半导体三极管β值及范围测量仪
XJ4810晶体管特性图示仪 说明书
XJ4810晶体管特性图示仪说明书晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础,以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管(NPN型和PNP型)的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性;测试各种反向饱和电流和击穿电压,还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示:1. 集电极电源极性按钮,极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝:1.5A。
3. 峰值电压%:峰值电压可在0~10V、0~50V、0~100V、0~500V之连续可调,面板上的标称值是近似值,参考用。
4. 功耗限制电阻:它是串联在被测管的集电极电路中,限制超过功耗,亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围:分0~10V/5A、0~50V/1A、0~100V/0.5A、0~500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时,须先将峰值电压调到零值,换挡后再按需要的电压逐渐增加,否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描,以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡:由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容,都将形成电容性电流,因而在电流取样电阻上产生电压降,造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流,测试前应调节电容平衡,使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡:是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称,而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节:旋钮拉出,接通仪器电源,旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示:接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮:调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕:示波管屏幕,外有座标刻度片。
三极管的识别与检测
不是越大 越好,需根据电路要求选择β值。β太高,易引 起自激,工作稳定性差,受温度影响也大。通常 选β在40~100之间。
UCBO、UCEO、ICM和PCM是三极管极限参数,电路的估算值不得超过这些极限参数。
测电流的放大系数
没有“β或hFE”挡的万用表测量(如MF30)将万用表置于“R×1K”挡(以NPN管 为例),红表笔接基极以外后管脚,左手拇指与中指将黑表笔与基极以外的另一管脚捏在一起, 同时用左手食指触摸余下的管脚,
这时表针应向右摆动。将基极以外的两管脚对调后再测一次。两次测量中,表针摆动幅 度较大的那一次,黑表笔所接为集电极,红表笔所接为发射极。表针摆动幅度越大,说明被测
直接识别三极管型号、 β、引脚的方法
一般情况下可以根据命名规则从三极管管壳上的符号辨别出它的型号和类型。同时 还可以从管壳上的色点的颜色来判断出管子的放大系数β值的大致范围。常用色点对β值 分档如下:
色 标
棕
红
橙
黄
绿
蓝
紫
灰
白
β 1~15 15~25 25~40 40~55 55~80 80~120 120~180 180~270 270~400
当从管壳上知道它们的型号以及β值后,还应进一步判别它们的三个电极。 90XX系列三极管管脚判别: 拿起三极管,把文字标注一面朝向自己,从左到右依次为发射极e、基极b、集电极c
三极管的管脚必须正确确认, 否则接入电路后,不但不能正常工 作,还会烧坏管子及其它电路。
四、 三极管的分类
内部结构:NPN型和PNP型管;工作频率:有低频和高频管; 功率:有小功率和大功率管; 用途:有普通管和开关管; 材料:有锗管和硅管等等。 封装材料分:金属壳、塑封管等
晶体管放大倍数β检测电路的设计
晶体管β值数显测量电路实验报告宁波大学科技学院理工分院课题五晶体管β值数显测量电路一、实验目的1、设计任务设计一个低频小功率NPN型硅三极管共射极电流放大倍数β值测量电路。
2、基本要求(1)β值的测量范围为50 ~ 250。
(2)接入晶体管后自动显示被测晶体管的β值,当没有接入晶体管时数码管显示为零。
(3)当接入晶体管的β值不在测量范围时,用发光二极管指示。
(4)测量精度为±5%。
(5)测量响应时间t<1S。
3、扩展要求(1)分档指示功能,当β值为50~100,100~180,180~250时,分别用发光二极管指示。
(2)能测量PNP管的β值。
二、实验原理由设计要求可知只要将被测晶体管的β值转换为对应的电压值,对β值的测量转变为对电压的测量。
将此电压进行比例调整后,进行A/D转换,然后进行译码显示即可。
其原理框图如图2-5-1所示。
三、单元电路设计参考1、β/V转换电路基本思路为:对被测晶体管输入一固定值的基极电流,则其集电极电流Ic=βIb,然后将集电极电流转换为电压即可。
基极电流的设置可以采用如下两种方式。
其一、如图2-5-2所示,选择恰当的基极偏置电阻Rb实现基极电流设置。
其二,利用恒流源实现基极电流的设置,如图2-5-3所示。
这种方式的优点是可以对锗管设置基极电流而不需要改变电路结构或元件参数。
由于要提供很小的基极电流,恒流源可以用如图2-5-4所示的微电流源实现。
微电流源的参考电流与输出电流之间的函数关系为:2、 比例调整电路比例调整电路的主要作用是将β/V 转换电路的输出电压作适当的调整提供给A/D 转换电路,以期得到一个适当的二进制数值,便于译码器显示对应的β值。
常用的比例电路有反相比例电路,同相比例电路,差动放大电路等。
在此介绍一下常用的三运放差动放大电路,电压如图2-5-6所示。
CSC S C b C R I U I I I I ===β10AR I U CC C μβ*==))(21(1220I I PU U R RU -+=6.19)21(255512510)21()21(28322=+=-==⨯+=+-PP C P R R LSB R R U R R 得:由:LM324N芯片引脚图3、A/D转换电路A/D转换电路将模拟量转换为数字量。
青岛大学自动化课程设计报告
半导体NPN三极管β值测量仪设计报告摘要本设计由集成运放LM324比较电路、555波形产生电路、电路、译码电路等模块组合而成。
设计一个微电流源将输出的电流接到待测三极管的基极,给基极一个恒定的电流。
利用三极管将电流放大。
利用比较电路将变化的模拟量转化为高低电平用CD4532编码,CD4511译码,数码管显示。
发挥部分将三极管输出电流接到555上构成一个流控振荡器。
用另一个555搭成单稳态触发器。
两个555的输出相与之后的结果输出到十进制计数器,通过计数器计数后,进行锁存,最后经过译码器并用7段数码管显示出β值。
关键字:NPN三极管β值,流控振荡器,单稳态触发器一、设计题目及要求设计制作一个自动测量三极管直流放大系数β值范围的装置。
1、对被测NPN型三极管值分三档;2、β值的范围分别为80~120及120~160,160~200对应的分档编号分别是1、2、3;待测三极管为空或β小于80时时显示0,超过200显示4;3、用数码管显示β值的档次;4、用数码管显示β值的数值(发挥部分);5、响应时间不超过2秒,显示器显示读数清晰(发挥部分)。
二、方案的比较与论证根据题目要求,本测试仪由以下几大模块构成:信号发生模块、信号采集模块、信号转换模块、计数显示模块。
三极管β值测试仪框图如图1-1所示:信号发生信号采集信号转换计数显示图1-1 系统框图2.1信号发生模块方案一:利用被测三极管构成放大电路,Q2是被测三极管,其基极电流可由R1、L1限定,把三极管β值转换为电压输出:VR2=β*IB*R2。
电路图如图1-2所示。
图1-2放大电路方案二:利用三极管构成微电流源,产生恒定的电流,然后经过三极管放大产生电流。
方案一电路简单,但是IB的精度难以调整。
方案二构成了电流源,干扰较小,所以我们采用方案二。
2.2信号采集模块利用运放LM324将三极管产生的放大电流采集出来,产生相应的高低电平。
2.3信号转换模块(发挥部分)方案一:采用压控振荡电路,利用积分电路和滞回比较电路,将电压转换成相应的频率。
三极管基础知识及测量方法
三极管基础知识及测量方法三极管基础知识及测量方法一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN 结。
正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流 IC 。
在共发射极晶体管电路中 ,发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
由于 VBE 很小,所以基极电流约为IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC=β*IB=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅 G 电压 VG 增大时,p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。
当表面达到反型时,电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。
当VDS ≠ 0 时,源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。
使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。
当 VGS>VT 并取不同数值时,反型层的导电能力将改变,在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压VGS 对源漏电流 IDS 的控制。
二、晶体管的命名方法晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG(旧)或(T)表示,二极管以D表示。
按制作材料分,晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分,三极管有PNP和NPN两种,而二极管有P型和N型之分。
半导体器件综合测试实验报告
半导体器件综合测试实验报告1实验⽬的了解、熟悉半导体器件测试仪器,半导体器件的特性,并测得器件的特性参数。
掌握半导体管特性图⽰仪的使⽤⽅法,掌握测量晶体管输⼊输出特性的测量⽅法;测量不同材料的霍尔元件在常温下的不同条件下(磁场、霍尔电流)下的霍尔电压,并根据实验结果全⾯分析、讨论。
2实验内容测试3AX31B、3DG6D的放⼤、饱和、击穿等特性曲线,根据图⽰曲线计算晶体管的放⼤倍数;测量霍尔元件不等位电势,测霍尔电压,在电磁铁励磁电流下测霍尔电压。
3实验仪器XJ4810图⽰仪、⽰波器、三极管、霍尔效应实验装置。
4实验原理4.1三极管的主要参数4.1.1 直流放⼤系数共发射极直流放⼤系数ββ=-( 4-1)(I I)/IC CEO B时,β可近似表⽰为当I IC CEOβ=( 4-2)I/IC B4.1.2 交流放⼤系数共发射极交流放⼤系数β定义为集电极电流变化量与基极电流变化量之⽐,即CE CBv i i β=?=?常数( 4-3)4.1.3 反向击穿电压当三极管内的两个PN 结上承受的反向电压超过规定值时,也会发⽣击穿,其击穿原理和⼆极管类似,但三极管的反向击穿电压不仅与管⼦⾃⾝的特性有关,⽽且还取决于外部电路的接法。
4.2霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作⽤⽽产⽣电动势的效应,从本质上讲,霍尔效应是运动的带电粒⼦在磁场中受洛仑兹⼒的作⽤⽽引起的偏转。
当带电粒⼦(电⼦或空⽳)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的⽅向上产⽣正负电荷在不同侧的聚积,从⽽形成附加的横向电场。
图4-1 霍尔效应⽰意图如图4-1所⽰,磁场B 位于Z 的正向,与之垂直的半导体薄⽚上沿X 正向通以电流sI (称为控制电流或⼯作电流),假设载流⼦为电⼦(N 型半导体材料),它沿着与电流s I 相反的X 负向运动。
由于洛伦兹⼒L f 的作⽤,电⼦即向图中虚线箭头所指的位于y 轴负⽅向的B 侧偏转,并使B 侧形成电⼦积累,⽽相对的A 侧形成正电荷积累。
【实验】晶体管驱动电路实验报告
【关键字】实验晶体管驱动电路实验报告篇一:晶体管缩小电路实验报告电子电路综合设计实验实验三晶体管缩小倍数β检测电路的设计与实现实验报告信息与通信工程学院摘要:简易晶体管缩小倍数β检测电路由三极管类型判别电路,三极管缩小倍数档位判别电路,显示电路,报警电路和电源电路五部分构成。
三极管有电流缩小功能,当缩小后的电流大小不同时,三极管的集电极电压也不同。
一般三极管分为PNP和NPN两种类型。
三极管类型判别电路的功能是利用NPN型和PNP型三极管电流流向相反的特性,通过判断发光二极管亮灭判断三极管的类型是NPN型还是PNP型。
三极管缩小倍数β检测电路是用以判别三极管类型并予以检测缩小倍数β的检测电路。
其首先是利用三极管NPN和PNP电流流向相反判断三极管类型,在利用三极管的电流缩小功能,将β的测量转化为对三极管集电极或发射集电流的测量,再通过电阻转换为电压信号的测量,同时实现对档位的手动调节,并利用比较器的原理,实现档位的判断。
显示电路的功能是利用发光二极管将测量结果显示出来。
报警电路的功能是当所测三极管的β值超出测量范围时,能够进行报警提示。
电源电路的功能是为各模块电路提供直流电源。
关键字:类型判别,电流缩小,比较器,测量转换缩小倍数β,protel设计软件一、设计任务要求1.基本要求:设计简易晶体管缩小倍数β检测电路,该电路能够实现对三极管β值大小的初步判断。
1)电路能够检测出NPN、PNP三极管的类型;2)电路能够将NPN型三极管缩小倍数β分为大于250、200~250、150~200、小于150共四个档位进行判断;3)用发光二极管来指示被测三极管的β值属于哪一个档位;4)在电路中可以手动调节四个档位值的具体大小;5)当β超出250时能够光闪烁报警;2.提高要求:1)电路能够将PNP型三极管缩小倍数β分为大于250、200~250、150~200、小于150共四个档位进行判断,并且能够手动调节四个档位值的具体大小;2)NPN、PNP三极管β档位的判断可以通过手动或自动切换。
三极管放大倍数限值
三极管放大倍数限值【知识文章】标题:探秘三极管放大倍数限值:从基础到深入解析摘要:在电子学中,三极管是一种重要的电子元件,被广泛应用于放大和开关电路中。
而三极管的放大倍数是衡量其放大能力的重要指标,也是电子工程师关注的焦点之一。
本文将从基础概念出发,逐步揭示三极管放大倍数限值的内涵与应用,帮助读者全面、深刻地理解这一主题。
一、什么是三极管放大倍数1. 三极管的结构和工作原理三极管是由基极、发射极和集电极组成的半导体器件,其工作原理基于电流的控制和放大。
2. 放大倍数的定义和计算方法放大倍数,即指电流增益或电压增益,是指三极管输入和输出之间的信号增加倍数。
二、三极管放大倍数限值的影响因素1. 内部结构和参数的影响三极管内部的结构和参数,如集电结宽度、掺杂浓度等,会对放大倍数产生影响。
2. 外部电路和工作条件的影响外部电路中的电阻、电容以及工作条件(如温度、供电电压等)都会对放大倍数带来一定影响。
3. 三极管的尺寸和质量的影响三极管的尺寸和质量直接决定了其性能表现,从而也会影响放大倍数。
三、三极管放大倍数限值的应用与实例1. 三极管作为放大器的应用三极管常用作各种放大电路的核心元件,例如音频放大器、射频放大器等。
2. 放大倍数的设计与优化在实际应用中,根据具体需求,选择合适的三极管并通过外部电路设计和参数优化来实现所需的放大倍数。
四、个人观点与对主题的理解三极管放大倍数限值是一个在电子学中十分关键的概念。
通过研究和理解三极管放大倍数,我们可以更好地掌握电子电路的设计与优化技巧,提高电路性能。
在实际应用中,充分了解三极管放大倍数的影响因素,可以帮助我们更好地选择和使用三极管,并且合理设计外围电路,实现预期的电路功能。
深入理解三极管放大倍数限值对于电子工程师来说至关重要。
总结:通过本文的探讨,我们逐步解析了三极管放大倍数的概念、影响因素和应用实例。
对于理解和应用三极管放大倍数,我们需要全面考虑内部结构和参数、外部电路和工作条件,以及三极管的尺寸和质量。
半导体三极管β值测量
2010课程设计论文题目:半导体三极管β值测量仪目录一、设计任务及要求; (3)二、内容摘要; (3)三、设计思路和方案; (4)3.1基本方案; (4)3.1.1基本方案思路及框图 (4)3.1.2 恒流源与被测三极管组成的放大电路; (4)3.1.3取样电路与比较器电路; (5)3.1.4编码电路; (6)3.1.5译码电路; (6)3.1.6显示电路; (6)3.2发挥部分; (6)3.2.1发挥部分思路及框图 (7)3.2.2压控振荡电路; (7)3.2.3定时控制电路; (7)3.2.4计数电路; (8)3.2.5译码显示电路................................................................ (9)显示电路四、相关参数计算; (9)4.1基本部分; (9)4.1.1微电流源; (9)4.1.2取样电路; (10)4.1.3分压比较电路; (11)4.1.4编码电路; (13)4.1.5译码及显示电路; (14)4.2发挥部分; (14)4.2.1定时控制电路; (14)4.3整体电路图; (15)五、组装调试; (16)5.1主要仪器和器材; (16)5.2器材清单; (16)5.3调试电路的方法和技巧; (16)5.4测试的数据和波形并与计算结果比较分析; (17)5.4.1基础部分 (17)5.4.2压控振荡器的仿真波形 (18)5.4.3定时控制器的输出仿真波形 (18)5.4.4电路整体分析 (18)5.5调试中出现的故障、原因及排除方法; (19)六、总结设计电路和方案的优缺点; (19)七、收获、体会; (20)八、参考文献、附件; (21)九、附录; (21)一、设计任务及要求任务:设计制作一个可自动测量NPN型硅三极管β值的显示测量仪。
要求:1.基本部分(1)对被测三极管的β值分三档;(2)β值的范围分别为80~120及120~160,160~200;其对应的分档编号分别是1、2、3;待测三极管为空时显示0,超过200显示4。
三极管详细介绍
三极管百科名片三极管三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。
什么是三极管三极管(也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称,我们常说的三极管,可能是如图所示的几种器件,可以看到,虽然都叫三极管,其实在英文里面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇电子三极管Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译,这是和电子三极管最早出现有关系的,所以先入为主,也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。
其余的那些被中文里叫做三极管的东西,实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的,否则就麻烦大咯,严谨的说,在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇!!!电子三极管Triode (俗称电子管的一种)双极型晶体管BJT (Bipolar Junction Transistor)J型场效应管Junction gate FET(Field Effect Transistor)金属氧化物半导体场效应晶体管MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor )注:这三者看上去都是场效应管,其实结构千差万别J型场效应管金属氧化物半导体场效应晶体管V沟道场效应管是单极(Unipolar)结构的,是和双极(Bipolar)是对应的,所以也可以统称为单极晶体管(Unipolar Junction Transistor)其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流,高放大倍数(跨道)新型功率晶体管,区别就是使用了V型槽,使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升,但是同时也大幅增加了MOS的输入电容,是MOS管的一种大功率改经型产品,但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。
XJ4810半导体管特性图示仪
3.7 XJ4810半导体管特性图示仪概述:XJ4810型半导体管特性图示仪,是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线,并可测量其静态参数的测试仪器。
本仪器主要由下列几个部分组成:Y轴放大器及X轴放大器;阶梯信号发生器;集电极扫描发生器;主电源及高压电源部分。
本仪器是继JT-l型晶体管特性图示仪后的开发产品。
它继承JT-l的优点,并有了较大的改进与提高,与其它半导体管特性图示仪相比,具有以下特点:1.本仪器采用全晶体管化电路、体积小、重量轻、携带方便。
2.增设集电极双向扫描电路及装置,能同时观察二级管的正反向输出特性曲线、简化测试手续。
3.配有双簇曲线显示电路,对于中小功率晶体管各种参数的配对,尤为方便。
4.本仪器专为工作于小电流超β晶体管测试提供测试条件,最小阶梯电流可达0.2μA/级。
5.本仪器还专为测试二级管的反向漏电流采取了适当的措施,使测试的反向电流I R 达20nA/div 。
6.本仪器配上扩展装置—XJ27100“场效应管配对测试台”可对国内外各种场效应对管和单管进行比较测试。
7.本仪器配上扩展装置—XJ27101“数字集成电路电压传输特性测试台”,可测试COMS,TTL数字集成电路的电压传输特性。
XJ4810型半导体管特性图示仪,功能操作方便,它对于从事半导体管机理的研究及半导体在无线电领域的应用,是一个必不可少的测试工具。
一、主要技术指标(l)Y轴编转因数:集电极电流范围:10μA∕div~500毫安/div,分15档,误差≤±3%;二极管反向漏电流:0.2μA∕div~5μA∕div分5档2μA∕div~5μA∕div 误差不超过±3%基极电流或基极源电压:0.05V/div,误差≤±3%;外接输入:0.1V/div,误差≤±3%;偏转倍率:×0.1 误差不超过±(10%±10nA)(2)X轴偏转因数:集电极电压范围:0.05~50V∕div,分10档,误差≤±3%;基极电压范围:0.05~1V∕div,分5档,误差≤±3%;基极电流或基极源电压:0.05V∕div,误差≤±3%;外接输入:0.05V∕div,误差≤±3%。
1-2_半导体三极管
场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电,是一种VCCS器件。
载流子参与导电是种器件半导体三极管是具有电流放大功能的元件频率:功率:材料:类型:1.2.1 三极管的结构及工作原理1.2.2 三极管的基本特性极管的基本特性1.2.3 三极管的主要参数及电路模型123三极管的主要参数及电路模型侧称为发射区,电极称为一侧称为发射区,电极称为e-b间的PN结称为发射结(Je)c-b间的PN结称为集电结(Jc)中间部分称为基区,连上电极称为基极,用B或b表示(Base);示向。
集电结反偏集电结反偏,有平衡少子的漂移运动形成的反向电流。
CBO基区空穴向发射区的扩散可忽略扩散可忽略。
进入P 区的电进入P子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBN数扩散到集电结。
3、三极管的电流分配关系I B定义:发射极直流电流放大倍数βICCEO忽略如输入电压变化,则会导致在流在定义:流放大倍数流放大倍数:的态信号时的(1)三极管放大电路的02.03 三极管的三种组态0203三极管的三种组态后达到集电极的电子电流的比值。
所以三极管的基本特性由基本特性曲线刻画,即各电极电压与电流的关系曲线,是其内部载流子运动的外部表现为什么要研究特性曲线:好的电路1. 输入特性曲线①死区②非线性区③线性区可以用解释即u CE 对i 的影响,可以用三极管的内部反馈作用解释,即:结和发射结的两个性曲线。
(反偏状态,可以将发射区注入基区的绝大多数非平衡少子收集到集电区,且基区复合减少,明显增大,特性曲线将向右稍微移动一些。
输出特性曲线=0V时,因集电极无收集作用,i C=0。
当uCEu稍增大时,发射结虽处于正向电压之下,但集电当稍增大时发射结虽处于正向电压之下但集电增加到使集电结反偏电压较大时如u增加到使集电结反偏电压较大时,如CEu CE ≥1V≥0.7Vu07BE运动到集电结的电子基本上都可以被集电再增区收集,此后uCE电流没有明加,电流也没有明显的增加,特性曲线进轴基本平行的入与uCE区域(这与输入特性曲增大而右移的共发射极接法输出特性曲线线随uCE饱和区的下方此时发射结反偏集电结反偏的下方。
三极管的识别分类及测量
三极管是一个电流控制器件,它用基极电流 IB 来控制集电极电流 IC 和发 射极电流 IE,没有 IB 就没有 IC 和 IE,只要有一个很小的 IB,就有一个很大的 IC。 在放大电路中,就是利用三极管的这一特性来放大信号的。
2、开关作用: 当三极管做开关时,工作在截止、饱和两个状态。 在三极管开关电路中,三极管的集电极和发射极之间相当于一个开关,当 三极管截止时它的集电极和发射之间的内阻很大,相当于开关的断开状态;当三 极管饱和时它的集电极和发射极之间内阻很小,相当于开关的接通状态。 导通状态的工作条件:UB>UE,且 UBE≥0.7V,CE 结内阻很小,此时电流可以从集 电极经 CE 结流向发射极。 截止状态的工作条件:UBE<0.7V,时,也就是基极没有电流时,CE 结内阻很大, 此时 CE 结没有电流流过。 硅三极管和锗三极管的导通、截止电压也是不同的: 硅三极管:导通电压 UBE>0.7V ,截止电压 UBE<0.7V。 锗三极管:导通电压 UBE>0.3V ,截止电压 UBE<0.3V。 六、 三极管的测量及好坏判断 1、三极管的测量
贴片三极管测量:
正视,两脚左下脚为 b 极(基极),测量方法同上
2、好坏判断 按以上方法测量时两组读数在 300--800 为正常,如果有一组数值不正常
三极管为坏,如果两组数值相差不大说明三极管性变劣。 测量 ce 两脚,如果读数为 0,说明三极管 ce 之间短路或击穿,如果读
数为 1,说明三极管 ce 之间开路 。
七、 三极管的代换原则(只适舍主板) 1、NPN型和PNP型三极管之间不能代换,硅管和锗管之间不能代换。
2、原则上要原型号代换,介在实际维修中很做到同型号代换,主板一般 采用的三极管大多是硅管,所以代换时,只须做到硅管代换硅管,NPN型代换 NPN型,PNP型代换PNP型即可。
电子技术实验--半导体器件的测试实验
半导体器件的测试实验实验组号__ __学号姓名实验日期成绩____ ___指导教师签名一、实验目的学会用万用表测试二极管、三极管的性能好坏,管脚排列。
二、实验器材1.万用表1只(指针式)。
2.二极管、三极管若干。
三、注意事项:1.选择合适的量程,使万用表指针落在万用表刻度盘中间的位置为佳。
2.测试电阻前应先调零。
3.测量时不要同时用手接触元件的两个引脚。
4.测量完毕时应将万用表的转换开关转向off位置或交流最高电压档。
5.不能用万用表测试工作中的元件电阻!四、实验内容1.半导体二极管的测试◆半导体二极管的测试要点:用指针式万用表测二极管的正反向电阻,当测得阻值较小的情况下,黑笔所接的极是二极管的正极。
(1)整流二极管的测试将万用表置于R⨯100Ω或R⨯1kΩ电阻档并调零,测量二极管的正、反向电阻,判断其极性和性能好坏,把测量结果填入表1中。
(2将万用表置于R⨯10kΩ电阻档并调零,测量二极管的正、反向电阻,判断其极性和性能好坏,把测量结果填入表2中。
2.半导体三极管的测试◆半导体三极管的测试要点:将万用表置于R⨯100Ω或R⨯1kΩ电阻档并调零。
①首先判基极和管型•黑笔固定某一极,红笔分别测另两极,当测得两个阻值均较小时,黑笔所接的极是基极,所测的晶体管是NPN管。
•红笔固定某一极,黑笔分别测另两极,当测得两个阻值均较小时,红笔所接的极是基极,所测的晶体管是PNP管。
②其次判集电极和发射极•对于NPN管:用手捏住基极和假设的集电极(两极不能短接),黑笔接假设的集电极,红笔接假设的发射极,观察所测电阻的大小。
然后将刚才假设的集电极和发射极对调位置,再重测一次,当测得电阻值较小时,黑笔所接的是集电极,另一电级是发射极•对于PNP管:用手捏住基极和假设的集电极(两极不能短接),红笔接假设的集电极,黑笔接假设的发射极,观察所测电阻的大小。
然后将刚才假设的集电极和发射极对调位置,再重测一次,当测得电阻值较小时,红笔所接的是集电极,另一电级是发射极。
实验一用万用表测量二极管三极管
如一种阻值均为无穷大,另一种为小数值, 则黑表棒假定旳B极错误,需重新假定直致找 到为止(如图6—49所示)。
33
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② 辨认集电极c和发射极e 常利用测量三极管旳电流放大系数β来鉴别。
1
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怎样读色环电阻阻值
ABC D
第 第第 第 一 二三 四 色 色色 色 环 环环 环
读法: AB×10C
(误差为D)
对照“色环电阻颜色相 应表”,读得此电阻阻 值为:
色环电阻 22.3KΩ 、1/4W
红 红 橙 金 22×103=22023=22.3KΩ
误差精度:5%
无色
20%
3
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电阻旳表达措施
符号 R(Resistance旳缩写)
单位 Ω (欧姆)
电路符号
常规表达
国际原则
1MΩ =1000KΩ 1KΩ =1000Ω
4
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色环电阻旳有关概念
标称阻值 电阻功率
电阻上本身标示电阻阻值大小,称为电阻 旳标称阻值。如常用到旳1K、2K、4.7K 电阻,实际上旳阻值与标示值会有偏差, 此偏差即为电阻旳误差。
电解电容。
■电解电容有极性。
正
■怎样判断其正负极:
﹡引脚短旳一端为“负”极
﹡电容表面有标“ ”相应
一端为“负”极
2.2 µF、50V
■如图片所示,“2.2 µF表达电容之 电解电容
负
容值;50V表达此电容之耐压值。
常用三极管电流放大系数
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常用三极管电流放大系数(大纲)一、三极管概述1.1三极管的基本概念1.2三极管的结构与类型1.3三极管的工作原理二、三极管的电流放大系数2.1电流放大系数的定义2.2电流放大系数的计算2.3常用三极管的电流放大系数特点三、常用三极管介绍3.1NPN型三极管3.1.19013三极管3.1.22N3904三极管3.2PNP型三极管3.2.19012三极管3.2.22N3906三极管3.3达林顿三极管3.3.1达林顿三极管的结构3.3.2达林顿三极管的电流放大系数四、三极管电流放大系数的影响因素4.1温度对电流放大系数的影响4.2电源电压对电流放大系数的影响4.3三极管工作状态对电流放大系数的影响五、三极管应用实例5.1放大电路中的应用5.2开关电路中的应用5.3模拟开关中的应用六、三极管选型与使用注意事项6.1三极管选型原则6.2三极管使用注意事项6.3三极管散热问题七、总结7.1三极管电流放大系数的重要性7.2常用三极管的电流放大系数特点及应用7.3影响三极管电流放大系数的因素及应对措施一、三极管概述三极管是电子技术中最为基础的半导体器件之一,它在电路中的应用非常广泛,主要是利用其电流放大功能来驱动其他电子元件。
模电习题(含答案)
1. _非常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。
2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体,前者中多数载流子是_自由电子_,少数载流子是_空穴_,后者中多数载流子是_空穴_,少数载流子是_自由电子_。
3. 本征硅中若掺入5价元素的元素,则多数载流子应是_自由电子_,掺杂越多,则其数量一定越_多_,相反,少数载流子应是_空穴_,掺杂越多, 则其数量一定越_少_。
4. P 区侧应带_负电_,N 曲一侧应带_正电_。
空间电荷区内的电场称为_内电场_,其方向从_N 区_指向_P 区_。
5. 在PN 结两侧外加直流电压,正端与P 区相连,负端与N 区相连,这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。
6. 半导体三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似,而输出特性曲线可以划分为三个工作区域,它们是_截止_区、_饱和_区和_放大_区。
7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响,当温度升高时,半导体三极管的β值_增大_,ICBO 值_增大_,UBE 值_减小_。
8. 半导体三极管能够放大信号,除了内部结构和工艺特点满足要求外,还必须具备的外部工作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。
9. 工作在放大区的某晶体管,当IB 从20微安增大到40微安时,Ic 从2毫安变为4毫安,它的β值约为_100_。
10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。
11. NPN 型硅三极管处于放大状态时,在三个电极电位中,其电位高低关系为_E B C U U U >>_;基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。
12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两大类,他们工作时有_自由电子_、_空穴_两种载流子参与导电。
13. 在用万用表测量二极管的过程中,如果测得二极管的正反向电阻都为0Ω,说明该二极管内部已_击穿_;如果所测得的正反向电阻都为无穷,说明该二极管已_断路损坏_。
老司机怎么测量三极管管型、管脚和性能?
老司机怎么测量三极管管型、管脚和性能?众所周知,三极管具有基极、集电极、发射极三极,另外还有NPN型还有PNP型,那么如何用最快的方法进行三极管测量来确认三极管的管脚和管型。
另外,三极管的工作状态是否可以通过三极管测量进行判断?接下来本网整理了老司机们到底如何进行三极管测量,原来三极管测量“此中有深意”:欲先善其事必先利其器:三极管到底有啥管型和管脚(半导体)三极管也称为晶体三极管,可以说它是(电子)电路中最重要的器件。
它最主要的功能是(电流)放大和开关作用。
三极管顾名思义具有三个电极。
(二极管)是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。
其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e 表示)。
由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。
三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。
三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。
实际上箭头所指的方向是电流的方向。
(电子制作)中常用的三极管有90×系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。
它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。
在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。
我国生产的(晶体管)有一套命名规则,电子工程技术人员和(电子爱好者)应该了解三极管符号的含义。
符号的第一部分“3”表示三极管。
符号的第二部分表示器件的材料和结构:A——PNP型锗材料;B——NPN型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。
符号的第三部分表示功能:U——(光电)管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。
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八、心得体会………………………………………………15
九、参考文献………………………………………………15
一、课题名称
半导体三极管β值及范围测量仪
二、设计内容及要求
任务:设计制作一个自动测量三极管直流放大系数β值范围及确定数值的装置
CD4532的真值表如下表所示:
根据CD4532的真值表可知:当控制使能端EI接高电平,VDD接高电平,VSS接低电平时,芯片工作在编码状态。输入端I4——I1分别接比较电路的四个运放输出端,I0接地,其余输入端I7——I5则接低电平,输出端Q0——Q3分别接译码器CD4511的输入端口。
(6)译码电路
1.254
0
69.5
2
34.639
2.409
1.256
0
69.5
2N5886
1
34.804
4.525
2.321
2
130.0
2
34.813
4.528
2.325
2
130.1
2N6474
1
34.857
0.485887
0.287435
0
13.9
2
34.851
0.480126
0.278100
0
13.8
五、组装调试
在单稳态触发器中,输出脉冲宽度满足以下关系:
Rw=1.1*(R17+2*R26)*C1
在本实验中,所需的输出脉冲宽度为1s,因此取C1=10uF,通过计算可取R17=30k,R26=30.45k即可。
(9)计数电路
该部分由二——五——十进制计数器74LS90构成,首先将芯片连成十进制(即将74LS90的1号引脚CLK1与12号引脚Q0相连),为精确显示计数共需用三片,分别显示各位、十位和百位,低位计数器的11号引脚Q3作为进位信号接到高位计数器的时钟信号端(即高位的14号引脚CLK0)。部分电路图如下:
一、基础部分:1、对被测NPN型三极管值分三档
2、β值的范围分别为80~120及120~160,160~200对应的分档编号分别是1、2、3;待测三极管为空时显示0,超过200显示4。
3、用数码管显示β值的档次
二、发挥部分:用3个数码管显示β的值,分别表示个位、十位和百位
三、工作原理
(1)设计思路:
发挥部分:3096PNP型三极管(两个),待测三极管NPN(三个),555定时器两个,开关两个,滑动变阻器1M欧姆(一个),电阻120k欧姆(一个),电阻10k欧姆(一个),电阻50欧姆(一个),电阻100k欧姆(一个),电阻300欧姆(三个),7408芯片(一个),74LS90芯片(三个),4511芯片(三个),数码管(三个)。
六、归纳总结
设计电路和方案的优缺点
优点:所设计的电路各单元功能明确,运用的器件较为精简,原理简单,实际电路易于搭建。
缺点:恒流源部分稳定性不够高,其恒流效果有待改进。本系统只能测NPN型三极管,不能测试PNP型三极管。发挥部分精确度不够,只能保证十位精确,而个位存在较大误差。
课题的核心及实用价值
本课题意在锻炼我们的数电与模电部分的理论与实践能力,其核心在于各类数电芯片的应用以及模电器件的使用,加强我们对于数电与模电知识的应用能力。
该电路把编码电路编成的二进制数译码成十进制数,以便于数码管显示。该电路功能主要由集成芯片CD4511完成。其封装图如下:
其中:A、B、C、D为数据输入端, 、 、LE为控制端。a~g为输出端,其输出电平可直接驱动共阴数码管进行0~9的显示。CD4511真值表:
根据CD4511的真值表,要使译码电路正常工作,LE接低电平, 、 接高电平,D端悬空,C、B、A、分别接编码器的三个输出端Q2、Q1、Q0。而八个输出端则接共阴数码管的输入端。
七、所需器件
面包板一块;导线若干;直流稳压电源一台;示波器;万用表;函数信号发生器一台
基础部分:3096PNP型三极管(两个),待测三极管NPN(三个),发光二极管四个,4532芯片一片,4532芯片一片,LM324芯片(一个),共阴极数码管一个,滑动变阻器105(一个),103(四个),电阻1.5k欧姆(一个),电阻1k欧姆(四个),电阻100欧姆(一个)。
(10)显示电路
该电路功能是用共阴七段数码管显示被测量的NPN型三极管 值的档次,注意接保护电阻,防止因电流过大而烧坏数码管。
共阴数码管的管脚图如下所示,a~g端可直接与CD4511的Qa~Qg端相连。
四、电路设计
基础部分:
此部分部分分为放大电路、取样电路+比较器电路、编码电路、译码电路、显示电路五个模块。设计框图如下:
R4为集电极取样电阻,取R4的值为510Ω
根据三极管电流IC=βIB的关系,被测物理量β转换成集电极电流IC,而集电极电阻不变,利用差分放大电路对被测三极管集电极上的电压进行采样。
差分放大电路原理如下所示:
根据理想运放线性工作状态的特性,由叠加原理可求得
当R1=R2=R3=Rf,Vo=Vi2-Vi1,作减法运算。
电路图:
发挥部分:
此部分的输入信号来自基本部分中采样电路的输出电压,包括压 控振荡器、定时控制电路、计数器、与门、译码及显示电路六个模块。
电路图:
测试数据
所用芯片
所测次数
待测三极管基极电流(uA)
待测三极管集电极电流(mA)
采样电路输出电压(V)
数码管示数
实测β值
2N2221
1
34.637
2.408
此外电路中差分放大电路还起隔离和放大的作用,故运放的同相和反相输入端的输入电阻应尽量取的大一些,故在此可取R5=R6=R7=R8=50kΩ。
差分放大电路的输出电压为:
(4)比较电路
设计要求可知,显示被测三极管β值范围为80~200,分三档显示为80~120,120~160,160~200。因此,应设定5个基准电压参考点,分别为80、120、160、200。根据公式 比较电压值。由R4、 、被测三极管β值即可计算出对应的基准比较电压:
通电前检查
电路安装完毕,首先直观检查电路各部分接线是否正确,检查电源、地线、信号线、元器件引脚之间有无短路,器件有无接错。
通电检查
接入电路所要求的电源电压,观察电路中各部分器件有无异常现象。如果出现异常现象,则应立即关断电源,待排除故障后方可重新通电。
自顶向下调试
接通电源后,按照理论值,从起始端按照信号的流向依次测试关键引脚的电压、电流等参数,逐步排除问题。
(7)压控振荡电路……………………………………………9
(8)定时控制电路……………………………………………9
(9)计数电路…………………………………………………10
(10)显示电路…………………………………………………10
四、电路设计………………………………………………11
五、组装调试………………………………………………13
(1)设计思路…………………………………………………3
(2)电流源电路………………………………………………4
(3)采样电路…………………………………………………4
(4)比较电路………………………………………………………5
(5)编码电路…………………………………………………6
(6)译码电路…………………………………………………8
1.将变化的β值转化为与之成正比变化的电压或电流量,再取样进行比较、分档。上述转换过程可由以根据三极管电流IC=βIB的关系,当IB为固定值时,IC反映了β的变化,电阻RC上的电压VRC又反映了IC的变化,对VRC取样加入后级进行分档比较。
2.将取样信号同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较,对应某一定值,只有相应的一个比较电路输出为高电平,则其余比较器输出为低电平。对比较器输出的高电平进行二进制编码,再经显示译码器译码,驱动数码管显示出相应的档次代号。
八、心得体会
通过课程设计,我对数电模电理论基础有了新的认知,动手实际操作能力有了很大的提高。作为一次完整的课程设计,设计并搭建一个具有完整功能的系统,需要我们掌握扎实的模拟电子技术基础和数字电子技术基础的相关知识,并能灵活的运用,并且能够把各个知识模块串接起来。
在进行实际搭建电路之前应做好各项准备工作,包括用Multisim仿真软件进行仿真,明确实验所需的器件的各个管脚的功能,了解个芯片的管脚图。
当β=80时,Uo1=VR4=Io* *R4=0.00003*80*500=1.224V
当β=120时,Uo1=VR4=Io* *R4=0.00003*120*500=1.836V
当β=160时,Uo1=VR4=Io* *R4=0.00003*160*500=2.448V
当β=200时,Uo1=VR4=Io* *R4=0.00003*200*500=3.060V
其次,三极管作为一类常用的模电器件,其β值是一个很重要的参数,设计一个系统来测量其数值是非常有实用价值的。
系统改进意见和展望
本系统使用了大量的数电与模电器件,其结构过于复杂繁琐。其次,本系统只能测NPN型三极管,却不能测PNP型三极管,这点有待改进。恒流源部分其恒流效果不是很好,导致系统的精准度不高。
(7)压控振荡电路
压控振荡电路原理图如上图所示。此电路主要由555定时器构成,其中,555芯片的VCC及RST引脚接+5V电源,GND引脚接地,CON引脚通过一0.1uF电容接地,THR和TRI引脚通过1K电阻与电源相连,通过1uF电容与地相连,DIS引脚与采样电路的输出相连。
(8)定时控制电路
定时控制电路原理图如上图所示。此电路主要由555定时器构成,成为单稳态触发器。
搭建时要一边搭建一边测试,测试好每一模块的功能,然后再把各个功能模块进行连接,最后再调试整体电路的功能。其次,调试的过程要认真仔细,按其各单元电路的连接顺序从头开始测试,各部分功能分开调试。