ZnO压敏陶瓷的研究进展

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乳胶体系流延片叠层制备ZnO压敏陶瓷材料研究

乳胶体系流延片叠层制备ZnO压敏陶瓷材料研究
技术参数
流延 宽 度 / mm 流延有效长度/m c
膜带
规格
O~ l 6 0~1 O 0 1 0 o x 2 0 0 m 0 mm x 1 00 um 0. 1~0. 8
机溶剂体系 , 如甲苯 、 甲苯 等 , 二 它们易燃且具有 一定的毒性 ,
易导致生产条件恶化 , 造成 环境 污染 , 而且 成本 也较 高_ J l 。
第 5期 20 0 8年 1 月 0
文 章 编 号 :0 38 1 (0 8 0 —0 70 10 —2 3 20 )50 2 —3
微 细 J -技 术 jr  ̄
MI CROFABRI CA TI N O TECHN OLOGY
№ . 5 Oc ., 00 t 2 8
乳 胶 体 系 流 延 片叠 层 制 备 Z O压 敏 陶 瓷 材 料 研 究 n
延 工 艺 所 用 乳 胶 粘 结 剂 本 身 的压 敏 胶 粘 性 进 行 叠 层 , 么 就 那
传 送 速 度 / m・ i ) ( mn
3 实验 结 果 与讨 论
3 1 流 延 生 带 材 料 的 性 能 .
可以简化工艺 , 同时还可减 少有机 物 的带入量 _I 34。笔 者前 J
作者简介 : 华伟 ̄(9 2 , 1 8 一)江苏苏州人 , 硕士 ; 崔学  ̄(9 1 , 17 一)教授 , 主要从事先进无机非金属材料制备及精细工艺研究 。
*通 讯 作 者
2 8
微 细 加 工 技 术
20 0 8证
构 , 图中可 以发现 Z O和 掺杂 氧化物 被乳 胶包 裹较 好 , 从 n 表 面光 滑 , 没有气孔缺 陷存 在 , 这从宏观上就表 现为 流延 生带 均 匀平整 ; 了保证流延 片的强度和韧性 , 为 流延浆料 配方 中加 入 了较 多的粘结剂 , 因此 该生带 材料具 有较 高的强度 和较好 的

ZnO压敏陶瓷的研究进展概要

ZnO压敏陶瓷的研究进展概要

ZnO压敏陶瓷的研究进展摘要:ZnO压敏陶瓷是众多压敏陶瓷中性能最优异的一种,它是以ZnO为主原料,通过掺杂Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、Cr2O3和Nb2O5等氧化物改性烧结而成。

本文通过介绍ZnO粉体的合成方法、掺杂改性等方面入手,对ZnO压敏陶瓷的发展趋势进行探讨,并针对某些共性问题提出自己的一些看法。

关键词:ZnO压敏陶瓷;掺杂;制备;发展趋势The development trends of ZnO varistor ceramic Abstract: The ZnO varistor ceramic is one of the varistor ceramics which with best properties. The main raw material is ZnO, then mixed with some oxides ,such as Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、Cr2O3、Nb2O5 and so on ,to change it’s properties and sinter it .This text briefly described the methods of producing ZnO powder and mixing something to change the properties of it .Present situation in development of varistor ceramic as well as its developing tendency was also analyzed .Some suggestions and opinions were proposed for problems on common characteristics. Key words: ZnO varistor ceramic; mixed; produce; developing tendency1.前言ZnO压敏陶瓷是一种多功能新型陶瓷材料,它是以ZnO主为体,添加若干其他改性金属氧化物的烧结体材料。

低温制备ZnO压敏陶瓷及其电性能研究

低温制备ZnO压敏陶瓷及其电性能研究

0 引言随着电子-电力设备的高速发展 以及电路设备的功耗逐渐增大,多层式压敏电阻在电器设备中所起的作用越来越大。

ZnO压敏陶瓷作为一种多功能的N型半导体电子材料,具有较宽的禁带宽度(3.37 eV)、高的非线性系数、高通流容量、优异的能量吸收能力以及低成本等特性,被低温制备ZnO压敏陶瓷及其电性能研究11211周波 鲁加加 吴龙 马雪 李良锋(1. 西南科技大学材料科学与工程学院 绵阳 621010;2. 青岛市产品质量监督检验研究院 青岛 266101)摘 要 ZnO压敏陶瓷作为电压保护以及抗浪涌设备中电子元器件的核心材料,其高非线性系数,高通流容量,强浪涌吸收能力等性能研究以及低温烧结制备技术受到广泛关注。

通过掺杂烧结助剂BST(Bi O∶SiO∶TiO摩尔比为6∶4∶3),2322于875 ℃烧结制备了性能优异的ZnO压敏陶瓷。

主要探究了烧结助剂的掺量对ZnO压敏陶瓷的物相组成、微观结构、体积密度以及压敏性能的影响。

结果表明:BST掺杂会导致晶粒细化,有效地提高样品的致密度及压敏性能。

当BST掺量摩尔分数3为0.25%时,获得样品的综合性能最佳,体积密度为5.63 g/cm,相对密度为97.4%,非线性系数最大为38.9,电压梯度为最2小值301.2 V/mm,漏电流密度为最小值0.028 m A/cm。

关键词 ZnO压敏陶瓷;低温烧结;压敏性能;非线性系数中图分类号:TQ174 文献标识码:A 文章编号:1003-1987(2020)07-0016-0Low Temperature Preparation and Electrical Properties of ZnO Varistor Ceramics11211ZHOU Bo, LU Jiajia, WU Long, MA Xue, LI Liangfeng(1. School of Materials Science and Engineering, Southwest University of Science and Technology, Mianyang 621010, China;2. Qingdao Product Quality Supervision and Testing Research Center, Qingdao 266101, China)Abstract: As the core material of electronic components in voltage protection and anti-surge equipment, ZnO varistor ceramic has attracted wide attention due to its high nonlinear coefficient, high current capacity, strong surge absorption capacity and other low-temperature sintering preparation technologies. ZnO varistorceramics with excellent properties were prepared by doping sintering aid BST the molar ratio of Bi O-23 SiO-TiO is 6∶4∶3at 875 °C. The effects of the content of sintering aids on the phase composition, 22microstructure, density, and electrical properties of ZnO varistor ceramics were mainly investigated. The results show that BST doping will lead to grain refinement, which can effectively increase the density and electrical properties of the sample. When the BST content is 0.25mol%, the comprehensive performance of3the obtained sample is the best. The bulk density is 5.63g/cm, relative density is 97.4%,the minimum2voltage gradient is 301.2V/mm, and the leakage current density is 0.028 μA/cm.Key Words: ZnO varistor, low-temperature sintering, electrical property, nonlinear coefficient5——————————作者简介:周波(1995-),男,硕士 。

ZnO压敏陶瓷液相低温烧结技术的研究进展

ZnO压敏陶瓷液相低温烧结技术的研究进展
维普资讯
第 3 卷 (06第 4 4 20 ) 期
计算机与数字工程
ll O
Z O压 敏 陶瓷 液 相低 温 烧结 技 术 的研 究 进 展 n
叶祖勋 吕文中 汪小红 梁 飞
武汉
朱建华
407) 3 4 0
( 中科技大学 电子科学与技术 系 华 摘
e d.
Ke r s mut a e h p v r tr o mp rtr itr g i ud p ae sne n y wo d : l ly r i a so ,lw t e a e s e n ,l i h s itr g i c i e u n i q i
YeZa u L W e z o g W a gXio o g Ia gF i Z u Ja h a xn u nhn n a h n a n e h in u
( eatet f l t n c neadTcnl y H S , hn 407 ) D pr n o Ee r i Si c n eho g , U T Wua 304 m co c e o
坌 H 生 壁 I 堡
2 Z O压 敏 陶瓷 烧结 过 程 中的 液相 n
传质机构 。
通过 在 ZO压 敏 基 料 中 掺 杂低 熔 点 的烧 结 助 n
图 1 M V的生产 工艺流 程 L
量轻 、 压敏电压低 ( 最低可至 2 )响应速度快( — v、 1
5s、 n)温度特性好 、 通流通量大、 耐湿 、 寿命长 、 可靠
Ad a c si eh d fL w m p r t r i u d P a e S t rn n Va itr C r mis v n e M t o s o o Te e a u e L q i h s i e i g Z O rso e a c n n

高电位梯度ZnO压敏陶瓷的制备、性能及机理研究的开题报告

高电位梯度ZnO压敏陶瓷的制备、性能及机理研究的开题报告

高电位梯度ZnO压敏陶瓷的制备、性能及机理研究的开题报告1. 研究背景随着现代电子技术的发展,压敏材料在电子元器件中的应用越来越广泛。

因此,对压敏材料的研究和制备变得越来越重要。

高电位梯度ZnO压敏陶瓷作为一种性能优异的压敏材料,具有灵敏度高、稳定性好、可靠性高等优点,同时也能够适应不同的使用环境。

因此,对高电位梯度ZnO压敏陶瓷的制备、性能、机理等方面开展研究具有重要意义。

2. 研究目的和意义本研究旨在深入探究高电位梯度ZnO压敏陶瓷的制备、性能及机理,并寻求制备高性能高电位梯度ZnO压敏陶瓷的方法。

通过对高电位梯度ZnO压敏陶瓷进行理论分析和实验研究,将有助于提高高电位梯度ZnO压敏陶瓷的制备工艺,探究高电位梯度ZnO压敏陶瓷的性能和机理,同时也为相关领域的学术研究提供新的思路和方法。

3. 研究内容和方案(1) 高电位梯度ZnO压敏陶瓷的制备方案:选择适合的制备方法,对材料制备条件进行控制,确保材料的高纯度、均匀性和致密度。

(2) 高电位梯度ZnO压敏陶瓷的性能测试方案:对制备好的高电位梯度ZnO压敏陶瓷进行性能测试,包括电学性能、力学性能等方面的测试。

(3) 高电位梯度ZnO压敏陶瓷机理分析方案:通过分析材料的晶体结构、成分分析、界面结构等方面的数据,深入探究高电位梯度ZnO压敏陶瓷的机理。

4. 研究进度安排预计本研究将于一年内完成。

第1-2个月:文献调研和理论研究。

第3-6个月:高电位梯度ZnO压敏陶瓷的制备和实验研究。

第7-8个月:高电位梯度ZnO压敏陶瓷的性能测试。

第9-10个月:机理分析和数据处理。

第11-12个月:研究结果分析、结论撰写和论文写作。

5. 预期成果(1) 高电位梯度ZnO压敏陶瓷的制备工艺及性能测试数据。

(2) 高电位梯度ZnO压敏陶瓷的机理分析。

(3) 发表本研究相关的学术论文。

(4) 提高高电位梯度ZnO压敏陶瓷的制备工艺,推动相关领域的研究发展。

ZnO压敏陶瓷材料排胶工艺研究7-3-A

ZnO压敏陶瓷材料排胶工艺研究7-3-A

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失重0.92%(图1a),而未加聚乙烯醇的粉料样品热失重 仅0.4%(图1b),这个失重差别主要是由于前者发生聚乙 烯醇分解挥发。聚乙烯醇在200℃以上分解生成醋酸、乙 醛、丁烯醇和水[1],这些分解产物在220会迅速挥发。
图1a显示,500 ̄600℃,加聚乙烯醇的粉料样品还有 热失重0.56%,这主要由于试验时升温速率太大,导致部 分聚乙烯醇来不及分解生成了共轭双键的聚合物,这类 聚合物在较高温度会碳化燃烧并以二氧化碳和水蒸气的 形式排出[1]。本文的热分析试验是在空气环境中进行,
摘 要:本文研究了ZnO压敏陶瓷材料的排胶工艺热过程,通过差示扫描量热法(DSC)和热重法(TG)分析了高中低压三种压敏电压梯度材料 从室温至600℃热过程中的物理化学反应情况,结果显示,除了粘合剂分解挥发外,氧化锌压敏电阻材料的排胶过程中还存在其他重要 的物理化学反应,且成分不同差别很大。在多种氧化物添加材料中,氧化锑在排胶工艺过程中会发生较强烈的物理化学反应,因此,在 配方成分中添加有较多氧化锑的中高压压敏材料的排胶过程应特别注意控制温度曲线,以避免产品烧结后变形和电性能分散。
TG/%
针对上述第(1)项分析结果,在300℃左右的放热 峰应该是三个试样共同的化学成分造成,氧化锌本身在 这个温度附近并无明显物理化学反应(见图3a),氧化 铋在此温度范围无放热吸热反应[2],氧化镍在358℃有个 较小吸热谷[2],在加热温升速率较大的时候,碳酸锰的 分解反应会持续较大温度区间,因此,300℃左右的放热峰 应该与Co3O4有关。
DSC/(mW/mg)
↑放热 0.6
质量变化:-0.21%
0.5
质量变化:-0.44%
0.4 [1]
0.3 质量变化:-0.23%

低温烧结ZnO-玻璃系压敏陶瓷的研究

低温烧结ZnO-玻璃系压敏陶瓷的研究
雷 鸣 等:低温烧结 ZnO-玻璃系压敏陶瓷的研究
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低温烧结 ZnO-玻璃系压敏陶瓷的研究


鸣,成鹏飞,李盛涛
(西安交通大学 电力设备电气绝缘国家重点实验室,陕西 西安 710049) 摘 要: 研究了不同硼硅玻璃配方及相关工艺对低温
烧结(1000℃和 1050℃下烧结)ZnO 玻璃系压敏陶 瓷致密化过程和电气性能的影响。发现含较多 PbO 和少量 ZnO 的 G1 玻璃具有较合适的软化点温度和较 好的晶粒润湿性,对应试样的电气性能最好;坯体初 始密度、保温时间、降温速率和烧结气氛都显著影响 着试样的烧结性能和电气性能。 关键词:ZnO 压敏陶瓷;硼硅玻璃;致密化;电气性能 中图分类号:TM28 文章编号:1001-9731(2004)增刊 文献标识码:A
2+
雷 鸣 等:低温烧结 ZnO-玻璃系压敏陶瓷的研究
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晶粒润湿性差,使得试样 S2.1 晶粒尺寸最小,平均 击穿场强 EB 最大。然而,烧结过程中硼硅玻璃会在 晶界处重结晶,产生 5ZnO·2B2O3 和 2ZnO·SiO2 晶界 相[6,10]。因此,G2 玻璃可能会产生更多的 2ZnO·SiO2 相,使玻璃结晶度上升,从而引起晶界势垒高度 φB 和非线性指数 α 上升[10];这样就解释了尽管 G2 玻璃 润湿性不如 G1, 但 S2.1 的非线性并不明显差于 S1.1。 综上可见,G1 玻璃具有较为合适的软化点温度,因 此对应试样的晶粒较均匀,电性能较好。 表3 玻璃配方对试样电性能的影响 图 3 试样初始密度对最小气孔率的影响 Fig 3 Influence of green density on the minimal porosity 我们将初始密度为 3.18 g/cm3 的试样的致密化过 程延长至 1150℃,发现气孔率甚至上升至 15%以上。 这表明:当坯体的气孔率到达最小值时,瓷体内大部 分气孔都已成为闭气孔,此时若继续升高温度,瓷体 中低熔点物质挥发后将无法顺利排出, 导致瓷体内部 气孔率显著上升。 3.3 保温时间的影响 以试样 S1.6 为例, 在 1000℃时其烧成密度随保 温时间的变化如图 4。 Table 3 Influence of glass compositions on the samples’ performance

激光诱发ZnO压敏陶瓷组织及性能研究的开题报告

激光诱发ZnO压敏陶瓷组织及性能研究的开题报告

激光诱发ZnO压敏陶瓷组织及性能研究的开题报告摘要:本文旨在研究激光诱发ZnO压敏陶瓷的组织及性能。

首先对ZnO压敏陶瓷的基本特性进行了简要介绍,分析了目前研究中存在的问题和发展方向。

其次,介绍了激光处理技术的基本原理、激光装置的构成与参数选择,探究了激光与陶瓷的相互作用机理。

接着,详细论述了激光诱发ZnO压敏陶瓷的制备工艺,包括激光处理参数的优化和对组织性能的分析。

最后,对目前工作的意义和未来研究方向作了阐述。

关键词:激光诱发、ZnO压敏陶瓷、组织性能一、研究背景ZnO压敏陶瓷具有灵敏的电学响应、宽工作频率范围、瞬态响应速度等优良特性,应用广泛于电力装置、通信设备、自动化系统等领域。

随着电子技术的不断发展和应用需求的提高,ZnO压敏陶瓷的性能和组织结构已成为研究热点。

然而目前尚存在一些问题,如ZnO压敏陶瓷的抗压性能需要进一步提高,并完善其疲劳寿命和稳定性等。

激光处理技术在材料加工和表面改性方面具有独特的优势,其高功率、高精度、非接触性等特点正在被广泛应用。

本文旨在探究激光诱发ZnO压敏陶瓷组织改性的途径,为ZnO压敏陶瓷的性能提升提供新思路。

二、研究内容1. ZnO压敏陶瓷的基本特性2. 激光处理技术的基本原理及适用性3. 激光诱发ZnO压敏陶瓷制备工艺研究4. 结构和性能分析5. 意义和未来研究方向三、研究方法本文采用实验室制备的ZnO压敏陶瓷样品,利用激光处理技术对其进行组织和性能的改性。

研究中包括激光处理参数的优化和对组织性能的分析,使用SEM、XRD、电学参数测试等手段对样品进行实验研究。

四、研究预期结果1. 探究激光诱发ZnO压敏陶瓷的组织改性途径,解决其存在的问题。

2. 对激光诱发ZnO压敏陶瓷的制备工艺进行优化,获得性能更优的材料。

3. 通过结构和性能分析,得到ZnO压敏陶瓷激光处理后的特性。

4. 为ZnO压敏陶瓷的应用提供新的思路和方法。

五、研究意义本文的研究可以为激光处理技术在ZnO压敏陶瓷领域的应用提供一种新思路和方法,其研究结果可以为ZnO压敏陶瓷的性能提升和应用拓展提供理论和实践指导。

zno压敏陶瓷溅射金属化的研究

zno压敏陶瓷溅射金属化的研究

zno压敏陶瓷溅射金属化的研究近年来,随着生产技术的不断发展,高性能的材料应用范围也在不断扩大。

其中,受压敏(PVDS)陶瓷研究的限制,深入研究PVDS陶瓷还有待完善。

压敏陶瓷(PVDS)是一种新型结构复合材料,聚合物增强陶瓷(PEC)。

它可以有效地提供耐高应力、耐热、耐腐蚀、耐氧化、抗热变形能力以及抗热负载能力。

然而,深入研究压敏陶瓷的性能和行为,以及进一步发展新的高性能PVDS材料,还有待开发更高性能的PVDS材料。

在研究压敏陶瓷性能和行为方面,一种新型技术称为激射金属化技术(SLM)也被广泛研究。

SLM技术是一种有效地物理表面处理工艺,该工艺可以在激射范围内有效地将金属融入陶瓷表面,从而提高表面和表面微结构中强度和硬度,提高PVDS陶瓷的热循环性能。

同时,还可以显着提高耐磨性,阻燃性,耐腐蚀性和抗冲击性。

然而,SLM技术通常受制于较低的输出功率、较高的沉积速率及较低的金属溅射效率等限制,因此,要实现金属溅射所需的均匀性和精确性,需要进一步研究SLM技术。

因此,本研究的目的是探讨PVDS陶瓷溅射金属化的性能,以期在提高PVDS的性能和行为方面取得积极的结果。

首先,采用SLM技术对PVDS陶瓷进行溅射金属化,以了解溅射金属化对PVDS的改性效果。

其次,对改性后的PVDS进行测试,以评估它的性能和行为。

最后,利用宏观分析和显微分析技术,研究PVDS改性后的微观结构,以更好地了解溅射金属化对其表面和尺寸的影响。

结果表明,SLM技术能够有效地将金属融入PVDS陶瓷表面,从而显著提高PVDS的热循环性和耐磨性,并降低其热膨胀系数。

此外,溅射金属化还能显著改善PVDS表面的表面粗糙度和抗热变形性能,这在微观结构分析中得到了证实。

因此,本研究表明,溅射金属化技术可以在提高PVDS陶瓷性能和表面结构方面发挥出色的作用,这对开发新型高性能PVDS材料具有重要意义。

综上所述,本研究旨在深入研究压敏陶瓷溅射金属化技术的性能和行为,以期在提高PVDS的性能和行为方面取得积极的结果。

氧化锌压敏陶瓷研究现状

氧化锌压敏陶瓷研究现状
测量非常困难 # 而实际上压敏电阻器呈现显著压敏性的 电流 <@"Q:!:RS# 因此常用一定电流时的电压 = 来表示压 敏性能 # 称压敏电压值 $ 如电流为 "Q:RS 时 # 相应的压敏 %) 外还有 & 电压用 ="Q:RS 表示 $ 压敏电阻的性能参数除 T !:" 压敏电压 =:RS 是指 当 压 敏 电 阻 器 流 过 规 定 的 直 流电时所产的端电压 ! 漏电流为 :RS 时的电压值 "$ !! " 漏 电 流 是 指 在 规 定 温 度 和 最 大 直 流 电 压 下 # 流 过压敏电阻器的电流 $ !$ " 通 流 容 量 是 指 在 规 定 条 件 下 # 允 许 通 过 压 敏 电 阻器最大脉冲电流值 $
前驱体 !无机盐或金属盐 "
水解
!"# 压敏电阻器的性能参数与 !"# 半导体陶瓷的配方 有密切关系 $ 下式是目前生产使用的典型组分之一><?% !<55$@"!"#A@9B !%&.#(C’)*’#(C+,’#(C/"#’C+0’#(" 当工艺条件不变时 # 改变 @ 值 # 则产品 + 值随 @ 的增 加而增加 #但当 @D( 处出现 E值最大值 # 除改变 @ 值外 #还 可以改变添加物的成分或添加微量其它氧化物来改变产 品的性能参数 $ 多年来的研究认为 %&’#(&)*’#(&+,’#(&/"#’& +0’#( 等构成 !"# 压敏陶瓷的基本晶界结构 # 是构成型添 加剂>’F(FG?$ 上述配方中各氧化物的作用和分布如表所示>6?$

ZnO压敏材料研究进展

ZnO压敏材料研究进展

基 金项 目: 安徽省教 育厅科研 基金资助项 目( 0 5 J2 ) 安徽省高等学校教学研究基金 资助项 目( 2 0 2 ) 20 K2 4 ; X 051 ; 安徽省信息材料 与器件重 点实验 室课 题基金资助项 目
作者简 介 : 孟凡 明(9 6 ) 男 , 16 一 , 安徽合肥人 , 安徽大学讲师 , 硕士.
图 1 压敏 电阻 的伏安特性 曲线
1 齐纳二极管 ; SC压敏电阻 ; : 2:i 3 Z O压敏 电阻 ; : :n 4 线性 电阻 ; :n 5 Z O压 敏电阻
表现为伏安特性曲线出现一电压回升区, 显然 , 作为过电压保护元件使用时 , 希望其非线性好.
收 稿 日期 :0 5— 9— 8. 20 0 0
1 Z O 压敏材料 的基本 特性 n
Z O压 敏 材料具 有 优 良的非线 性 、 的通 流 能 力 n 大
和快 的响应时 间 (l级 )Z O压敏 材 料 的非 线性 类 似 r ¥ .n 于齐 纳 二 极 管 , 见 图 1所示 . 齐 纳 二 极 管 不 同 的 参 与 是 它能对 两个 方 向 的过 电 压 等 同地 抑制 , 当于 两 只 相
J l 0 6 uy2 0
V0 . 0 No 4 I3 .
Z O压 敏 材 料 研 究 进 展 n
孟凡 明 , 兆奇 孙
( 安徽大学 物理与材料科学学 院 , 信息材料与器件重 点实验室 , 安徽 合肥 20 3 ) 3 0 9

要: 氧化 锌压 敏电阻器具有优 良的非线性伏 安特性 , 在稳态工作 电压下 漏电流很小 ( 能耗
Z O压敏材料 的非线性功能添加剂和制备工艺进行 了一系列 的研究工作 ‘ J 以探讨 添加剂和制 备工 n l , 艺对 Z O压敏材料的结构和电性能的影响. n 随着基础研究的不断深入和制备工艺 的不断改进 ,n Z O压

ZnO压敏陶瓷的研究进展及发展前景

ZnO压敏陶瓷的研究进展及发展前景

ZnO压敏陶瓷的研究进展及发展前景作者:王先龙来源:《佛山陶瓷》2016年第07期摘要:本文叙述了ZnO压敏陶瓷材料的最新研究进展,阐述了它的非线性伏安特性,并对该特性作用机理进行了微观解析,概述了ZnO压敏陶瓷材料的发展趋势,并对发展中遇到的问题提出了建议和解决措施。

关键词:ZnO;压敏陶瓷;压敏材料;非线性伏安特性1 引言压敏材料是指在某一特定电压范围内材料的电阻值随加于其上电压不同而发生显著变化的具有非线性欧姆特性的电阻材料,其中以ZnO压敏陶瓷材料的特性最佳。

ZnO是一种新型的功能陶瓷,具有优良的非线性伏安特性、极好的吸收浪涌电压、响应速度快、漏电流小等优点[1],被广泛应用于电力系统、军工设备、通讯设备和家庭生活等许多方面。

它作为保护元件在过压保护上发挥着越来越重要的作用,因此加强对ZnO压敏陶瓷的深入开发研究具有重要的现实意义。

2 ZnO压敏陶瓷研究现状自1968年日本松下公司报道以来,ZnO压敏陶瓷因其优异的压敏特性引起了广泛关注,如今已然成为高新技术领域半导体陶瓷发展的重要一极。

经过众多科研工作者近50年坚持不懈的探索,在配方、制作工艺、形成机理及伏安特性的微观解析等方面都进行了系统的研究,从而全面提升了ZnO压敏陶瓷的综合性能。

同时还总结出了大量适用于工业生产的制作工艺,扩展了使用范围。

在世界范围内,日本生产的功能陶瓷产品占有绝对优势,欧美国家也占有相当的市场份额。

与这些发达国家相比,我国对功能陶瓷的研究、生产及应用开始得较晚,在配方、生产工艺、过程控制及产品性能等方面存在较大差距(例如:高纯超细粉料制备技术;先进装备及现代化检测手段;组分设计、晶界相与显微结构控制;新材料、新工艺与新应用的探索[2]),尤其是在产业化方面更甚。

近二十年,在现代科技的推动下功能陶瓷技术迅速发展,我国功能陶瓷的生产企业已具有一定的规模(如珠海粤科京华功能陶瓷有限公司,淄博安德浩工业陶瓷公司等企业),但还存在基础研究投入不足,关键性的研究基础仍较薄弱,创新能力不足,缺乏生产高端产品的关键技术等问题。

氧化锌陶瓷作为敏感陶瓷的研究

氧化锌陶瓷作为敏感陶瓷的研究


由此可见,随着ZnO压敏陶瓷性能的进一 步提高和应用技术的拓展,它的应用将更 加广阔。因此, 研究者要从技术创新、 工艺创新等方面制备和开发ZnO压敏陶瓷, 不断提高其性能指标。
谢谢
ZnO压敏陶瓷是以ZnO为主体,添加其它若 干氧化物改性的烧结体材料,具有特有的 晶界特性,使它具有非线性电流-电压的特 有性质。最早出现的压敏陶瓷出现在二十 世纪三十年代,是由贝尔实验室制成的SiC 陶瓷,Matsuoka于1968年发现了新型陶瓷 材料-ZnO压敏电阻器。
ZnO压敏电阻已经具有四十多年的历史了, 人们在ZnO压敏电阻制备的工艺、基础理 论、应用等方面进行了大量的研究性工 作,由此确立了一定的科学基础和许多 关键性的工艺技术,使得ZnO压敏电阻以 其优越的性能从而取代了SiC陶瓷。

对不同烧结温度样品进行x射线衍射分析。 结果表明相成分基本一致。这说明烧结 温度的变化引起电阻率的变化不是由相 成分的差异导致的。从缺陷状态来,不 论是本征缺陷还是杂质块陷都与温度和 氧分压密切相关。
随着烧结温度提高, 瓷体致密性提高,颜 色逐步由白变成深灰 色。因此内部氧分压 会急剧下降。这样极 有利于增加氧化锌晶 粒的导电电子。这样 随着温度的提高,氧 化锌陶瓷的电阻率会 急剧下降。
随过渡元素添加量的增加,压敏电压和非线性 系数也随之增大,漏电流随之减小。当ZnO中 Cr , Mn , Co元素的掺杂量逐渐增大,掺杂元 素并不能均匀分布于晶界及晶粒中,添加的氧 化物在晶界出现非均匀偏析,导致部分晶界区 域电阻急剧增大。
而部分晶界区域电阻较小,电流会从电 阻较小晶界集中通过,使得ZnO非线性特 性降低,小的压敏电压未减小,但非线 性系数变小,漏电流增大的现象。另外, 离子半径越大的,在晶界偏析量越大, 掺杂量对压敏性能的影响越明显。

纳米半导体ZnO的元素掺杂、结构及陶瓷介电性能的研究

纳米半导体ZnO的元素掺杂、结构及陶瓷介电性能的研究

纳米半导体ZnO的元素掺杂、结构及陶瓷介电性能的研究随着人类对科技的不断进步,纳米材料的应用越来越广泛,其在各个领域中的研究都备受关注。

其中,纳米半导体是热门的研究方向之一。

在这个领域中,ZnO纳米半导体因其优良的物理和化学性质而受到广泛关注。

本文将重点探讨ZnO纳米半导体的元素掺杂、结构及陶瓷介电性能,以期深入了解其性质和应用价值。

一、元素掺杂元素掺杂是纳米半导体研究中十分重要的一个方面。

掺杂可以改变纳米材料的电学性质,优化其能带结构,进而改善其光电性能。

ZnO纳米半导体中常用的掺杂元素包括铝、锂、铟等。

其中Al是掺杂效果最为明显的一种元素之一,它可以使ZnO纳米材料的导电性提高数个数量级,同时还能有效改善其光电效应和发光性能。

二、结构研究ZnO纳米半导体的结构研究主要包括晶体结构、表面结构和缺陷结构等方面。

其晶体结构主要为六方晶系,而表面结构则具有极高的表面能、表面缺陷等特性。

此外,ZnO纳米半导体的缺陷结构是其光电性能提升的关键之一。

在实际应用中,通过控制其缺陷结构,可以调节其光电性能和特殊性质,例如ZnO纳米材料的磁性、荧光等。

三、陶瓷介电性能陶瓷介电材料是一种具有低电阻、高电容和强耐电场的特殊材料。

ZnO纳米半导体由于天然的银中空结构,在不同的介电材料中具有相对较高的介电常数值,且在高电场下仍具有较高的抗电击穿能力。

因此,ZnO纳米半导体具有很好的应用潜力,可以应用于电容器、声波滤波器和微波元器件等领域。

总之,目前ZnO纳米半导体的研究还处于起步阶段,其性质和应用潜力仍有待深入探究。

本文主要介绍了其元素掺杂、结构及陶瓷介电性能等研究结果,未来还需进一步开展实验和理论模拟研究,不断拓展其应用范围,迎来更加丰硕的成果。

除了以上提到的元素掺杂、结构研究和陶瓷介电性能外,ZnO纳米半导体的研究还包括其光电化学性能、催化性能和生物应用等方面。

首先,ZnO纳米半导体在光电化学领域中有着广泛的应用。

ZnO压敏材料研究进展

ZnO压敏材料研究进展

Zn O 压敏材料研究进展孟凡明,孙兆奇(安徽大学物理与材料科学学院,信息材料与器件重点实验室,安徽合肥 230039)摘 要:氧化锌压敏电阻器具有优良的非线性伏安特性,在稳态工作电压下漏电流很小(能耗低).利用这些特性可制造各种电子器件的过电压保护、电子设备的雷击浪涌保护、负载开关的浪涌吸收等电子保护装置.综述了Zn O 压敏材料的导电机理、老化、非线性功能添加剂以及制备工艺等方面的研究进展,指出Zn O 压敏电阻器的发展方向为片式叠层化、低压化以及对导电机理的深入研究.关键词:Zn O 压敏材料;导电机理;老化;进展中图分类号:T Q174.758 文献标识码:A 文章编号:1000-2162(2006)04-0061-04ZnO 压敏材料是一种多功能新型陶瓷材料,它是以Zn O 为主体,添加若干其他氧化物改性的烧结体材料.其非线性(即非欧姆特性)优良、响应时间快、通流容量大、漏电流小、造价低廉,广泛应用于抑制电力系统雷电过电压和操作过电压、防止静电放电、抑制电磁脉冲、抑制噪声等领域.近年来,人们对Zn O 压敏材料的非线性功能添加剂和制备工艺进行了一系列的研究工作[1~9],以探讨添加剂和制备工艺对Zn O 压敏材料的结构和电性能的影响.随着基础研究的不断深入和制备工艺的不断改进,ZnO 压敏材料的电性能有可能得到进一步改善,应用领域会不断扩大.本文概述了Zn O 压敏材料的特性以及Zn O 压敏材料的研究进展,总结了ZnO 压敏材料的应用及其展望.图1 压敏电阻的伏安特性曲线1:齐纳二极管;2:Si C 压敏电阻;3:ZnO 压敏电阻;4:线性电阻;5:ZnO 压敏电阻1 ZnO 压敏材料的基本特性ZnO 压敏材料具有优良的非线性、大的通流能力和快的响应时间(ns 级).ZnO 压敏材料的非线性类似于齐纳二极管,参见图1所示.与齐纳二极管不同的是它能对两个方向的过电压等同地抑制,相当于两只背靠背的齐纳二极管.在电压达到击穿电压以前,Zn O 压敏材料表现为由晶界阻抗所确定的具有高阻值的线性电阻性质.一旦电压超过就成为导体,表现为由晶粒和晶界共同确定的具有低阻值的非线性电阻性质.非线性系数α愈大,则保护性能愈好,对稳压元件来说则是电压稳定度越高.当Zn O 压敏电阻作为过电压保护元件使用时,在电压超过击穿电压后流过的浪涌电流通常很大,以致即使是主要由晶粒阻抗确定的电阻值极低,其残余电压仍可能达到相当高的数值,表现为伏安特性曲线出现一电压回升区,显然,作为过电压保护元件使用时,希望其非线性好.收稿日期:2005-09-08基金项目:安徽省教育厅科研基金资助项目(2005KJ224);安徽省高等学校教学研究基金资助项目(X200521);安徽省信息材料与器件重点实验室课题基金资助项目作者简介:孟凡明(19662),男,安徽合肥人,安徽大学讲师,硕士.2006年7月第30卷第4期安徽大学学报(自然科学版)Journal of Anhui University Natural Science Editi on July 2006Vol .30No .42 ZnO压敏材料理论与实验研究进展2.1 导电机理的研究ZnO压敏材料的导电机理一直是众多学者研究的焦点,虽然已经提出了很多种模型来试图解释Zn O压敏材料的导电机理,但尚无一个比较完整的模型.这一方面是由于Zn O晶粒间的显微结构不易准确检测;另一方面其导电过程不易精确模拟.1971年M Matsuoka首先提出空间电荷限制电流模型[10],该理论可用来解释添加物对非线性的影响,但它不能充分解释高的非线性区域内伏安特性曲线小的温度依赖性.1975年Levins on等报道了在击穿电压以上的区域观察到高度的非线性,而这种特性对应于晶界层中的一个隧穿过程,从而由伏安特性曲线和它的温度依赖性的实验结果导出了晶粒界面层隧穿过程模型,但此模型尚无法解释添加物的效应及伏安特性曲线的不对称老化现象.1977年,P R Em tage等提出有异质结的肖特基势垒隧穿模型.该模型适用于解释伏安特性曲线、它的温度依赖性以及添加物的效应.1979年,G D Mahan提出了双肖特基势垒模型.其后K Eda提出更完善的双肖特基势垒模型,这是目前用得最多且被广泛接受的模型.该模型根据隧穿机制可充分解释伏安特性曲线的温度特性、添加物的效应、介电性能、瞬态导电现象、电容的偏压特性以及伏安曲线的老化.其局限性在于不能解释晶界层的作用以及为何B i2O3晶相强烈影响直流负荷下的老化等问题.2.2 老化的研究老化是Zn O压敏材料在承受过电压作用后或在连续交流或直流电压作用下其电气特性发生劣化的现象.老化主要与预击穿区电导有关,而预击穿区电流主要由反偏势垒控制.对老化现象的研究,已经发表了许多论文,但并无一个完善统一的理论.K Eda对预击穿区和击穿区分别考虑,将预击穿区导电规范为某一区域,该区域存在着随着老化而厚度发生改变的晶界层. K Eda提出的离子迁移模型[11]可以解释电场作用下的一些老化现象.Chiang Levins on借助STE M观察到在电场作用下原子(或离子)会发生运动,老化后的Zn O压敏材料晶界附近累积有B i和Co等非Zn 填隙离子.L J Bowen等认为,发生老化是由于弱的耗尽层的预先失效和显微结构弱点处过大的电流集中,因此需寻找最佳工艺和配方,使晶粒长大,以提高脉冲稳定性,同时避免显微结构波动对压敏材料寿命的影响.陈志雄等[12]研究发现,过高的热处理温度,其稳定性反而变差,而漏电流和非线性重新被改善.陈志雄等根据热处理时晶界层中的B i2O3相变的研究,认为稳定性的改善与β-B i2O3相转化为γ-B i2O3相有关,稳定性随γ-B i2O3相增多而提高.章天金等[5]的研究表明,低压ZnO压敏材料在大电流冲击作用下,伏安特性的蜕变具有极性效应.并发现添加剂预烧及适量Si、B氧化物掺杂可以较好地改善样品的抗老化性能.T K Gup ta等对老化的研究提出了晶粒边界缺陷模型[13],认为迁移离子是Zn填隙离子Zn·i 和Zn··i.这一模型被深能级瞬态谱DLTS测试结果和正电子湮灭谱P AS测试结果证实.2.3 非线性功能添加剂的研究掺杂可以提高ZnO压敏材料的非线性伏安特性,促进或抑制晶粒生长.许多学者研究了掺杂对Zn O压敏材料伏安特性非线性的影响.张丛春等[3~4]研究发现以Co(NO3)2、Mn(NO3)2溶液代替Co O、Mn O2掺杂,可以降低压敏电压,增大非线性系数.此外,在ZnO压敏材料中掺杂适量的Sb2O3可提高ZnO 压敏材料的非线性,但当Sb2O3的摩尔分数超过0.088%时,电性能反而劣化,因此Sb2O3掺杂量应控制在适当的范围内.范坤泰等[14]研究发现在掺入Ti O2使压敏电压下降的同时,适量掺入B并在850℃下热处理,可改善非线性.李盛涛等[15]采用单元掺杂与多元掺杂的方法,系统研究了几种过渡金属氧化物添加剂在控制ZnO压敏材料非线性方面的作用,认为阳离子具有不饱和外层电子结构且半径与Zn2+离子相近的过渡金属氧化物能改善Zn O压敏材料非线性.M Tanahashi等研究了Sb2O3掺杂对Zn O压敏材料非线性的影响.发现由于Sb2O3挥发,在ZnO表面形成了一薄层Sb的化合物,阻碍烧结,若B i2O3(0.5mol%)+Sb2O3未经过预先热处理,则Sb2O3大部分偏析于晶界,形成焦绿石或尖晶石,阻碍晶粒生长.在550℃热处理5h后,Sb均匀地分布于晶界液相中,对晶粒生长的阻碍效应大减.尽管对非线性添加剂的研究已经得出了一些基本的实验规律,虽然提出了晶界深陷阱、非饱和过渡金属氧化物在晶界偏26安徽大学学报(自然科学版)第30卷聚形成深能级、氧在晶界处的吸附等假设.但是,对高非线性晶界势垒的形成原因尚缺乏统一认识.2.4 制备工艺的研究改变工艺条件可以改善和提高Zn O 压敏材料的性能,达到获得优质材料的目的.任省平等[7]对生产工艺中影响ZnO 压敏电阻器直流老化性能的因素进行了研究,喷雾造粒是保证材料均匀性、性能一致性和工艺重复性的重要手段之一;封闭式烧结有利于提高产品的性能;增加成型压力,可以增强烧结体的抗直流老化负荷能力,提高抗潮湿性,减小漏电流,但压力超过一定极限时,反而使性能变差.卢振亚[16]研究发现炉温不均匀或温度梯度太大、800~600℃段降温时间太长、炉道通风流量过大且匣钵有开口造成的易熔物质挥发过度、热处理温度过高、热处理炉温分布不合理、烧银温度过高或烧银温度曲线高温段过长等因素会导致Zn O 压敏元件非线性特性的劣化,在900~1050℃下处理后,可以恢复.霍建华[17]研究发现,改变烧结气氛可以显著改善烧成产品的整体水平及一致性,通过适量增加匣钵垫料中的低熔点物含量及在匣钵内壁涂敷易挥发添加剂,可以降低产品电性能的分散性.章天金等[18]研究发现掺入适量粒度合适的ZnO 籽晶,勿需在高温下长时间烧结,也可制成压敏电压较低、漏电流较小的Zn O 压敏电阻器.禹争光等[6]研究发现添加纳米B i 2O 3粉末,通过传统制备工艺制备的Zn O 陶瓷,与微米级粉体相比,B i 2O 3更易在Zn O 压敏材料中均匀分布,提高Zn O 压敏器件的均匀性.康雪雅等[19]研究发现,在1150~1200℃范围内,可通过改变烧结温度调整材料的压敏电压,而材料的非线性系数变化不大.3 应用与展望3.1 应 用ZnO 压敏材料广泛应用于工业、铁路、通信、电力及家电等方面,尤其在过电压保护方面.用ZnO 压敏材料制成的ZnO 避雷器,可以用于雷电引起的过电压和电路工作状态突变造成电压过高.过电压保护主要用于大型电源设备、大型电机、大电磁铁等强电应用中,也可用于一般电器设备的过电压保护.Zn O 压敏电阻在强电应用中的实例是用在电力输配系统.在这类强电应用中,需要大的电涌抑制器维持上兆伏的电力系统的正常工作,并能吸收上兆焦耳的瞬时能量,这需要大体积的电阻器才能满足这种要求.一个大电站的避雷器含有几百个体积大于100c m 3的Zn O 电阻器圆片.ZnO 压敏电阻器在弱电领域的应用也十分广泛.例如,防止录音机、录像机的微电机的电噪声,彩色电视机的显象管电路放电的吸收,防护半导体元件的静电,小型继电器接点的保护,汽车用发电机异常输出功率电压的吸收,电子线路上抑制尖峰电压和电火花,在开关浪涌保护、可控硅整流器保护等特殊电路中用作稳压元件等.3.2 展 望(1)片式叠层化.近年来,随着电子产品的小型化、多功能化和表面帖装技术(S MT )的应用,I C 、LSI 、VLSI 的集成密度和速度大幅度提高,通过传导和感应进入电子线路的电磁噪声、浪涌电流以及人体静电均有可能使整机产生误动作甚至破坏半导体器件.在此方面,片式叠层ZnO 压敏电阻器因具有响应速度快、电压限制特性好、受温度影响小、通流能力大、电容量大等特点,被广泛应用,以改善数字化电路的抗干扰能力.根据报道,美国片式叠层压敏电阻应用领域包括:电子消费业占2.5%,计算机占25%,军事占22%.在我国片式叠层ZnO 压敏电阻器的开发与应用业已引起科技人员的重视.(2)低压化.由于电子仪器的集成化,电路的电压也随之低电压化.因此,Zn O 压敏电阻器也需要以5~48V 为对象,即需制备低电压电阻器.为适应各种用途对电阻器的小型化和形状复杂化的要求,发展了厚膜Zn O 压敏电阻器.厚膜压敏电阻器的结构可分为平面型和夹层型两种.其中,夹层型电阻器电压为5~100V ,非线性系数3~20,适用于低压领域.(3)基础理论的研究有待深入,尤其是加强晶界现象、导电机理、缺陷理论等方面的研究.将计算机技术与材料研究相结合,以探讨ZnO 压敏材料的显微结构与导电机理等将可能受到人们关注.4 结 语ZnO 压敏材料的理论与实验研究取得了丰硕的成果,Zn O 压敏电阻器已经得到了广泛应用.但是尚缺乏一个比较成熟的理论模型以解释其导电机理和老化机理.ZnO 压敏电阻器的发展方向是片式叠层36第4期孟凡明,等:Zn O 压敏材料研究进展46安徽大学学报(自然科学版)第30卷化、低压化和对其基础理论的深入研究.参考文献:[1] R M etz,H Delalu,J R V ignal ou,et al.Electrical p r operties of varist or in relati on t o their true bis muth compositi on af2ter sintering[J].M ater Che m Phys,2000,63:157-162.[2] K A lAbdullah,A Bui and A Loubiere.Low frequency and l ow te mperature behavi or of Zn O-based varist or by ac i m2pedance measure ments[J].J App l Phys,1991,69(7):4046-4052.[3] 张丛春,周东祥,龚树萍.Sb2O3掺杂对Zn O压敏陶瓷晶界特性和电性能的影响[J].硅酸盐学报,2001,29(6):602-605.[4] 张丛春,周东祥,龚树萍,等.Co、Mn的掺杂形式对低压氧化锌压敏陶瓷电性能的影响[J].电子元件与材料,2000,19(6):7-9.[5] 章天金,周东祥,龚树萍.低压Zn O压敏陶瓷冲击老化特性[J].电子元件与材料,1999,18(4):18-19.[6] 禹争光,杨邦朝,敬履伟.纳米氧化铋粉体的制备对Zn O压敏电阻器性能的影响[J].硅酸盐学报,2003,31(12):1184-1187.[7] 任省平,石永杰,石微静.Zn O压敏电阻器生产工艺的改进[J].电子元件与材料,1998,17(4):27-29.[8] 李盛涛,刘辅宜.改善Zn O压敏元件温度特性的研究[J].压电与声光,1997,19(4):231-234.[9] 李慧峰,许毓春,王礼琼,等.Nb2O5掺杂对Zn O压敏电阻器性能的影响[J].压电与声光,1994,16(6):27-30.[10] M Matsuoka.Nonoh m ic p r operties of Zinc Oxide Cera m ics[J].J App l Phys,1971,10(6):736-746.[11] K Eda,A I ga,M Matsuoka.Degradati on mechanis m of Non-oh m ic Zinc Cera m ics[J].J App l Phys,1980,51(5):2678-2684.[12] 陈志雄,石滨,付刚,等.Zn O压敏陶瓷电流蠕变规律及其机理研究[J].科学通报,1995,40(9):787-790.[13] T K Gup ta,W G Carls on.A Grain Boundary DefectModel for I nstability/Stability of Zn O varist or[J].J Mater Sci,1985,20:3487.[14] 范坤泰,韩述斌,吴德喜.低压Zn O压敏电阻器性能的改善[J].电子元件与材料,1998,17(5):32-33.[15] 李盛涛,刘辅宜,宋晓兰.Zn O压敏陶瓷的非线性功能添加剂[J].陶瓷学报,1997,18(2):73-77.[16] 卢振亚.Zn O压敏元件非线性特性的劣化及恢复[J].电子元件与材料,2000,19(1):24-25.[17] 霍建华.烧结气氛对氧化锌压敏电阻器电性能的影响[J].电瓷避雷器,2000,173(1):35-38.[18] 章天金,周东祥,龚树萍,等.籽晶法制备低压Zn O压敏电阻器[J].电子元件与材料,1998,17(4):10-11.[19] 康雪雅,庄顺昌.烧结温度对低压Zn O压敏陶瓷显微结构及电性能的影响[J].硅酸盐学报,1994,22(2):202-206.The evoluti on of the research for the ZnO var istorsMENG Fan2m ing,S UN Zhao2qi(School of Physics and M aterials Science,Anhui KeyLaborat ory of I nfor mati on Materials and Devices,Anhui University,Hefei 230039,China)Abstract:ZnO varist ors is characterized by its excellent nonlinear volt-a mppere characteristic and very l o w leakage current under steady-state voltage(l ow energy consu mp ti on).W ith these features,it can be used in over voltage p r otecti on,lightning arresting,surge abs or p ti on,etc.The recent devel opments on the re2 search f or the Zn O varist or were revie wed in this paper,which contain the theory of conducti on,aging,nonlin2 ear additive and manufacturing technique.It is suggested that the research for ZnO varist ors should f ocus on chi p varist ors,l ow voltage varist ors and theory of conducti on.Key words:Zn O varist ors;theory of conducti on;aging;evoluti on责任编校:李镜平。

氧化锌压敏陶瓷粉体的研究进展

氧化锌压敏陶瓷粉体的研究进展

米 级 (. ~ 1 m) 纳 米级 ( ~ 10 m) 体 。其 制 备 O1 / 及  ̄ 1 0n 粉
方 法主 要有 固相 法 、 学 法 及 高 能 球 磨 法 等 。传 统 的 化 固相法 合成 的粉 体 一 般 为 微 米 级 粉 体 , 学 法 和 高 能 化 球磨 法 可获得 亚微 米 级及 纳米 级 粉 体 。对 于 化 学法 来 说 , 以把 Z 可 n与 其它 掺 杂元 素 如 B 、 o Mn S iC 、 、 b和 Cr 等按 配方 同 时合 成 而 成 为 复 合 压 敏 陶瓷 粉 体 ; 可 以 也 先将 其它 掺杂 元素 如 B 、 o Mn S iC 、 、 b和 C 等按 配 比同 r
分散 性 , 稳定 和 提 高 氧 化 锌 非 线 性 电阻工 艺 中最 关 是
粉 体性 能 。所 以 ,n 压 敏 陶 瓷 粉 体 的合 成 工 艺 是 制 ZO 备 高性 能氧化 锌 压敏 电 阻器 的起 点 和先 决 条 件 。陶瓷
粉 体按粉 体 粒度 大小 可分 为 微 米 级 ( ~ 1 0L 、 微 1 0/ m) 亚
氧 化锌 压敏 电阻 器 ( 或非 线 性 电阻 ) 般是 由 Z O 一 n
粒一 阻 晶 界 层 一 n 晶 粒 组 成 的 不 规 则 立 体 网状 结 高 ZO 构 。晶界 层 由铋 和其 它 金属 氧化 物组 成 。要 得 到性 能
粉 料按 不 同配 比 掺 杂 B 、 b C 、 、 等 金 属 氧 化 iS 、 o Mn Cr 物, 通过 常规 电子 陶 瓷 制 备 工 艺 高 温 烧 结 而 成 。按 外 形 和结构 的特 征 , 敏 电 阻 器 可 分 为[ ] 单 层 结 构 压 压 1 : 敏 电阻器 、 多层 结 构 压 敏 电 阻 器 和避 雷 器 用 压 敏 电 阻 片 ( 阀 片) 或 。压 敏 电 阻 器 的 性 能 取 决 于 它 的微 观 结 构, 而形 成其 微 观结 构 的关 键 技 术 在 于 形 成 陶瓷 体 的

纳米ZnO压敏陶瓷的制备及性能研究

纳米ZnO压敏陶瓷的制备及性能研究

太原理工大学硕士学位论文纳米ZnO压敏陶瓷的制备及性能研究姓名:闫晓燕申请学位级别:硕士专业:材料加工工程指导教师:卫英慧2003.4.1查墨墨兰垄兰堡主兰堡垒墨.——Y5.f82_f7摘要ZnO压敏电阻器具有非线性I—v特性高、浪涌吸收能力强、漏电流小、通流容量大等优点,广泛应用于电力系统和微电子等领域。

传统的ZnO压敏电阻器是以微米级的ZnO粉体为原料,受其固有的物理、化学和热力学特性的制约,难以提高其性能。

为了寻求解决这些问题的方法,进一步提高产品质量,本文从纳米ZnO粉体的制备入手,研究了纳米ZnO压敏陶瓷的烧结和压敏性能,并和普通ZnO压敏陶瓷的性能进行比较。

取得如下结果:(1)采用直接沉淀法可制备出粒径小于lOOnm的ZnO纳米粉体。

随前驱体焙烧温度的升高和焙烧时间的延长。

晶粒逐渐长大,晶体发育趋于完整。

经过计算,纳米ZnO的晶粒生长动力学指数为1.8,比其他~些氧化物的晶粒生长动力学指数小。

(2)随着烧结温度的升高,ZnO压敏陶瓷的晶粒逐渐长大,结构逐渐致密;随着温度的进一步提高,晶粒内部出现气孔,至1200℃时,晶粒内的气孔(微空洞)明显地增多、变大。

所以欲获得显微结构均匀、性能优异的ZnO压敏陶瓷片,其烧结温度不能过高,以1200℃为宜。

(3)纳米ZnO压敏陶瓷烧结后得到比普通ZnO压敏陶瓷晶粒尺寸小的烧结体,而且纳米ZnO压敏陶瓷比普通ZnO压敏陶瓷结构均匀。

—————————————————,——————————————————+———————————————_———————————,——————一一太原理工大学硕士学位论文(4)坯:体在低温(900℃)烧结时,晶粒中存在大量的亚晶界,陶瓷体中能产生非线性特性的晶界层的作用不十分明显,从而造成非线性消失。

随着烧结温度的升高,亚晶界数目减少,到1200。

C后就会趋于消失,其非线性特性较好。

(5)纳米ZuO压敏陶瓷比普通ZuO压敏陶瓷的非线性特性要好。

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ZnO压敏陶瓷的研究进展摘要:ZnO压敏陶瓷是众多压敏陶瓷中性能最优异的一种,它是以ZnO为主原料,通过掺杂Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、Cr2O3和Nb2O5等氧化物改性烧结而成。

本文通过介绍ZnO粉体的合成方法、掺杂改性等方面入手,对ZnO压敏陶瓷的发展趋势进行探讨,并针对某些共性问题提出自己的一些看法。

关键词:ZnO压敏陶瓷;掺杂;制备;发展趋势The development trends of ZnO varistor ceramic Abstract: The ZnO varistor ceramic is one of the varistor ceramics which with best properties. The main raw material is ZnO, then mixed with some oxides ,such as Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、Cr2O3、Nb2O5 and so on ,to change it’s properties and sinter it .This text briefly described the methods of producing ZnO powder and mixing something to change the properties of it .Present situation in development of varistor ceramic as well as its developing tendency was also analyzed .Some suggestions and opinions were proposed for problems on common characteristics. Key words: ZnO varistor ceramic; mixed; produce; developing tendency1.前言ZnO压敏陶瓷是一种多功能新型陶瓷材料,它是以ZnO主为体,添加若干其他改性金属氧化物的烧结体材料。

它显示出优良的伏安特性,具有非线性系数大,耐大电流冲击,抗浪涌能力强等特点,能起到过压保护、抗雷击、抵制瞬间脉冲的作用,成为应用最广泛的压敏变阻器材料[1]。

ZnO压敏电阻器按其外形和结构的特征可分为[2]:单层结构压敏电阻器、多层结构压敏电阻器和避雷器用压敏电阻片(或阀片)。

ZnO压敏材料表现为由晶界阻抗所确定的具有高阻值的线性电阻性质,一旦电压超过就成为导体,表现为由晶粒和晶界共同确定的具有低阻值的非线性电阻性质,非线性系数α愈大,则保护性能愈好,对稳压元件来说,则电压稳定度起高。

ZnO压敏陶瓷是最为常见的压敏陶瓷,主要应用于航空、航天、邮电、铁路、汽车和家用电器等领域。

随着集成电路的快速发展,各种电子元器件的驱动电压及耐压值逐渐下降,由于ZnO压敏陶瓷电压较高和介电常数较低,限制了其在低压微电子领域的应用。

近年来,低压压敏电阻材料的发展受到了广泛的关注[3]。

2.掺杂对ZnO压敏陶瓷的影响ZnO压敏陶瓷是以ZnO为主原料,通过掺入多种氧化物,如Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、Cr2O3和Nb2O5等进行改性而得到的烧结体。

因此,掺杂元素的种类不同,对ZnO压敏陶瓷的电学性能的影响也不同。

根据添加剂的作用机理,可分为三类[4]:(1)、促进ZnO压敏陶瓷形成晶界结构。

如Bi2O3、BaO、SrO、PbO、Pr2O3等,它们的主要作用是促进液相烧结,形成陷阱和表面态。

该类添加剂具有大的离子半径,烧结时存在晶界偏析,从而形成一个高缺陷浓度的薄层,在界面处形成势垒,使制品呈非线性。

(2)、改善ZnO压敏陶瓷电学性能的非线性特性。

如Co2O3、MnO2、Al2O3、Ga2O3等,它们的一部分作为施主杂质固溶于ZnO内,提供载流子,其余部分则在晶界处形成陷阱和受主态,提高势垒高度。

例如,于宙[5]等人采用共沉淀方法制备了名义组分为Zn1- x,Mn x O(x=0.001,0.005,0.007,0.01)的Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料,并研究了在大气气氛下经过不同温度退火后样品的结构和磁性的变化,结果表明:样品在600℃的大气条件下退火后,仍为单一的六方纤锌矿结构的ZnO颗粒材料;当样品经过800℃退火后,Mn掺杂量为0.007,0.01的样品中除了ZnO纤锌矿结构外还观察到ZnMnO3第二相的存在。

磁性测量表明,大气条件下600℃退火后的样品,呈现出室温铁磁性;而800℃退火后的样品,其室温铁磁性显著减弱,并表现为明显的顺磁性,结合对样品的光致发光谱的分析,认为合成样品的室温铁磁性是由于Mn离子对ZnO中的Zn离子的替代形成的。

(3)、提高可靠性。

如Sb2O3、Ce2O3、SiO2等,它们的主要作用是提高压敏陶瓷对电压负荷和环境的影响的稳定性。

总之,压敏陶瓷的电气性能主要取决于添加剂的种类及其在晶界处的分布特性。

例如,成鹏飞[6]等人在不同温度下测量了稀土氧化物Gd2O3和Ce2O3掺杂ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的介电频谱,发现稀土氧化物的掺杂引起介电损耗显著增大。

能过理论计算发现稀土氧化物掺杂后岛上填隙和氧空位浓度显著增大,而耗尽层宽度明显减小。

因此认为稀土氧化物引起施主性本征缺陷浓度的增大,导致肖脱基势垒变薄,从而引起泄露电流的增大及非线性指数的下降。

3. ZnO粉体的合成方法氧化锌压敏陶瓷的性能取决于粉料的制备和加工工艺。

粉料的制备是生产陶瓷材料的基础,其制备方法分为氧化物混合法(干法)和湿式化学合成法。

目前国内外几乎都采用干法工艺生产氧化锌压敏陶瓷粉体[7],此工艺简单实用、成本较低,但由于其采用多种固体氧化物粉末经过机械混合、压制和烧结来合成制品,很难保证成分均匀准确,且易产生研磨介质对粉料的污染,无法从根本上解决产品成分均匀性问题[8]。

为了获得匀质的ZnO压敏陶瓷,国内外很多科学工作者在用液相法合成陶瓷粉料上做了大量的研究。

目前常用的液相合成陶瓷粉料法有共沉淀法、包覆法、水热法、溶胶-凝胶法、液相包裹法及固相法等。

3.1共淀法共沉淀法是指在溶液中含有两种或多种阳离子,它们以均相存在于溶液中,加入沉淀剂,经沉淀反应后,可得到各种成分的均一的沉淀,它是制备含有两种或两种以上金属元素的复合氧化物超细粉体的重要方法。

通常是在溶液状态下将不同化学成分的物质混合,在混合液中加人适当的沉淀剂制备前驱体沉淀物,再将沉淀物进行干燥或锻烧,从而制得相应的粉体颗粒。

共沉淀法的优点在于:其一是通过溶液中的各种化学反应直接得到化学成分均一的纳米粉体材料,其二是容易制备粒度小而且分布均匀的纳米粉体材料。

离子共沉淀分为吸附共沉淀、类质同晶(固溶悼)共沉淀和包裹夹杂共沉淀。

化学性质价态相同和离子半径相近的离子容易形成类质同晶共沉淀。

ZnO压敏陶瓷掺杂离子一般是2价或3价,性质差异较大,困此多为吸附共沉淀或包裹夹杂共沉淀,沉淀微粒带电荷情况与比表面大小对沉淀物性质有很大影响,也就是说,共沉淀时的温度、pH、表面活性剂、溶剂、加料情况及搅拌混合程度等都影响沉淀物组成、粒度及形状。

共沉淀法制备ZnO粉体的一般过程为:预先制备活性ZnO,然后在分散剂等作用下形成半胶体状态的溶液。

ZnO成为掺杂物沉淀包膜的晶格,控制其它因素可使性质差异较大的多种掺杂离子共同沉淀下来,悬浮在溶液中的ZnO微粒具有较强活性.起着“晶核”作用,掺杂离子除了部分自身形成晶核外,大多数掺杂离子均能沉积在活性ZnO颗粒表面形成包膜层,经一定时间反应后可得到组成恒定、粒度小分布均匀呈近似球形的粉料。

由于掺杂组分在制粉阶段就匀质地包裹覆盖在ZnO微粒表面形成一层薄膜,则烧结时有利于离子尽快扩散到ZnO晶粒表面形成富Bi2O3相和不连续的尖晶石相,成为典型的ZnO压敏电阻体结构。

另外ZnO的活性又直接影响烧结形成晶相的固-固、固-液反应温度和反应速度,活性好的ZnO有利于降低烧结温度,加快反应速度。

这对缩短烧结时间、改进烧结制度、降低能耗都是有意义的。

其次掺杂物质和ZnO晶棱紧密地结合比其固相法粉末的结合强度高得多.这也有利多相晶体形成。

其中,李春[9]等人重点研究了五元掺杂组分共沉淀包膜ZnO微粒的过程中各种因素对粉料mol%配比、粒度分布、颗粒形状及电性能的影响,优化工艺参数;对三种制锌方法的压敏陶瓷电性能进行了比较,在此基础上建立氧化锌压敏陶瓷制粉新方法。

3.2包覆法超细粉体表面包覆技术包括机械混合法、气相沉积法、超临界流体快速膨胀法以及液相化学法。

机械混合法是利用挤压、冲击、剪切、摩擦等机械力将改性剂均匀分布在粉体颗粒外表面,各种组分相互渗入和扩散,形成包覆。

目前主要应用的有球石研磨法、搅拌研磨法和高速气流冲击法。

其优点是处理时间短,反应进程容易控制,可连续手批量生产。

气相沉积法主要包括气相化学沉积法和雾化液滴沉积法,均是利用和体系中的改性剂在表面聚集而形成的对粉体的包覆。

超临界流体快速膨胀法是利用超临办液体在流化床的快速膨胀,使改性微核在颗表面形成均匀的薄膜包覆。

超临界流体在快速膨胀过程中,超临界相向气相的快速转变引发流体溶解度的急剧变化,在高频流动的膨胀射流场中瞬间均匀析出溶质微核,膨胀气流载带这些均匀微核与流化床中的颗碰撞产生均匀接触,从而在细颗粒表面形成均匀包覆。

液相化学法是利用湿环境中的化学反应形成改性添加对颗粒进行表面包覆。

与其他方法相比,易于形成核-壳结构。

该方法尤其适用于陶瓷材料的改性掺杂,工艺简单,成本低。

常用的液相包覆方法有沉淀法、溶胶-凝胶法、异相凝聚法、非均匀形核法、微乳液法、化学镀法等。

袁铁锤[10]等人通过对包覆法制备ZnO压敏陶瓷粉体的研究,证明包覆法可以制得恒定组成的复合粉体,该粉体经压制烧结后制成的ZnO压敏陶瓷,与用传统氧化物混合法制备的ZnO压敏陶瓷相比,其一致性更好、耐电流冲击能力更强、击穿电压更高,烧结密度达5.52g/cm3,明显高于传统机械混合法的5.40 g/cm3;制备出的压敏电阻片性能为:漏电流小于10μA,击穿电压为240V/mm,最大非线性系数为45。

3.3水热法水热与溶剂热[11]合成是指在一定温度(100℃~1000℃)和压强(1MPa~100MPa)条件下利用溶液中物质化学反应所进行的合成。

水热与溶剂热合成化学与溶液化学不同,它是研究物质在高温和密闭或高压条件下溶液中的化学行为与规律的化学分支。

因为合成反应在高温和高压下进行,所以产生对水热与溶剂热合成化学反应体系的特殊技术要求,如耐高温高压与化学腐蚀的反应釜等。

水热合成化学侧重于研究水热合成条件下物质的反应性、合成规律以及合成产物的结构与性质。

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