场效应管及其基本放大电路
第七章 场效应管及其基本放大电路
N沟道增强型MOS管的输出特性曲线
7
(3) uDS和uGS同时作用时
uDS一定,uGS变化时 给定一个uGS ,就有一条不同的 iD – uDS 曲线。
iD / mA 预夹断临界点轨迹 uDS = uGS - Uth 可变电阻区 7V
8 6 4 2 0 饱和区 6V 5V 4V uGS = 3V 截止区 0 5 10 15 20 uDS / V
低频跨导:
gm iD u GS
U
DS
夹断区(截止区)
常量
不同型号的管子UGS(off)、IDSS将不同。
20
7.3场效应管的分类
工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
N 沟道 ( u GS < 0, u DS > 0 ) 结型 P 沟道 ( u GS > 0, u DS < 0 ) N 沟道 ( u GS > 0, u DS > 0 ) 场效应管 增强型 P 沟道 ( u GS < 0, u DS < 0 ) 绝缘栅型 N 沟道 ( u GS 极性任意, u DS > 0 ) 耗尽型 P 沟道 ( u GS 极性任意, u DS < 0 )
场效应管工作在恒流区的条件是什么?
17
3. JFET特性
iD / mA 可变电 阻区 -1V 恒流区 -2V -3V -4V -5V 0 (a) 输出特性曲线 夹断区 uDS / V UP -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 uGS / V (b) 转移特性曲线 预夹断轨迹 uGS = 0V iD / mA IDSS
各种场效应管的特性比较(2)
结构类型
工作 方式 增 强 型
电路符号
转移特性曲线
场效应管及其基本放大电路
Uds=常数
∂ id
∂uds
PDM
最 大 漏 极id允v许gs功=常耗数, 与 三 极 管 类
似。
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3)FET的三种工作组态
• 以NMOS(E)为例:
ID UDS
RD
UDS
D
B输
B
输 入
G S
UGS
输
G
输
出入
UGS RD
出
共源组态: 输入:GS 输出:DS
(1)栅源电压对沟道的控制作用
在栅源间加
令VDS =0
• 增强型IGFET象双结型三极管一样有一个开启电压
VT ,(相当于三极管死区电压)。
• 当UGS低于VT时,漏源之间夹断。ID=0
g = = •
当
时
m
UGS高于 I
的ID ∂ iD
∂uGS
DV=T 时I DUV,0GT(S漏
源
之
间
加电压 -1)2
2 2ID0(UGS-1)
后。
;
IDID0
VT VT
相当一个很大的电阻
G+ UGS
PN N结
PN
VDD
结N
P
- IS=ID
第5页/共51页
3)、JFET的主要参数
1)夹断电压VP:手册给出是ID为一微小值时的
VGS
32))、饱电和压漏控极制电电流流I系DS数S;
gm=
4)交流输出电阻 rds=
uds
id
V =0,时的I id
GS vgs
Uds=常数
结型场效应晶体管JFET
第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案
第 3章 场效应管及其基本放大电路3.1填空题(1)按照结构,场效应管可分为 。
它属于 型器件,其最大的优点是 。
(2)在使用场效应管时,由于结型场效应管结构是对称的,所以 极和 极可互换。
MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起,则 极和 极也可互换。
(3)当场效应管工作于恒流区时,其漏极电流D i 只受电压 的控制,而与电压 几乎无关。
耗尽型D i 的表达式为 ,增强型D i 的表达式为 。
(4)一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ,则该管的DSS I = ,p U = 。
(5)某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示,由图可知该管的DSS I = ,p U = 。
(6)N 沟道结型场效应管工作于放大状态时,要求GS 0u ≥≥ ,DS u > ;而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时,要求GS u > ,DS u > 。
(7)耗尽型场效应管可采用 偏压电路,增强型场效应管只能采用 偏置电路。
(8)在共源放大电路中,若源极电阻s R 增大,则该电路的漏极电流D I ,跨导m g ,电压放大倍数 。
(9)源极跟随器的输出电阻与 和 有关。
答案:(1)结型和绝缘栅型,电压控制,输入电阻高。
(2)漏,源,源,漏,源。
(3)GS u ,DS u ,2GS D DSS P 1u i I U =− ,2GS D DO T 1u i I U=−。
(4)16mA ,4V 。
(5)习题3.1.5图4mA ,−3V 。
(6)p U ,GS p u U −,T U ,GS T u U −。
(7)自给,分压式。
(8)减小,减小,减小。
(9)m g ,s R 。
3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。
解:3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6(a )所示。
若图中的场效应管为N 沟道结型结构,且p 4V U =−,DSS 1mA I =。
第3章 场效应管及其放大电路习题解
3.2 内容提要
3.1.1 场效应晶体管
1.场效应管的结构及分类 场效应管是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的,是电压控制型器件。工作 过程中起主要导电作用的只有一种载流子(多数载流子) ,故又称单极型晶体管。场效应管有 两个 PN 结,向外引出三个电极:漏极 D、栅极 G 和源极 S。 场效应管的分类如下: 结型场效应管(JFET) 场效应管(FET) 绝缘栅型场效应管(IGFET) 增强型 2.场效应管的工作原理 (1) 栅源控制电压的极性 对 JFET, 为保证栅极电流小, 输入电阻大的特点, 栅源电压应使 PN 结反偏。 N 沟道 JFET: N 沟道 P 沟道 N 沟道 耗尽型 P 沟道 N 沟道 P 沟道
1
UGS<0;P 沟道 JFET:UGS>0。 对增强性 MOS 管,N 沟道增强型 MOS 管,参加导电的是电子,栅源电压应吸引电子形 成反型层构成导电沟道,所以 UGS>0;同理,P 沟道增强型 MOS 管,UGS<0。 对耗尽型 MOS 管,因二氧化硅绝缘层里已经掺入大量的正离子(或负离子:N 沟道掺入 正离子;P 沟道掺入负离子) ,吸引衬底的电子(或空穴)形成反型层,即 UGS=0 时,已经存 在导电沟道,所以,栅源电压 UGS 可正可负。 (2) 夹断电压 UGS(off)和开启电压 UGS(th) 对 JFET 和耗尽型 MOS 管,当|UGS|增大到一定值时,导电沟道就消失(称为夹断) , 此时的栅源电压称为夹断电压 UGS(off)。 N 沟道场效应管 UGS(off) <0; P 沟道场效应管 UGS(off) >0。 对增强型 MOS 管,当UGS增加到一定值时,才会形成导电沟道,把开始形成反型层的 栅源电压称为开启电压 UGS(th)。N 沟道增强型 MOS 管 UGS(th) >0;P 沟道增强型 MOS 管 UGS(th) <0。 (3) 栅源电压 uGS 对漏极电流 iD 的控制作用 场效应管的导电沟道是一个可变电阻, 栅源电压 uGS 可以改变导电沟道的尺寸和电阻的大 小。当 uDS=0 时,uGS 变化,导电沟道也变化但处处等宽,此时漏极电流 iD=0;当 uDS≠0 时, 产生漏极电流,iD≠0,沿沟道产生了电位梯度使导电沟道变得不等宽。 当 uGS 一定,uDS增大到一定大小时,在漏极一侧导电沟道被夹断,称为预夹断。 导电沟道预夹断前,uDS增大,iD增大,漏源间呈现电阻特性,但 uGS 不同,对应的电 阻不同。此时,场效应管可看成受 uGS 控制的可变电阻。 导电沟道预夹断后,uDS增大,iD 几乎不变。但是,随 uGS 变化,iD 也变化,对应不同 的 uGS,iD 的值不同。即 iD 几乎仅仅决定于 uGS,而与 uDS 无关。栅源电压 uGS 的变化,将有效 地控制漏极电流 iD 的变化,即体现了栅源电压 uGS 对漏极电流 iD 的控制作用。 3.效应管的伏安特性 效应管的伏安特性有输出特性和转移特性。 (1) 输出特性:指当栅源电压 uGS 为常量时,漏极电流 iD 与漏源电压 uDS 之间的关系,即
第4章 场效应管及其基本放大电路
恒流区
IDSS/V
G
D S
+
-
VGG
+
V uGS
VDD
-
O
UGS = 0V -1 -2 -3 -4 -5 -6 夹断区 -7 U P 8V
击穿区
uDS /V
特性曲线测试电路
漏极特性
漏极特性也有三个区:可变电阻区、恒流区和夹断区。
各类场效应管的符号和特性曲线 种类 结型 耗 尽 N 沟道 型 结型 耗 尽 P 沟道 型 绝缘 增 栅型 强 N 沟道 型 符号
S
S
VGG
(c) UGS <UGS(off)
(b) UGS(off) < UGS < 0
(2) 漏源电压uDS 对漏极电流iD的控制作用
uGD = uGS -uDS (a)
P+
D
iD
(b)
D
iD
G
N
P+
VDD
+ P+ GP N
P+
VDD
S iS uGS = 0,uGD > UGS(Off) ,iD 较大。
uDS /V
O
UT 2UT
uGS /V
二、N 沟道耗尽型 MOSFET
制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子, 这些正离子电场在 P 型衬底中“感应”负电荷,形成“反 型层”。即使 UGS = 0 也会形成 N 型导电沟道。 UGS = 0,UDS > 0,产生 较大的漏极电流; UGS < 0,绝缘层中正离 子感应的负电荷减少,导电 沟道变窄,iD 减小; UGS = UP , 感应电荷被 “耗尽”,iD 0。
导电沟道是 N 型的, 称 N 沟道结型场效应管。
模拟电子技术(3)--场效应管及其基本放大电路
第3章 场效应管及其基本放大电路试卷3.1判断下列说法是否正确,用“√”和“ ”表示判断结果填入空内1. 结型场效应管外加栅源电压u GS应使栅源间的耗尽层承受反偏电压,才能保证其输入电阻R G大的特点。
( )2. 耗尽型MOS管在栅源电压u GS为正或为负时均能实现压控电流的作用。
( )3. 若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压u GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )4. 工作于恒流区的场效应管,低频跨导g m与漏极电流I DQ成正比。
( )5. 增强型MOS管采用自给偏压时,漏极电流i D必为零。
( )【解3.1】:1. √ 2.√ 3.× 4.× 5.√3.2选择填空1. 场效应管的栅-源之间的电阻比晶体管基-射之间的电阻 。
A.大 B.小 C.差不多2. 场效应管是通过改变 来改变漏极电流的。
所以是 控制型器件。
A.栅源电压 B.漏源电压 C.栅极电流D.电压 E.电流3. 用于放大时,场效应管工作在特性曲线的 。
A.可变电阻区 B.恒流区 C.截止区4. N沟道结型场效应管中参加导电的载流子是 。
A.自由电子和空穴 B.自由电子 C.空穴5. 对于结型场效应管,当︱u GS︱︱U GS(off)︱时,管子一定工作在 。
A.恒流区 B.可变电阻区 C.截止区 B.击穿区6. 当栅源电压u GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 。
A.结型场效应管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管7. 某场效应管的开启电压U GS(th)=2V,则该管是 。
A.N沟道增强型MOS管 B.P沟道增强型MOS管C.N沟道耗尽型MOS管 D.P沟道耗尽型MOS管8. 共源极场效应管放大电路,其输出电压与输入电压 ;共漏极场效应管放大电路,其输出电压与输入电压 。
A.同相 B.反相【解3.2】:1.A 2.A,D 3.B 4.B 5.C 6.A C 7.A 8.B,A3.3判断图T3.3所示各电路能否进行正常放大?如果不能,指出其中错误,并加以改正。
第四章 场效应管(FET)及基本放大电路
第四章 场效应管(FET )及基本放大电路§4.1 知识点归纳一、场效应管(FET )原理·FET 分别为JFET 和MOSFET 两大类。
每类都有两种沟道类型,而MOSFET 又分为增强型和耗尽型(JFET 属耗尽型),故共有6种类型FET (图4-1)。
·JFET 和MOSFET 内部结构有较大差别,但内部的沟道电流都是多子漂移电流。
一般情况下,该电流与GS v 、DS v 都有关。
·沟道未夹断时,FET 的D-S 口等效为一个压控电阻(GS v 控制电阻的大小),沟道全夹断时,沟道电流D i 为零;沟道在靠近漏端局部断时称部分夹断,此时D i 主要受控于GS v ,而DS v 影响较小。
这就是FET 放大偏置状态;部分夹断与未夹断的临界点为预夹断。
·在预夹断点,GS v 与DS v 满足预夹断方程:耗尽型FET 的预夹断方程:P GS DS V v v -=(P V ——夹断电压) 增强型FET 的预夹断方程:T GS DS V v v -=(T V ——开启电压)·各种类型的FET ,偏置在放大区(沟道部分夹断)的条件由表4-4总结。
表4-4 FET 放大偏置时GS v 与DS v 应满足的关系·偏置在放大区的FET ,GS v ~D i 满足平方律关系:耗尽型:2)1(P GS DSS D V v I i -=(DSS I ——零偏饱和漏电流)增强型:2)(T GS D V v k i -=*· FET 输出特性曲线反映关系参变量GS VDS D v f i )(=,该曲线将伏安平面分为可变电阻区(沟道未夹断),放大区(沟道部分夹断)和截止区(沟道全夹断);FET 转移特性曲线反映在放大区的关系)(GS D v f i =(此时参变量DS V 影响很小),图4-17画出以漏极流向源极的沟道电流为参考方向的6种FET 的转移特性曲线,这组曲线对表4-4是一个很好映证。
模拟电路场效应管及其基本放大电路
UGS(off)
信息技术学院
3. 特性
(1)转移特性
在恒流区
uGS 2 iD I DSS (1 ) U GS(off)
漏极饱 和电流
(U GS (off ) uGS 0)
夹断 电压
信息技术学院
(2)输出特性
iD f (uDS ) U GS 常量
IDSS g-s电压 控制d-s的 等效电阻
信息技术学院
P 沟道场效应管 D
P 沟道场效应管是在 P 型 硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+),导电沟道为 P 型, 多数载流子为空穴。 d
P G
N+ 型 沟 道 N+
g
S
s 符号
信息技术学院
2. 工作原理
(1)栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用
uDS=0
UGS(off)
沟道最宽 (a)uGS = 0
2)耗尽型MOS管
夹断 电压
信息技术学院
各类场效应管的符号和特性曲线
种类 结型 N 沟 道 符号 D 转移特性 ID /mA IDSS 漏极特性 UGS= 0V
ID
-
G
S D
UGS(off) O
UGS
O + + + ID O
o
UDS
ID
结型
P 沟 道
O UGS(off) UGS
G
IDSS
S D B
iD f (uGS ) U DS 常量
当场效应管工作在恒流区时,由于输出特性曲线可近似为横轴的一组平行 线,所以可用一条转移特性曲线代替恒流区的所有曲线。输出特性曲线的 恒流区中做横轴的垂线,读出垂线与各曲线交点的坐标值,建立uGS,iD坐 标系,连接各点所得的曲线就是转移特性曲线。
场效应管及放大电路
场效应管是利用电场效应来控制电流 大小,与双极型晶体管不同,它是多子导 电,输入阻抗高,温度稳定性好、噪声低。 场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管MOS 结型场效应管JFET
分类:
JFET 结型 MOSFET (IGFET) 绝缘栅型
N沟道
P沟道
(耗尽型) N沟道
FET 场效应管
ID=f(VDS)VGS=const
输出特性曲线
vGS 在恒流区,iD I D 0 ( - 1) 2 VT
I D 0是vGS 2VT时的iD值
输出特性曲线
(1) 截止区(夹断区) VGS< VT以下区域就是截止区 VGS VT ID=0
iD
(2) 放大区(恒流区) 产生夹断后,VDS增大,ID不变的 区域,VGS -VDS VP VDSID不变 处于恒流区的场效应管相当于一 个压控电流源 (3)饱和区(可变电阻区) 未产生夹断时,VDS增大,ID随着增大的区域 VGS -VDS VP VDSID 处于饱和区的场效应管相当于一个压控可变电阻
夹断 电压
在恒流区时 uGS 2 iD I DSS (1 ) Up
uGD=UGS(off)时称为 预夹断
3. 主要参数
① 夹断电压VP (或VGS(off)): 漏极电流约为零时的VGS值 。 ② 饱和漏极电流IDSS: VGS=0时对应的漏极电流。 ③ 低频跨导gm: 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm 可以在转移特性曲线上求得,单位是mS(毫西门子)。
2. 静态工作点
Q点: VGS 、 ID 、 VDS 已知VP ,由
vGS = - iDR
VDS = VDD - ID (Rd + R )
场效应管及其基本放大电路
场效应管及其基本放大电路3.2.3.1 场效应管( FET )1.场效应管的特色场效应管出生于 20 世纪 60 年月,它主要拥有以下特色:①它几乎仅靠半导体中的多半载流子导电,故又称为单级型晶体管。
②场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路的电流,并以此命名。
③输入回路的内阻高达 107 -1012Ω;此外还拥有噪声低、热稳固性好、抗辐射能力强、耗电小,体积小、重量轻、寿命长等特色,因此宽泛地应用于各样电子电路中。
场效应管分为结型和绝缘栅型两种不一样的构造,下边分别加以介绍。
2.结型场效应管⑴结型场效应管的符号和N 沟道结型场效应管的构造结型场效应管(JFET)有 N 沟道和 P 沟道两种种类,图3-62(a) 所示为它们的符号。
N沟道结型场效应管的构造如图 3-62(b) 所示。
它在同一块 N型半导体上制作两个高混杂的P 区,并将它们连结在一同,引出电极,称为栅极 G; N 型半导体的两头分别引出两个电极,一个称为漏极 D,一个称为源极 S。
P 区与 N 区交界面形成耗尽层,漏极与源极间的非耗尽层地区称为导电沟道。
(a) 符号(b)N 沟道管的构造表示图图 3-62 结型场效应管的符号和构造表示图⑵结型场效应管的工作原理为使 N沟道结型场效应管正常工作,应在其栅 - 源之间加负向电压(即U GS0),以保证耗尽层蒙受反向电压;在漏- 源之间加正向电压u DS , 以形成漏极电流i D。
下边经过栅-源电压 u GS和漏-源电压 u DS对导电沟道的影响,来说明管子的工作原理。
①当 u DS=0V(即D、S短路)时, u GS对导电沟道的控制作用ⅰ当 u GS=0V时,耗尽层很窄,导电沟道很宽,如图3-63(a)所示。
ⅱ当 u GS增大时,耗尽层加宽,沟道变窄(图(b) 所示),沟道电阻增大。
ⅲ当u GS增大到某一数值时,耗尽层闭合,沟道消逝(图(c) 所示) , 沟道电阻趋于无穷大,称此时u GS的值为夹断电压U GS( off )。
第1113讲场效应管及其放大电路
3. 分压式偏置电路
即典型的Q点稳定电路
UGQ
UAQ
Rg1 Rg1Rg2
VDD
USQ IDQRs
ID IDO(UUGGSS(Qt h) 1)2
U DS V Q D D ID(Q R dR s)
为什么加Rg3?其数值应大些小些?
哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点?
[例1.4.1] 已知某管子的输出特性曲线如图所示。试分 析该管为什么类型的场效应管(结型、绝缘栅型、N 沟道、P沟道、增强型、耗尽型)。
增强型MOS管uDS对iD的影响
刚出现夹断
iD随uDS的增 大而增大,可
uGD=UGS(th), 预夹断
变电阻区
uGS的增大几乎全部用 来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅 受控于uGS,恒 流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么?
耗尽型MOS管
1. 结型场效应管
结构示意图
漏极
符号
栅极
导电 沟道
源极
栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用
沟道最宽
UGS(off)
沟道变窄
沟道消失 称为夹断
uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必 须加负电压?
动画1
漏-源电压对漏极电流的影响
uGD>UGS(off)
uGD=UGS(off)
预夹断
uGD<UGS(off)
第11-13讲 场效应管及其放大电路
一、场效应管
二、场效应管放大电路静态工作点 的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 四、复合管
一、场效应管(以N沟道为例)
场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d), 对应于晶体管的e、b、c;有三个工作区域:截止区、恒流区、 可变电阻区,对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。
模电第10讲 场效应管及其放大电路
三、场效应管放大电路的动态分析
1. 场效应管的交流等效模型
与晶体管的h参数等效模型类比:
近似分析时可认 为其为无穷大!
iD gm uGS
U DS
根据iD的表达式或转移特性可求得gm。
i D 2 I DSS 1 uGS gm uGS U U GS(off) U GS(off)
U
DS
2 I
2 DSS
1 uGS U GS(off) U GS(off)
2
U DS
2 U GS(off)
2 U GS(off)
2 UGS(th)
I DSS iD
当小信号作用时,可以用来 I DQ近似id,所以
gm
I DSS I DQ
同理,对于增强型MOS管
gm
I DO I DQ
2. 基本共源放大电路的动态分析
• 例2.7.1 已知图中所示电路 VGG 6V VDD 12V Rd 3kΩ
VGS(th) 4V I DO 10mA
试估算电路的Q点
Au
Ro
解:(1)求Q:
VGS VGG 6V 2 U GSQ I DQ I DO 1 2.5mA U GS(th) UDSQ VDD I DQ Rd 4.5V
优点:输入电阻高、噪声系数低、温度稳定性好、 抗辐射能力强、便于集成化。缺点:放大能力差。
输入 输出 公共极
Au
gm Rd 大 倒相
Ri
Ro
共源 g
d
s
很大 大几千欧 几倍~几十倍
gm Rs 1 gm Rs 小同相
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& Au = ?
基本共漏放大电路输出电阻的分析
Uo Uo 1 Ro = = = Rs ∥ Io U o + g U gm m o Rs
若Rs=3k ,gm=2mS, 则Ro=?
近似分析时可认 为其为无穷大! 为其为无穷大!
∂iD gm = ∂uGS
U DS
根据i 的表达式或转移特性可求得 根据 D的表达式或转移特性可求得gm。
2. 基本共源放大电路的动态分析
& & & = U o = − I d Rd = − g R Au m d & & U gs Ui Ri = ∞ Ro = Rd
3. 特性
(1)转移特性 )
iD = f (uGS ) U DS =常量
场效应管工作在恒流区,因而 场效应管工作在恒流区,因而uGS>UGS(off)且uGD<UGS(off)。 ( ) ( ) >-U ( ) uDG>-UGS(off)
漏极饱 和电流 夹断 电压
u DS> u GS − U GS(off)
uGD<UGS(off) ( )
uGS>UGS(off)且不变,VDD增大,iD增大 增大, ( )且不变,
。
VDD的增大,几乎全部用来克服沟道的 的增大, 电阻, 几乎不变,进入恒流区, 电阻,iD几乎不变,进入恒流区,iD几乎 仅仅决定于u 仅仅决定于 GS。
场效应管工作在恒流区的条件是什么? 场效应管工作在恒流区的条件是什么?
3. MOS管的特性
1)增强型 增强型MOS管 增强型 管
开启 电压
uGS 在恒流区时,iD = I DO ( − 1) 2 U GS(th) 式中I DO为uGS = 2U GS(th)时的iD
2)耗尽型 耗尽型MOS管 耗尽型 管
夹断 电压
3. 场效应管的分类
工作在恒流区时g-s、 间的电压极性 工作在恒流区时 、d-s间的电压极性
一、结型场效应管(以N沟道为例)
1. 结构
符号 结构示意图 栅极 漏极
导电 沟道
源极
2. 工作原理
(1)栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用
UGS(off) ( )
沟道最宽
沟道变窄
沟道消失 称为夹断
(2)漏-源电压对漏极电流的影响
uGD>UGS(off) ( ) uGD=UGS(off) ( ) 预夹断
若Rd=3k , Rg=1M ,
& gm=2mS,则 Au = ? , 与共射电路比较。 与共射电路比较。
3. 基本共漏放大电路的动态分析
& & g m Rs & = U o = I d Rs Au = & & + I R 1+ g R & U i U gs d s m s Ri = ∞
若Rs=3k ,gm=2mS,则
场效应管有三个极:源极( ) 栅极( )、漏极( ), )、漏极 场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d), 对应于晶体管的e、 、 ; 三个工作区域:截止区、恒流区、 对应于晶体管的 、b、c;有三个工作区域:截止区、恒流区、 可变电阻区,对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 晶体管的截止区 可变电阻区,对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。
增强型MOS管uDS对iD的影响
刚出现夹断
uGD=UGS(th), iD随uDS的增 ( ) 预夹断 大而增大, 大而增大,可 变电阻区 uGS的增大几乎全部用 来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅 受控于u 受控于 GS,恒 流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么? 管工作在恒流区的条件是什么? 沟道增强型 管工作在恒流区的条件是什么
模拟电子技术基础
Fundamentals of Analog Electronic
第五章 场效应管及其放大电路
第五章 场效应管及其放大电路
§5.1 场效应管 §5.2 场效应管基本放大电路
§5.1 场效应管
一、结型场效应管 二、绝缘栅型场效应管 三、场效应管的分类
单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 噪声小、抗辐射能力强、
U GQ = 0,U SQ = I DQ Rs U GSQ = U GQ − U SQ = − I DQ Rs
由正电源获得负偏压 称为自给偏压
I DQ = I DSS (1 −
U GSQ U GS(off)
)2
U DSQ = VDD − I DQ ( Rd + Rs )
3. 分压式偏置电路
即典型的Q点稳定电路 即典型的 点稳定电路
U GQ = U AQ = U SQ = I DQ Rs Rg1 Rg1 + Rg2 ⋅ VDD
I DQ = I DO (
U GSQ U GS(th)
− 1) 2
U DSQ = VDD − I DQ ( Rd + Rs )
二、场效应管放大电路的动态分析
1. 场效应管的交流等效模型
与晶体管的h参数等效模型类比: 与晶体管的 参数等效模型类比: 参数等效模型类比
一、场效应管静态工作点的设置方法
1. 基本共源放大电路
根据场效应管工作在恒流区的条件, 根据场效应管工作在恒流区的条件,在g-s、d-s间 、 间 加极性合适的电源
U GSQ = VBB I DQ = I DO ( VBB − 1) 2 U GS(th)
U DSQ = VDD − I DQ Rd
2. 自给偏压电路
N沟道(uGS<0,u DS>0) 结型 P沟道(uGS>0,u DS<0) N沟道(uGS>0,u DS>0) 场效应管 增强型 P沟道(uGS<0,u DS<0) 绝缘栅型 N沟道(uGS极性任意, u DS>0) 耗尽型P沟道(u 极性任意, u <0) GS DS
∆iD
低频跨导: 低频跨导:
∆iD gm = ∆uGS
U DS =常量
夹断区(截止区) 夹断区(截止区)
夹断电压
不同型号的管子U ( ) 不同型号的管子 GS(off)、IDSS 将不同。 将不同。
二、绝缘栅型场效应管
1. 增强型管
大到一定 值才开启
高掺杂 耗尽层
空穴
衬底 SiO2绝缘层 反型层
uGS增大,反型层(导电沟道)将变厚变长。当 增大,反型层(导电沟道)将变厚变长。 反型层将两个N区相接时 形成导电沟道。 区相接时, 反型层将两个 区相接时,形成导电沟道。
在恒流区时 uGS 2 iD = I DSS (1 − ) U GS(off)
(2)输出特性
iD = f (uDS ) U GS =常量
IDSS g-s电压 电压 控制d-s的 控制 的 等效电阻
可 变 电 阻 区 恒 流 区 击 穿 区
预夹断轨迹, 预夹断轨迹,GD=UGS(off) ( )
iD几乎仅决 定于u 定于 GS
讨论一:利用图示场效应管组成原理性共源放大电路。 利用图示场效应管组成原理性共源放大电路。
讨论二:如何利用Multisim测试场效应管的输出特性
从输出特性曲线说明场效应管的哪些特点? 从输出特性曲线说明场效应管的哪些特点?
§5.2 场效应管基本放大电路
一、场效应管静态工作点的设置方法 二、场效应管放大电路的动态分析 三、场效应管放大电路的频率响应
问题:uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种? : 可工作在恒流区的场效应管有哪几种? 可工作在恒流区的场效应管有哪几种
只有u 才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? 只有 GS>0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? 才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种 只有u 才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? 只有 GS<0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? 才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种