集成电路设计基础复习要点

集成电路设计基础复习要点

第一章集成电路设计概述

1、哪一年在哪儿发明了晶体管？发明人哪一年获得了诺贝尔奖？

2、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的？发明人哪一

年为此获得诺贝尔奖？

3、什么是晶圆？晶圆的材料是什么？

4、晶圆的度量单位是什么？当前主流晶圆尺寸是多少？目前最大晶

圆尺寸是多少？

5、摩尔是哪个公司的创始人？什么是摩尔定律？

6、什么是SoC？英文全拼是什么？

7、说出Foundry、Fabless和Chipless的中文含义。

8、什么是集成电路的一体化(IDM)实现模式？

9、什么是集成电路的无生产线(Fabless)设计模式？

10、目前集成电路技术发展的一个重要特征是什么？

11、一个工艺设计文件(PDK)包含哪些内容？

12、什么叫“流片”？

13、什么叫多项目晶圆(MPW) ？MPW英文全拼是什么？

14、集成电路设计需要哪些知识范围？

15、著名的集成电路分析程序是什么？有哪些著名公司开发了集成电

路设计工具？

16、SSI、MSI、LSI、VLSI、ULDI的中文含义是什么？英文全拼是

什么？每个对应产品芯片上大约有多少晶体管数目？

17、国内近几年成立的集成电路代工厂家或转向为代工的厂家主要有

哪些？

18、境外主要代工厂家和主导工艺有哪些？

第二章集成电路材料、结构与理论

1、电子系统特别是微电子系统应用的材料有哪些？

2、常用的半导体材料有哪些？

3、半导体材料得到广泛应用的原因是什么？

4、为什么市场上90%的IC产品都是基于Si工艺的？

5、砷化镓(GaAs) 和其它III/V族化合物器件的主要特点是什么？

6、GaAs晶体管最高工作频率f T可达多少？最快的Si晶体管能达到多

少？

7、GaAs集成电路主要有几种有源器件？

8、为什么说InP适合做发光器件和OEIC？

9、IC系统中常用的几种绝缘材料是什么？

10、什么是欧姆接触和肖特基接触？

11、多晶硅有什么特点？

12、什么是材料系统？

13、什么是半导体材料系统？

14、异质半导体材料的主要应用有哪些？

15、晶体和非晶体的区别是什么？

16、本征半导体有何特点？

17、什么是扩散运动？什么是漂移运动？

18、PN结的主要特点是什么？

19、双极型三极管三个区有什么不同？

20、简述双极型三极管发射结，集电结在不同偏置时的工作状态。

21、根据形成导电沟道载流子的类型不同，MOS管有几种类型？

22、什么叫阈值电压？阈值电压是否可变？阈值电压为负时称为什么

电压？

23、根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？对每种器件加以

解释。

24、I DS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？

25、一个MOS管的正常导电特性可分为几个区域？说明每个区域的

特点。

26、什么叫异质结？

27、集成电路中的金属材料有哪些功能？

28、集成电路中实现器件互连的材料有哪些？

29、多晶硅有什么特点？在集成电路中有哪些主要应用？

30、什么是共价键？

31、什么是本征激发？本征激发所产生的自由电子和空穴数目有什么

特点？

32、什么是“受主杂质”？什么是“施主杂质”？

33、简述PN结的形成过程。达到动态平衡时，流过PN结的总电流

是多少？

34、写出MOS管在饱和区时漏极电流的表达式。说明漏极电流与哪

些工艺参数及几何尺寸有关？

第三章集成电路基本工艺

1、外延生长的目的是什么？外延生长的方法有哪几种？

2、液态生长有什么优缺点？

3、金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什

么？

4、分子束外延生长有什么特点？

5、什么是掩模？制做掩模的数据从哪儿来？

6、掩模制作方法有哪些？

7、什么是光刻？光刻的作用是什么？光刻的主要流程有哪些？

8、负性和正性光刻胶有什么区别和特点？

9、光刻即曝光有几种方式？

10、氧化的目的是什么？

11、淀积的主要作用是什么？

12、什么是刻蚀？

14、掺杂的目的是什么？惨杂方法有哪些？

15、集成电路制造工艺有哪些主要步骤？

16、为什么大多数器件和IC都做在经过外延生长的衬底上？

17、离子注入掺杂方法的优缺点是什么？

第四章集成电路器件工艺

1、集成电路特别是逻辑集成电路技术的类型有哪些？

2、虽然每一种工艺都有各自的特点，但具有共性且最重要的特点是

什么？

3、在各种工艺中，哪种工艺的速度最高？哪种工艺的功耗最小？

4、双极型硅工艺的特点是什么？

5、什么是自对准工艺？

6、什么是异质结？按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为哪

些类型？异质结形成的条件是什么？制造异质结的技术通常有哪些？

7、异质结有什么特点？它适宜于制作哪些器件？

8、高电子迁移率晶体管速度高的主要原因是什么？

9、二维电子气是如何形成的？

10、亚微米、深亚微米和纳米的具体范围是多少？

11、什么情况下器件的栅极通常要考虑采用蘑菇型即T型栅极？

12、MOS工艺包括有哪几种？

13、MOS工艺的重要参数是什么？

14、什么是特征尺寸？

15、CMOS工艺是如何在一种衬底材料上实现不同类型场效应晶体

管的？阱有几种类型？每种类型可制作什么类型的场效应管？

16、CMOS包括哪几种具体工艺？

17、什么是BiCMOS ？

18、BiCMOS的特点是什么？

19、BiCMOS有几种类型？

20、BiCMOS工艺每种类型有什么特点？

21、哪种BiCMOS工艺用的较多？为什么？

22、BJT、HBT、MESFET、HEMT的英文全拼是什么？

23、双极型晶体管的两个重要参数是什么？各代表什么含义？

24、由III/V族化合物构成的高速HBT的f T和f max已经可达到多少？

25、简述SiGe HBT的发展、已经达到的性能、特点和应用前景。

26、与Si三极管相比，MESFET和HEMT有哪些缺点？

27、MOS器件与双极型器件相比的主要优点是什么？

28、IC上的PNP管有几种类型？每种类型有什么特点？

29、什么是LDMOS器件？简述与一般MOS器件相比的特点。