电工电子技术 第5章习题 半导体器件

b1) 不是二极管 c1) 是特殊的二极管 c2 ）状态。 b2) 反向截止 c2) 反向击穿
5-12 在二极管的反向特性中，反向电流是由（ （ ）运动形成的。 a) 少数载流子 扩散 b) 少数载流子 漂移 c) 多数载流子 扩散 d) 多数载流子 漂移
）的
b
5-13 随着正向电流的增大,普通二极管的直流电阻和交流 电阻( d ). a) 二 者 都 增 大 b) 前 者 增 大 , 后 者 减 小 c) 前者减小, 后者增大 d) 二者都减小
等效电路
E2 8V R2 4Ω
ID1=E1 /R1=20V/10Ω=2A
(b)图中，二极管反向偏置，VD２可 视为开路： 可知： ID2 =0A
ID2 VD2 (b)
等效电路
例5-２ 设图中的VD1、VD2都是理想二极管，求电阻Ｒ
（Ｒ＝３kΩ）中的电流和电压ＵＯ。
VD1
VD2 E1
解： 在二个电源Ｅ１和Ｅ２作用
5-16 电路如图所示, 输出电压U0应为( a ). a) 0.7V b) 3.7V c) 10V d) 0.3V
R 5k 10V

VD1 VD2
+
3V
UO -
5-17 图中给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性。硅管的 特性曲线（ b ） a)由a和c组成 b)由a和d组成 c)由b和c组成 d) 由b和d组成 5-18 由锗二极管VD，电源E和电阻R（R=3k ）组成电路，该 电路中电流比较准确的值是（ c ） a) 0 b) 0.27mA c) 0.4mA d) 0.5mA
Uo/V
a
b c t
例5-5 两个稳压管VSZ1和VSZ2的稳压值分别为5.5V和
8.5V，正向压降均为0.5V，要得到6V和14V电压，
试画出稳压电路。
解: 稳压管工作在反向击穿区：稳压管反向偏置时，两
端电压为其稳压值(5.5/8.5V)；稳压管正向偏置时，
管两端电压为其正向压降值(0.5V)。
例5-7 用直流电压表测某电路中三只晶体管的三个电极对地
的电压，其数值如图所示。试指出每只晶体管的E、B、C三个 极，并说明该管是硅管还是锗管。
1 6V
V1
1 0V
1 6V
V3
V2
-3V 3
2
-2.3V
a)
2
-0.7V
b)
5V 3
-6V
2
5.7V
c)
3
解 在正常工作的情况下NPN型硅管发射结的直流压降为 U BE =0.6到0.8伏；PNP 型锗管 U BE =-0.2到-0.3伏。
uo＝5V，是平行 ui为负半 周时，VD反向偏置，理想 二极管VD可视为开路。由 图可知， uo=ui ，即在ui为 负半周时, uo的波形与ui的 波形是一致的。
R
Ui /V 10 5 0 -5 -10 t
VD
ui E 5V 10 uo 5 0 -5 -10
V3
可见 V 3 是PNP锗管。
-6V 3
2
5.7V
c)
三个极：
2为B； 1为E；3为C
例：单相桥式整流电路，已知交流电网电压为 220 V，负载电阻 RL = 50，负载电压Uo=100V， 试求变压器的变比和容量，并选择二极管。
I D 0.5I o 1 A 可选用二极管2CZ11C，其最大整流电流为1A，
判断VD1的状态 (2) 再判断VD2的状态：把VD2从 图中取下，如图所示。
可以判断出图中的VD1是正向导通 的，于是８V 电源的正极经VD1接 d端，负极接c端，即开路端d点电 位高于c点电位，这个极性使VD2 正向偏置。
判断VD2的状态
(3) 根据上述判断可以画出等效电路:
VD1 VD2 E1 8V I E2 R
V 2 管的
0V
1
U BE U B U E 0V ( 0 . 7 )V 0 . 7V
V2
-0.7V
b)
可见 V 2 是NPN硅管。
5V 3
2
三个极： 1为B； 2为E；3为C
试指出每只晶体管的E、B、C三个极， 并说明该管是硅管还是锗管。
1
V 3 管的
6V
U BE U B U E 5 . 7V 6V 0 . 3V
R
E2 16V UO
8V
a +
b _ VD2
(1) 先判断VD1的状态：把VD1从图 中取下，如图所示。
R
E1 8V E2
16V UO
从图中可以判断出VD2是正向 导通的，于是８Ｖ电源的正极接a 端，负极接b端，a点电位高于b点 电位，这个极性使VD1反向偏置。
VD1 _ c E1 8V E2 16V UO + d R
5-9 二极管的导通条件是( a) u D> 0 c) uD <死区电压
b ) b) uD>死区电压
5-10 当温度升高后, 二极管的正向电压( b ), 反向 电流( )。 a a) 增大 b) 减小 c) 基本不变 5-11 稳压管（ a1) 是二极管 稳压管工作在（ a2) 正向导通
c1 ）
下，VD1和VD2是正向偏置还是反 向偏置不易看出。这类题可用下 面的方法判断二极管的状态： 先把被判断的二极管从电路中 取下，然后比较两个开路端电位的 高低，即确定开路端电压的极性。 若这个开路电压的极性对被判断的 二极管是正向偏置的,管子接回原处 仍是正向偏置；反之，管子接回原 处就是反向偏置的。
试指出每只晶体管的E、B、C三个极， 并说明该管是硅管还是锗管。
1 6V
V1
V 1 管的
U BE U B U E 2 . 3V ( 3 )V 0 . 7V .
可见 V 1 是NPN硅管。
-3V
3
2
-2.3V
a)
三个极：
2为B； 3为E；1为C
试指出每只晶体管的E、B、C三个极， 并说明该管是硅管还是锗管。
A VD1 B VD2
R1
R2 U1 U2 uo
VD1和VD2均做短路处理 后的等效电路如图所示。 由图可知：
ui
uo=ui
C
U1>U2， ui<U2 时的等效电路
例5-４ 在图示电路中，Ｅ＝5V、ui=10sinωt(V)、
VD为理想二极管，试画出输出电压uo的波形。
R VD
ui
E 5V
uo
解: 在ui和5V电源共同作用下，在哪个时间区段 上VD正向导通，在哪个时间区段上VD反向截止。 画出等效电路，最后在等效电路中求出uo的波形。
R
VSZ2 Ui VSZ1 5.5V 0.5V R VSZ2 8.5V 5.5V
Uo=6V
Ui VSZ1
Uo=14V
例5-6 某晶体管的集电极电流 ic 为1.6mA。穿透电
流ICEO为0.2mA，电流放大系数 ß ＝40，求基极电流 ib和发射极电流 ie。
解: 因为 ic= ßb+ICEO i 所以 ib = (ic-ICEO) /ß = (1.6-0.2)mA/40 = 35µ A ie = ic+ib =1.6mA+0.035mA = 1.635mA
则流过电阻Ｒ（Ｒ＝３kΩ ） 的电流和所求的电压为：
Ｉ ＝ (E1+E2 ) /R
UO
16V
＝ (8+16)V /3kΩ ＝ 8mA
等效电路
UＯ＝ - E1 ＝ - 8V
例5-3 图示电路中，VD1和VD2均为理想二极管，直流电压
Ｕ1＞Ｕ2，ui、uo是交流电压信号的瞬时值。试求:
(1) 当ui>U1时, uo=？(2) 当ui<U2时, uo=？
RLC 5 1 50 2 0.05 S
~
+ u –
+
C RL
+ uo –
已知 RL = 50
C 0.05 RL 0.05 200 250 10 F 250F
6
可选用C=250F，耐压为50V的极性电容器
5-1 本征半导体掺入五价元素成为( b ) a) 本征半导体 b) N型半导体 c) P型半导体 5-2 N型半导体的多数载流子是( a ) a) 电子 b)空穴 c)正离子 d)负离子 5-3 P型半导体中的多数载流子是（ b ），N型半导体的 多数载流子是（ a ） a) 自由电子 b） 空穴 5-4 PN节中扩散电流的方向是（ a ）,漂移电流的方向 （ b ) a) 从P区到N区 b) 从N区到P区
VD1
VD2
(a)
(b)
解：这两个含二极管的电路中都只有一个电源，容易 判断出二极管是正向偏置还是反向偏置。对理想二极 管，当判断出二极管正向偏置时就将其视为短路，当 判断出二极管反向偏置时，就将其视为开路，然后用 求解线性电路的方法求解。
E1 20V
R1 10Ω
ID1 VD1 (a)
(a)图中，电源的正极接二极管的正极， 电源的负极通过电阻Ｒ１接二极管的 负极，此时二极管正向偏置。将VD１ 视为短路。 由图可求得流过二极管VD1的电流：
第5章
半导体器件习题课
重点内容：
• 二极管的单向导电性； • 理想二极管、稳压二极管的特点； • 三极管的电流放大作用和开关作用， 即三极管三个工作区域的判定。
第5章
半导体器件习题课
例题及选择题
例5-1 图示电路中，二极管为理想二极管。试分析其工作情况，
并求流过二极管的电流。
E1 20V R1 10Ω E2 8V R2 4Ω
220
例： 有一单相桥式整流滤波电路，已知交流电源频 率 f=50Hz，负载电阻 RL = 200，要求直流输出电 压Uo=30V，选择整流二极管及滤波电容器。