PNP三极管S 规格书
s8550三极管 (2)
s8550三极管1. 引言S8550三极管是一种小功率PNP型晶体管，广泛应用于各种电子电路中。
本文将介绍S8550三极管的基本特性、引脚说明以及应用案例。
2. 基本特性S8550三极管的主要技术参数如下：•极性：PNP型•最大集电极电流（IC）：700mA•最大收集极-基极电压（VCBO）：40V•最大集电极-发射极电压（VCEO）：25V•最大基极-发射极电压（VEBO）：5V•最大功率（P）：625mW•最大温度（TJ）：150℃3. 引脚说明S8550三极管的引脚如下所示：----B | | C| |E | |----•B：基极（Base）•C：集电极（Collector）•E：发射极（Emitter）4. 应用案例S8550三极管由于其小功率特性，适用于许多电子电路中，以下是一个简单的应用案例：使用S8550三极管实现亮度调节。
4.1 原理图----V1 | | C| |---- R1 ---- LEDE | |----4.2 说明•通过电阻R1限制电流，以实现LED的亮度调节。
•通过控制输入电压V1的大小，改变电流流过R1，进而改变LED的亮度。
4.3 注意事项•确保输入电压V1不超过S8550三极管的最大集电极-基极电压（VCBO）。
•根据实际要求选择合适的电阻值R1，以控制LED的亮度在合适范围内。
5. 结论S8550三极管是一种小功率PNP型晶体管，具有较高的集电极电流和较低的最大功率，适用于各种电子电路中。
在设计和应用中，需要根据其特性和引脚说明进行正确的选型和连接，方能发挥其最佳性能。
以上是关于S8550三极管的简要介绍及应用案例。
PNP NPN区别及S8550 S8050参数
PNP、NPN的区别及三极管S8550和S8050 参数NPN是用B→E 的电流（IB）控制C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C 极电位最高，即VC > VB > VEPNP是用E→B 的电流（IB）控制E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C 极电位最低，即VC<VB<VENPN电路中，E最终都是接到地板（直接或间接），C最终都是接到天花板（直接或间接）。
PNP电路则相反，C最终都是接到地板（直接或间接），E最终都是接到天花板（直接或间接）。
这也是为了满足上面的VC 和VE的关系。
NPN基极高电压，集电极与发射极短路。
低电压，集电极与发射极开路。
也就是不工作。
PNP基极高电压，集电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发射极短路。
NPN和PNP的区别：1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn。
2.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp。
3.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择npn。
4.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp。
S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。
S8050是NPN管，S8550是PNP管。
它们引脚排列完全一样。
你面对字标，自左向右——e；发射极；b基级；c集电极。
指针万用表核对：档位拨到hfe档位，8050插入到NPN测试孔，8550插入到PNP测试孔，万用表正确指示hfe值的，万用表测试孔标定的ebc管脚记下就是了。
S8550 TO-92S8550 SOT-23S8050 TO-92S8050 SOT-23。
SA系列(PNP型)三极管参数表
-2
-50
-50
100M
40-240
CK77B
2SA1020T
UTC
硅PNP三极管,功率放大，功率开关，配对管2SC2655
900m
-2
-50
-50
100M
40-240
CK77B
2SA1021
TOSHIBA
停产，用2SA1408代替
20
-1.5
-150
20M
3CA10F
2SA1022
PANASONIC
25
-1.5
-180
-160
120M
60-200
3CA10F
2SA1011S
SANYO
硅PNP三极管,功率放大，场输出，配对管2SC2344
25
-1.5
-180
-160
120M
60-200
3CA10F
2SA1011W
WS
硅PNP三极管,功率放大，场输出，配对管2SC2344
25
-1.5
-180
-160
3CG120A
2SA1031C
HITACHI
硅PNP三极管,高频低噪声放大，配对管2SC458/2SC2310
300m
-100m
-30
-30
200M
100-500
3CK14F
2SA1031D
HITACHI
硅PNP三极管,高频低噪声放大，配对管2SC458/2SC2310
300m
-100m
-30
-30
硅PNP三极管,低频放大，配对管2SC2295
200m
-30m
-30
-20
三极管极性管脚功能参数
三极管极性管脚功能参数品名极性管脚功能参数MPSA42 NPN 21E 电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA92 PNP 21E 电话视频放大300V0.5A0.625WMPS2222A NPN 21 高频放大75V0.6A0.625W300MHZ9011 NPN EBC 高频放大50V30mA0.4W150MHz9012 PNP 贴片低频放大50V0.5A0.625W9013 NPN EBC 低频放大50V0.5A0.625W9013 NPN 贴片低频放大50V0.5A0.625W9014 NPN EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9015 PNP EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9018 NPN EBC 高频放大30V50MA0.4W1GHZ8050 NPN EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 PNP EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ2N2222 NPN 4A 高频放大60V0.8A0.5W25/200NSβ=452N2222A NPN 小铁高频放大75V0.6A0.625W300MHZ2N2369 NPN 4A 开关40V0.5A0.3W800MHZ2N2907 NPN 4A 通用60V0.6A0.4W26/70NSβ=2002N3055 NPN 12 功率放大100V15A115W2N3440 NPN 6 视放开关450V1A1W15MHZ2N3773 NPN 12 音频功放开关160V16A150W COP 2N6609 2N3904 NPN 21E 通用60V0.2Aβ=100-4002N3906 PNP 21E 通用40V0.2Aβ=100-4002N5401 PNP 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5551 NPN 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5685 NPN 12 音频功放开关60V50A300W2N6277 NPN 12 功放开关180V50A250W2N6609 PNP 12 音频功放开关160V15A150W COP2N37732N6678 NPN 12 音频功放开关650V15A175W15MHZ 2N6718 NPN 小铁音频功放开关100V2A2W50MHZ3DA87A NPN 6 视频放大100V0.1A1W3DG6A NPN 6 通用15V20mA0.1W100MHz3DG6B NPN 6 通用20V20mA0.1W150MHz3DG6C NPN 6 通用20V20mA0.1W250MHz3DG6D NPN 6 通用30V20mA0.1W150MHz3DG12C NPN 7 通用45V0.3A0.7W200MHz3DK2B NPN 7 开关30V30mA0.2W3DK4B NPN 7 开关40V0.8A0.7W3DK7C NPN 7 开关25V50mA0.3W3DD15D NPN 12 电源开关300V5A50W3DD102C NPN 12 电源开关300V5A50W3522V 5.2V稳压管录像机用A634 PNP 28E 音频功放开关40V2A10WA708 PNP 6 NF/S 80V0.7A0.8WA715C PNP 29 音频功放开关35V2.5A10W160MHZA733 PNP 21 通用50V0.1A180MHZA741 PNP 4 S 20V0.1A <70/120nSA781 PNP 39B 开关20V0.2A <80/160NSA928 PNP ECB 通用20V1A0.25WA933 PNP 21 Uni 50V0.1A140MHzA940 PNP 28 音频功放开关150V1.5A25W4MHZ /C2073A950 PNP 21 通用30V0.8A0.6WA966 PNP 21 音频激励输出30V1.5A0.9W COP:C2236A968 PNP 28 音频功放开关160V1.5A25W100MHZ /C2238 A1009 PNP BCE 功放开关350V2A15WA1012 PNP 28 音频功率放60V5A25WA1013 PNP 21 视频放大160V1A0.9WA1015 PNP 21 通用60V0.15A0.4W8MHZA1020 PNP 21 音频开关50V2A0.9WA1123 PNP 21 低噪放大150V0.05A0.75WA1162 PNP 21d 通用贴片50V0.15A0.15WA1216 PNP BCE 功放开关180V17A200W20MHZ /2922A1220 PNP 29 音频功放开关120V1.5A20W150MHZ/C2690 A1265 PNP BCE 功放开关140V10A100W30MHZ /C3182A1295 PNP BCE 功放开关230V17A200W30MHZ /C3264A1301 PNP BCE 功放开关160V10A100W30MHZ /C3280A1302 PNP BCE 功放开关200V15A150W30MHZ /C3281A1358 ? PNP 高频120V1A10W120MHZA1444 PNP BCE 高速电源开关100V15A30W80MHZA1494 PNP BCE 功放开关200V17A200W20MHZ /C3858A1516 PNP BCE 功放开关180V12A130W25MHZA1668 PNP 28B 电源开关200V2A25W20MHZA1785 PNP BCE 驱动400V1A1W/120V1A0.9W140MHA1941 PNP BCE 功放开关140V10A100WCOP:5198A1943 PNP BCE 功放开关230V15A150W /C5200 原A1988 PNP 30 功放开关B449 PNP 12 功放开关50V3.5A22.5W 锗管B631K PNP 29 音频功放开关120V1A8W130MHZ /D600KB647 PNP 21 通用120V1A0.9W140MHZ /D667B649 PNP 29 视放180V1.5A1W /D669B669 PNP 28 达林顿功放70V4A40WB673 PNP 28 达林顿功放100V7A40WB675 PNP 28 达林顿功放60V7A40WB688 PNP BCE 音频功放开关120V8A80W /D718B734 PNP 39B 通用60V1A1W /D774B744 PNP 21 通用30V0.1A0.25WB772 PNP 29 音频功放开关40V3A10WB774 PNP 21 通用30V0.1A0.25WB817 PNP 30 功放开关160V12A100W /D1047B834 PNP 28 功放开关60V3A30WB937A PNP 功放开关60V2A35 DRALB1020 PNP 28 功放开关达林顿100V7A40Wβ=6000B1079 PNP 30 达林顿功放100V20A100Wβ=5000/D1559 B1185 PNP 28B 功放开关60V3A25W 70MHZ /D1762B1238 PNP ECB 功放开关80V0.7A1W 100MHZB1240 PNP 39B 功放开关40V2A1W100HZB1243 PNP 39B 功放开关40V3A1W70HZB1316 PNP 54B 驱动功放达林顿100V2A10Wβ=15000B1317 PNP BCE 音频功放180V15A150W COP:D1975B1335 PNP 28 音频功放低噪80V4A30W 12MHZB1375 PNP BCE 音频功放60V3A2W9MHZB1400 PNP 28B 达林顿功放120V6A25W β=1000-20000 B1429 PNP BCE 功放开关180V15A150WB1494 PNP BCE 达林顿功放120V25A120Wβ=2000-20000 C106 NPN EBC 音频功放开关60V1.5A15WC380 NPN 21 高频放大35V0.03A250MHZC458 NPN 21 通用30V0.1A230MHzC536 NPN 21 通用40V0.1A180MHZC752 NPN 21 通用30V0.1A300MHzC815 NPN 21 通用60V0.2A0.25WC828 NPN 21 通用45V0.05A0.25WC900 NPN 21 低噪放大30V0.03A100MHZC943 NPN 4A 通用60V0.2A200MHZC945 NPN 21 通用50V0.1A0.5W250MHZC1008 NPN 6 通用80V0.7A0.8W50MHZC1162 NPN 29 音频功放开关35V1.5A10WC1213 NPN 39B 监视器专用35V0.5A0.4WC1222 NPN 21 低噪放大60V0.1A100MHZ。
三极管参数表
0.63 270 60-1000
D1812 NPN NF
0.4 620 28-198
D1861 NPN Darl
0.4 1100 28-198
D1930 NPN Darl
0.31
2N5401 D400 NPN Uni
2
25000
D468 NPN Uni
0.63
A92 D593 NPN Vid
0.5 300 75-900 BC557 D603 NPN Uni
60 2 0.9
A1020
30 0.05 0.15 2.4G 帖
20 0.1 0.6 6.5G
20 0.1 0.25 7G
40 1 0.6 150
60 0.1 0.3
80 2 0.9
120 1
1
120 2
1
30 0.1
230
30 0.02
700
50 0.03
250
50 0.1
250
2SA系列(PNP型)三极管全参数表
-1.5
-180
-160
120M
60-200
3CA10F
2SA1011S
SANYO
硅PNP三极管,功率放大，场输出，配对管2SC2344
25
-1.5
-180
-160
120M
60-200
3CA10F
2SA1011W
WS
硅PNP三极管,功率放大，场输出，配对管2SC2344
25
-1.5
-180
-160
200m
-500m
-40
-32
200M
82-390
2SA1037AK
ROHM
硅PNP三极管,一般小信号放大，配对管2SC2412K
200m
-150m
-60
-50
140M
120-560
2SA1037B
LRC
硅PNP三极管,一般小信号放大，配对管2SC2412K/2SC4081
200m
-150m
-60
-50
-25
200M
50-340
CK77A
2SA0684
PANASONIC
硅PNP三极管,低频功率放大和驱动，配对管2SC1384
1
-1.5
-60
-50
200M
50-340
CK77A
2SA0794
PANASONIC
硅PNP三极管,低频功率放大和驱动，配对管2SC1567
1.2
-500m
-100
-100
120M
60M
70-240
3CA10D
2SA1013
长电
硅PNP三极管,TO-92，放大
常用贴片三极管参数及丝印
常⽤贴⽚三极管参数及丝印现在贴⽚三极管⼴泛⽤于各种电⼦产品中，但像SOT23封装的贴⽚三极管，因其体积较⼩，管壳上⼀般打印不下完整型号，通常都是采⽤⼀些代码来表⽰其型号，这给使⽤与维修带来了⼀些⿇烦。
本⽂介绍⼀些⽬前最常⽤的贴⽚三极管的丝印及其主要参数，供电⼦爱好者参考。
1、S9012，PNP型三极管，Pcm＝300mW，Icm＝500mA，BVceo＝25V。
2、S9013，NPN型三极管，Pcm＝300mW，Icm＝500mA，BVceo＝25V。
9012和9013经常作为互补管使⽤。
3、S9014，NPN型三极管，Pcm＝200mW，Icm＝100mA，BVceo＝45v。
4、S9015，PNP型三极管，Pcm＝200mW，Icm＝100mA，BVceo＝45V。
S9014和S9015为互补管。
5、S9018，NPN型⾼频三极管，Pcm＝200mW，Icm＝50mA，BVceo＝18V。
6、S8050，NPN型三极管，Pcm＝300mW，Icm＝500mA，BVceo＝25V。
7、S8550，PNP型三极管，Pcm＝300mW，Icm＝500mA，BVceo＝25V。
S8050和S8550为互补管。
8、A1015完整型号为2SA1015，PNP型三极管，Pcm＝200mW，Icm＝150mA，BVceo＝50V。
9、C1815，完整型号为2SC1815，NPN型三极管，Pcm＝200mW，Icm＝150mA，BVceo＝50V。
该管与A1015为互补管。
10、MMBT5551，NPN型三极管，Pcm＝300mW，Icm＝600mA ，BVceo＝150V。
5551为互补管。
12、2SA733，PNP型三极管，Pcm＝200mW，Icm＝150mA，BVceo＝50V。
为互补管。
14、M MBTA42，NPN型⾼反压三极管，Pcm＝300mW，Icm＝300mA，BVceo＝300V。
与MMBTA42为互补管。
PNP贴片三极管数据手册
MMBT3906PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR·Epitaxial Planar Die Construction ·Complementary NPN Type Available (MMBT3904)·Ideal for Medium Power Amplification and Switching ·Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 2)FeaturesMaximum Ratings@ T A = 25°C unless otherwise specifiedMechanical Data·Case: SOT-23·Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0·Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C ·Terminal Connections: See Diagram·Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208·Also Available in Lead Free Plating (Matte TinFinish annealed over Alloy 42 leadframe). Please see Ordering Information, Note 5, on Page 2·Marking (See Page 2): K3N·Ordering & Date Code Information: See Page 2·Weight: 0.008 grams (approximate)Notes: 1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which can be found on our website at /datasheets/ap02001.pdf. 2. No purposefully added lead.SPICE MODEL: MMBT3906Electrical Characteristics @ T A = 25°C unless otherwise specifiedNotes: 3. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.4. For Packaging Details, go to our website at /datasheets/ap02007.pdf.5. For Lead Free/RoHS Compliant version part number, please add "-F" suffix to the part number above. Example: MMBT3906-7-F.K3NY MK3N = Product Type Marking Code YM = Date Code Marking Y = Year ex: N = 2002M = Month ex: 9 = SeptemberMarking InformationOrdering Information Date Code Key(Note 4)050100255075100125150175200P , P O W E R D I S S I P A T I O N (m W )D T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)A Fig. 1, Max Power Dissipation vsAmbient Temperature1502002503003500100100.1110100C , I N P U T C A P A C I T A N C E (p F )I B O C , O U T P U T C A P A C I T A N C E (p F )O B O V , COLLECTOR-BASE VOLTAGE (V)CB Fig. 2, Input and Output Capacitance vs.Collector-Base Voltage11010001000.11101000100h , D C C U R R E N T G A I NF E I , COLLECTOR CURRENT (mA)C Fig. 3, Typical DC Current Gain vsCollector Current1011101001000V , C O L L E C T O R -E M I T T E R (V )C E (S A T ) S A T U R A T I O N V O L T A G EI , COLLECTOR CURRENT (mA)C Fig. 4, Typical Collector-Emitter Saturation Voltagevs. Collector Current0.11100.11101001000V , B A S E -E M I T T E R (V )B E (S A T ) S A T U R A T I O N V O L T A G EI , COLLECTOR CURRENT (mA)C Fig. 5, Typical Base-EmitterSaturation Voltage vs. Collector Current。
PNP三极管S8550规格书
400
-0.6 V -1.2 V
150
MHz
J 300-400
C,Mar,2013
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 -0
-0
-1200
I ——
C
V CE
-400uA -360uA -320uA
hFE(2)
VCE= -1V, IC= -500mA
VCE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA
VBE(sat)
fT
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
H 200-350
Min -40 -25 -5
120 50
Max Unit V V V
CE
-300
-600
-900
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
-1200
C /C —— V /V
ob ib
CB EB
C ib
C ob
-1
REVERSE VOLTAGE V (V)
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25 ć a
-10
-20
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
pnp三极管s8550规格书 collectorsot-23 plastic-encapsulate transistors s8550 transistor (pnp) features collectorcurrent: =0.5amarking 2tymaximum ratings (ta=25 unless otherwise noted) symbol parameter value unit cbocollector-base voltage -40 ceocollector-emitter voltage -25 eboemitter-base voltage -5 collectorcurrent -continuous -0.5 collectorpower dissipation 0.3 junctiontemperature 150 stgstorage temperature -55-150 electricalcharacteristics (ta=25 unless otherwise specified) parameter symbol test conditions min max unit collector-base breakdown voltage collector-emitterbreakdown voltage emitter-basebreakdown voltage collectorcut-off current collectorcut-off current emittercut-off current -50ma120 400 dc current gain -500ma50 collector-emitter saturation voltage ce(sat) -50ma-0.6 base-emittersaturation voltage -50ma-1.2 transitionfrequency -20maf=30mhz 150 mhz classification range120-200 200-350 300-400 c,mar,2013 -0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -0 -300 -600 -900 -1200 -1 -10 -100 -1 -10 -100 10 100 -0.1 -1 -10 2550 75 100
2SA562三极管参数 TO-92三极管2SA562规格书
Symbol
Test conditions
Min
V(BR)CBO IC= -100μA , IE=0
-35
V(BR)CEO IC= -1mA , IB=0
-30
V(BR)EBO IE= -100μA, IC=0
-5
ICBO
VCB=-35V, IE=0
IEBO
VEB= -5V, IC=0
hFE
VCE=-1V, IC=-100mA
V V MHz pF
CLASSIFICATION OF hFE
RANK RANGE
O 70-140
Y 120-240
%'HF,2011
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Typical Characteristics
2SA562
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
Static Characteristic
-120
COMMON EMITTER Ta=25℃
1000
-0.80mA
-0.72mA
-0.64mA
-80
-0.56mA
-0.48mA
-0.40mA
100
h —— I
FE
C
Ta=100℃ Ta=25℃
DC CURRENT GAIN hFE
-0.32mA
-40
70
VCE(sat)
IC= -100mA, IB= -10mA
VBE
VCE=-1V,IC=-100mA
fT
VCE= -6V, IC= -20mA
Cob
VCB=-6V,IE=0,f=1MHz
Typ
PNP-NPN区别及S8550-S8050参数
PNP 、NPN 的区别及三极管S8550和S8050 参数NPN 是用B T E 的电流（IB ）控制C T E 的电流（IC ） , E 极电位最低，且正常放大时通 常C 极电位最高，即 VC > VB > VEPNP 是用E T B 的电流（IB ）控制E T C 的电流（IC ）, E 极电位最高，且正常放大时通 常C 极电位最低，即 VC<VB<VENPN 电路中，E 最终都是接到地板（直接或间接），C 最终都是接到天花板 （直接或间接） PNP 电路则相反，C 最终都是接到地板（直接或间接），E 最终都是接到天花板（直接或间 接）。
这也是为了满足上面的 VC 和VE 的关系。
NPN 基极高电压，集电极与发射极短路。
低电压，集电极与发射极开路。
也就是不工作。
PNP 基极高电压，集电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发 射极短路。
NPN 和PNP 的区别： 1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn 。
黄电结、a oN -P -一基工H一rbo --------c-—N --WlxVa集电權G2. 如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择 pnp 。
3. 如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择 npn 。
4. 如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp 。
圄片一TO92封装S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。
S8050是NPN 管，S8550是PNP 管。
它们引脚排列完全一样。
你面对字标，自左向右一一e ;发射极；b 基级；c 集电极。
指针万用表核对：档位拨到 hfe 档位，8050插入到NPN 测试孔，8550插入到PNP 测试孔，万用表正确指示 hfe 值的，万用表测试孔标定的ebc 管脚记下就是了。
S8550 TO-92封装TO 921. 发射扱2. 基极玉集电扱SOT —23T 基极 2发射根3集电棣團片二贴片对装W WEI 1 Z5M|S8550PNP General Purpose Transistors 观 Lead(Pb)-Free,.™r Z. BA^iE I^COLLECTOR、ABSOLCTE MAXJMUV1 RATIM^S (T 沪站t )RjtflDgS? nibihl ^'alur Uni[ Coilectcr-Emilter VoltageVCEO -2SVdc Collector-Base Voltage VtBOVdc Emvitt^r-Base VOltageV£BO-SOVdc Collector Current<C -SOO m Adc Total Device Dissipation T A =25 <Z Pp Q 635 W Junction Ttrnperature TJ ISO p Storage. Ternp&ratureTstg-55 10 fl 50°CS8550 SOT-23MAXIMUM RATINGS (T A =25 Cunless ottienvise notedSymbol Pa4r<amfli$r Value Units VtM Gollector'Basft Vbitfige 40 V VetoCoKectw-Emlfter votta^e 25 V 皿 Emilter-Base Vdtage 5V lcGodeclw Currenl -Conlinuou^ 0.5A P CCoiilectv OiMipanon 03w 卜Junction Temp&mure150£JStoraoa TemperalurB■55-15QS8050 TO-92FEATURESComplim&frtary tc S855OCollector Current" IC=& 5AMARKING; J3YSOT-23DimMin MaxA2.8Q03 040 6 1 2001 400 CQmC 1.110 D Q.37QO^OCIG 1.TB0 2X0 H 0.013 0.100J o.oes0.177K0.4AO 0<600 L 0.6S0 1 QEOs 2.100 2 500 ¥0.450OuOOOAll Di men sio n in mmi ■in*A 初 e 賈ci 「V •嚏per”豊n 乳河 晒补-MtEle TS8050 SOT-23。
2SA系列(PNP型)三极管全参数表
硅 PNP 三极管
95
HITACHI
硅 PNP 三极管,低频放大，配对管 2SC458/2SC2308
-100m
300m
-30
HITACHI
硅 PNP 三极管,低频放大，配对管 2SC458/2SC2308
-100m
300m
-30
锗 PNP 三极管,高频射频放大
60m -10m -40
HITACHI
-180
80M 30-320
3CA10F
-200
80M 30-320
3CA10F
-250 -150
-100
80M 30-320 40-200
3CA10F 3CD8E 3CD8E 3CA5F
-350
10
-400 -100
10 15M
20-200
3AG95A 3CA10F
-160 120M 60-200
硅 PNP 三极管
硅 PNP 三极管
-100m
400m
-60
-200m 250m
-200m 250m
2SA1028 2SA1029 2SA1029B 2SA103 2SA1030 2SA1030B 2SA1030C 2SA1031 2SA1031C 2SA1031D 2SA1032 2SA1032B 2SA1032C 2SA1033
PANASONIC 硅 PNP 三极管,低频放大，配对管 2SC2295
硅 PNP 三极管
200m -30m -30
-100m
250m
-70
2SA1024
硅 PNP 三极管
-100m 400m
2SA1025 2SA1026 2SA1027
2SA系列(PNP型)三极管全参数表
-50 200M 100-320 3CK14H
-50 200M 100-320 3CK14H
-30 200M 100-500 3CG120A
-30 200M 100-500 3CK14F
-30 200M 100-500 3CK14F
-50 200M 100-320 3CG120B
-50 200M 100-320 3CK14H
-50 200M 100-320 3CK14H
-30 280M
3CG120A
-35 200M 180-700 3CG110C
-55 200M 180-700 3CG170A
-32 200M 82-390
-50 140M 120-560
实用标准文档
2SA1037B
LRC
2SA1037K
ROHM
2SA1038S 2SA1039
配对管 2SC1383
-25 200M 50-340
CK77A
2SA0684
PANASONIC 硅 PNP 三极管,低频功率放大和驱动， 1 -1.5 -60
配对管 2SC1384
-50 200M 50-340
CK77A
2SA0794
PANASONIC 硅 PNP 三极管,低频功率放大和驱动， 1.2
实用标准文档
型号
厂商
特性用途
集电极 集电极
集电极-基 集电极-发
最大直 最大允
特征频
极击穿电 射极击穿
流耗散 许直流
率
压
电压
功率 电流
ft(Hz)
BVcbo(V) BVceo(V)
Pcm(W) Icm(A)
放大倍数
国内外代换 型号
2SA1036三极管参数 TO-92三极管2SA1036规格书
R
180 - 390
B,Aug,2012
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Typical Characteristics
2SA1036
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
Static Characteristic
-15
COMMON EMITTER T =25℃
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Symbol
A A1 b c D D1 E e e1 L Φ h
Dimensions In Millimeters
Label on the Inner Box
Stamp “EMPTY” on the empty box
Seal the box with the tape
QA Label
Outer Box: 525 mm× 360mm× 262mm
Label on the Outer Box
Symbol Test conditions
V(BR)CBO IC=-100μA,IE=0
V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0
V(BR)EBO IE=-100μA,IC=0
ICBO
VCB=-20V,IE=0
IEBO
VEB=-4V,IC=0
hFE
VCE=-3V,IC=-10mA
VCE(sat) IC=-100mA,IB=-10mA
COLLCETOR CURRENT I (mA) C
TRANSITION FREQUENCY f (MHz) T
2SA1298贴片三极管规格书
0.089
0.100
0.037 TYP.
0.071
0.079
0.022 REF.
0.012
0.020
0°
8°
The bottom gasket
3000×15 PCS
Label on the Reel 3000×1 PCS
Seal the box with the tape
The top gasket
2.250
2.550
0.950 TYP.
1.800
2.000
0.550 REF.
0.300
0.500
0°
8°
Dimensions In Inches
Min.
Max.
0.035
0.045
0.000
0.004
0.035
0.041
0.012
0.020
0.003
0.006
0.110
0.118
0.047
0.055
1000
VCE=-1V
-200
-400
-600
-800
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
-1000
f —— T
I
C
100
VCE=-5V
Ta=25 oC
10
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
625
Junction Temperature
150
Storage Temperature
-55～+150
s9011、9012、9013~8050、8550系列三极管特性及用途讲解
s9011、9012、9013~8050、8550系列三极管特性及用途讲解(一) 系列三极管S9011、9012、9013、9014、9015、9018、8050、8550系列三极管是小功率三极管。
大部分是NpN型管，只有9012、9015丶8550是PNP型三极管。
这里值得注意的是: 一般地，在三极管前面如果加ss，那么这个三极管是原装进口的; 而只帶一个s，那么应是国产的。
例如: ss8050是进口的，而s8050是国产的。
(二)系列三极管如图①，图②，图③，图④，图⑤图① s9013系列三极管图② s8050、8550三极管图③ s9013系列三极管引脚图④ NPN、PNP三极管符号图⑤ 单管驱动继电器(二) 系列三极管技术参数:9011NpN低噪放大，50Ⅴ0.3A.0.4w;9012pNp低噪放大，50v0.5A.0.625w;9013NpN低频放大，50v0.5A.0.625w;9014NpN低噪放大，50Ⅴ0.1A.0.4w;9015pNp低躁放大，50Ⅴ0.1A.0.4w;9018NpN高频放大，30v.0.05A.0.4w;8050NpN高频放大，40v.1.5A.1w;8550pNp高频放大，40v1.5A.1w。
(三) 它们的主要作用.用途:以上系列三极管，是半导体基本元器件之一，具有开关和电流放大作用;它们作为音频放大和收音机推挽1w输出及电子玩具、灯具放大和开关等电路。
(四) 三极管应用电路2例:图① NpN、PNP单管驱动发光管图② P NP、NpN三管推挽电路以上s9011一9018，s8050、8550系列三极管是目前市场上和产品上常用和使用最多的元器件，广泛应用于各种小功率电路产品中，很受欢迎。
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VOLTAGE V
BASE-EMITTER SATURATION
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
-800
-400 -1
-500 -100
-10
-1 -0
50
10
1 -0.1
T
=25ć
a
-100
CEsat
T
=100
a
ć
VOLTAGE V
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
CE
-300
-600
-900
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
-1200
C /C —— V /V
ob ib
CB EB
C ib
C ob
-1
REVERSE VOLTAGE V (V)
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25 ć a
-10
-20
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
-0.1 ȝA -0.1 ȝA -0.1 ȝA
400
-0.6 V -1.2 V
150
MHz
J 300-400
C,Mar,2013
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 -0
-0
-1200
I ——
C
V CE
-400uA -360uA -320uA
10 -1
-500
S8550
h —— FE
I
C
T =100ć a T =25ć a
COMMON EMITTER V =-1V
CE
-10
-100
-500
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
V
——
CEsat
I
C
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
(mV)
BEsat
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank Range
L 120-200
Symbol
MARKING : 2TY
MAXIMUM RATINGS (Ta=25Я unless otherwise noted)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg
Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature
Value
Unit
-40
V
-25
V
-5
V
-0.5
A
0.3
W
150
Я
-55-150
Я
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25Я unless otherwise specified)
Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current
I —— V
C
BE
ȕ=10
-500
-10 -1
400
100
T
=100
a
ć
T
=25ć
a
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
f T
——
I
C
ȕ=10
-500
TRANSITION FREQUENCY f (MHz) T
ć
=25ć
=100
T a
T a
COMMON EMITTER V =-1V
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SOT-23
S8550 TRANSISTOR (PNP)
FEATURES z Complimentary to S8050 z Collector current: IC=0.5A
1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR
COMMON EMITTER T =25ć
a
-280uA
-240uA
-200uA
-160uA
-120uA
-80uA
I =-40uA
B
-2
-4
-6
-8
-10
-12
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V (V) CE
V —— BEsat
I
C
DC CURRENT GAIN h FE
500 100
C
10 -1
400
COMMON EMITTER V =-6V
CE
Ta=25ć
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
P —— T
C
a
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE T (ć) a
C,Mar,2013
CAPACITANCE C (pF)
Test conditions
V(BR)CBO
IC = -100ȝA, IE=0
V(BR)CEO
IC =-1mA, IB=0
V(BR)EBO
IE= -100ȝA, IC=0
ICBO
VCB= -40V, IE=0
ICEO
VCE= -20V, IB=0
IEBO
VEB= -3V, IC=0
hFE(1)
VCE= -1V, IC= -50mA
hFE(2)
VCE= -1V, IC= -500mA
VCE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA
VBE(sat)
fT
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
H 200-350
Min -40 -25 -5
120 Hale Waihona Puke 0Max Unit V V V