vasp在计算磁性的实例
vasp在计算磁性的实例和讨论
vasp在计算磁性的实例和讨论兄弟，问3个问题1，vasp在计算磁性的时候，oszicar中得到的磁矩和outcar中得到各原子磁矩之和不一致，在投稿的是否曾碰到有审稿人质疑，对于这个不一致你们一般是怎么解释的了？2，另外，磁性计算应该比较负责。
你应该还使用别的程序计算过磁性，与vasp结果比较是否一致，对磁性计算采用的程序有什么推荐。
ps：由于曾使用vasp和dmol算过非周期体系磁性，结构对磁性影响非常大，因此使用这两个程序计算的磁性要一致很麻烦。
还不敢确定到底是哪个程序可能不可靠。
3，如果采用vasp计算磁性，对采用的方法和设置有什么推荐。
1，OSZICAR中得到的磁矩是OUTCAR中最后一步得到的总磁矩是相等的。
总磁矩和各原子的磁矩(RMT球内的磁矩)之和之差就是间隙区的磁矩。
因为有间隙区存在,不一致是正常的。
2，如果算磁性，全电子的结果更精确，我的一些计算结果显示磁性原子对在最近邻的位置时，PAW与FPLAW给出的能量差不一致，在长程时符合的很好。
虽然并没有改变定性结论。
感觉PAW似乎不能很好地描述较强耦合。
我试图在找出原因，主要使用exciting和vasp 做比较。
计算磁性推荐使用FP-LAPW, FP-LMTO, FPLO很吸引人(不过是商业的)，后者是O(N)算法。
3，使用vasp计算磁性，注意不同的初始磁矩是否收敛为同一个磁矩。
倒没有特别要注意的地方，个人认为。
归根结底，需要一个优秀的交换关联形式出现VASP计算是否也是像计算DOS和能带一样要进行三步（结构优化，静态自洽计算，非自洽计算），然后看最后一步的出的磁矩呢？一直想计算固体中某个原子的磁矩，根据OUTCAR的结果似乎不能分析，因为它里面总磁矩跟OSZICAR的值有一定的差别，据说是OUTCAR中只考虑WS半径内磁矩造成的。
最近看到一个帖子说是可以用bader电荷分析方法分析原子磁矩。
如法炮制之后发现给出的总磁矩与OSZICAR的结果符合的甚好，可是觉得没有根据，有谁知道这样做的依据吗，欢迎讨论！设置ISPIN=2计算得到的态密度成为自旋态密度。
VASP第一性原理计算与案例详解
VASP第⼀性原理计算与案例详解V ASP第⼀性原理计算与案例详解⽬录第⼀章 LINUX命令 (3)1.1 常⽤命令 (3)1.1.1 浏览⽬录 (3)1.1.2 浏览⽂件 (3)1.1.3 ⽬录操作 (3)1.1.4 ⽂件操作 (3)1.1.5 系统信息 (3)第⼆章 SSH软件使⽤ (4)2.1 软件界⾯ (4)2.2 SSH transfer的应⽤ (5)2.2.1 ⽂件传输 (5)2.2.2 简单应⽤ (5)第三章 VASP的四个输⼊⽂件 (5)3.1 INCAR (5)3.2 KPOINTS (6)3.3 POSCAR (6)3.4 POTCAR (7)第四章实例 (8)4.1 模型的构建 (8)4.2 VASP计算 (11)4.2.1 参数测试（VASP）参数设置 (11)4.2.2 晶胞优化(Cu) (18)4.2.3 Cu(100)表⾯的能量 (20)4.2.4 吸附分⼦CO、H、CHO的结构优化 (22)4.2.5 CO吸附于Cu100表⾯H位 (24)4.2.6 H吸附于Cu100表⾯H位 (25)4.2.7 CHO吸附于Cu100表⾯B位 (26)4.2.8 CO和H共吸附于Cu100表⾯ (28)4.2.9 过渡态计算 (29)第⼀章 Linux命令1.1 常⽤命令1.1.1 浏览⽬录cd: 进⼊某个⽬录。
如：cd /home/songluzhi/vasp/CH4cd .. 上⼀层⽬录；cd / 根⽬录；ls: 显⽰⽬录下的⽂件。
注：输⼊⽬录名时，可只输⼊前3个字母，按Tab键补全。
1.1.2 浏览⽂件cat：显⽰⽂件内容。
如：cat INCAR如果⽂件较⼤，可⽤：cat INCAR | more (可以按上下键查看) 合并⽂件：cat A B > C (A和B的内容合并，A在前，B在后) 1.1.3⽬录操作mkdir：建⽴⽬录；rmdir：删除⽬录。
如：mkdir T-CH3-Rh1111.1.4 ⽂件操作rm：删除⽂件；vi：编辑⽂件；cp：拷贝⽂件mv：移动⽂件；pwd：显⽰当前路径。
vasp计算
vasp计算3, Xming用gnuplot是gnu文件里面要加pause -14,INCAR 字符太长，vasp_lib里面要改drdatab.F文件，255改大，重新编译5 声子谱：phononp –d –dim=”3 3 1”6 vasp编译gama版本的：在第二个CPP加上-DwNGZhalf就行。
7 ISMEAR=-5，电荷密度和DOS之类的电子结构和总能准，但是算力不准，所以对于算声子谱，最好不用-5。
对于金属，声子谱一般用DFPT会更准。
对于半导体和绝缘体，不能用ISEMAR>0的，只能是-5或者0.对于金属，ISMEAR=1，sigma=0.28 DFPT不能用NPAR phonopy -d --dim="2 2 2" -c POSCAR-unitcellmv SPOSCAR POSCAR静态计算：IBRION=8，IALGO=38对于金属ISMEAR=1，sigma=0.2phonopy --fc vasprun.xmlband.conf里面要添加：FORCE_CONSTANTS = READphonopy -p -c POSCAR-unitcell band.conf一般来说，对于金属，或者窄能隙半导体，如果用位移法，则需要很大的胞才能算准，但是用DFPT则可以小包算准。
对于金属，PBE 可能更好点。
9, 如果体系较大，EDIFF达到停止计算，很可能是K点取太多，内存不够。
10, bandplot --gnuplot band.yaml >> phon.dat，用origin做声子谱11，画CBM和VBM的partial charge,读入静态的WA VECAR，进行处理，此时要设置INCAR，LPARD = .TRUE. 开关IBAND = 480 481 VBM CBMNBMOD = 1 默认KPUSE = 1 第几个K点LSEPB = .TRUE. vasp查LSEPK = .TRUE.12，算极化：铁电相和顺电相都要算，每一个相算三次。
2-VASP计算教程第二课-氧原子能量及磁性的计算
V ASP计算教程第二课氧原子能量及磁性的计算课程目标：正确计算孤立氧原子的能量与磁性。
课程正文：一、磁性对孤立氧原子能量计算的影响氧的原子序号为8，电子排布为[He]2s22p4。
如下图所示，其内层有两个电子，外层有六个电子，原子轨道可表示为：可见其2p轨道有两个未配对电子，因此氧原子具有磁性，磁矩为2μB。
拓展阅读：物质的磁性1、孤立原子的磁性原子的磁矩主要来源于电子的轨道磁矩和自旋磁矩。
原子中电子的自旋方式分为上下两种（如上图氧原子轨道表示方法所示，上下箭头表示电子的自旋上下），在大多数物质中，自旋向上的电子和自旋向下的电子数目相等，产生的磁矩会相互抵消，因此整个体系对外不显示磁性。
而在一些物质内部，自旋向上和自旋向下的电子数目不相等，部分电子的自旋磁矩不能被抵消，体系便会显示磁性。
多电子原子所处的电子状态（电子的数量以及排布情况）决定了原子的磁性。
原子中内部的满壳层角动量和磁矩均为零，对磁性并不产生贡献，因此电子状态主要取决于靠外的不满壳层。
上图所示的氧原子包含8个电子，K壳层的1s轨道有两个电子（自旋方向一上一下），L壳层有六个电子，其中2s轨道有两个电子（自旋方向一上一下），2p轨道有四个电子（自旋方向三上一下）。
可以看出，内壳层（K）的电子自旋磁矩相互抵消，对原子磁性不产生贡献，而外壳层（L）经过抵消将会剩余两个自旋向上的电子，因此氧原子对外显示2μB的磁矩。
如上所述，绝大部分原子体系的较外壳层并未填满电子，因此在使用V ASP计算孤立原子时需要考虑磁性。
2、固体的磁性固体材料按照磁性一般可以分为两类：包含顺磁离子的固体和不包含顺磁离子的固体。
顺磁离子是指d轨道未填满的过渡元素或f轨道未填满的稀土元素。
不含顺磁离子的固体包括金属、半导体、离子晶体，这些固体一般会呈现微弱的顺磁性或抗磁性。
包含顺磁离子的固体大都是磁性材料，顺磁离子结合成固体时存在不满壳层，因此会保持固有的磁矩，表现出较强磁性，如铁，钴，镍等。
VASP磁性计算总结篇
在线说明书整理出来的非线性磁矩和自旋轨道耦以下是从VASP合的计算说明。
非线性磁矩计算：和CHGCAR文件。
1）计算非磁性基态产生WAVECAR）然后INCAR中加上2ISPIN=2文件和CHGCAR11 ！读取WAVECAR ICHARG=1 或LNONCOLLINEAR=.TRUE. MAGMOM=注意：①对于非线性磁矩计算，要在x, y 和 z方向分别加上磁矩，如MAGMOM = 1 0 0 0 1 0 ！表示第一个原子在x方向，第二个原子的y方向有磁矩②在任何时候，指定MAGMOM值的前提是ICHARG=2（没有WAVECAR和CHGCAR文件）或者ICHARG=1 或11（有WAVECAR和CHGCAR文件），但是前一步的计算是非磁性的（ISPIN=1）。
磁各向异性能（自旋轨道耦合）计算：注意： LSORBIT=.TRUE. 会自动打开LNONCOLLINEAR= .TRUE.选项，且自旋轨道计算只适用于PAW赝势，不适于超软赝势。
．自旋轨道耦合效应就意味着能量对磁矩的方向存在依赖，即存在磁各向异性能（MAE），所以要定义初始磁矩的方向。
如下：LSORBIT = .TRUE.SAXIS = s_x s_y s_z (quantisation axis for spin)默认值： SAXIS=(0+,0,1)，即x方向有正的无限小的磁矩，Z方向有磁矩。
要使初始的磁矩方向平行于选定方向，有以下两种方法：MAGMOM = x y z ! local magnetic moment in x,y,zSAXIS = 0 0 1 ! quantisation axis parallel to zorMAGMOM = 0 0 total_magnetic_moment ! local magnetic moment parallel to SAXIS （注意每个原子分别指定）SAXIS = x y z ! quantisation axis parallel to vector (x,y,z)，如 0 0 1两种方法原则上应该是等价的，但是实际上第二种方法更精确。
Vasp入门+实例
(1). 生成4个输入文件: POSCAR POTCAR INCAR KPOINTS
Hcp-Mg 3.208 0.5 -0.866 0 0.5 0.866 0 0.0 0.0 1.6 2 Direct 0.0 0.0 0.0 0.66667 0.33333 0.5
VASP提供 各种POTCAR
K-Points 0 Monkhorst Pack 21 21 21 000
c/a
� 1� 3 � a1 � a( i � j)
22 � 1� 3 � a2 � a( i � j)
22 �� a3 � ck
System =hcp Mg ISTART = 0 ENCUT = 150.0 NELM= 200 EDIFF = 1E-04 EDIFFG = -0.02
NPAR=4 NSW=1 IBRION = 2 ISIF=2 ISYM = 1
TITEL = US Si LULTRA = T use ultrasoft PP ? IUNSCR = 1 unscreen: 0-lin 1-nonlin 2-no RPACOR = 1.580 partial core radius POMASS = 28.085; ZVAL = 4.000 mass and valenz RCORE = 2.480 outmost cutoff radius RWIGS = 2.480; RWIGS = 1.312 wigner-seitz radius (au A) ENMAX = 150.544; ENMIN = 112.908 eV EAUG = 241.945 …………
(1). 生成4个输入文件: POSCAR POTCAR INCAR KPOINTS (2). 优化晶格参数,求出能量最低所对应的晶格参数 (3). 固定晶格参数, 求出能态密度(DOSCAR), 确定费米能量 (4). 修改KPOINTS和INCAR输入文件,固定电荷密度,做非自洽
vasp在计算磁性的实例和讨论
兄弟，问3个问题1，vasp在计算磁性的时候，oszicar中得到的磁矩和outcar中得到各原子磁矩之和不一致，在投稿的是否曾碰到有审稿人质疑，对于这个不一致你们一般是怎么解释的了？2，另外，磁性计算应该比较负责。
你应该还使用别的程序计算过磁性，与vasp结果比较是否一致，对磁性计算采用的程序有什么推荐。
ps：由于曾使用vasp和dmol算过非周期体系磁性，结构对磁性影响非常大，因此使用这两个程序计算的磁性要一致很麻烦。
还不敢确定到底是哪个程序可能不可靠。
3，如果采用vasp计算磁性，对采用的方法和设置有什么推荐。
1，OSZICAR中得到的磁矩是OUTCAR中最后一步得到的总磁矩是相等的。
总磁矩和各原子的磁矩(RMT球内的磁矩)之和之差就是间隙区的磁矩。
因为有间隙区存在,不一致是正常的。
2，如果算磁性，全电子的结果更精确，我的一些计算结果显示磁性原子对在最近邻的位置时，PAW与FPLAW给出的能量差不一致，在长程时符合的很好。
虽然并没有改变定性结论。
感觉PAW似乎不能很好地描述较强耦合。
我试图在找出原因，主要使用exciting和vasp做比较。
计算磁性推荐使用FP-LAPW, FP-LMTO, FPLO很吸引人(不过是商业的)，后者是O(N)算法。
3，使用vasp计算磁性，注意不同的初始磁矩是否收敛为同一个磁矩。
倒没有特别要注意的地方，个人认为。
归根结底，需要一个优秀的交换关联形式出现VASP计算是否也是像计算DOS和能带一样要进行三步（结构优化，静态自洽计算，非自洽计算），然后看最后一步的出的磁矩呢？一直想计算固体中某个原子的磁矩，根据OUTCAR的结果似乎不能分析，因为它里面总磁矩跟OSZICAR的值有一定的差别，据说是OUTCAR中只考虑WS半径内磁矩造成的。
最近看到一个帖子说是可以用bader电荷分析方法分析原子磁矩。
如法炮制之后发现给出的总磁矩与OSZICAR的结果符合的甚好，可是觉得没有根据，有谁知道这样做的依据吗，欢迎讨论！设置ISPIN=2计算得到的态密度成为自旋态密度。
Vasp入门+实例
0.6 0.5
DOS
0.4 0.3 0.2 0.1 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10
Energy
(4). 做非自洽计算, 求电子结构
• 修改INCAR文件: 将参数ICHARG设为 11 • 修改KPOINTS输入文件
• 运行VASP程序,从输出文件EIGENVAL中提出电子结构
� 1� a1 � a ( i � 2 � 1� a2 � a ( i � 2 � � a3 � ck
第一原理电子结构计算程序：VASP
• 程序原理
• 输入文件
• 输出文件 • 应用
输入文件
POTCAR KPOINTS POSCAR INCAR
Choosing POTCAR file LDA GGA PAW_LDA PAW_GGA PAW_PBE(VASP4.5)
pseudopotentail file Brillouin zone sampling structural data steering parameters
POSCAR输入文件: 原胞中的原子位置
Diamond Si 3.9 0.0 0.5 0.5 0.5 0.0 0.5 0.5 0.5 0.0 1 Direct 0.0 0.0 0.0
基矢的公因子
基矢a1 基矢a2
基矢a3 原胞中的原子个数 坐标系选为基矢构成的坐标系
基矢坐标系下原子的位置
� 1 � � a1 � a( j � k ) 2 � 1 � � a2 � a(i � k ) 2 � 1 � � a3 � a(i � j ) 2
1
0
-1
0 0.07 0.14 0.21 0.28 0.34 0.41 0.48 0.55
用VASP计算磁性体系的ISPIN设置问题
发信人: valenhou (AAA), 信区: Gaussian
标题: Re: 有人用V ASP算过磁性体系吗？
发信站: BBS 大话西游站(Tue Jun 3 09:43:22 2003), 转信
你说的是对的。
计算体系的磁性，第一步就是要让ISPIN=2。
如果要进一步考虑具体的磁序，在设置MAGMON等等参数。
如果只指定了ISPIN=2,而没有去设置MAGMON，则这种情况是计算体系的铁磁性，此时
每个原子的MAGMON都相等，默认值为1。
【在hsg221 (升仙啦) 的大作中提到: 】
是不是就是说，如果我算一个体系，不是反铁磁也不是亚铁磁，就直接
ISPIN=2就可以了，不用管MAGMON？
【在valenhou (AAA) 的大作中提到: 】
: 你想哪几个原子指定有初始磁矩，值可正可负，单位为波尔磁矩ub。
: 一般设置MAGMON是在考虑反铁磁或亚铁磁情况下。
2-VASP计算教程第二课-氧原子能量及磁性的计算
2-VASP计算教程第二课-氧原子能量及磁性的计算V ASP计算教程第二课氧原子能量及磁性的计算课程目标：正确计算孤立氧原子的能量与磁性。
课程正文：一、磁性对孤立氧原子能量计算的影响氧的原子序号为8，电子排布为[He]2s22p4。
如下图所示，其内层有两个电子，外层有六个电子，原子轨道可表示为：可见其2p轨道有两个未配对电子，因此氧原子具有磁性，磁矩为2μB。
拓展阅读：物质的磁性1、孤立原子的磁性原子的磁矩主要来源于电子的轨道磁矩和自旋磁矩。
原子中电子的自旋方式分为上下两种（如上图氧原子轨道表示方法所示，上下箭头表示电子的自旋上下），在大多数物质中，自旋向上的电子和自旋向下的电子数目相等，产生的磁矩会相互抵消，因此整个体系对外不显示磁性。
而在一些物质内部，自旋向上和自旋向下的电子数目不相等，部分电子的自旋磁矩不能被抵消，体系便会显示磁性。
多电子原子所处的电子状态（电子的数量以及排布情况）决定了原子的磁性。
原子中内部的满壳层角动量和磁矩均为零，对磁性并不产生贡献，因此电子状态主要取决于靠外的不满壳层。
上图所示的氧原子包含8个电子，K壳层的1s轨道有两个电子（自旋方向一上一下），L壳层有六个电子，其中2s轨道有两个电子（自旋方向一上一下），2p轨道有四个电子（自旋方向三上一下）。
可以看出，内壳层（K）的电子自旋磁矩相互抵消，对原子磁性不产生贡献，而外壳层（L）经过抵消将会剩余两个自旋向上的电子，因此氧原子对外显示2μB的磁矩。
如上所述，绝大部分原子体系的较外壳层并未填满电子，因此在使用V ASP计算孤立原子时需要考虑磁性。
2、固体的磁性固体材料按照磁性一般可以分为两类：包含顺磁离子的固体和不包含顺磁离子的固体。
顺磁离子是指d轨道未填满的过渡元素或f轨道未填满的稀土元素。
不含顺磁离子的固体包括金属、半导体、离子晶体，这些固体一般会呈现微弱的顺磁性或抗磁性。
包含顺磁离子的固体大都是磁性材料，顺磁离子结合成固体时存在不满壳层，因此会保持固有的磁矩，表现出较强磁性，如铁，钴，镍等。
VASP几个计算实例
VASP⼏个计算实例⽤VASP计算Ｈ原⼦的能量氢原⼦的能量为。
在这⼀节中，我们⽤VASP计算H原⼦的能量。
对于原⼦计算，我们可以采⽤如下的INCAR⽂件PREC=ACCURATENELMDL = 5 make five delays till charge mixingISMEAR = 0; SIGMA=0.05 use smearing method采⽤如下的KPOINTS⽂件。
由于增加K点的数⽬只能改进描述原⼦间的相互作⽤，⽽在单原⼦计算中并不需要。
所以我们只需要⼀个K点。
Monkhorst Pack 0 Monkhorst Pack1 1 10 0 0采⽤如下的POSCAR⽂件atom 115.00000 .00000 .00000.00000 15.00000 .00000.00000 .00000 15.000001cart0 0 0采⽤标准的H的POTCAR得到结果如下：k-point 1 : 0.0000 0.0000 0.0000band No. band energies occupation1 -6.3145 1.000002 -0.0527 0.000003 0.4829 0.000004 0.4829 0.00000我们可以看到，电⼦的能级不为。
Free energy of the ion-electron system (eV)---------------------------------------------------alpha Z PSCENC = 0.00060791Ewald energy TEWEN = -1.36188267-1/2 Hartree DENC = -6.27429270-V(xc)+E(xc) XCENC = 1.90099128PAW double counting = 0.00000000 0.00000000entropy T*S EENTRO = -0.02820948eigenvalues EBANDS = -6.31447362atomic energy EATOM = 12.04670449---------------------------------------------------free energy TOTEN = -0.03055478 eVenergy without entropy = -0.00234530 energy(sigma->0) = -0.01645004我们可以看到也不等于。
VASP第一性原理计算与案例详解
V ASP第一性原理计算与案例详解目录第一章 LINUX命令 (3)1.1 常用命令 (3)1.1.1 浏览目录 (3)1.1.2 浏览文件 (3)1.1.3 目录操作 (3)1.1.4 文件操作 (3)1.1.5 系统信息 (3)第二章 SSH软件使用 (4)2.1 软件界面 (4)2.2 SSH transfer的应用 (5)2.2.1 文件传输 (5)2.2.2 简单应用 (5)第三章 VASP的四个输入文件 (5)3.1 INCAR (5)3.2 KPOINTS (6)3.3 POSCAR (6)3.4 POTCAR (7)第四章 实例 (8)4.1 模型的构建 (8)4.2 VASP计算 (11)4.2.1 参数测试（VASP）参数设置 (11)4.2.2 晶胞优化(Cu) (18)4.2.3 Cu(100)表面的能量 (20)4.2.4 吸附分子CO、H、CHO的结构优化 (22)4.2.5 CO吸附于Cu100表面H位 (24)4.2.6 H吸附于Cu100表面H位 (25)4.2.7 CHO吸附于Cu100表面B位 (26)4.2.8 CO和H共吸附于Cu100表面 (28)4.2.9 过渡态计算 (29)第一章 Linux命令1.1 常用命令1.1.1 浏览目录cd: 进入某个目录。
如：cd /home/songluzhi/vasp/CH4cd .. 上一层目录；cd / 根目录；ls: 显示目录下的文件。
注：输入目录名时，可只输入前3个字母，按Tab键补全。
1.1.2 浏览文件cat：显示文件内容。
如：cat INCAR如果文件较大，可用：cat INCAR | more (可以按上下键查看) 合并文件：cat A B > C (A和B的内容合并，A在前，B在后) 1.1.3 目录操作mkdir：建立目录；rmdir：删除目录。
如：mkdir T-CH3-Rh1111.1.4 文件操作rm：删除文件；vi：编辑文件；cp：拷贝文件mv：移动文件；pwd：显示当前路径。
VASP经典学习教程-有用
V ASP 学习教程太原理工大学量子化学课题组2012/5/25 太原目录第一章 Linux命令............................................ 错误!未定义书签。
常用命令................................................ 错误!未定义书签。
浏览目录............................................ 错误!未定义书签。
浏览文件............................................ 错误!未定义书签。
目录操作............................................ 错误!未定义书签。
文件操作............................................ 错误!未定义书签。
系统信息............................................ 错误!未定义书签。
第二章 SSH软件使用.......................................... 错误!未定义书签。
软件界面................................................ 错误!未定义书签。
SSH transfer的应用..................................... 错误!未定义书签。
文件传输............................................ 错误!未定义书签。
简单应用............................................ 错误!未定义书签。
第三章 VASP的四个输入文件................................... 错误!未定义书签。
VASP计算实例
VASP计算实例VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种常用的第一性原理计算软件包，用于模拟和计算材料的结构和性质。
它基于密度泛函理论（DFT）和平面波基组，具有高精度和高效率的特点。
下面是一个关于VASP计算的示例：为了演示VASP的使用，我们将以氧化铁（Fe2O3）为例进行计算。
氧化铁是一种重要的功能材料，应用广泛，如磁性材料、电子器件、催化剂等领域。
1.准备输入文件：首先，我们需要准备输入文件。
VASP的输入文件主要包括两个部分：结构文件（POSCAR）和参数文件（INCAR）。
POSCAR文件描述了体系的晶体结构，包括晶格常数、原子种类及坐标等信息。
INCAR文件则包含了VASP计算的各种参数设置，如计算方法、收敛条件、化学势等。
2.设置INCAR文件：我们需要根据需求设置INCAR文件的参数。
例如，选择泛函理论的类型（LDA或GGA）、平面波能量截断（ENCUT）、收敛判据（EDIFF）等。
此外，还需要注意设置计算类型（静态计算、构型优化、分子动力学模拟等）及相关参数。
3.运行VASP：在设置完输入文件后，我们可以启动VASP进行计算。
一般情况下，我们可以在命令行界面输入"vasp"命令启动VASP。
此时，VASP将读取输入文件，并开始进行计算。
4.结果分析：计算完成后，可以通过VASP的输出文件来分析计算结果。
VASP的输出文件主要包括：能量、晶格常数、原子坐标、能带结构、态密度等信息。
我们可以通过这些信息来理解和分析材料的结构和性质。
除了以上基本计算流程，VASP还提供了许多功能和选项，可用于更复杂的计算和分析。
例如，通过设置不同的计算类型和参数，可以进行构型优化、声子计算、电子结构计算、弛豫过程模拟等。
此外，VASP还支持并行计算和计算集群的使用，以提高计算效率。
总结：VASP是一个功能强大且广泛应用的第一性原理计算软件包。
VASP经典学习教程-有用
VASP 学习教程理工大学量子化学课题组2012/5/25目录第一章 Linux命令 (1)1.1 常用命令 (1)1.1.1 浏览目录 (1)1.1.2 浏览文件 (1)1.1.3 目录操作 (1)1.1.4 文件操作 (1)1.1.5 系统信息 (1)第二章 SSH软件使用 (2)2.1 软件界面 (2)2.2 SSH transfer的应用 (3)2.2.1 文件传输 (3)2.2.2 简单应用 (3)第三章 VASP的四个输入文件 (3)3.1 INCAR (3)3.2 KPOINTS (4)3.3 POSCAR (4)3.4 POTCAR (5)第四章实例 (5)4.1 模型的构建 (5)4.2 VASP计算 (8)4.2.1 参数测试 (8)4.2.2 晶胞优化(Cu) (13)4.2.3 Cu(100)表面的能量 (14)4.2.4 吸附分子CO、H、CHO的结构优化 (15)4.2.5 CO吸附于Cu100表面H位 (17)4.2.6 H吸附于Cu100表面H位 (18)4.2.7 CHO吸附于Cu100表面B位 (19)4.2.8 CO和H共吸附于Cu100表面 (20)4.2.9 过渡态计算 (21)第一章 Linux命令1.1 常用命令1.1.1 浏览目录cd: 进入某个目录。
如：cd /home/songluzhi/vasp/CH4cd .. 上一层目录；cd / 根目录；ls: 显示目录下的文件。
注：输入目录名时，可只输入前3个字母，按Tab键补全。
1.1.2 浏览文件cat：显示文件容。
如：cat INCAR如果文件较大，可用：cat INCAR | more (可以按上下键查看) 合并文件：cat A B > C (A和B的容合并，A在前，B在后)1.1.3 目录操作mkdir：建立目录；rmdir：删除目录。
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VASP几个计算实例
VASP几个计算实例VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种用于电子结构计算的软件包，广泛应用于固体物理、材料科学、化学等领域。
下面将介绍几个使用VASP进行计算的实例。
1.晶体结构优化晶体结构优化是材料科学中的常见任务，其目的是通过调整晶格参数和原子位置来寻找能量最低的晶体结构。
VASP可以用于计算晶体的总能量和力。
在VASP中，可以使用数值优化算法，如共轭梯度法或拟牛顿法，迭代调整晶格参数和原子位置，直到找到最低能量的结构。
2.原子表面吸附原子在固体表面上的吸附可以影响材料的性质和反应活性。
使用VASP，可以计算原子在表面上的位置和附着能，以研究吸附的稳定性和反应特性。
通过优化原子的位置，可以获得吸附位点和吸附能垒，这对于设计催化剂和研究表面反应机理非常重要。
3.力场参数优化力场是描述分子和固体中原子之间相互作用的经验势能函数。
使用VASP，可以通过计算分子或固体的电子结构和力学性质来优化力场参数。
对于有机分子，可以通过比较实验数据和计算结果来优化分子力场参数，以获得更准确的分子模拟结果。
4.分子动力学模拟分子动力学模拟是研究分子在一段时间内随时间演化情况的常用方法。
VASP能够提供分子动力学模拟所需的能量和力信息。
通过将VASP与分子动力学软件（如LAMMPS）结合使用，可以模拟大分子体系的运动和相变行为，从而对材料性能进行预测。
5.带隙计算带隙是半导体和绝缘体中的重要性质，它决定了电子的导电性和能量带的结构。
使用VASP，可以计算材料的能带结构和态密度，并通过计算能量差来确定材料的带隙。
这对于设计新型材料和理解电子输运性质具有重要意义。
总之，VASP是一款强大的计算工具，可以应用于多个领域的电子结构计算和材料模拟。
以上介绍的实例只是VASP的一小部分应用，它可以为科学家们提供关键的研究工具，推动材料科学和化学等领域的发展。
VASP计算稀土
实例1VASP算稀土永磁材料的磁学性能用哪种算法和赝势比较好？用VASP计算稀土永磁材料（比如Sm-Co）的磁学性能用哪种算法和赝势比较好啊？LDA GGA LSDA+U?PBE PW91?PBE是比较好的交换关联能，但是对于磁性，最后加上U结果可能会好点。
但是U的确定需要从文献和其他软件得到我算的磁性没有f电子，这是为什么呢？是赝势的问题还是将f电子限制在芯内了？f电子的确是很深的，一般很难和其他原子的电子相互作用，这也是La系和Ac的元素的化学表现很相似的原因那么怎样才能使磁性计算出现f电子呢？确实让人纠结啊！请问使用PBEsol+U进行优化和性质计算,如何设置INCAR？在vasp5.2手册上找不到PBEsol+U的说明，只有LSDA+U的PBE是GGA类的交换关联能，LSDA的设置是可以同样用于GGA的实例2vasp计算中sigmma值稀土金属怎么取vasp计算中sigmma值稀土金属怎么取啊？计算出来老感觉不对。
取不同的sigma测试，然后，计算结果中取能量的哪一行，sigma-->0跟不趋近0的时候的比较，差别满足你的精度需求就是实例3关于VASP计算用不同赝势产生的能量差异！为啥同一个结构，用不同的赝势文件POTCAR，如PAW_PBE赝势和用US赝势来计算，为啥能量不一样？连初始第一步的能量的差别就很大啊？本人理论知识很浅，各位大侠能说说其中原理吗？这不只是精度的问题，因为能量就不在一个层次上！两套赝势的能量没有可比性.Generally the PAW potentials are more accurate than the ultra-soft pseudopotentials. There are two reasons forthis: first, the radial cutoffs (core radii) are smaller than the radii used for the USpseudopotentials, and second thePAW potentials reconstruct the exact valence wave function with all nodes in the core region.能量绝对值没有任何意义的，不同赝势能量参考态不一样，只有能量之差才有意义。
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兄弟，问3个问题1，vasp在计算磁性的时候，oszicar中得到的磁矩和outcar中得到各原子磁矩之和不一致，在投稿的是否曾碰到有审稿人质疑，对于这个不一致你们一般是怎么解释的了？2，另外，磁性计算应该比较负责。
你应该还使用别的程序计算过磁性，与vasp结果比较是否一致，对磁性计算采用的程序有什么推荐。
ps：由于曾使用vasp和dmol算过非周期体系磁性，结构对磁性影响非常大，因此使用这两个程序计算的磁性要一致很麻烦。
还不敢确定到底是哪个程序可能不可靠。
3，如果采用vasp计算磁性，对采用的方法和设置有什么推荐。
1，OSZICAR中得到的磁矩是OUTCAR中最后一步得到的总磁矩是相等的。
总磁矩和各原子的磁矩(RMT球内的磁矩)之和之差就是间隙区的磁矩。
因为有间隙区存在,不一致是正常的。
2，如果算磁性，全电子的结果更精确，我的一些计算结果显示磁性原子对在最近邻的位置时，PAW与FPLAW给出的能量差不一致，在长程时符合的很好。
虽然并没有改变定性结论。
感觉PAW似乎不能很好地描述较强耦合。
我试图在找出原因，主要使用exciting和vasp做比较。
计算磁性推荐使用FP-LAPW, FP-LMTO, FPLO很吸引人(不过是商业的)，后者是O(N)算法。
3，使用vasp计算磁性，注意不同的初始磁矩是否收敛为同一个磁矩。
倒没有特别要注意的地方，个人认为。
归根结底，需要一个优秀的交换关联形式出现VASP计算是否也是像计算DOS和能带一样要进行三步（结构优化，静态自洽计算，非自洽计算），然后看最后一步的出的磁矩呢？一直想计算固体中某个原子的磁矩，根据OUTCAR的结果似乎不能分析，因为它里面总磁矩跟OSZICAR的值有一定的差别，据说是OUTCAR中只考虑WS半径内磁矩造成的。
最近看到一个帖子说是可以用bader电荷分析方法分析原子磁矩。
如法炮制之后发现给出的总磁矩与OSZICAR的结果符合的甚好，可是觉得没有根据，有谁知道这样做的依据吗，欢迎讨论！设置ISPIN=2计算得到的态密度成为自旋态密度。
设置ISPIN=2就可以计算磁性，铁磁和反铁磁在MAG里设置。
最后得到的DOS是分up和down的。
磁性计算(2006-12-03 21:02)标签： - 分类：Vasp·磁性计算顺磁，意味进行non-spin polarized的计算，也就是ISPIN=1。
铁磁，意味进行spin-polarized的计算，ISPIN=2，而且每个磁性原子的初始磁矩设置为一样的值，也就是磁性原子的MAGMOM设置为一样的值。
对非磁性原子也可以设置成一样的非零值（与磁性原子的一样）或零，最后收敛的结果，非磁性原子的local磁矩很小，快接近0，很小的情况，很可能意味着真的是非磁性原子也会被极化而出现很小的local磁矩。
反铁磁，也意味着要进行spin-polarized的计算，ISPIN=2，这是需采用反铁磁的磁胞来进行计算，意味着此时计算所采用的晶胞不再是铁磁计算时的最小原胞。
比如对铁晶体的铁磁状态，你可以采用bcc的原胞来计算，但是在进行反铁磁的Fe计算，这是你需要采用sc的结构来计算，计算的晶胞中包括两个原子，你要设置一个原子的MAGMOM为正的，另一个原子的MAGMOM设置为负，但是它们的绝对值一样。
因此在进行反铁磁的计算时，应该确定好反铁磁的磁胞，以及磁序，要判断哪种磁序和磁胞是最可能的反铁磁状态，那只能是先做好各种可能的排列组合，然后分别计算这些可能组合的情况，最后比较它们的总能，总能最低的就是可能的磁序。
同样也可以与它们同铁磁或顺磁的进行比较。
了解到该材料究竟是铁磁的、还是顺磁或反铁磁的。
亚铁磁，也意味要进行spin-polarized的计算，ISPIN=2，与反铁磁的计算类似，不同的是原子正负磁矩的绝对值不是样大。
非共线的磁性，那需采用专门的non-collinear的来进行计算，除了要设置ISPIN，MAGMOM的设置还需要指定每个原子在x,y,z方向上的大小。
这种情况会复杂一些。
参杂Co原子的CdS稀磁半导体的态密度计算1. 2. 31. 结构优化System = CdSENCUT =500;ISTART= 0;ICHARG= 2;GGA = 91;ISPIN=2VOSKOWN=1ISMEAR = -5;SIGMA = 0.1;NSW=165IBRION = 2;ISIF = 3;POTIM = 0.2;EDIFF = 1E-4;EDIFFG = -1E-2;LREAL = AutoPREC = Accurate2.静态自洽计算得到体系的总磁矩（OZICAR最后一行MAG=）System = CdS-CoENCUT =500;ISTART= 0;ICHARG= 2;GGA = 91;ISMEAR = -5;SIGMA = 0.1;ISPIN= 2VOSKOWN= 1#NSW=165#IBRION = 1;#ISIF = 3;#POTIM = 0.2;EDIFF = 1E-5;EDIFFG = -1E-3;LREAL=AutoPREC = Accurate3.静态非自洽计算得到自旋态密度以及体系的总磁矩（OZICAR最后一行MAG=）磁矩与2中的相同System = CdS-CoENCUT =500;ISTART= 0;ICHARG= 11;GGA = 91;ISMEAR = -5;SIGMA = 0.1;ISPIN= 2VOSKOWN= 1LORBIT= 10#NSW=165#IBRION = 2;#ISIF = 3;#POTIM = 0.2;EDIFF = 1E-5;EDIFFG = -1E-3;LREAL=AutoPREC = AccurateNPAR= 1做铁磁计算或者反铁磁计算需加MAGMOM参数晶胞中只有一种原子时：MAGMOM= 2m*3 铁磁计算（2m是总的原子数，3是每个原子初始磁矩的大小）MAGMOM=m*-3 m*3反铁磁计算Types of spin ordering in perovskite oxides铁磁FM 反铁磁AFMA-type:The intra-plane coupling is ferromagnetic while inter-plane coupling is antiferromagnetic.C-type:The intra-plane coupling is antiferromagnetic while inter-plane coupling is ferromagnetic.G-type:Both intra-plane and inter-plane coupling are antiferromagnetic.磁结构的计算标题：[转载]如何用VASP计算铁磁、反铁磁和顺磁浏览：95 评论：0顺磁，意味进行non-spin polarized的计算，也就是ISPIN=1。
铁磁，意味进行spin-polarized的计算，ISPIN=2，而且每个磁性原子的初始磁矩设置为一样的值，也就是磁性原子的MAGMOM设置为一样的值。
对非磁性原子也可以设置成一样的非零值（与磁性原子的一样）或零，最后收敛的结果，非磁性原子的local磁矩很小，快接近0，很小的情况，很可能意味着真的是非磁性原子也会被极化而出现很小的local磁矩。
反铁磁，也意味着要进行spin-polarized的计算，ISPIN=2，这是需采用反铁磁的磁胞来进行计算，意味着此时计算所采用的晶胞不再是铁磁计算时的最小原胞。
比如对铁晶体的铁磁状态，你可以采用bcc的原胞来计算，但是在进行反铁磁的Fe计算，这是你需要采用sc的结构来计算，计算的晶胞中包括两个原子，你要设置一个原子的MAGMOM为正的，另一个原子的MAGMOM设置为负，但是它们的绝对值一样。
因此在进行反铁磁的计算时，应该确定好反铁磁的磁胞，以及磁序，要判断哪种磁序和磁胞是最可能的反铁磁状态，那只能是先做好各种可能的排列组合，然后分别计算这些可能组合的情况，最后比较它们的总能，总能最低的就是可能的磁序。
同样也可以与它们同铁磁或顺磁的进行比较。
了解到该材料究竟是铁磁的、还是顺磁或反铁磁的。
NUPDOWN设置为一个为非0而且非-1的数，就是相当是将在自洽迭代循环的计算过程加了一个限制，即限制自旋向上和自旋向下的电子数之差为一个固定的值，对应的就是给体系设置一个固定的总磁矩。
具体在程序里面实现起来，量子化学的程序(比如Gaussian)和广泛用于固体物理的第一原理程序(比如WIEN2K)略有不同。
亚铁, 结构, 原子, 磁矩,磁结构，亚铁磁结构。
ISPIN=2，MAGMOM=......，这样来说，计算铁磁结构只需要把各个原子的磁矩方向设为一致，如，都为正值就可以了；计算反铁磁结构只需要把不同子子晶格的原子磁矩方向设为相反，如，一正一负就可以了；计算亚铁磁结构或许还要用到NUPDOWN。
但是有个问题，我做了一个亚铁磁结构的计算，初始MAGMOM设置了有正有负的原子磁矩，没有设置NUPDOWN值，而优化出来的结果里各个原子的磁矩却是按同一方向排列的！也就是说没有得到我想要的亚铁磁结构。
如果要设置NUPDOWN进行强制总磁矩的话，又不知道这个值该设成多大？非常希望各位多给意见，只要是有相关内容的回帖都送金币。
收藏分享评分回复引用TOP定义: 自旋多重度（spin multiplicity）＝2S+1, S=n*1/2,n为单电子数。
所以，关键是单电子的数目是多少。
当有偶数个电子时，例如O2，共有16个电子，那么单电子数目可能是0，即8个alpha和8个beta电子配对，对应单重态，但是也可能是有9个α电子和7个β电子，那么能成对的是7对，还剩2个α没有配对，于是n=2,对应的是多重度3。
同理还可以有多重度5，7，9，...一般而言,是多重度低的能量低,最稳定,所以,一般来说,偶数电子的体系多重度就是1。
但是也有例外，如果O2就是一个大家都知道的例子，它的基态是三重态，其单重态反而是激发态。
所以，总结一下，就是电子数目是偶数，未成对电子数目n=0,2,4,6,...自旋多重度是1,3,5,7,...电子数目是奇数，未成对电子数目n=1,3,5,7,...自旋多重度是2,4,6,8,...多数情况是多重度低的能量低，有时（特别是有“磁”性的时候，例如顺磁的O2，以及Fe啊什么的），可能会高多重度的能量低。