开关电源反激变压器计算...
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
设计要求计算过程
输入端整流后电解电容电压纹波实际选择电解电容容量为:
下面有三种计算方法供我们比较参考,不同的设计方法,考虑的出发点本文中的设计,都是按照在最低输入电压、最大输出电流时,变换器工
输入功率P in
最低电压直流平均电流
反激式开关电源参数设计 v0.9
最低交流电源电压V acmin
最高交流电源电压V acmax 交流电源频率f ac 输出功率P out 效率η开关频率f s
稳态时MOS电压应力比例输入端最低直流电压V inmin 输入端最高直流电压V inmax 输入端电解电容容量
Vc、Vf
、Dmax
计算方
法一
选择最大工作占空比
RCD吸收电压与反射电压比例
反射电压V f
RCD箝位电压V c
RCD耗散能量是漏感能量的倍数
MOS工作电压应力MOS耐压要求Vc、Vf
、Dmax
计算方
法二
指定MOS耐压
设定RCD箝位电压比反射电压高
RCD箝位电压V c
反射电压V f
MOS工作电压应力
最大工作占空比
RCD耗散能量是漏感能量的倍数
Vc、Vf
、Dmax
计算方
法三
指定MOS耐压
RCD箝位电压与反射电压比例
RCD箝位电压V c
反射电压V f
MOS工作电压应力
综合以上计算结果,对比后,我们选择其中一种方法的结果来作为后继
不管是DCM还是CCM方式,都有这么一个公式成立:P in=(1/2)×V inmin×(I p1+I p2)×D max,所
下面,我们在设计中面临着另一个分水岭,是选择CCM,还是选择DCM
如果选择DCM,那么I p1=
I p2=
如果选择CCM,并定义
I p2=
p1则,I p1
=
I p2=
根据公式,L p=V inmin×D max/(f s×(I p2-I p1)),可以求出两种模式下的初级电感量:
L p=
L p=
下面根据AP法,选择磁芯规格。先计算所需要AP值:
设定最大工作磁感应强度为
设定电流密度为
设定占空系数为
AP=
AP=
经查询磁芯参数,选择一款的磁芯:
Ae=
Aw=
AP=
选择DCM,则Np=
选择CCM,则Np=
接着,我们来计算次级绕组的匝数:
我们先设定次级整流二极管的压降:
N p=
那么
选择DCM,则
选择CCM,则
、Dmax
计算方
法三
最大工作占空比
RCD耗散能量是漏感能量的倍数
最大工作占空比D max
反射电压V f
RCD箝位电压V c
I p1+I p2=
I p2-I p1=
I p2-I p1=
K0=
选择DCM,则
下面,根据L p I p2=N p B max A e来计算初级侧的匝数:
Bmax=
Kj=
选择CCM,则
先看初级的:DCM时
需要导线的铜截面积为:
CCM时
需要导线的铜截面积为:
要计算次级电流的RMS值,首先要知道次级输出电流值。
假设某次级的输出电流为DCM时,次级峰值电流:
则
需要导线的铜截面积为:
CCM时,首先要计算次级梯形波电流值,定义梯形短边为I sp1,长边为I sp2那么I sp1和I sp2的比例关系与初级侧相同。可以求出:则需要导线的铜截面积为:
知道了次级绕组的有效值电流,就可以选择合适的线径了。注意单根线
Δ=下面来选择合适的次级滤波电解电容
假设我们的输出是DCM模式,按照上面的计算知道
那么,说明我们可以用两只这样的电容并联使用就可以满足要求了。
但实际使用时,必须检测电容的温度和自温升。对电容的使用是否合理
Sp=I prms =Sp=Iout=I sp =I srms =
按照梯形波的RMS值计算公式计算初、次级绕组电流
I prms =I srms =S s =
Isp1=
Isp2=
Isrms=
S s =趋肤深度简单计算为
现在来计算RCD吸收电路的参数:变压器实测初级漏感约为:我们已经设计了箝位电压
假如我们设定吸收电容电压波动为:那么对于DCM模式时,损耗功率:P=电阻取值:
R=吸收电容容量为:
C=那么对于CCM模式时,损耗功率:P=电阻取值:
R=吸收电容容量为:
C=
Lplk=V c =
数设计v0.9作者:让你记得我的好
注意:
考虑的出发点是不同的。
时,变换器工作在CCM模式或CRM模式来考虑的。
(1/2)×V D max ,所以:
2cm 4
cm 4cm 2
cm 2
cm 4
mm2
mm2
mm2 sp1,长边为I
sp2
mm2
使用是否合理重新评估。