第一章 光电信息物理基础

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第一章 光电信息技术物理基础_§1.1理论基础

第一章 光电信息技术物理基础_§1.1理论基础

原子能级和结晶格能带之比较
(4)导体内的能带 以金属钠(Z=11)为例(如图)
空 带
半满带
3p
与1s 、2s 和 2p 原子能 级对应的能带:完全填满。 但 3s 能带:仅有一半被填 充。在外界电场的作用下,获 得额外的少许能量就可到能带 内附近许多空的状态去,形成电
3s
2p 2s
满 带 钠 (1s2 2s2 2p6 3s1 ) 晶体能带
U
UT
1)

当I = 0时,可以确定开路光电压Voc为
式中为Isc短路电流。
光生伏特效应的应用: (1)太阳电池;(2)光电探测 器件。
$1.1.5 热释电效应
热释电效应:某些晶体的电极化强度随温度变化而变化, 从而在晶体特定方向上引起表面电荷变化的现象。 此效应只能发生在不具有中心对称的晶体中。 某些晶体内正负电荷中心并不重合,有一定的电矩,其表 面容易吸附自由电荷以抵消总电矩所产生的宏观电场。温度变 化时,由于极化强度的改变而释放出表面吸附的部分电荷,从 而表现出热释电效应。
(2)杂质的电离能小于禁带宽度。
另外,因杂质原子数目少,所以杂质光电导效应
相对本征光电导来说也微弱得多。
掺有不同量砷施主杂质的掺金锗杂质光电导光谱分布曲线图 光电导在光子能量0.7eV附近陡起明显,表示本征光电导开始。在 本征光电导长波限左边(光子能量小于锗禁带宽度)的某一波长处曲线 迅速下降,这就是杂质光电导的长波限。此处光子能量为杂质电离能。
(b)n 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价 杂质元素(如磷、锑、砷等),即构成 N
型半导体(或称电子型半导体)。
每掺入一个杂质原子,就有一个额外电子。这些额外的电 子占有恰在导带下方的某些分立的能级 。

光信息物理基础 第1章 数学基础 第3讲

光信息物理基础 第1章 数学基础 第3讲

旋度
Az Ay A A Ay Az R ex ( ) ey ( x z ) ez ( ) y z z x x y
梯度的方向就是标量场变化 率最大的方向,其模就是变 化率的最大值。 在给定点,梯度沿任意方向 的投影就是沿这个方向的标 量场的方向导数。
n lim
A dl S
L 0
lim S 0 S
为矢量场在点M 处沿方向 n的环量面密度。 特点:其值与点M 处的方向 n有关。
环量面密度的计算公式
Ax Az Az Ay n ( ) cos(n , x) ( ) cos(n , y ) y z z x Ay Az ( ) cos(n , z ) x y
C 0
(C 是常矢量)
(uC ) u C (u 是标量场) (uF ) u F u F (F 是矢量场) (F G) F G ( F G ) G F F G (矢量场的旋度的散度 恒为零) ( F ) 0 ( u ) 0
10
利用积分中值定理:
Ax Az Az Ay [( ) cos(n , x) ( ) cos( n , y ) y z z x Ax ( ) cos(n , z )] S x y M
因此环量面密度为:
Ay
Ax Az Az Ay n ( ) cos(n , x) ( ) cos(n , y ) y z z x Ay Az ( ) cos(n , z ) x y
(1)矢量场的环量 矢量场A沿任一闭合曲线L的积分,称为环量。

第一章光电技术基础

第一章光电技术基础
M e,s, m 1.309T 5 1015 W·cm-2·μm-1·K-5
2、M 数值随温度升高很快。(M 峰值升高, 维恩曲(线wi下en面)积最增大大发,射M本也领大定)律:
描述黑体光谱辐射出射度的峰值与温度关系的公式
以上三个定律统称为黑体辐射定律。
意义何在?
第一章光电技术基础
10
例1-1 若可以将人体作为黑体,正常人体温度为 36.5℃,(1)试计算正常人体所发出的辐射出射 度为多少W/m2?(2)正常人体的峰值辐射波长 为多少μm?峰值光谱辐射出射度Me,s,λm为多少? (3)人体发烧到38℃时峰值辐射波长为多少?发 烧时的峰值光谱辐射出射度Me,s,λm又为多少?
1.本征吸收
在不考虑热激发和杂质的作用时,半导体中的电子基 本上处于价带中,导带中的电子很少。当光入射到半导体 表面时,原子外层价电子吸收足够的光子能量,越过禁带, 进入导带,成为可以自由运动的自由电子。 同时,在价带中留下一个 自由空穴,产生电子-空穴 对。如图1-9所示,半导体 价带电子吸收光子能量跃 迁入导带,产生电子空穴 对的现象称为本征吸收。
第一章光电技术基础
27
显然,发生本征吸收的条件是光子能量必须大于
半导体的禁带宽度Eg,才能使价带EV上的电子吸 收足够的能量跃入到导带底能级EC之上,即
hv Eg
(1-69)
由此,可以得到发生本征吸收的光波长波限
L
hc Eg
1.24 Eg
........(
m)
(0)
只有短于上述波长的入射辐射才能使器件产生
Le,
第一章光电技术基础
(1-54)
15
如图1-5所示为人眼的明 视觉光谱光视效率V(λ)
它为与波长有关的相对值。 注意短波长和长波长处

光电信息物理基础

光电信息物理基础
混合处理
结合模拟和数字处理技术,实现光电信息的综合处理。
光电信息处理技术的应用领域
通信领域
光纤通信、卫星通信、移动通信等, 利用光电信息处理技术实现高速、大 容量的信息传输和处理。
图像处理
利用光电信息处理技术对图像进行采 集、增强、识别等处理,广泛应用于 安防监控、医疗影像等领域。
光电子学
利用光电信息处理技术对光电子器件 进行性能测试、参数测量等,促进光 电子学的发展和应用。
主动式光电成像
通过发射光束照射目标,再接收反射回来的光束进行成像。
被动式光电成像
仅通过接收目标自身发出的光束(如红外辐射、紫外辐射等)进 行成像。
数字光电成像
将传统的模拟成像方式转换为数字方式,便于后续的数字信号处 理和图像处理。
光电成像技术的应用领域
01
02
03
04
安全监控
利用光电成像技术实现远距离 、夜间和隐蔽目标的监控和识
光电器件的工作原理
光电器件通过吸收光子能量, 使电子获得足够的能量跃迁至 导带,形成光电流。
光电器件通常由半导体材料制 成,利用其能带结构来实现光 电转换。
光电器件通过外部电路收集光 电流,实现光信号到电信号的 转换。
光电器件的种类及应用
光电二极管
将光信号转换为电信号的器件,用于光电检 测、光纤通信等领域。
04
光电成像技术
光电成像技术的原理
光电效应
当光子照射到物质表面时,能够 将能量传递给电子,使电子从束 缚状态进入自由状态,形成光电
流。
光电转换
利用光电效应将光信号转换为电 信号,为后续的信号处理提供基
础。
图像形成
通过光电转换后的电信号,经过 一系列的信号处理和图像处理,

信息光学导论 第一章

信息光学导论  第一章

第一章信息光学的物理基础1.1光是一种电磁波◆特定波段的电磁波光的波动性由大量的光的干涉、衍射和偏振现象和实验所证实,这是19世纪上半叶的 事.到了19世纪下半叶,麦克斯韦电磁场理论建立以后,光的电磁理论便随之诞生.光是一种特定波段的电磁波.可见光的波长A 在380~760 nm ,相应的光频按λ/c f =计算约为 1414104~108⨯⨯Hz 。

虽然齐整个电磁波增中光波仅占有一很窄的波段,它却对人类的生 命和生存、人类生活的进程和发展,有着巨大的作用和影响,还由于光在发射、传播和接收方面具有独特的性质,以致很久以来光学作为物理学的一个工要分支—直持续地皮勃发展着.◆主要的电磁性质光的电磁理论全面地揭示了光波的主要性质.现扼要分列如下,在以后的章节中不免时 有引用这其中的某些性质.(1)光扰动是—种电磁扰动.光扰动随时间变化和随空间分布的规律,遵从麦克斯韦电磁场方程组,这是普遍的麦充斯卡韦方程组在介质分区均匀空间中的表现形式.这里没有自由电荷,也没有传导电流,人们称其为自内空间.其中,ε是介质的相对介电常数、μ是介质的相对磁导率;),(t r E 表水电场强度矢量, ),(t r H 表示磁场强度矢量。

(2)光波是一种电磁波.由方程组(1.1)按矢量场论运算规则,推演出以下方程这里,2∇称为拉普拉斯算符,其运算功能在直角坐标系中表现为由此可见,(1.2)式正是波动方程的标准形式,这表明白由空间中交变电磁场的运动和变化具有波动形式,而形成电磁波.不论它是多么复杂的电磁波,具传播速度v 已被方程制约为由此获得真空中的电磁波速度公式为这里,00,με是两个可以由实验确定的常数,故真空电磁波速是一个恒定常数.按数据22120/1085.8m N C ⋅⨯=-ε,270/104A N -⨯=πμ,得真空电磁波速s m C /1038⨯=,如此巨大约波速惟有光速可以相比且惊人地相近.莫非光就是一种电磁波。

光电信息物理ppt

光电信息物理ppt

磁光器件
磁光调制器(电流传感器)
• 螺线管将电流调制信 号变成磁场调制信号
调制磁场 调制电流
• B // k ,
法拉第旋转
P1
恒定磁场 (偏置)
• 线偏光通过磁光介质,偏振面旋转,转角 磁场(电流)
• 检偏 P2 起偏 P1 ,检出偏转角大小——测出电流变化
探测
P2
二、光探测技术
——光电信息系统的解调
旋光现象:当线偏振光沿光轴方向通过某些天然介质时, 偏振面旋转的现象。
单色 自然光
偏振片1
石英晶片
偏振片2
P’2 (现消光)
P2 (原消光)
偏振化方向
d
光轴方向 (不产生双折射)
偏振化方向
1)右旋物质 面对着光源观察,使光振动面的旋转为顺时针的 旋光物质.(如葡萄糖溶液)
2)左旋物质 面对着光源观察,使光振动面的旋转为逆时针的旋光 物质.(如蔗糖溶液)
C
ny'
ny'
no
1 2
no3 63E3
相位延迟 z L处,两传播模有相位差(称作相位延迟)
ky' kx'
L
பைடு நூலகம்
C
L
no
1 2
no3 63Ez
no
1 2
no3 63Ez
k y' kx'
L C
L
no
1 2
n o 3
63E
z
no
1 2
n o 3
63E z
2 o
no3 63E3L
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开通VIP后可以享受不定期的VIP随时随地彰显尊贵身份。

《光电信息物理基础》课件

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课程结构
分为多个模块,每个模块讲 解一个光电信息技术的重要 内容,逐步深入。
光电信息技术,以及光电效应在信息技术中的应用。
半导体器件
介绍半导体器件的基本原理和主要类型,如二极管、三极管等。
光纤通信
讲解光纤通信的原理和应用,包括光纤传输的优势和技术。
光电传感器
光电传感器应用
介绍光电传感器在自动控制、物体检测和测量等方面的应用。
光电传感器原理
讲解光电传感器的工作原理和分类,如光电开关、光电编码器等。
光电测量技
介绍光电测量技术的原理和应用,如光电测距、光电测速等。
光电二极管
介绍光电二极管的结构、原理和应用,如光电探测、光电转换等。
光敏电阻
讲解光敏电阻的工作原理和特性,以及在光电传感方面的应用。
光电三极管
介绍光电三极管的基本结构和工作原理,以及它在光电传感器中的应用。
光电显示技术
LED技术
讲解LED的工作原理和种类, 以及在显示技术中的应用。
LCD技术
介绍液晶显示技术的原理和 应用,如液晶屏幕、平板电 视等。
《光电信息物理基础》 PPT课件
这是一份《光电信息物理基础》的PPT课件,旨在向大家介绍光电信息技术的 基本概念和应用。通过本课程,您将了解该领域的主要内容和结构。
课程介绍
课程目标
通过本课程,培养学生对光 电信息技术的兴趣,并掌握 相关基本概念和原理。
课程内容
介绍光电信息技术的基本原 理、器件和应用,包括光电 效应、半导体器件和光纤通 信等。
OLED技术
介绍OLED的结构和特性,以 及其在显示技术中的优势和 应用。
光电存储器件
光盘技术
介绍光盘的结构和工作原理,以及在数据存储和传输中的应用。

光电信息物理基础课后答案已整理

光电信息物理基础课后答案已整理

第一章作业解答1.1 给定三个矢量A ,B和C 如下:z y x e e e A 32-+=,z y e e B+-=4,y x e e C 25-=求(1)A e (A e表示矢量A 方向上的单位矢量);(2)B A ⋅;(3)C A ⨯解:(1)z y x z y x A e e e e e e A A e1431421413213222-+=++-+== (2)111)3()4(201-=⋅-+-⋅+⋅=++=⋅z z y y x x B A B A B A B A(3)z y x zy x e e e e e e C A 1215602 53 2 1 ---=--=⨯1.4 为课堂例题。

1.6 求标量场2226),,(z y x z y x +=ϕ在点P (2,-1,0)的梯度 解:梯度:()y x xy x z y x e e e z e y x e xy e ze y e x G482421212)0,1,2(22-=++=∂∂+∂∂+∂∂=∇=-ϕϕϕϕ1.7 求下列矢量场在给定点的散度(1))3(23x z e y e x e A z y x -++=在点P (1,0,-1)(2)xy e yz e y x e A z y x++=2在点P (1,1,0) 解:(1)散度:()6323)3()()()1,0,1(223=++=∂-∂+∂∂+∂∂=∂∂+∂∂+∂∂=⋅∇-y x zx z y y x x z A y A x A A z y x(2)()22)()()()0,1,1(2=+=∂∂+∂∂+∂∂=∂∂+∂∂+∂∂=⋅∇z xy zxy y yz x y x z A y A x A A z y x1.8 求下列矢量场的旋度(1)2223z e y e x e A z y x ++=; (2)xy e xz e yz e A z y x ++=解(1)旋度:)()()3()()()3(z 3222222222=⎥⎦⎤⎢⎣⎡∂∂-∂∂+⎥⎦⎤⎢⎣⎡∂∂-∂∂+⎥⎦⎤⎢⎣⎡∂∂-∂∂=∂∂∂∂∂∂=∂∂∂∂∂∂=⨯∇y x x y e x z z x e z y y z e y x z y x e e e A A A z y x e e e A z y x zy x z y x z y x(2)0)()()()()()(yz=⎥⎦⎤⎢⎣⎡∂∂-∂∂+⎥⎦⎤⎢⎣⎡∂∂-∂∂+⎥⎦⎤⎢⎣⎡∂∂-∂∂=∂∂∂∂∂∂=⨯∇y yz x xz e x xy z yz e z xz y xy e x xz y zy x e e e A z y x zy x第二章 习题答案高斯定理求解带电球面,带电球体,带电圆柱体及无限大均匀带电平面电荷分布,详见大学物理课本(教育上册P130-133)。

第1章 光电技术基础下

第1章 光电技术基础下

电阻率大于1012Ω·cm
电阻率为10-3—1012Ω·cm
半导体的独特性能
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,其应用 极其广泛,这是由半导体的独特性能决定的:
光敏性——半导体受光照后,其导电能力 大大增强;
热敏性——受温度的影响,半导体导电能 力变化很大; 掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质, 其导电能力极大地增强;
n N e , (1 e

) 载流子的平均寿命。
q dg d e, 2 hl
与电极间距 平方成反比
τ=1/Kf(ni+pi)称为
达到动态平衡状态时, n0 N e, μ为电子 光激发载流子引起半导体电导率的变化 n0 q 迁移率
bd qbd 本征半导 g N e , 体光电导 l l
+4
+4
空穴 硼
+3

+4
受主能级的存在使较高能量的电子 直接跳上它而不跳向导带,所以平 均电子的能量降低,费米能级降低。
3. N型半导体
在纯净的硅晶体中掺入五价元 素(如磷或锑),使之取代晶 格中硅原子的位置,就形成了 N(Negative)型半导体。五 个价电子,其中四个与相邻的 半导体原子形成共价键,必定 多出一个电子,它很容易被激 发而成为自由电子,该原子就 成了不能移动的带正电的离子。 每个五价原子给出一个电子, 称为施主原子。这种半导体又 称为“电子型半导体”。 因施主能级的存在可使较多电子高 跳上导带,在高能态的电子就多, 所以费米能级升高。 磷
导通压降 硅0.6~0.8V 锗0.2~0.3V
U
反向饱和电流
反向特性
P

+N
死区电压

光电信息物理基础——数学基础

光电信息物理基础——数学基础
大小和方向都保持不变的矢量称为常失;反之称为变 失。
矢量函数对时间和空间坐标变量的微分,仍然是一个 矢量。
第一章 数学基础
矢量线
为形象描述矢量场在空间的分布状态,引入矢量线概 念。
矢量线上的每一点的切线方向都代表该点的矢量场方 向。
矢量场中的每一点均有唯一的一条矢量线通过。
所有矢量线充满了整个矢量所在空间。如:电力线、 磁力线就是电场和磁场的矢量线。
矢量A和矢量B的标量积记为A ·B。
是矢量A和矢量B的夹角。
第一章 数学基础
若将矢量A和矢量B用直角坐标系方法表示,则有
两矢量的标量积满足交换律和分配律
B
5.两矢量的矢量积记为
矢量积是一个矢量,大小等于
A
是矢量A和矢量B的夹角。
方向垂直于矢量A和矢量B所决定的平面。
第一章 数学基础
两矢量的矢量积不服从交换律,满足分配律
同向,大小为A的m倍。
单位矢量:大小为1的矢量。如A的单位矢量表示
为。
一个矢量可以用该矢量方向上的单位矢量和该矢量
的大小相乘所得,即:
第一章 数学基础
任意矢量都可以分解为几个矢量,特别是可以分解为 沿坐标轴的互相垂直的分量。如在笛卡尔坐标系中, 矢量A可以分解为:
为坐标轴方向的单位矢量。
4.两矢量的标量积
第一章 数学基础
在场中取一点 ,由 点引射线,其方向由方向余弦

)确定。在l上取另一点M。

,
,定义u在 点沿l的方向导数

M
方向导数描述u在 点沿l方向的变化率。 设函数u在 点可微,方向导数在直角坐标系下可表示为
式中
(1.2-3) 为函数u在该点的偏导数,

光电信息物理复习_all

光电信息物理复习_all

c、方向导数和梯度的关系
ˆ g ra d u = en ∂u ∂l
1.2梯度、散度和旋度
2、散度和高斯定理
a、散度定义:
b、高斯定理:
意义:任一矢量场A的散度的体积分等于该矢量场穿过该体积的闭合 曲面的通量。
1.2梯度、散度和旋度
3、旋度和斯托克斯定理来自a、旋度定义:计算公式:
b、斯托克斯定理:
意义:矢量场旋度的面积分等于该矢量场沿包围该曲面的闭合 路径的线积分。

EC − EV k BT
ni = ( N C N V )
1/ 2
e
E Fi =
1 ( EC + EV ) 2
杂质充分电离时的载流子浓度
N型半导体:掺杂浓度为ND n=Nd+p 根据 np=ni2,得 p(Nd+p)=ni2,解得:
p= 1 2 ( − N D + N D + 4ni2 ) 2
故,
r B
v v v c、三重矢量积: A × ( B × C ) 、三重矢量积:
v v v v v 矢积 A × ( B × C ) 与 B, C 共面
v A
r B
r C
矢积大小为: 矢积大小为:
v v v v v v v v v A × ( B × C ) = B( A • C ) − C ( A • B)
p E F = Ei − k B T ln( ) ni
例题[8-1]
型硅, 试计算300K和500K 设N型硅,施主浓度 N d = 1.5 × 10 cm ,试计算 型硅 试计算 和 时电子和空穴的浓度和费米能级的位置。已知温度在300K 时电子和空穴的浓度和费米能级的位置。已知温度在 时本征载流子浓度分别为: 和500K时本征载流子浓度分别为: 时本征载流子浓度分别为

光电信息技术物理基础

光电信息技术物理基础

第十页,共14页。
上述两种类型的原始标准各有其一定的适应范围,在实际工作 中,两者互为补充。
辐射测量可分为相对测量和绝对测量两类。前者测量两同名 辐射度量之间的比值,因此测量系统不用定标,但必须有良好 (liánghǎo)的线性。在某些情况下,如测量选择性光学材料的积 分反射比或透射比,还要求测量系统的接收器在所考虑的波长 范围内是中性的。绝对测量要求测量辐射量的量值,因此测量 系统必须由辐射度标准定标。 2、光度标准与光度测量
第九页,共14页。
各种电校准绝对辐射计能测量辐射束的功率值,也是一种(yī zhǒnɡ)重要的辐射度原始标准。其基本原理如图1.2.1-6 所示,
图1.2.1-6 吉勒姆(Gilham)型 绝对(juéduì)辐射计原理图
接收面吸收入射 辐射,并把它转 化成热能,使吸 收体温度升高 (shēnɡ ɡāo)而引 起某种物理效应 (如温差电动势 )。然后遮断辐 射,向附着在吸 收体上的加热丝 通电流,使吸收 体受热升温引起 同等的物理效应 。
第八页,共14页。
图1.2.1-5黑体炉标定光谱辐射照度标准灯示意图
一定温度的黑体仅在有限的波长范围才能发出足够强
的辐射。因此,为要建立不同波长范围的积分辐射度标 准和光谱辐射度标准,就需要有不同温度的黑体炉。在 目前技术条件下,由高温黑体炉所建立的光谱辐射度标 准在短波方向只能达到250纳米。近十几年来,发展了同 步加速器辐射技术,可以作为从软X 射线、真空 (zhēnkōng)紫外辐射、紫外辐射、可见辐射、一直到近 红外辐射的原始标准。
图1.2.1-9 客观(kèguān)法光度测量 示意图 第十四页,共14页。
图1.2.1-2 距离平方反比法则和照度的余弦法则
第四页,共14页。

《光电信息技术》PPT课件

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序 前言
第一章:光电信息技术物理基础



§1.1 理论基础 §1.1.1 半导体能带理论 §1.1.2 光电发射效应 §1.1.3 光电导效应 §1.1.4 光伏效应 §1.1.5 热释电效应
21
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8
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专家倡导的“863计划”受信息化、数字 化、网络化浪潮的推动,中国的光电信 息市场和产业也呈现出高速增长态势, 成为拉动整个国民经济增长的第一支柱 行业。1999年底全国范围内建成了“八 横八纵”的光缆网.武汉、广东和长春
等地提出了建设中国光谷的规划。
现代信息技术的发展,迫切需要培
划的
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重点是光电子产业。据国家统计资料显 示,世纪具有代表意义的主导产业,第 一是光子产业,第二是信息通信产 业……”。 我国政府十分重视光电子技术和产 业的发展,已将它列入国民经济优先发 展的领域,把光电子产业列为国家重点 发展计划,继1986年3月王大恒等四位
8 .试设计一个用于水下作业的光纤开关系统, 用双向可控硅控制用电器。请画出全部电子线 路图。

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§4.2.2 光电遥控 §4.2.3 光纤开关 §4.3 光纤通信 §4.3.1 光纤通信原理及构成 §4.3.2 光纤通信系统 §4.3.3 光纤网络系统 §4.4 光纤传感器 §4.4.1 元件型光纤传感器 §4.4.2 传输型光纤传感器
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1光电技术基础

1光电技术基础

1.5 半导体
杂质半导体 n 型半导体 掺入少量五价元素时形成n 当四价的元素中 掺入少量五价元素时形成n 型半导 硅中掺入杂质磷后, 体。如:硅中掺入杂质磷后,磷原子在硅中形成局部 能级位于导带底附近(称为施主能级)。 能级位于导带底附近(称为施主能级)。 一般温度下, 一般温度下,杂质的价电子很容易被激发跃迁至导 成为导电电子,使导带中的电子浓度大大增加。 带,成为导电电子,使导带中的电子浓度大大增加。 型半导体以电子导电为主。 n 型半导体以电子导电为主。
辐射能Q 辐射能Qe 一种以电磁波的形式发射、传播或接受的能量。 一种以电磁波的形式发射、传播或接受的能量。单 焦耳[J] 位:焦耳[J] 辐射通量Φ 辐射通量Φe 单位时间内通过一定面积发射、传播或接受的能量, 单位时间内通过一定面积发射、传播或接受的能量, 又称辐射功率P 是辐射能的时间变化率。单位: 又称辐射功率Pe,是辐射能的时间变化率。单位: 瓦[W] 辐射强度I 辐射强度Ie 点辐射源在给定方向上通过单位立体角内的辐射通 单位:[W/Sr] :[W/Sr 量。单位:[W/Sr]
Eb =
∫0

Ebλ d λ = ∫0

c1λ−5 ec
2
( λT )
−1
dλ = σT 4
式中,σ= 5.67×10-8 w/(m2⋅K4),是Stefan-Boltzmann常数。 常数。 式中, × ⋅ , 常数
黑体辐射函数 黑体在波长λ1 λ1和 黑体在波长λ1和λ2 区段内所发射的辐射 如图所示。 力,如图所示。
物体对热辐射的吸收反 射和穿透
α + ρ + τ =1
•对于大多数的固体和液体: 对于大多数的固体和液体: 对于大多数的固体和液体 τ •对于不含颗粒的气体: 对于不含颗粒的气体: 对于不含颗粒的气体 α = 1 •对于黑体: 对于黑体: 对于黑体 •镜体或白体: 镜体或白体: 镜体或白体 •透明体: 透明体: 透明体

第一章光电技术基础课件

第一章光电技术基础课件
第一章光电技术基础
优选第一章光电技术基础
成绩考核&a成绩:30% 期末考试:70% 致谢 承蒙参考书目、论文为课件提供了理论 承蒙许多网站提供了各种资料
声明 此课件仅仅用于课堂教学,不得用于其他 商业用途
基本内容
第1章 光电技术基础 第2章 光电导器件 第3章 光生伏特器件 第4章 光电发射器件 第5章 热辐射探测器件 第6章 发光器件与光电耦合器件 第7章 光电信息变换 第8章 图像信息的光电变换 第9章 光电信号的数据采集与计算机接口技术 第10章 光电信息变换技术的典型应用 第11章 光电技术的新发展
系 信 通 纤
用能
大规模集中发电 太阳能汽车 宇宙发电
绿色能源

光的特征和 应用技术
统光
光电子计算机 超高速运算(ps~fs) 2维并行处理
应 RS光
智 能 系 统
SR应 用 测 量
光互连


光谱测量


物理性质测量 表面、界面测量
相 干 性



光医疗应用 激光手术刀
高能量密度 激光切割 激光核聚变 高密度等离子体 激光枪
光辐射源:
可见光: 太阳, 白炽灯, 日光灯, 激光器, 发 对于不透明的物体,单色吸收比
景非常可观,可用来切割、焊接、打孔、热 本节介绍热辐射的一些基本定律。
通过对标准光度观察者的实验测定,在波长555nm处,L 有最大值,其数值为Lm=683 lm/W。 色温度是指在规定两波长处具有与热辐射光源的辐射比率相同的黑体的温度。
(第处1)7在章辐理射光度电单信、位息体变系换划片、光刻以及用来进行手术、镇痛、
光电子产业
1. 信息光电子产业

《光电信息的物理基础》“课程思政”教学设计案例

《光电信息的物理基础》“课程思政”教学设计案例

一、案例简介《光电信息的物理基础》是光电工程方向的基础性课程,和现代光学联系紧密,涵盖导波光学理论、量子物理、固体物理以及半导体物理等多门课程中基础性内容,偏重基础知识架构的建立,理论和实践的关联是学生学习积极性以及创新思维培养的关键。

本课程的“课程思政”教学以课程为基础,着眼于现代光学技术和现代科技进步的关联,发掘学科的人文元素,尊重历史,结合现实,强调世界科技面临的竞争,既不妄自菲薄,也不狂妄自大,以科学严谨的思维,帮助学生将自身专业发展和国家科技进步需求自觉融合。

作为课程开篇的重要内容,《光的认知和科技挑战》这个案例,从光学认知的感性认知和科学认知的历史进程,探讨我国从感性认知阶段的领先到科学认知阶段的相对滞后演化的进程,突出科学认知中导波光学理论、量子物理、固体物理以及半导体物理的内容,建立课程的整体框架。

进而以现代光学的进展和其在多个领域的广泛应用,并以光刻技术中突破衍射极限的spp技术为例,介绍现阶段我国应对科技挑战与课程内容的关联,试图建立学生的民族自信并激发学生积极投身我国科技进步的热情。

二、教学设计(一)教学内容《光电信息的物理基础》课程框架及现代光学的应用前景简介。

(二)教学设计教学对象:光电信息科学工程三年级本科生,完成了普通物理、电磁场与电磁波等课程的学习。

(1)引入:以手机中的光学技术引入课程与现代科技及产品的关联,指出光学是21 世纪科学与工程交叉的关键学科,强调以光为基础的工业应用改变了社会,以光为基础的技术越来越多的为全球挑战提供解决方案,包括太阳能利用,特别是能源、教育、农业和公共卫生等领域。

引入过程要有意识将光学技术进行分割切块,将隐含几何光学、物理光学、信息和现代光学理论的光学技术分块集中,为后续光学认知的内容埋下伏笔。

(2)勾连和巩固前修知识:在引入内容的基础上,提出光的认知问题。

以17世纪为分野,光的认知分为感性认知与科学认知的两大阶段。

以中国古籍记载,如《墨经》(光的直线传播)、《潜夫论》(光源)、《梦溪笔谈》(成像焦点)和苏轼关于海市蜃楼(光的折射)的诗句等,归纳出中国古人在直观体验的感性认知上是很有创造力的,突出中华古人具备科学探索的强大基因。

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高斯公式作用: 高斯公式作用:封闭曲面积分转换为体积分
∆ψ div A = lim ∆v − >0 ∆ v ∆ψ = ∫ A • dσ =
d S = ds cos( n , x ) i + cos( n , y ) j + ds cos( n , z ) k d S = dydzi + dzdxj + dydxk
2)通量定义、表达式、 证明过程 )通量定义、表达式、
矢量A沿任一有向曲面S的面积分,叫做矢量场穿过曲面 叫做矢量场穿过曲面S的 矢量 沿任一有向曲面 的面积分 叫做矢量场穿过曲面 的通量 沿任一有向曲面
3.怎么学习 信息物理基础? 怎么学习 信息物理基础?
第1章 数学基础 章
§1.1 矢量代数和矢量函数
1.矢量 1.矢量 需用量值表示其大小,又需要指明方向的量,叫矢量,例如力、速 度、加速度、动量、角动量等都是矢量。 需用数值和单位(合称量值)表示其大小的量,叫标量,如长度、时 间、质量、温度、能量等都是标量 用带箭头的字母 A (例如、等)或黑斜体字母(如A、D等)表示矢量。 矢量的大小又称矢量的模,并用 A ,表示。
动态场 动态场或时变场 动态场
F f
的物理状态与时间无关
矢量和矢量场的不变特性
F 2 = Fx + Fy + Fz = Fr + Fϕ + Fz = Fr + Fθ + Fϕ
2 2 2 2 2 2 2 2
2
矢量函数对时间和空间坐标变量的微分,仍然是个矢量
矢量线 为了形象地描述矢量场在空间的分布状态,引入矢量线概念。 矢量线上的每一点的切线方向都代表该点的矢量场方向。矢量 场中的每一点均有唯一的一条矢量线通过。所以矢量线充满了 整个矢量所在空间。 电力线、磁力线就是电场和磁场中的矢量线 任一点的切向长度元 A 与该点矢量场 dl 的方向平行
4)散度定义(divA)(标量) 、表达式、证明过程 )散度定义 (标量) 表达式、 定义:设有矢量场 于场中任一点 于场中任一点m的某个邻域内作一包含 定义:设有矢量场A,于场中任一点 的某个邻域内作一包含 在内的任一闭曲面 设其包围的空间区域为 点m在内的任一闭曲面△s,设其包围的空间区域为△ ,以△v表 在内的任一 以 示其体积, 表示从其內部穿出S的通量 的通量,若当 示其体积, 以△Ψ表示从其內部穿出 的通量 若当△ 以任意 方式缩向 点时,比式 缩向m点时 的极限存在, 方式缩向 点时 比式 的极限存在,则称此极限为矢量场 点处的散度 记为: 散度, 在m点处的散度,记为:
C为常量
grad ( u ± v ) = grad v ± grad u grad ( uv ) = u × grad v + v × grad u
u v × grad u − u × grad v grad ( ) = v v2
grad f ( u ) = f ′ ( u ) grad u
3 矢量场的通量和散度 1)面积矢量定义 )面积矢量定义 定义:面积矢量是大小等于该面元的面积, 定义:面积矢量是大小等于该面元的面积,方向和该面元的外法 线方向一致。 线方向一致。
F ( x, y , z , t )
F ( x, y, z ) = ax Fx ( x, y, z ) + a y Fy ( x, y, z ) + az Fz ( x, y, z )
一个矢量函数对应三个标量函数
Fx ( x, y, x)
F y ( x, y , x )
Fz ( x, y, x)
静态场 静态场
2.矢量加减运算 2.矢量加减运算
A ∓ B=C
加法服从交换律
A+B=B+A
服从结合律
A+B+C=(A+B)+C=A+(B+C )
常矢 和 变矢
大小和方向都保持不变的矢量称
3 单位矢量和分矢量 大小为 的矢量 单位矢量和分矢量:大小为 大小为1的矢量
A= | A | A
A
0
0
单位矢量表示为。
任一矢量可以分解为几个矢量,它们的和就是这个矢量。特别是可 以分解为沿坐标轴的互相垂直的分量
信息物理基础
1.信息物理基础是什么? 信息物理基础是什么? 信息物理基础是什么 1)信息及信息技术 ) 信息:物质或能量在空间和时间上的分布。 信息:物质或能量在空间和时间上的分布。光、电、声、磁、 气压、温度、 气压、温度、气味等等 信息技术主要包括: 信息技术主要包括: 信息产生、信息传输、 信息产生、信息传输、信息采集 、信息处理 信息产生: 信息产生:载体产生和信息调制 信息采集: 信息采集:传感器 类似人的感观系统(眼、鼻子、耳朵、)系统,负责获 类似人的感观系统( 鼻子、耳朵、)系统, 、)系统 得原始信息, 得原始信息,主要由各类传感器完成
ˆ d S = n ds
面积矢量直角坐标系下的表达式: 面积矢量直角坐标系下的表达式:
dS = idsx + jdsy + kdsz
dsx = dydz
dsy = dzdx
dsz = dydx
面积矢量直角坐标系下的表达式证明过程: 面积矢量直角坐标系下的表达式证明过程:
d S = n 0 ds d S = [cos( n , x ) i + cos( n , y ) j + cos( n , z ) k ]ds
ψ
=

S
A • d σ
ψ = 矢量A在闭合曲面S的 矢量 在闭合曲面 的通量 通量在直角坐标系中表示法: 通量在直角坐标系中表示法:
ψ =

S
A • dσ
+ Rdydx
∫∫
S
Pdydz
+ Qdxdz
通量在直角坐标系中表示法的证明过程: 通量在直角坐标系中表示法的证明过程:
A = iP( x, y, z ) + jQ( x, y, z ) + kR( x, y, z ) d S = idydz + jdzdx + kdydx
i A × B= A x Bx
j Ay By
k Az Bz
6 有三种形式
三矢量相乘
A(B • C )
A• B×C
所谓三重标量积
它表示要先求矢量积,然后求标量积,其结果为一个标量,即为平 行六面体的体积
A • B × C = B • C × A= C • A × B
A × (B × C )
A × (B × C ) B (A • C )-C(A • B ) =
场分类 (1)标量场 标量场 (1)稳定场 稳定场
(2)矢量场 矢量场 (2)不稳定场 不稳定场
标量函数与矢量函数 只有确定数值的标量可以是空间坐标(如直角坐标系中的x、y、z) 和时间t的函数,我们称为标量函数。 f ( x, y , z , t ) 有确定方向的物理量的矢量,一般都是一个或几个(标量)变量的 函数,称为矢量函数
标量场梯度gradU(矢量) (矢量) 标量场梯度 定义:若在标量场 中一点M处,存在一个矢量 G ,且 G 满足如下 定义 若在标量场u中一点 处 且 若在标量场 中一点 两个条件: 两个条件: 方向:为 在 点变化率最大方向 点变化率最大方向; 方向 为u在M点变化率最大方向; 点最大变化率的数值, 模:为u在M点最大变化率的数值 为 在 点最大变化率的数值 为标量场u在 点处的梯度 点处的梯度. 则称 G 为标量场 在M点处的梯度
grad u = G
梯度在直角坐标系中表达式
grad u = ∂u ∂u ∂u i + j + k ∂x ∂y ∂z
∂ ∂ ∂ + j +k 引进矢量微分算子 ∇ = i ∂z ∂x ∂y ∂u ∂u ∂u 则梯度为: 则梯度为: ∇ u = i + j +k ∂x ∂y ∂z
梯度运算基本公式
grad c = 0 grad cu = c grad u
ψ =
∫∫ A • d S = ∫∫ Pdydz
S S
+ Qdxdz
+ Rdydx
3)封闭曲面通量的物理意义 )
ψ =

S
A • dσ
ψ > 0 ψ < 0 ψ = 0
封闭曲面内有源 封闭曲面内有负源 封闭曲面内无源
封闭曲面通量的缺点:是一个整体的描述,不能描 封闭曲面通量的缺点:是一个整体的描述, 述内部源的分布情况,如何描述内部的分布? 述内部源的分布情况,如何描述内部的分布?
梯度、 §1.2 场、梯度、散度和旋度
1. 场的摡念 如果在全部空间或部分空间里的每一个点,都对应着某个物 如果在全部空间或部分空间里的每一个点 都对应着某个物 理量的一个确定的值 确定的值,就说在这个空间里确定了该物理量的 理量的一个确定的值 就说在这个空间里确定了该物理量的 一个场。 一个场。 温度场 电势场 电场 磁场
A • B=B • A
(A+B ) • C=A • C+B • C
A×B
它的大小等于
| A || B | sin θ
5 两矢量的矢量积
其方向垂直于两矢量所决定的平面,并且满足右手螺旋定则 不服从交换律,但满足结合律
(A+B )× C=A × C+B × C
直角坐标系方法表示,则有
A × B=-B × A
2.标量场的方向导数和梯度 标量场的方向导数和梯度 标量场方向导数 标量场中,分布于各点的物理量是其空间坐标的单值函 标量场中, 数,即:
φ
= φ ( x , y , z )
定义:设 m0为标量场 中的一点 从点m0 出发引一条射线 在点 中的一点,从点 出发引一条射线L,在点 定义 设 为标量场u中的一点 m0 的邻近取一点 m ,记 mm0 = ρ 若当 m → m0 时, ∆u 记 ρ 的极限存在,则称此极限为函数在 的极限存在 则称此极限为函数在m0 处沿方向L的方向导数
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