石墨烯的制备方法
石墨烯常用制备方法
石墨烯常用制备方法石墨烯是一种由碳原子构成的单层二维晶体结构，具有极高的导电性、热导率和机械强度，因此在电子学、光电子学、能源储存等领域具有广泛的应用前景。
本文将介绍石墨烯的常用制备方法。
1. 机械剥离法机械剥离法是最早被发现的石墨烯制备方法之一，也是最简单的方法之一。
该方法的原理是通过机械剥离的方式将石墨材料剥离成单层石墨烯。
具体操作方法是将石墨材料放置在硅基底上，然后用胶带反复粘贴和剥离，直到得到单层石墨烯。
这种方法的优点是简单易行，但是制备的石墨烯质量较差，且产量低。
2. 化学气相沉积法化学气相沉积法是一种通过化学反应在基底上生长石墨烯的方法。
该方法的原理是将石墨材料放置在高温下，使其分解成碳原子，然后在基底上沉积成石墨烯。
具体操作方法是将石墨材料放置在石英管中，然后将氢气和甲烷气体通入管中，使其在高温下反应生成石墨烯。
这种方法的优点是制备的石墨烯质量高，但是设备成本较高。
3. 化学还原法化学还原法是一种通过还原氧化石墨材料制备石墨烯的方法。
该方法的原理是将氧化石墨材料放置在还原剂中，使其还原成石墨烯。
具体操作方法是将氧化石墨材料放置在还原剂中，如氢气、氨气等，然后在高温下反应生成石墨烯。
这种方法的优点是制备的石墨烯质量高，且产量较高，但是还原剂的选择和操作条件对制备的石墨烯质量有很大影响。
4. 液相剥离法液相剥离法是一种通过液相剥离的方式制备石墨烯的方法。
该方法的原理是将石墨材料放置在液体中，然后通过超声波或机械剥离的方式将其剥离成单层石墨烯。
具体操作方法是将石墨材料放置在液体中，如水、有机溶剂等，然后通过超声波或机械剥离的方式将其剥离成单层石墨烯。
这种方法的优点是制备的石墨烯质量高，且操作简单，但是产量较低。
石墨烯的制备方法有很多种，每种方法都有其优缺点。
在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的制备方法。
随着石墨烯制备技术的不断发展，相信未来石墨烯的制备方法会越来越多样化，也会越来越成熟。
石墨烯的制备方法
采用粘胶带的方式，胶带采用特殊的3M思高牌胶带。使用镊子 夹取16 cm长的思高牌胶带贴附在高定向热解石墨片表面，轻轻压 实，使胶带和石墨片紧紧贴附，慢慢撕下。胶带表面会粘附有很薄 的一层石墨薄片，然后把胶带的两端对折，使石墨薄片夹在胶带具 有粘性一侧的中间，轻轻的压实，慢慢撕下，平稳的将石墨薄片一 分为二。完美的剥离，剥离的石墨薄片表面如原子般平滑，复制出 的石墨薄片是发亮的。重复3到l0次剥离，直到胶带上出现颜色如 墨水斑点一样的石墨薄片。小心的将附有石墨薄片的胶带贴附在氧 化的硅片上，轻轻挤压掉胶带和硅片之间的空气，使样品和胶带完 全贴附，保持l0 min，慢慢从硅片表面撕下胶带。这时数千小片石 墨都粘到了硅片上，而其中部分样品就是少层、甚至单层的石墨烯 。
1. 机械剥离法 2. 氧化石墨还原法
3. 化学气相沉积法 4. 外延生长发
机械剥离法：
是最早面剥离出石墨烯片层。早期的机械剥离法所制得的石墨薄片 通常含有几十至上百个片层,随着技术方法的改进,逐渐可以制备出 层数为几个片层的石墨薄片。 机械剥离法被广泛用于石墨烯片层的制备,特别在石墨烯的一 些光学、电学性能研究中,一般均以机械剥离法作为主要的制备方 法。与其他方法相比较，机械剥离法是最简单的方法，对实验室条 件的要求非常简单，并且容易获得高质量的石墨烯。 但制备的石墨烯薄片尺寸不易控制、重复性差，产率较低,而 且难以规模化制备单层石墨烯。
氧化石墨还原法
该方法主要采用强酸(如浓硫酸和发烟硝酸等)将本体石墨进行 氧化处理,通过热力学膨胀或者强力超声进行剥离,利用化学还原法 或其它方法将氧化石墨烯还原为石墨烯。所以，主要过程就分为氧 化和还原两个阶段。 氧化阶段：目前,对本体石墨进行氧化处理多采用 Hummers 法 。一般步骤为：将石墨粉和无水 NaNO3 加入置于冰浴内的浓 H2SO4 中，以 KMnO4 为氧化剂进行氧化处理，用 30% H2O2 还原剩余的氧 化剂，最后过滤、洗涤、真空脱水得到GO。 为了进一步强化其氧化强度,还可以利用过 K2S2O8 和 P2O5 对 本体石墨进行预氧化处理后,再进行 Hummers 法氧化。
论石墨烯的制备方法
论石墨烯的制备方法石墨烯是一种由碳原子组成的二维材料，由于其在电子、光学、机械等方面的独特性能，引起了广泛的关注和研究。
石墨烯的制备方法有很多种，下面就几种常见的制备方法进行介绍。
一、机械剥离法机械剥离法是最早发现的石墨烯制备方法之一。
这种方法是通过用胶带等机械手段将石墨材料中的层状结构分离得到石墨烯。
将石墨材料表面涂覆一层胶水或胶带，随后在胶面上用力撕去一小块，再将这块小块对折数次，然后再撕开，就可以得到一个更薄的石墨片，重复这个过程多次即可得到石墨烯。
这种方法简单易操作，但是比较耗时和耗力。
二、化学气相沉积法化学气相沉积法是一种较为常见的石墨烯制备方法。
该方法主要包括两个步骤，首先将金属催化剂（如铜、镍等）表面进行处理，然后将预先加热至高温的石墨片放入反应室中，在高温下与氢气、甲烷等碳源气体反应，然后通过冷却使其沉积在基底表面。
此时，石墨片原子层和基底表面结合，形成石墨烯薄膜。
三、化学还原法化学还原法是一种通过化学手段来制备石墨烯的方法。
这种方法一般是将氧化石墨氧化物如氧化石墨烯或氧化石墨烯纳米带等经过还原处理得到石墨烯。
常见的还原剂有氢气、氨气等。
四、电化学剥离法电化学剥离法是一种比较新颖的石墨烯制备方法。
该方法是通过在石墨基底和溶液中施加电场，将石墨片剥离成石墨烯。
具体操作过程是将石墨片作为阳极，放入含有离子溶液的电化学池中，然后施加电压，使石墨片与阳极之间发生剥离和离子交换，最终得到石墨烯。
电化学剥离法具有高效、可控性好等优点。
除了上述几种常见的制备方法外，还有许多其他的方法可以用来制备石墨烯，例如热解法、氧化还原法等。
这些方法各有优缺点，适用于不同的实际应用场景。
随着石墨烯研究的深入，相信会有更多更高效的制备方法被开发出来。
石墨烯的制备
石墨烯的制备
石墨烯的制备如下：
1、微机械剥离法
方法：用光刻胶将其粘到玻璃衬底上，再用透明胶带反复撕揭，然后将多余的高定向热解石墨去除并将粘有微片的玻璃衬底放入丙酮溶液中进行超声，最后将单晶硅片放入丙酮溶剂中，利用范德华力或毛细管力将单层石墨烯“捞出”。
缺点：产物尺寸不易控制，无法可靠地制备出长度足够的石墨烯，不能满足工业化需求。
2、外延生长法
方法：在高温下加热SiC单晶体，使得SiC表面的Si原子被蒸发而脱离表面，剩下的C原子通过自组形式重构，从而得到基于SiC衬底的石墨烯。
缺点：对制备所需的sic晶面要求极高，而且在sic上生长的石墨烯难以剥离。
3、化学气相沉积法（CVD法）
方法：将碳氢化合物甲烷、乙醇等通入到高温加热的金属基底表面，反应持续一定时间后进行冷却，冷却过程中在基底表面便会形成数层或单层石墨烯。
缺点：制备所需条件苛刻，需要高温高真空。
成本高，生长完成后需要腐蚀铜箔的到石墨烯。
4、氧化还原法
方法：先用强氧化剂浓硫酸、浓硝酸、高锰酸钾等将石墨氧化成氧化石墨，氧化过程即在石墨层间穿插一些含氧官能团，从而加大了石墨层间距，然后经超声处理一段时间之后，就可形成单层或数层氧化石墨烯，再用强还原剂水合肼、硼氢化钠等将氧化石墨烯还原成石墨烯。
缺点：化学反应程度很难控制，反应不完全的情况下会有大量杂质。
石墨烯常用制备方法
石墨烯常用制备方法
一、石墨烯常用制备方法
1、气相沉积（CVD）
气相沉积（CVD）属于一种分子气相化学反应，它是在高温（一般情况下在550-950℃）和高压（一般在100-1000pa）的条件下，将原料通过催化剂转变为石墨烯电催化膜的制备方法。
优点：有温控，可以控制膜的厚度和结构。
缺点：需要高温和高压的条件，可能导致电催化膜品质不好。
2、硅基模板制备法
硅基模板制备法是通过化学气相沉积（CVD）在硅基模板上形成石墨烯的制备方法。
此方法在多晶硅基模板上形成石墨烯膜，经过后续处理去除模板，形成石墨烯膜。
优点：此方法可以在室温条件下进行，操作简便；可以得到高质量的石墨烯膜。
缺点：膜的厚度受模板的厚度影响较大；制备过程比较复杂。
3、电沉积制备法
电沉积制备法是在电极上通过催化剂和原料的反应，利用催化反应产生的电子电子反馈参与沉积物质，从而制备石墨烯的方法。
优点：操作简便，制备过程较快；不受模板的厚度影响，可以控制膜的厚度；可以得到高质量的石墨烯膜。
缺点：需要精确的控制电极，否则可能影响膜的品质。
4、氢化焙烧法
氢化焙烧法主要是将不饱和的物质（如碳氢物质或酰酸物质等）在高温下进行氢化反应，从而形成石墨烯的方法。
优点：制备过程比较简单，不需要高温和高压的条件；可以得到结构良好的石墨烯膜。
缺点：制备过程的温控不够精确，可能影响石墨烯膜的品质。
论石墨烯的制备方法
论石墨烯的制备方法石墨烯是一种二维单层的碳 allotrope，具有材料学和物理学等领域广泛的应用前景。
石墨烯的制备方法目前主要包括机械剥离法、化学气相沉积法、化学剥离法、氧化法、还原法等。
本文将对这些制备方法进行详细介绍。
一、机械剥离法机械剥离法是制备石墨烯最早的方法之一，也是最简单的方法之一。
这种方法的原理是通过机械力将石墨材料剥离成单层的石墨烯。
机械剥离法的典型代表是胶带法。
将石墨材料粘贴在一块胶带上，然后再将胶带从石墨材料上剥离。
反复进行该操作，直到胶带表面只剩下石墨烯单层。
这种方法制备的石墨烯单层质量较高，但生产效率较低，适用于小规模实验室制备。
二、化学气相沉积法化学气相沉积法是一种在高温高压条件下，通过化学反应在固体衬底表面生长石墨烯的方法。
该方法主要利用了石墨烯的化学气相反应动力学和热力学性质。
此方法包含两个主要过程，即在衬底表面通过化学反应形成石墨烯前体物质，然后通过热解、脱氢等过程形成石墨烯薄膜。
常用的衬底材料有镍、铜、铂等。
化学气相沉积法制备的石墨烯单层生产效率较高，适用于大面积制备。
三、化学剥离法化学剥离法是指利用化学方法将石墨材料分散在溶液中，并通过超声或机械力使其剥离成石墨烯单层。
最常用的化学剥离法是氧气剥离法和超声剥离法。
氧气剥离法是将石墨材料暴露在高温氧气环境下，使其氧化成氧化石墨氢化合物，然后通过酸浸取得石墨烯单层。
超声剥离法则是将石墨材料置于溶液中，通过超声波的作用使石墨材料剥离成石墨烯单层。
化学剥离法制备的石墨烯单层质量较高，但生产效率较低。
四、氧化法氧化法是一种将石墨材料通过氧化反应形成氧化石墨氢化合物，然后再通过热解、还原等过程得到石墨烯的方法。
常用的氧化剂有硝酸、高氯酸等。
氧化法制备的石墨烯质量相对较低，含有较多的杂质，但生产效率较高，适用于大规模制备。
石墨烯的制备方法包括机械剥离法、化学气相沉积法、化学剥离法、氧化法和还原法等。
不同的制备方法在成本、生产效率和质量等方面有所差异，适用于不同规模和需求的实验室和工业应用。
石墨烯的制备方法
石墨烯的制备方法注：①物理剥离法生长的石墨烯是纳米或微米级薄膜或薄片形式，具有较好的电化学、热传导、力学以及抗腐蚀等特点；更适用于锂电池领域。
②化学沉积法可以生产大面积的石墨烯薄膜，主要应用于新一代半导体、光学元器件以及触摸屏领域。
由于石墨烯是在金属表面沉积生产，表面有金属污染的可能。
国内制备石墨烯的企业：①方大碳素是亚洲最大的炭素制品生产供应基地，可生产国内外客户所需的各种品种规格的石墨电极以及炭素制品。
②常州二维碳素科技有限公司主要从事大面积石墨烯透明导电薄膜的生产。
③深圳市贝瑞特新能源材料有限公司全球最大的锂电池负极材料供应商，是全球唯一拥有负极材料完整价值链的企业，客户包括三星，LG，日本三洋，比亚迪等。
④金路集团，与中科院合作研发石墨烯。
石墨烯基材料的应用和商业化用途1.石墨烯在触摸屏领域的应用目前显示器和触摸屏等器件中的导体材料主要是氧化铟锡ITO材料，这种材料价格高，易碎且有毒性（毒性与铅不相上下），而石墨烯由于其特殊的分子结构，具有很强的导电性能，且几乎完全透明，这两种特性使得石墨烯成为一种性能非常好的透明导体材料。
此外，石墨烯具有高韧性吧，能够拉升20%而不断裂。
因此可以制成可折叠，伸缩的显示器件。
随着石墨烯制备工艺的进一步发展，石墨烯的制备成本将大幅降低。
目前，国际上的一些电子生产厂商，如三星电子，苹果公司也开始在石墨烯技术中展开角逐。
三星的石墨烯技术专利遍布触摸柔性屏，曲面显示屏、石墨烯晶体管等各个领域。
在10年与韩国成均馆大学利用CVD法开发研制了30英寸单层石墨烯膜，创造石墨烯膜尺寸记录。
苹果公司目前也拥有至少两项与石墨烯相关的技术，预计将主要运用于手机显示屏。
国内也有多家公司业开始将石墨烯薄膜用于手机电容式触摸屏，并开始实现石墨烯触摸屏小批量生产。
这些公司有，重庆墨希科技有限公司，宁波墨西科技有限公司，常州二维碳素科技有限公司，辉锐科技等。
①常州二维碳素科技有限公司主要从事大面积石墨烯透明导电薄膜的生产，该产品主要市场包括：石墨烯透明导电薄膜材料的生产和销售，以及在透明电极、储能、电子器件等领域的应用技术开发和技术支持服务。
石墨烯常用制备方法
石墨烯常用制备方法一、介绍石墨烯是一种三维结构的单原子层石墨，具有良好的电子结构，它由一层原子厚的碳原子片状堆积在一起而构成，它具有优异的机械、电子、热、光等特性，是一种多面向的多功能材料，在催化、电池、膜、紫外栅、电子、传感器等领域有着广泛应用，所以被称为21世纪的“万物之母”。
本文将介绍石墨烯常用的制备方法，以及优劣比较，并针对不同制备之间的优缺点介绍如何进行改进和优化。
二、石墨烯常用制备方法1、化学气相沉积法(CVD)化学气相沉积法是一种常用的石墨烯制备方法，它通过在石墨或其它碳基衬底上利用高温高压的情况下，将气相中的碳原子集中到衬底表面，形成单层石墨烯的过程。
其优点是制备石墨烯的过程比较简单，可以大面积地生长，以及控制厚度比较准确，而缺点主要是生长的石墨烯质量受限于基材的质量，而且存在着一定的污染和杂质。
2、电沉积法电沉积法是一种基于电化学反应过程的石墨烯制备方法，它可以将碳原子通过电化学过程沉积到衬底表面，在不影响石墨烯结构的前提下，使石墨烯的质量和性质有较大的改善。
其优点是沉积的碳原子更加纯净，热稳定性也更高，而缺点是制备石墨烯的能力可能较弱，而且制备工艺较复杂，容易受到外界影响。
3、溶剂蒸发法溶剂蒸发法是一种常用的石墨烯制备方法，它主要是将碳源（有时会加入碳纳米管或其它碳材料）溶解在合适的溶剂中，然后再将溶解物在衬底上涂布，最后在室温或加热的情况下将溶剂蒸发，形成一层石墨烯的过程。
其优点是溶剂涂布和蒸发的步骤很容易控制，可以在各种不同的基材上，大面积制备石墨烯，而缺点是溶剂可能会损坏基材表面，从而影响石墨烯的质量。
4、光刻法光刻法是一种以激光或电子束来制备石墨烯的方法，它可以将石墨的表面释放出碳原子，然后在温度和压力合适的情况下，重新自组装成石墨烯的过程。
其优点是可以在表面进行准确控制，从而实现纳米材料的高效制备；而缺点是该制备过程受到很多外界因素的影响，从而会影响其制备效率。
三、总结石墨烯常用的制备方法有CVD、电沉积法、溶剂蒸发法和光刻法等，其中CVD制备的石墨烯质量受基材质量的影响，而电沉积可以以潜在的内能最低的方式沉积出非晶状的石墨烯；溶剂蒸发法可以在各种不同基材上进行大面积的制备；光刻法能够做到准确的控制，但容易受到外部影响。
石墨烯的制备原理与工艺
石墨烯的制备原理与工艺
石墨烯的制备有多种方法，包括机械剥离法、热解法、化学气相沉积法等。
以下是其中几种常用的制备原理与工艺：
1. 机械剥离法（Scotch tape method）：原理是通过机械剥离将三维石墨晶体剥离成单层石墨烯。
首先在一块石墨表面黏上一层胶带，并迅速剥离，重复此过程多次，使得石墨片层层剥离，最终得到单层石墨烯。
2. 热解法（Thermal exfoliation method）：原理是通过高温处理石墨矿石或
石墨烯氧化物，使其产生剧烈的热胀冷缩，从而剥离成石墨烯片。
这个方法需要将石墨材料加热到几百到几千摄氏度，并在特定气氛下进行处理。
3. 化学气相沉积法（Chemical vapor deposition, CVD）：原理是在金属表面或其他衬底上，通过气相化学反应沉积石墨烯。
一般的CVD过程中，石墨烯的前体物质（如甲烷、乙烯等）被加热至高温，使其分解生成碳原子，并在金属表面上沉积形成石墨烯。
以上仅为几种常见的石墨烯制备方法，每种方法的具体工艺细节可能会有所不同。
此外，还有其他一些制备方法，如化学剥离法、氧气化学剥离法等。
总的来说，石墨烯的制备原理是通过剥离石墨材料的层层结构，或者通过沉积碳原子形成单层结构的石墨烯。
石墨烯的制备方法
三.外延生长法
外延生长法是在单晶体表面外延生长石墨层，然后通过化学刻蚀将石墨层从基片剥离。常见有 两种方法，一种为SiC表面分解法，一种为分子束沉积法。
1.SiC表面分解法
SiC外延生长石墨烯的机制： 在高温下， SiC表面Si升华，于是残留的碳原子聚集形成弯曲的石墨烯层，而生长的石墨烯 常因SiC表面的缺陷而受阻，在其它区域也发生同样的过程，最终在SiC表面形成连续、尺寸与 绝缘基片相当的石墨烯层
压力
烘烤
2.剥离出石墨烯片层 用透明胶带从光刻胶上反复的剥离，最后用丙酮将光 刻胶溶解，那些留在光刻胶上的较薄的石墨烯片层也 即分散在了丙酮溶液中。
丙酮溶解
3.获得石墨烯片层 将 SiO2 / Si 衬底在丙酮溶液中浸过后，再用大量的水 和丙醇冲洗衬底，一部分石墨烯片层就留在了衬底上。
冲洗
4.筛选石墨烯片层 将衬底在丙醇中超声，最后留在衬底上的基本上都是厚度小 于10 nm的片层（它们之间较强的范德华力和毛细管作用力）， 其中就有单层的石墨烯。通过光学显微镜可以将薄的片层筛 选出来，再利用AFM寻找单层石墨烯并得到精确的厚度。
取向附生法
优点：单层石墨烯表现令人满意 不足：生产的石墨烯薄片往厚度不均匀
外延生长法
优点：能够制备出1-2碳原子厚度的石墨烯 不足：难以获得大面积、厚度均一的石墨烯
氧化石墨还原法
优点：成本较低、高效环保，并且能够大规模工业化生产 不足：容易导致一些物理、化学性能的损失
化学气相沉积法
优点：可制备出面积较大的石墨稀 不足：成本较高，工艺复杂
不同厚度的石墨烯片层在白光下的光学显微镜照片(a)，所标厚 度为AFM测量值；有褶皱的单层石墨烯AFM图像(b)，双层折叠 部分的厚度约为0.8 nm，证明石墨烯片层为单层石墨烯(尺寸大 小为3 um x3 um)
论石墨烯的制备方法
论石墨烯的制备方法石墨烯是一种具有单层碳原子构成的二维晶体材料，具有很高的导电性、热传导性和机械性能，被广泛认为是未来材料科学和技术领域的研究热点之一。
对石墨烯的制备方法的研究一直是科学家们关注的焦点之一，石墨烯的制备方法可以分为机械剥离法、化学气相沉积法、化学气相沉积法、溶液剥离法等多种途径。
下面我们将详细介绍石墨烯的几种制备方法。
一、机械剥离法机械剥离法是一种简单有效的石墨烯制备方法，其原理是通过机械剥离来获得单层石墨烯。
通常使用石墨烯粉末或石墨为原料，首先在石墨表面涂上聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）等支撑物质，再使用胶带或剥离装置来剥离石墨层，从而得到单层石墨烯。
机械剥离法制备的石墨烯具有薄厚均匀、结构完整、无氧化物污染等优点，但是其产量较低，制备过程中对设备和技术要求较高，而且所得的石墨烯结构的完整性和质量受到较大影响，因此并不适合大规模生产。
二、化学气相沉积法化学气相沉积法是目前制备石墨烯最常用的方法之一，其原理是利用化学气相反应将碳原子沉积到基底表面形成石墨烯。
在制备过程中，首先在金属基底上沉积一层薄薄的碳原子，再通过退火或化学处理等方式去除金属基底，最终得到石墨烯。
化学气相沉积法制备的石墨烯具有高质量、结构完整、可控性强等优点，可以制备大面积、高质量的石墨烯薄膜，因此被广泛应用于石墨烯材料的研究和产业化生产领域。
三、化学还原法化学还原法是一种利用氧化石墨烯还原制备石墨烯的方法，其原理是将氧化石墨烯还原为石墨烯。
在制备过程中，首先将氧化石墨烯浸泡在还原剂溶液中，再通过化学反应将氧化石墨烯逐渐还原为石墨烯。
化学还原法制备的石墨烯具有工艺简单、成本低、易于实现大规模生产等优点，因此受到了广泛关注，但是其还原程度、结构完整性和杂质控制等方面仍然存在一定的挑战。
四、溶液剥离法溶液剥离法是一种利用有机化合物在溶液中剥离石墨烯的方法，其原理是加入具有剥离作用的有机化合物溶液，通过表面张力和吸附作用将石墨烯剥离至溶液中。
石墨烯制作方法
石墨烯制作方法
石墨烯制备方法可分为化学气相沉积（Chemical Vapour Deposition，简称 CVD）法和物理气相沉积（Physical Vapour Deposition，PVD）法两大类。
1、化学气相沉积（CVD）法
CVD法是用一定量的有机原料，在适当温度和压力条件下，反应生成气相化合物，再将其均匀地均密地沉积到在石墨片基材表面形成膜的一种技术，是全球最受欢迎的石墨烯制备方法。
CVD法的主要优点在于其原材料具有较低成本，并可以提供高质量石墨烯，范围广泛，形状和尺寸可调，耗时和成本低，以石墨烯为基础制备电化学传感器、催化剂和能源存储相关材料性能可有效提高等特点和优势。
不过CVD法制备的石墨烯的片尺寸一般较小，最适用于小尺度的应用。
PVD法主要是以室温下通过层层积累石墨原料（如石墨粉或石墨板），而利用离子束或共振电感等物理方法将其转换成薄膜的一种制备技术。
由于PVD法沉积过程不需要使用有机重要成分，因此其物性稳定性也很高。
PVD法是一种更早期被研究，并且广泛用于工业应用的技术，它可生成较大的石墨烯片，可以应用于制备太阳能电池、遗传材料和传感器等设备，且制备所需时间较短，特别适用于大尺度的应用，但该方法需要在容易氧化的条件下进行，会给很多工业应用带来麻烦，所以目前更多地被用于研究领域。
石墨烯的制备方法
石墨烯的制备方法
制备石墨烯的文章
石墨烯是由石墨原料通过物理、化学或者是物理化学反应来制备的一种新型碳材料，具有超强的物理性质，在许多领域，如轻质钢、航空航天以及生物分离技术的应用都有着非常广泛的应用。
目前，石墨烯的制备方法主要包括电化学法、化学气相沉积法、臭氧法以及光
化学气相沉积法等。
下面我们就来详细介绍三种比较常用的石墨烯制备方法。
首先，是最古老也是最常用的石墨烯制备方法——电化学法，即利用石墨的电
解熔解的原理分解石墨，从而制备出石墨烯。
电化学制备石墨烯的过程中，石墨的结构会因为受到电解而发生变化，从而产生石墨烯的片层结构，最终得到的石墨烯可以用于构建各种类型的电子元器件。
其次，是化学气相沉积法，该方法主要利用由高温热源，如二氧化碳激光器产
生的高温，来溶解碳原料，并在热流体体内脱水后，产生石墨烯微粒。
化学气相沉积法可以提高制备石墨烯的生产效率，且能比较容易的控制石墨烯的厚度，同时更加深入的揭示出石墨烯以及其他类似材料的物理特性。
最后，是光化学气相沉积法。
这种方法利用彩光化学反应来控制气体分子反应，从而产生被称为“气体固溶体”的形态，最后再利用表征自组装过程以及壁缝结构对产生的物质进行研究，有助于深入地了解石墨烯的结构特性。
以上就是石墨烯的制备方法，可以看出，不同的制备方法其所产生的石墨烯的
特性不一样，需要根据实际的应用来选择合适的制备方法。
石墨烯工艺流程
石墨烯工艺流程石墨烯作为一种新型二维材料，在材料科学领域具有广泛的应用前景。
其独特的物理和化学性质赋予其出色的导电性、热导率和机械强度，并且具有极高的表面积和高透明度。
下面将介绍石墨烯的制备工艺流程。
石墨烯的制备工艺主要包括机械剥离法、化学气相沉积法和化学剥离法等。
其中，机械剥离法是最早被发现的制备石墨烯的方法，在实践中也得到了广泛应用。
机械剥离法的原理是，通过使用胶带或其他粘性材料，将石墨晶体中的石墨层逐层剥离，最终获得单层的石墨烯。
具体的步骤如下：1. 准备石墨晶体：首先需要准备高质量的石墨晶体，可以通过机械研磨或化学氧化还原法等方法得到。
2. 制备基底：在制备石墨烯之前，需要准备一张适宜的基底材料，常用的有硅衬底或玻璃衬底。
3. 涂敷粘性材料：将胶带或其他粘性材料粘贴在基底表面，然后以一定的角度将其撕去。
重复多次，使石墨层剥离。
4. 转移石墨烯：将胶带或其他粘性材料上的石墨烯转移到其他基底上，可以通过静电吸附或干法转移等方法实现。
除了机械剥离法，化学气相沉积法也是制备石墨烯的常用方法之一。
其工艺流程如下：1. 准备衬底：选择适当的衬底，如金属衬底或二氧化硅衬底，并进行必要的表面处理。
2. 制备催化剂：通过化学方法或物理方法，在衬底表面制备一层金属催化剂，如铜、镍或钯。
3. 进行气相沉积：将预处理过的衬底放置在化学气相沉积反应器中，然后通过加热反应器，使金属催化剂表面发生碳源气体的分解，从而实现石墨烯的生长。
4. 清洗和转移：将生长好的石墨烯进行清洗和转移，常用的方法是浸泡在酸溶液中去除催化剂，然后用胶带或其他粘性材料转移到其他基底上。
化学剥离法是制备大面积石墨烯的一种常用方法，其工艺流程如下：1. 制备石墨晶体：同机械剥离法。
2. 涂覆保护层：在石墨晶体表面涂覆一层保护剂，如聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。
3. 酸处理：将涂覆了保护剂的石墨晶体放入浓硝酸或硫酸中，使其发生氧化剥离反应。
反应后，石墨烯层会与保护剂分离。
石墨烯的生产工艺
石墨烯的生产工艺
石墨烯是由石墨层剥离出来的一种单原子厚度的二维材料，具有优异的电子传输性能和机械性能，因此被广泛应用于电子器件、能源储存、催化剂等领域。
石墨烯的生产工艺主要包括机械剥离、化学剥离和氧化石墨烯还原三种方法。
机械剥离是最早被发现的石墨烯制备方法，其原理是通过力学方式将石墨层剥离出来。
一种常用的方法是使用胶带，将胶带黏附在石墨表面，然后剥离胶带，可以将一层石墨烯剥离下来。
这种方法简单易行，但是产量低，且石墨层厚度不易控制。
化学剥离是一种将石墨层从基底上剥离的方法，常用的化学剥离剂包括强酸、溶剂和氧化剂。
其中，酸剥离方法广泛应用于石墨烯的制备工艺中。
在酸剥离过程中，石墨表面的原子键被破坏，从而使得石墨烯层剥离下来。
然而，酸剥离方法存在环境污染和产物处理难的问题，因此对环境影响较大。
氧化石墨烯还原是一种将氧化石墨烯还原为石墨烯的方法，其原理是通过加热或还原剂的作用使氧化石墨烯脱氧，得到石墨烯。
常用的还原剂包括氢气、水蒸汽和还原气体等。
这种方法可以在大规模生产中得到应用，但是还原处理过程中需要控制温度和反应时间，以保证产物质量。
总体来说，石墨烯的生产工艺具有不同的优缺点。
机械剥离方法简单易行，但是产量低；化学剥离方法剥离效果好，但环境污染较大；氧化石墨烯还原方法可大规模生产，但还原处理中
需要控制反应条件。
随着石墨烯科学的不断发展，未来可能会出现更加高效和环保的石墨烯制备方法。
比较三种化学方法制备石墨烯
一、利用液氨作为还原剂，还原氧化石墨。
工艺：1、将60 g的颗粒状天然石墨，硝酸钠30 g加入l0L的双层玻璃反应釜中冷却至0℃;再将2500 mL浓硫酸缓慢加入反应釜中充分搅拌3 0 min，保持反应体系的温度不高于4℃;然后，将180 g高锰酸钾加入反应釜中并充分搅拌60 min，同时保持反应体系温度不高于8℃，此阶段为低温反应。
2、撤走冷浴，用高温恒温循环泵将反应体系加热至35℃，并充分搅拌3h，得到褐色悬浮液，再缓慢加入90 g高锰酸钾反应12h，保持反应体系的温度不高于40℃，此阶段为中温反应。
3、撤走高温恒温循环泵，用低温冷却循环泵将反应系统温度控制在5℃以下，将7L去离子水缓慢滴加入褐色悬浮液中，体系温度骤然升高，并伴有大量气体生成，稀释的悬浮液在此温度下搅拌60 min。
4、向悬浮液中加入50 mL的H202 (30%)，室温下搅拌60 min，得到亮黄色氧化石墨分散液。
5、将上述分散液静置2 h，分层，去除上清液后，加入一定量的去离子水，过滤，得到黄褐色滤饼。
用5000 mL稀盐酸(10%)将滤饼洗涤2次后，再分散于5000 mL 去离子水中，过滤，用大量去离子水洗涤至溶液中无氯离子(可用AgN03溶液检测)，且接近中性。
然后将剩余固体产物在60 ℃的真空干燥箱中干燥24 h，研磨过筛后得到的氧化石墨。
石墨烯的制备用低温冷却循环泵在一定温度下将高纯氨在密封容器中液化，加入一定量干燥的氧化石墨用超声细胞粉碎机超声剥离1h，将一定量的金属铿放入液氨中，溶液变成蓝色，继续保持超声30 min溶液变黑，停止冷却自然升温使液氨挥发，向得到的黑色固体中加入乙醇超声分散，过滤用去离子水洗涤至中性，真空60℃干燥12h，得到黑色的石墨烯。
在其他实验条件相同的条件下，将铿用金属钠和金属钾代替，得到对应的碱金属还原的石墨烯。
小结:采用液氨作为溶剂超声剥离氧化石墨，利用液氨一碱金属强还原性，碱金属进一步插层剥离氧化石墨同时将其还原。
石墨烯制备方法
石墨烯制备方法石墨烯是一种由碳原子构成的二维晶格结构材料，具有优异的导电性、热导性和机械性能，被认为是未来材料科学领域的重要研究对象。
石墨烯的制备方法多种多样，下面将介绍几种常见的制备方法。
化学气相沉积法（CVD）。
化学气相沉积法是目前制备石墨烯最常用的方法之一。
其制备过程是在金属衬底上，通过加热挥发源产生的气态碳源（如甲烷、乙烯等）与载气（如氢气）在高温下反应，使得碳原子在金属表面沉积形成石墨烯。
CVD法制备的石墨烯具有较高的结晶度和较大的尺寸，适合用于大面积石墨烯的制备。
机械剥离法。
机械剥离法是一种通过机械剥离石墨烯单层的方法。
其制备过程是利用胶带或者刮刀等工具，将石墨晶体不断剥离，直至得到单层石墨烯。
这种方法制备的石墨烯单层质量较好，但是产率较低，适合于小规模实验室制备。
化学剥离法。
化学剥离法是利用化学剥离剂将石墨晶体表面的原子层一层一层地剥离，直至得到单层石墨烯。
这种方法制备的石墨烯单层质量较好，且可以实现大规模制备，但是对剥离剂的选择和使用条件要求较高。
氧化还原法。
氧化还原法是一种通过氧化石墨后再还原得到石墨烯的方法。
其制备过程是先将石墨氧化形成氧化石墨，再通过还原剂（如高温、化学还原剂等）将氧化石墨还原为石墨烯。
这种方法制备的石墨烯单层质量较好，且可以实现大规模制备，但是制备过程中需要严格控制氧化和还原的条件。
化学氧化剥离法。
化学氧化剥离法是一种通过将石墨氧化后再进行化学剥离得到石墨烯的方法。
其制备过程是先将石墨氧化形成氧化石墨，再通过化学剥离剂将氧化石墨一层一层地剥离，直至得到单层石墨烯。
这种方法制备的石墨烯单层质量较好，且可以实现大规模制备，但是对氧化和剥离剂的选择和使用条件要求较高。
总结。
以上介绍了几种常见的石墨烯制备方法，每种方法都有其特点和适用范围，科研工作者可以根据实际需要选择合适的制备方法。
随着石墨烯制备技术的不断发展，相信未来会有更多更高效的制备方法出现，推动石墨烯在材料科学领域的广泛应用。
石墨烯制备方法
石墨烯制备方法石墨烯是由碳原子层层叠加成的二维单层晶体结构，具有优异的导电、热传导、机械强度等性质，引起了广泛的研究兴趣和应用前景。
本文将介绍十种常见的石墨烯制备方法，并对其具体原理、优缺点、适用范围等方面进行详细描述。
1. 机械剥离法机械剥离法是最早被用于制备石墨烯的方法之一。
其基本原理是利用粘性较小的胶带或其它材料粘取石墨材料，通过不断剥离得到具有单层结构的石墨烯。
该方法操作简单，无需复杂的仪器设备，但其制备的单层石墨烯规模较小，不利于大规模应用。
2. 化学剥离法化学剥离法是利用氧化剂将多层石墨氧化成石墨烯氧化物，再通过还原剂将其还原成石墨烯的方法。
此方法实现了石墨烯的大规模制备，但其过程中需要使用腐蚀性氧化剂和还原剂，对环境及操作人员都有一定的危害。
3. CVD法化学气相沉积(CVD)法是目前最为常用的石墨烯制备方法之一。
其原理是在铜、镍等金属基底表面上通过热解碳源气体，使其在金属表面上形成石墨烯。
该法的优点是可实现大面积石墨烯制备，操作相对简单，但需要高温反应，生产成本相对较高。
4. 红外激光还原法红外激光还原法是通过用红外激光照射氧化石墨烯氧化物，使其还原成石墨烯的方法。
该方法可以在常温下进行，不需要高温反应，具有高效、快速的优点。
该方法难以控制石墨烯的尺寸和形态，需要对反应中氧化剂等物质进行处理。
5. 化学气相沉积-石墨烯转移法化学气相沉积-石墨烯转移法是将通过CVD法制备的石墨烯在聚丙烯酰胺凝胶表面进行生长，再将其转移到其它基底表面的方法。
该方法可以实现制备大规模、高质量的石墨烯，但转移过程中容易产生褶皱、损伤等问题。
6. 氧化还原法氧化还原法是通过对石墨进行氧化处理，形成氧化石墨烯，再通过还原剂还原成石墨烯的方法。
该方法可以制备大面积石墨烯，但氧化过程可能影响石墨烯的性质。
7. 液相剥离法液相剥离法是利用毛细现象将石墨材料悬浮于溶液中，通过范德华力将单层石墨烯从基底上剥离的方法。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
一．文献综述随着社会的发展，人们对材料的要求越来越高，碳元素在地球上分布广泛,其独特的物理性质和多种多样的形态己逐渐被人类发现、认识并利用。
1924年确定了石墨和金刚石的结构;1985年发现了富勒烯；1991年发现了碳纳米管；2004年,曼彻斯特大学Geim等成功制备的石墨烯是继碳纳米管被发现后富勒烯家族中又一纳米级功能性材料，它的发现使碳材料领域更为充实,形成了从零维、一维、二维到三维的富勒烯、碳纳米管、石墨烯以及金刚石和石墨的完整系统。
而2004年至今,关于氧化石墨烯和石墨烯的研究报道如雨后春笋般涌现，其已成为物理、化学、材料学领域的国际热点课题。
制备石墨烯的方法有很多种，如外延生长法，氧化石墨还原法，CVD法，剥离-再嵌入-扩涨法以及有机合成法等。
在本文中主要介绍氧化石墨还原法。
除此之外，还对其的一些性能进行表征。
二．石墨烯材料2.1石墨烯材料的结构和特征石墨烯(gr即hene)是指碳原子之间呈六角环形排列的一种片状体,由一层碳原子构成,可在二维空间无限延伸,可以说是严格意义上的二维结构材料,同时,它被认为是宇宙上最薄的材料[`2],也被认为是有史以来见过的最结实的材料。
ZD结构的石墨烯具有优异的电子特性,且导电性依赖于片层的形状和片层数,据悉石墨烯是目前已知的导电性能最出色的材料,可运用于导电高分子复合材料,这也使其在微电子领域、半导体材料、晶体管和电池等方面极具应用潜力。
有专家指出,如果用石墨烯制造微型晶体管将能够大幅度提升计算机的运算速度,其传输电流的速度比电脑芯片里的硅元素快100倍。
近日,某科技日报称,mM的研究人员展示了由石墨烯材料制作而成的场效应晶体管(FET),经测试,其截止频率可达100吉赫兹(GHz),这是迄今为止运行速度最快的射频石墨烯晶体管。
石墨烯的导热性能也很突出,且优于碳纳米管。
石墨烯的表面积很大,McAlliste:等通过理论计算得出石墨烯单片层的表面积为2630扩/g,这个数据是活性炭的2倍多,可用于水净化系统。
2.2氧化石墨烯的结构和特征氧化石墨烯是石墨烯的一种重要的派生物,也被称为功能化的石墨烯它的结构与石墨烯大体相同,只是在二维基面上连有一些官能团。
通过表面元素分析(XpS)、红外光谱(FTIR)、固体核磁共振谱困MR)等表征结果显示,主要是一些含氧官能团,如轻基、环氧官能团、拨基、梭基等,其中经基和环氧官能团主要位于石墨的基面上,而拨基和梭基则处在石墨烯的边缘处[22],这使其不需要表面活性剂就能在水中很好的分散。
1.2片层氧化石墨烯的示意图石墨烯的制备方法1 物理法制备石墨烯物理方法通常是以廉价的石墨或膨胀石墨为原料，通过机械剥离法、取向附生法、液相或气相直接剥离法来制备单层或多层石墨烯。
这些方法原料易得, 操作相对简单，合成的石墨烯的纯度高、缺陷较少。
1.1机械剥离法机械剥离法或微机械剥离法是最简单的一种方法，即直接将石墨烯薄片从较大的晶体上剥离下来。
Novoselovt 等[1]于2004年用一种极为简单的微机械剥离法成功地从高定向热解石墨上剥离并观测到单层石墨烯，验证了单层石墨烯的独立存在。
具体工艺如下：首先利用氧等离子在1 mm厚的高定向热解石墨表面进行离子刻蚀，当在表面刻蚀出宽20 μm—2 mm、深5 μm的微槽后，用光刻胶将其粘到玻璃衬底上，再用透明胶带反复撕揭，然后将多余的高定向热解石墨去除并将粘有微片的玻璃衬底放入丙酮溶液中进行超声，最后将单晶硅片放入丙酮溶剂中，利用范德华力或毛细管力将单层石墨烯“捞出”。
但是这种方法存在一些缺点，如所获得的产物尺寸不易控制，无法可靠地制备出长度足够的石墨烯，因此不能满足工业化需求。
1.2取向附生法—晶膜生长Peter W.Sutter 等[2]使用稀有金属钌作为生长基质，利用基质的原子结构“种”出了石墨烯。
首先在 1150 °C下让C原子渗入钌中，然后冷却至850 °C，之前吸收的大量碳原子就会浮到钌表面，在整个基质表面形成镜片形状的单层碳原子“孤岛”，“孤岛”逐渐长大，最终长成一层完整的石墨烯。
第一层覆盖率达80 %后，第二层开始生长，底层的石墨烯与基质间存在强烈的交互作用，第二层形成后就前一层与基质几乎完全分离，只剩下弱电耦合，这样制得了单层石墨烯薄片。
但采用这种方法生产的石墨烯薄片往往厚度不均匀，且石墨烯和基质之间的黏合会影响制得的石墨烯薄片的特性。
1.3 液相和气相直接剥离法液相和气相直接剥离法指的是直接把石墨或膨胀石墨(EG)(一般通过快速升温至1000 °C以上把表面含氧基团除去来获取)加在某种有机溶剂或水中，借助超声波、加热或气流的作用制备一定浓度的单层或多层石墨烯溶液。
Coleman 等[3]参照液相剥离碳纳米管的方式将石墨分散在N-甲基-吡咯烷酮 (NMP) 中，超声1h 后单层石墨烯的产率为1%，而长时间的超声(462 h)可使石墨烯浓度高达1.2 mg/mL。
研究表明，当溶剂与石墨烯的表面能相匹配时，溶剂与石墨烯之间的相互作用可以平衡剥离石墨烯所需的能量，能够较好地剥离石墨烯的溶剂表面张力范围为40~50mJ/m2。
利用气流的冲击作用能够提高剥离石墨片层的效率。
Janowska 等[4]以膨胀石墨为原料，微波辐照下发现以氨水做溶剂能提高石墨烯的总产率(~8%)。
深入研究证实高温下溶剂分解产生的氨气能渗入石墨片层中，当气压超过一定数值至足以克服石墨片层间的范德华力时就能使石墨剥离。
因以廉价的石墨或膨胀石墨为原料，制备过程不涉及化学变化，液相或气相直接剥离法制备石墨烯具有成本低、操作简单、产品质量高等优点，但也存在单层石墨烯产率不高、片层团聚严重、需进一步脱去稳定剂等缺陷。
2 化学法制备石墨烯目前实验室用石墨烯主要通过化学方法来制备，该法最早以苯环或其它芳香体系为核，通过多步偶联反应使苯环或大芳香环上6个C均被取代，循环往复，使芳香体系变大，得到一定尺寸的平面结构的石墨烯。
在此基础上人们不断加以改进，使得氧化石墨还原法成为最具有潜力和发展前途的合成石墨烯及其材料的方法。
除此之外，化学气相沉积法和晶体外延生长法也可用于大规模制备高纯度的石墨烯。
2.1 化学气相沉积法化学气相沉积法的原理是将一种或多种气态物质导入到一个反应腔内发生化学反应，生成一种新的材料沉积在衬底表面。
它是目前应用最广泛的一种大规模工业化制备半导体薄膜材料的技术。
Srivastava等[5]采用微波增强化学气相沉积法在包裹有Ni的Si衬底上生长出来20 nm左右厚度的花瓣状的石墨片，并研究了微波功率大小对石墨片形貌的影响。
获得了比之前的制备方法得到的厚度更小的石墨片，究结果表明：微波功率越大，石墨片越小，但密度更大，此种方法制备的石墨片含有较多的Ni 元素。
Kim等[6]在Si衬底上添加一层厚度小于300 nm的Ni，然后在1000 °C的甲烷、氢气和氩气的混合气流中加热这一物质，再将它迅速降至室温。
这一过程能够在Ni层的上部沉积出6—10层石墨烯。
通过此法制备的石墨烯电导率高、透明性好、电子迁移率高(~3700 cm2 /(V·s))，并且具有室温半整数量子Hall 效应。
用制作Ni层图形的方式，能够制备出图形化的石墨烯薄膜，这些薄膜可以在保证质量的同时转移到不同的柔性衬底上。
这种转移可通过两种方法实现：一是把Ni用溶剂腐蚀掉以使石墨烯薄膜漂浮在溶液表面，进而把石墨烯转移到任何所需的衬底上；另外一种则是用橡皮图章式的技术转移薄膜。
化学气相沉积法可满足规模化制备高质量、大面积石墨烯的要求，但现阶段因其较高的成本、复杂的工艺以及精确的控制加工条件制约了这种方法制备石墨烯的发展，有待进一步研究。
2.2外延生长法Clarie Berger等利用此种方法制备出单层[7]和多层[8]石墨烯薄片并研究了其性能。
通过加热，在单晶6H-SiC的Si-terminated (00001)面上脱除Si制取石墨烯。
将表面经过氧化或H2蚀刻后的样品在高真空下(UHV; base pressure 1.32×10-8Pa)通过电子轰击加热到1000 °C以除掉表面的氧化物(多次去除氧化物以改善表面质量)，用俄歇电子能谱确定氧化物被完全去除后，升温至1250-1450 °C，恒温1-20 min。
在Si表面的石墨薄片生长缓慢并且在达到高温后很快终止生长，而在C表面的石墨薄片并不受限，其厚度可达5到100层。
形成的石墨烯薄片厚度由加热温度决定。
这种方法可以得到两种石墨烯：一种是生长在Si 层上的石墨烯, 由于接触Si 层，这种石墨烯的导电性能受到较大影响；另一种是生长在C 层上的石墨烯，具有优良的导电能力。
两者均受SiC 衬底的影响很大。
这种方法条件苛刻(高温、高真空)、且制得的石墨烯不易从衬底上分离出来，不能用于大量制造石墨烯。
2.3 氧化石墨还原法氧化石墨还原法制备石墨烯是将石墨片分散在强氧化性混合酸中，例如浓硝酸和浓硫酸，然后加入高锰酸钾或氯酸钾强等氧化剂氧化得到氧化石墨(GO)水溶胶，再经过超声处理得到氧化石墨烯, 最后通过还原得到石墨烯。
这是目前最常用的制备石墨烯的方法。
石墨本身是一种憎水性的物质，然而氧化过程导致形成了大量的结构缺陷，这些缺陷即使经1100 °C退火也不能完全消除，因此GO表面和边缘存在大量的羟基、羧基、环氧等基团，是一种亲水性物质。
由于这些官能团的存在，GO容易与其它试剂发生反应，得到改性的氧化石墨烯。
同时GO层间距(0.7~1.2nm)也较原始石墨的层间距(0.335nm)大，有利于其它物质分子的插层。
制备GO 的办法一般有3 种：Standenmaier 法[9]、Brodie 法[10]和Hummers 法[11]。
制备的基本原理均为先用强质子酸处理石墨，形成石墨层间化合物，然后加入强氧化剂对其进行氧化。
GO 还原的方法包括化学液相还原、热还原、等离子体法还原、氢电弧放电剥离、超临界水还原、光照还原、溶剂热还原、微波还原等。
Stankovich等[12,13]首次将鳞片石墨氧化并分散于水中，然后再用水合肼将其还原，在还原过程中使用高分子量的聚苯乙烯磺酸钠(PSS)对氧化石墨层表面进行吸附包裹，避免团聚。
由于PSS 与石墨烯之间有较强的非共价键作用( π−π堆积力)，阻止了石墨烯片层的聚集，使该复合物在水中具有较好的溶解性(1 mg/mL)，从而制备出了PSS包裹的改性氧化石墨单片。
在此基础上，Stankovich等[7]制备出了具有低的渗滤值(约0.1 %体积分数)和优良的导电性能(0.1 S/m)的改性单层石墨烯/聚苯乙烯复合材料。
这种方法环保、高效，成本较低，并且能大规模工业化生产。