 E V 分 别 为导带能级和价 带 能 级，x 0 为 类 c-Si 界 面 层 厚 度 . 由公式 （ 10 ） 可 知， 对 于 G MGD = G MGA 的 情 况， 则有 D it = G MGD （ E C － E V ） x 0 .