半导体常用英文缩写
电子元器件的缩写
电子元器件的缩写1.电阻固定电阻：RES半导体电阻：RESSEMT电位计；POT变电阻；RVAR可调电阻;res1.....2.电容定值无极性电容；CAP定值有极性电容;CAP半导体电容：CAPSEMI可调电容：CAPVAR3.电感：INDUCTOR4.二极管：DIODE.LIB发光二极管：LED5.三极管 :NPN16.结型场效应管：JFET.lib7.MOS场效应管8.MES场效应管9.继电器：PELAY. LIB10.灯泡:LAMP11.运放:OPAMP12.数码管：DPY_7-SEG_DP (MISCELLANEOUS DEVICES.LIB)13.开关;sw_pb14.磁珠：BD：BEAD的缩写，15.负载电阻：RL：，L指Load，负载的意思16.变压器：T17.调试时用的器件：OP：，正式电路中不焊接18.变压器绕组：NS：一般指变压器绕组19.接插件、U型跳线：JP：原理图常用库文件：Miscellaneous Devices.ddbDallas Microprocessor.ddbIntel Databooks.ddbProtel DOS Schematic Libraries.ddb PCB元件常用库：Advpcb.ddbGeneral IC.ddbMiscellaneous.ddb部分分立元件库元件名称及中英对照AND 与门ANTENNA 天线BATTERY 直流电源BELL 铃,钟BVC 同轴电缆接插件BRIDGE 1 整流桥(二极管)BRIDGE 2 整流桥(集成块)BUFFER 缓冲器BUZZER 蜂鸣器CAP 电容CAPACITOR 电容CAPACITOR POL 有极性电容CAPVAR 可调电容CIRCUIT BREAKER 熔断丝COAX 同轴电缆CON 插口CRYSTAL 晶体整荡器DB 并行插口DIODE 二极管DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3段LEDDPY_7-SEG 7段LEDDPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容FUSE 熔断器INDUCTOR 电感INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感JFET N N沟道场效应管JFET P P沟道场效应管LAMP 灯泡LAMP NEDN 起辉器LED 发光二极管METER 仪表MICROPHONE 麦克风MOSFET MOS管MOTOR AC 交流电机MOTOR SERVO 伺服电机NAND 与非门NOR 或非门NOT 非门NPN NPN三极管NPN-PHOTO 感光三极管OPAMP 运放OR 或门PHOTO 感光二极管PNP 三极管NPN DAR NPN三极管PNP DAR PNP三极管POT 滑线变阻器PELAY-DPDT 双刀双掷继电器RES1.2 电阻RES3.4 可变电阻RESISTOR BRIDGE 桥式电阻RESPACK 电阻SCR 晶闸管PLUG ? 插头PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET 插座SOURCE CURRENT 电流源SOURCE VOLTAGE 电压源SPEAKER 扬声器SW 开关SW-DPDY 双刀双掷开关SW-SPST 单刀单掷开关SW-PB 按钮THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器TRANS2 可调变压器TRIAC 三端双向可控硅TRIODE 三极真空管VARISTOR 变阻器ZENER 齐纳二极管DPY_7-SEG_DP 数码管SW-PB 开关其他元件库Protel Dos Schematic 4000 Cmos .Lib （40.系列CMOS管集成块元件库）4013 D 触发器4027 JK 触发器Protel Dos Schematic Analog Digital.Lib（模拟数字式集成块元件库）AD系列 DAC系列 HD系列 MC系列Protel Dos Schematic Comparator.Lib（比较放大器元件库）Protel Dos Shcematic Intel.Lib（INTEL公司生产的80系列CPU 集成块元件库）Protel Dos Schematic Linear.lib（线性元件库）Protel Dos Schemattic Memory Devices.Lib（内存存储器元件库）Protel Dos Schematic SYnertek.Lib（SY系列集成块元件库）Protes Dos Schematic Motorlla.Lib（摩托罗拉公司生产的元件库）Protes Dos Schematic NEC.lib（NEC公司生产的集成块元件库）Protes Dos Schematic Operationel Amplifers.lib（运算放大器元件库）Protes Dos Schematic TTL.Lib（晶体管集成块元件库 74系列）Protel Dos Schematic Voltage Regulator.lib（电压调整集成块元件库）Protes Dos Schematic Zilog.Lib（齐格格公司生产的Z80系列CPU集成块元件库）元件属性对话框中英文对照Lib ref 元件名称Footprint 器件封装Designator 元件称号Part 器件类别或标示值Schematic Tools 主工具栏Writing T ools 连线工具栏Drawing Tools 绘图工具栏部分分立元件库元件名称及中英对照Power Objects 电源工具栏Digital Objects 数字器件工具栏Simulation Sources 模拟信号源工具栏PLD Toolbars 映象工具栏7407 驱动门1N914 二极管74Ls00 与非门74LS04 非门74LS08 与门74LS390 TTL 双十进制计数器7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4 根线的BCD码7SEG 3-8 译码器电路BCD-7SEG[size=+0]转换电路ALTERNATOR 交流发电机AMMETER-MILLI mA安培计AND 与门BATTERY 电池/电池组BUS 总线CAP 电容CAPACITOR 电容器CLOCK 时钟信号源CRYSTAL 晶振D-FLIPFLOP D 触发器FUSE 保险丝GROUND 地LAMP 灯LED-RED 红色发光二极管LOGIC ANALYSER 逻辑分析器LOGICPROBE 逻辑探针LOGICPROBE[BIG] 逻辑探针用来显示连接位置的逻辑状态LOGICSTATE 逻辑状态用鼠标点击,可改变该方框连接位置的逻辑状态LOGICTOGGLE 逻辑触发MASTERSWITCH 按钮手动闭合,立即自动打开MOTOR 马达OR 或门POT-LIN 三引线可变电阻器POWER 电源RES 电阻RESISTOR 电阻器SWITCH 按钮手动按一下一个状态SWITCH-SPDT 二选通一按钮VOLTMETER 伏特计VOLTMETER-MILLI mV伏特计VTERM 串行口终端Electromechanical 电机Inductors 变压器Laplace Primitives 拉普拉斯变换Memory IcsMicroprocessor IcsMiscellaneous 各种器件AERIAL-天线；ATAHDD；ATMEGA64；BATTERY；CELL；CRYSTAL-晶振；FUSE；METER-仪表；Modelling Primitives 各种仿真器件是典型的基本元器模拟，不表示具体型号，只用于仿真，没有PCBOptoelectronics 各种发光器件发光二极管，LED，液晶等等PLDs & FPGAsResistors 各种电阻Simulator Primitives 常用的器件Speakers & SoundersSwitches & Relays开关，继电器，键盘Switching Devices 晶阊管Transistors 晶体管（三极管，场效应管）TTL 74 seriesTTL 74ALS seriesTTL 74AS seriesTTL 74F seriesTTL 74HC seriesTTL 74HCT seriesTTL 74LS seriesTTL 74S seriesAnalog Ics 模拟电路集成芯片Capacitors 电容集合CMOS 4000 seriesConnectors 排座，排插Data Converters ADC,DACDebugging Tools 调试工具ECL 10000 SeriesAND 与门ANTENNA 天线BATTERY 直流电源BELL 铃,钟BVC 同轴电缆接插件BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器BUZZER 蜂鸣器CAP 电容CAPACITOR 电容CAPACITOR POL 有极性电容CAPVAR 可调电容CIRCUIT BREAKER 熔断丝COAX 同轴电缆CON 插口CRYSTAL 晶体整荡器DB 并行插口DIODE 二极管DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3 段LEDDPY_7-SEG 7 段LEDDPY_7-SEG_DP 7 段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容FUSE 熔断器INDUCTOR 电感INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感JFET N N 沟道场效应管JFET P P沟道场效应管LAMP 灯泡LAMP NEDN 起辉器LED 发光二极管METER 仪表MICROPHONE 麦克风MOSFETMOS管MOTOR AC 交流电机MOTOR SERVO 伺服电机NAND 与非门NOR 或非门NOT 非门NPN NPN 三极管NPN-PHOTO 感光三极管OPAMP 运放OR 或门PHOTO 感光二极管Device.lib 包括电阻、电容、二极管、三极管和PCB的连接器符号ACTIVE.LIB 包括虚拟仪器和有源器件DIODE.LIB 包括二极管和整流桥DISPLAY.LIB 包括 LCD、LEDBIPOLAR.LIB 包括三极管FET.LIB 包括场效应管ASIMMDLS.LIB 包括模拟元器件VALVES .LIB 包括电子管ANALOG.LIB 包括电源调节器、运放和数据采样IC CAPACITORS.LIB 包括电容COMS.LIB 包括 4000 系列ECL.LIB 包括 ECL10000 系列OPAMP.LIB 包括运算放大器RESISTORS.LIB 包括电阻FAIRCHLD .LIB 包括 FAIRCHLD 半导体公司的分立器件LINTEC.LIB 包括 LINTEC 公司的运算放大器NATDAC.LIB 包括国家半导体公司的数字采样器件NATOA.LIB 包括国家半导体公司的运算放大器TECOOR.LIB 包括TECOOR公司的SCR 和TRIACTEXOAC.LIB 包括德州仪器公司的运算放大器和比较器PNP 三极管NPN DAR NPN 三极管PNP DAR PNP三极管POT 滑线变阻器PELAY-DPDT 双刀双掷继电器RES1.2 电阻RES3.4 可变电阻RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻RESPACK ? 电阻SCR 晶闸管PLUG 插头PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET 插座SOURCE CURRENT 电流源SOURCE VOLTAGE 电压源SPEAKER 扬声器SW 开关SW-DPDY 双刀双掷开关SW-SPST 单刀单掷开关SW-PB 按钮THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器TRANS2 可调变压器TRIAC 三端双向可控硅TRIODE 三极真空管VARISTOR 变阻器ZENER 齐纳二极管DPY_7-SEG_DP 数码管SW-PB 开关序号英文简写元件英文名元件中文名1 Res semi Semiconductor Resistor 半导体电阻2 Cap semi Semiconductor Capacitor 半导体电容器3 Cap Var Variable or AdjustableCapacitor可变或可调电容4 Cap Pol1 Polarized Capacitor (Radial) 极化电容（径向）5 Cap Pol2 Polarized Capacitor (Axial) 极化电容（轴向）6 Cap Capacitor 电容（径向）7 Cap Pol3 Polarized Capacitor (SurfaceMount)极化电容（表面贴装）8 Cap Feed Feed-Through Capacitor 馈通电容9 Cap2 Capacitor 电容10 ResVaristorVaristor (Voltage-SensitiveResistor)压敏电阻（电压敏感电阻）11 Res Tap Tapped Resistor 抽头电阻12 Res Thermal T hermal Resistor 热敏电阻13 Rpot Potentiometer Resistor （侧调或顶调）电位器14 Rpot SM Square Trimming Potentiometer （顶调）方形电位器15 Res Bridge Resistor Bridge 电阻桥16 Bridge1 Full Wave Diode Bridge 整流桥17 Bridge2 Bridge Rectifier 整流桥集成组件（比1封装较大）18 Res Adj Variable Resistor 可变电阻19 Res3 Resistor IPC的高密度贴片电阻20 D Tunnel2 Tunnel Diode - Dependent SourceModel隧道二极管 - 依赖源模型21 D Varactor Variable Capacitance Diode 变容二极管22 D Schottky Schottky Diode 肖特基二极管23 Diode1N54023 Amp General Purpose Rectifier 3放大器通用整流器其中，cap，cap2，cap pol1和cap pol2分别如下图所示：有极性电容为电解电容，无极性电容为普通电容，电解电容的容量一般比普通电容的大，在滤波时电解电容用于滤低频，普通电容用于滤高频。
所有厂家的英文缩写与中文全称
所有厂家的英文缩写与中文全称,你自已对照吧ADV 美国先进半导体公司AEG 美国AEG公司AEI 英国联合电子工业公司AEL 英、德半导体器件股份公司ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司AMP 美国安派克斯电子公司AMS 美国微系统公司APT 美国先进功率技术公司ATE 意大利米兰ATES公司ATT 美国电话电报公司AVA 美、德先进技术公司BEN 美国本迪克斯有限公司BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司CDI 印度大陆器件公司CEN 美国中央半导体公司CLV 美国CLEVITE晶体管公司COL 美国COLLMER公司CRI 美国克里姆森半导体公司CTR 美国通信晶体管公司CSA 美国CSA工业公司DIC 美国狄克逊电子公司DIO 美国二极管公司DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司MAL 美国MALLORY国际公司MAT 日本松下公司MCR 美国MCRWVE TECH公司MIC 中国香港微电子股份公司MIS 德、意MISTRAL公司MIT 日本三菱公司MOT 美国莫托罗拉半导体公司MUL 英国马德拉有限公司NAS 美、德北美半导体电子公司NEW 英国新市场晶体管有限公司NIP 日本日电公司NJR 日本新日本无线电股份有公司NSC 美国国家半导体公司NUC 美国核电子产品公司OKI 日本冲电气工业公司OMN 美国OMNIREL公司OPT 美国OPTEK公司ORG 日本欧里井电气公司PHI 荷兰飞利浦公司POL 美国PORYFET公司POW 美国何雷克斯公司PIS 美国普利西产品公司PTC 美国功率晶体管公司RAY 美、德雷声半导体公司REC 美国无线电公司RET 美国雷蒂肯公司RFG 美国射频增益公司RTC 法、德RTC 无线电技术公司SAK 日本三肯公司SAM 韩国三星公司SAN 日本三舍公司SEL 英国塞米特朗公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司FCH 美国范恰得公司FER 英、德费兰蒂有限公司FJD 日本富士电机公司FRE 美国FEDERICK公司FUI 日本富士通公司FUM 美国富士通微电子公司GEC 美国詹特朗公司GEN 美国通用电气公司GEU 加拿大GENNUM公司GPD 美国锗功率器件公司HAR 美国哈里斯半导体公司HFO 德国VHB联合企业HIT 日本日立公司HSC 美国HELLOS半导体公司IDI 美国国际器件公司INJ 日本国际器件公司INR 美、德国际整流器件公司INT 美国INTER FET 公司IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司ITT 德国楞茨标准电气公司IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司KYO 日本东光股份公司LTT 法国电话公司SEM 美国半导体公司SES 法国巴黎斯公司SGS 法、意电子元件股份公司SHI 日本芝蒲电气公司SIE 德国西门子AG公司SIG 美国西格尼蒂克斯公司SIL 美、德硅技术公司SML 美、德塞迈拉布公司SOL 美、德固体电子公司SON 日本萦尼公司SPE 美国空间功率电子学公司SPR 美国史普拉格公司SSI 美国固体工业公司STC 美国硅晶体管公司STI 美国半导体技术公司SUP 美国超技术公司TDY 美、德TELEDYNE晶体管电子公司TEL 德国德律风根电子公司TES 捷克TESLA公司THO 法国汤姆逊公司TIX 美国德州仪器公司TOG 日本东北金属工业公司TOS 日本东芝公司TOY 日本罗姆公司TRA 美国晶体管有限公司TRW 英、德TRN半导体公司UCA 英、德联合碳化物公司电子分部UNI 美国尤尼特罗德公司UNR 波兰外资企业公司WAB 美、德WALBERN器件公司WES 英国韦斯特科德半导体公司VAL 德国凡尔伏公司YAU 日本GENERAL股份公司ZET 英国XETEX公司。
半导体器件参英文缩写与中文全称对照
半导体器件参英文缩写与中文全称对照A 宽频带放大AM 调幅CC 恒流CHOP 斩波、限幅C-MIC 电容话筒专用D 变频换流DC 直流DIFF 差分放大DUAL 配对管DUAL-GATE 双栅四极FM 调频GEP 互补类型HA 行输出级HF 高频放大（射频放大）HG 高跨导HI-IMP 高输入阻抗HI-REL 高可靠性LMP-C 阻抗变换L 功率放大MAP 匹配对管MIN 微型MIX或M 混频MW 微波NF 音频（低频）N-FET 硅N沟道场效应晶体管P-FET 硅P沟道场效应晶体管GE-N-FET 锗N沟道场效应晶体管GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应晶体管O 振荡S 开关SW-REG 开关电源SYM 对称类TEMP 温度传感TR 激励、驱动TUN 调谐TV 电视TC 小型器件标志UHF 超高频UNI 一般用途V 前置/输入级VA 场输出级VHF 甚高频VID 视频VR 可变电阻ZF 中放V-FET V型槽MOSFETMOS-INM MOSFET独立组件MOS-ARR MOSFET陈列组件MOS-HBM MOSFET半桥组件MOS-FBM 全桥组件MOS-TPBM MOSFET三相桥组件SB肖特基势垒栅场效应晶体管MES 金属半导体场效应晶体管（一般为N沟道，若P沟道则在备注栏中注明）HEMT 高电子迁移率晶体管SENSE FET 电流敏感动率MOS场效应管SIT 静电感应晶体管IGBT 绝缘栅比极晶体管ALGaAS 铝家砷。
全球半导体器件电子元件厂商英文缩写与中文全称对照
美、德固体电子公司
MUL
英国马德拉有限公司
SON
日本萦尼公司
NAS
美、德北美半导体电子公司
SPE
美国空间功率电子学公司
NEW
英国新市场晶体管有限公司
SPR
美国史普拉格公司
NIP
日本日电公司
SSI
美国固体工业公司
NJR
日本新日本无线电股份有公司
STC
美国硅晶体管公司
NSC
美国国家半导体公司
STI
ADV
美国先进半导体公司
DIT
德国DITRATHERM公司
AEG
美国AEG公司
ETC
美国电子晶体管公司
AEI
英国联合电子工业公司
FCH
美国范恰得公司
AEL
英、德半导体器件股份公司
FER
英、德费兰蒂有限公司
ALE
美国ALEGROMICRO公司
FJD
日本富士电机公司
ALP
美国ALPHAINDNSTRLES公司
美国半导体技术公司
NUC
美国核电子产品公司
SUP
美国超技术公司
OKI
日本冲电气工业公司
TDY
美、德TELEDYNE晶体管电子公司
OMN
美国OMNIREL公司
TEL
德国德律风根电子公司
OPT
美国OPTEK公司
TES
捷克TESLA公司
ORG
日本欧里井电气公司
THO
法国汤姆逊公司
PHI
荷兰飞利浦公司
TIX
IXY
美国电报公司半导体体部
DIO
美国二极管公司
KOR
半导体常用英语词汇
MFG 常用英文单字Semiconductor半导体导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小，决定了电子的移动速度。
导体：金、银、铜、铁、人、水……导电系数大，传导绝缘体：塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不半导体：硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆：原意为法国的松饼，饼干上有格子状的饰纹，与FAB内生产的芯片图形类Lot 批；一批芯片中最多可以有25片，最少可以只有一片。
ID Identification的缩写。
用以辨识各个独立的个体，就像公司内每一个人有自己的识别证。
Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号，叫Wafer ID。
Lot ID 每一批芯片有自己的批号，叫Lot ID。
Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号，叫Part ID。
WIP Work In Process，在制品。
从芯片投入到芯片产品，FAB内各站积存了相当数量的芯片，统称为FAB内的WIP 。
一整个制程又可细分为数百个Stage和Step，每一个Stage所堆积的芯片，称为Stage WIP。
Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。
Super Hot Run的优先级为1，视为等级最高，必要时，当Lo上一站加工时，本站便要空着机台等待Super Hot RuHot Run的优先级为2，紧急程度比Super Hot Run次一级。
Normal的优先级为3，视为正常的等级，按正常的派货原则视常班向生产指令而Cycle time 生产周期，FAB Cycle Time 定义为：从芯片投入到芯片产生的这一段时间。
Stage Cycle Time：Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截Spec. 规格Specification的缩写。
产品在机台加工过程中，每一站均设定规格。
机台加工后，产品或控片经由量测机台量测，该产品加工后，是否在规格内。
半导体英文词汇
1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体常用英语词汇
MFG 常用英文单字Semiconductor半导体导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小，决定了电子的移动速度。
导体：金、银、铜、铁、人、水……导电系数大，传导容易绝缘体：塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不容易半导体：硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆：原意为法国的松饼，饼干上有格子状的饰纹，与FAB内生产的芯片图形类似。
Lot 批；一批芯片中最多可以有25片，最少可以只有一片。
ID Identification的缩写。
用以辨识各个独立的个体，就像公司内每一个人有自己的识别证。
Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号，叫Wafer ID。
Lot ID 每一批芯片有自己的批号，叫Lot ID。
Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号，叫Part ID。
WIP Work In Process，在制品。
从芯片投入到芯片产品，FAB内各站积存了相当数量的芯片，统称为FAB内的WIP 。
一整个制程又可细分为数百个Stage和Step，每一个Stage所堆积的芯片，称为Stage WIP。
Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。
Super Hot Run的优先级为1，视为等级最高，必要时，当Lot在上一站加工时，本站便要空着机台等待Super Hot Run。
Hot Run的优先级为2，紧急程度比Super Hot Run次一级。
Normal的优先级为3，视为正常的等级，按正常的派货原则，或视常班向生产指令而定。
Cycle time 生产周期，FAB Cycle Time 定义为：从芯片投入到芯片产生的这一段时间。
Stage Cycle Time：Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截止。
Spec. 规格Specification的缩写。
产品在机台加工过程中，每一站均设定规格。
机台加工后，产品或控片经由量测机台量测，该产品加工后，是否在规格内。
半导体器件参英文缩写与中文全称对照
半导体器件参英文缩写与中文全称对照半导体器件参英文缩写与中文全称对照A 宽频带放大AM 调幅CC 恒流CHOP 斩波、限幅C-MIC 电容话筒专用D 变频换流DC 直流DIFF 差分放大DUAL 配对管DUAL-GATE 双栅四极FM 调频GEP 互补类型HA 行输出级HF 高频放大（射频放大）HG 高跨导HI-IMP 高输入阻抗HI-REL 高可靠性LMP-C 阻抗变换L 功率放大MAP 匹配对管MIN 微型MIX或M 混频MW 微波NF 音频（低频）N-FET 硅N沟道场效应晶体管P-FET 硅P沟道场效应晶体管GE-N-FET 锗N沟道场效应晶体管O 振荡S 开关SW-REG 开关电源SYM 对称类TEMP 温度传感TR 激励、驱动TUN 调谐TV 电视TC 小型器件标志UHF 超高频UNI 一般用途V 前置/输入级VA 场输出级VHF 甚高频VID 视频VR 可变电阻ZF 中放V-FET V型槽MOSFETMOS-INM MOSFET独立组件MOS-ARR MOSFET陈列组件MOS-HBM MOSFET半桥组件MOS-FBM 全桥组件MOS-TPBM MOSFET三相桥组件GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应晶体管SB肖特基势垒栅场效应晶体管MES 金属半导体场效应晶体管（一般为N 沟道，若P沟道则在备注栏中注明）HEMT 高电子迁移率晶体管SENSE FET 电流敏感动率MOS场效应管SIT 静电感应晶体管IGBT 绝缘栅比极晶体管ALGaAS 铝家砷。
半导体集成电路常见封装缩写(精)
半导体集成电路常见封装缩写解释1. DIP(dual in-line PACkage)双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。
封装宽度通常为15.2mm。
有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。
但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。
另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为Cerdip(见C erdip)。
BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。
SOP小型外引脚封装Small Outline Package ro0c[hi^M 4srs?}JSSOP收缩型小外形封装Shrink Small Outline Package P-pBI%{p)与SOP的区别：近似小外形封装,但宽度要比小外形封装更窄,可节省组装面积的新型封装。
2. DIP(dual tape carrier PACkage)同上。
日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
QTCP(quad tape carrier PACkage)四侧引脚带载封装。
TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。
是利用TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。
JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体。
指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。
半导体品牌中英文对照
全名流行缩写官方中文名总部台湾半导体厂家MediaTek MTK 联发科台湾Princeton PTC 普诚科技台湾Richtek / 立崎台湾Sunplus / 凌阳台湾Anapec 茂达台湾EUTech 德信台湾Realtek 瑞煜台湾Winbond 华邦台湾VIA 威盛台湾日本半导体厂家EPSON 爱普生日本Fujitsu 富士通日本NEC 日电日本OKI 冲电子日本ROHM 罗姆日本Renesas 瑞萨日本SHARP 夏普日本Seiko NPC 精工日本YAMAHA 雅马哈日本Toshiba 东芝日本RICOH 理光日本TOREX 特瑞仕日本mitsubishi 三菱日本Sanyo 三洋日本AKM / 日本韩国半导体厂家Samsung 三星韩国Corelogic / 韩国Hynix 海力士韩国LG 乐金韩国Atlab / 韩国美国半导体厂家Analog Device ADI 模拟器件美国Agere System 杰尔美国Agilent 安捷伦美国AMD/Spansion / 美国Atmel 爱特梅尔美国Broadcom 博通美国Cirrus Logic 思睿逻辑美国Fairchild 飞兆美国Freescale 飞思卡尔美国Intel 英特尔美国LSI / 美国Maxim 美信美国Micron 美光美国National NS 国家半导体/国半美国Nvidia 恩维达美国Omnivision OV 豪威美国ON semi 安森美美国Qualcomm 高通美国Sandisk 晟碟美国TI 德州仪器美国Analogic Tech AATI 研诺科技美国VISHAY 威世美国Cypress 赛普拉斯美国Pericom 百利通美国Linear 凌力尔特美国Catlyst 凯特利斯美国Sipex / 美国RFMD / 美国Micrel 迈瑞美国Microchip 微芯美国intersil 英特矽尔美国MPS 芯源美国SIRF 瑟孚科技美国Allegro / 美国Silicon labs / 美国Skyworks 思加讯（中国公司名）美国Conexant 科胜讯美国Dallas 达拉斯美国IR 国际整流美国其他半导体厂家infineon 英飞凌德国ST 意法欧洲Wolfson 欧胜英国ATI / 加拿大NXP 恩智浦欧洲austria microsystems 奥地利微电子无源器件EPCOS 爱普科斯德国Amphenol 安费诺美国Tyco 泰科电子美国Molex 莫仕美国FCI / 美国Innochips ICT / 韩国Yageo 国巨台湾LITEON 光宝台湾JST / 日本SMK / 日本Hirose HRS 广濑电机日本Murata 村田日本TDK / 日本Kyocera 京瓷日本Taiyo Yuden 太阳诱电（太诱）日本Rohm 罗姆日本Nichicon 尼吉康日本ALPS 阿尔卑斯日本Nais 松下电工日本Citizen 西铁城日本。
半导体行业专业英语名词解释
70
（FITFAILURE IN TIME）
71
FOUNDRY
客户委托加工
72
FOUR POINT PROBE
四点侦测
73
FINESONIC CLEAN（F/S）
超音波清洗
74
FTIR
傅氏转换红外线光谱分析仪
75
FTY（FINAL TEST YIELD）
76
FUKE DEFECT
77
GATE OXIDE
缺陷分析软件
157
SEM ELECTRON（SCANNING
MICROSCOPE）
电子显微镜
158
SELECTIVITY
选择性．
159
SILICIDE
硅化物
160
SILICIDE
金属硅化物
161
SILICON
硅
162
SILICON NITRIDE
氯化硅
163
SMS (SEMICODUCTOR MANUFACTURING
生产周期时间
41
DEFECT DENSITY
缺点密度
42
DEHYDRATION BAKE
去水烘烤．
43
DENSIFY
密化
44
DESCUM
电浆预处理
45
DESIGN RULE
设计规范
46
EDSIGN RULE
设计准则
47
DIE BY DIE ALIGNMENT
每FIELD均对准
48
DIFFUSION
扩散
光罩护膜
130
PELLICLE
光罩保护膜
131
PH3
半导体行业常用英语
••半导体家园•••技术论坛••••产业动态•半导体公司名录•Automation•半导体厂务•求职招聘•芯片与系统•IC Design•IC Layout•设计验证•EDA技术•设计与制造•工艺整合•Lithography•Etching•Diffusion•Thin Film•CMP•度量检测•晶片制备•封装设计•封装仿真•封装工艺•封装设备•封装材料•封装原理•SMT表面贴装•PCB印刷电路板•Cp&Final Test•测试理论•测试设备•Test Board•Reliability•失效分析•MEMS专区•FPD平板显示器专区•LED半导体照明•太阳能光伏•品质管理•生产管理•供应商管理•人力资源•财务管理•机密管理•市场开发及客户管理•半导体公司创建•设备&工具供求区•原料&耗材供求区•制造加工供求区•元器件供求区•其他服务供求区•闲聊灌水•美图世界•足行天下•健康养生•英文互动•商学院•投资理财您的位置：半导体技术天地>> 首页>> 封装原理>> 查看帖子字体: 小中大设备管理中常用的英文简写代表的意思（很多哦）KEJIAN 发表于: 2009-2-23 13:18 来源: 半导体技术天地Abbreviations and their explanations 缩写与其解释Engineering 工程/ Process 工序（制程）4M&1EMan, Machine, Method, Material, Environment人，机器，方法，物料，环境- 可能导致或造成问题的根本原因AIAutomatic Insertion自动插机ASSYAssembly制品装配ATEAutomatic Test Equipment自动测试设备BLBaseline参照点BMBenchmark参照点BOMBill of Material生产产品所用的物料清单C&ED/CAEDCause and Effect Diagram原因和效果图CACorrective Action解决问题所采取的措施CADComputer-aided Design电脑辅助设计.用于制图和设计3维物体的软件CCBChange Control Board对文件的要求进行评审，批准，和更改的小组CIContinuous Improvement依照短期和长期改善的重要性来做持续改善COBChip on Board邦定-线焊芯片到PCB板的装配方法.CTCycle Time完成任务所须的时间DFMDesign for Manufacturability产品的设计对装配的适合性DFMEADesign Failure Mode and Effect Analysis设计失效模式与后果分析--在设计阶段预测问题的发生的可能性并且对之采取措施DFSSDesign for Six Sigma六西格玛(6-Sigma)设计-- 设计阶段预测问题的发生的可能性并且对之采取措施并提高设计对装配的适合性DFTDesign for Test产品的设计对测试的适合性DOEDesign of Experiment实验设计-- 用于证明某种情况是真实的DPPMDefective Part Per Million根据一百万件所生产的产品来计算不良品的标准DVDesign Verification / Design Validation设计确认ECNEngineering Change Notice客户要求的工程更改或内部所发出的工程更改文件ECOEngineering Change Order客户要求的工程更改ESDElectrostatic Discharge静电发放-由两种不导电的物品一起摩擦而产生的静电可以破坏ICs和电子设备FIFinal Inspection在生产线上或操作中由生产操作员对产品作最后检查Functional Test测试产品的功能是否与所设计的一样FAFirst Article / Failure Analysis首件产品或首件样板/ 产品不良分析FCTFunctional Test功能测试-检查产品的功能是否与所设计的一样FFFFit Form Function符合产品的装配，形状和外观及功能要求FFTFinal Functional Test包装之前，在生产线上最后的功能测试FMEAFailure Mode and Effect Analysis失效模式与后果分析-- 预测问题的发生可能性并且对之采取措施FPYFirst Pass Yield首次检查合格率FTYFirst Test Yield首次测试合格率FWFirmware韧体（软件硬化）-控制产品功能的软件HLHandload在波峰焊接之前，将PTH元件用手贴装到PCB上，和手插机相同I/OInput / Output输入/ 输出Indented Bill of Material内部发出的BOM（依照客户的BOM）ICTIn-circuit Test线路测试-- 用电气和电子测试来检查PCBA短路，开路，少件，多件和错件等等不良IFFInformation Feedback Form情报联络书-反馈信息所使用的一种表格IRInfra-red红外线KPIVKey Process Input Variable主要制程输入可变因素-在加工过程中，所有输入的参数/元素，将影响制成品的质量的可变因素KPOVKey Process Output Variable主要制程输出可变因素-在加工过程中，所有输出的结果，所呈现的产品品质特征。
半导体专业术语缩写
半导体专业术语缩写
半导体专业术语缩写较多，以下列举部分供参考：
- EPI：外延
- PM：设备维护与保养
- PCW：工艺冷却水
- PMC：生产计划与物料控制
- PLC：可编程序控制控制器
- H2：氢气
- Sb：锑
- N2：氮气
- As：砷
- SiHCl3（TCS）：三氯氢硅
- B：硼
- PH3：磷烷
- CMOS：互补金属氧化物半导体
- HCl：氯化氢
- CMP：化学机械抛光
- Hg：汞（水银）
- ESD：静电释放
- HNO3：硝酸
- H2O2：双氧水
- HF：氢氟酸
- MOS：金属氧化物半导体
- SPC：统计过程控制
- PCM：工艺控制监测
- MRB：异常评审委员会
- PCN：工艺变更通知单
- CAB：变更评审委员会
- ECN：工程变更通知单
- OCAP：失效控制计划
- PSG：磷硅玻璃
- TF：薄膜
- PVD：物理气相淀积
- PHO：光刻
- PCB：印刷电路板
- DIF：扩散
- RF：射频
- II：注入
- UV：紫外线
- CVD：化学气相淀积
- VPE：气相外延
- SPV：扩散长度
- Bubbler：鼓泡器
- CD：关键尺寸
- EMO：设备紧急按钮
- CD-SEM：线宽扫描电镜
- Scrubber：尾气处理器
- ETCH：刻蚀（腐蚀）
- Coat：包硅
- H2-BAKE：氢气烘烤
- SRP：外延层纵向电阻率分布
如果你还想了解其他缩写，可以继续向我提问。
收藏!半导体人必须掌握的英文词汇
收藏！半导体人必须掌握的英文词汇大约30多年前一些美国、日本和欧洲的IDM半导体工厂把多余的产能出来做代工服务，因为代工的公司不会与客户竞争，所以专业代工的模式成为半导体市场的新宠。
那么，究竟国内半导体行业更加适用怎样的模式呢？张汝京建议，中国大陆业者可循着 CIDM （Commune IDM）的模式来发展。
接下来我们就探讨一下什么是CIDM模式，顺便说说设计行业和制造行业那些简称。
CIDMCIDM（CommuneIDM），就是共有共享式的IDM（IDM：下文有介绍）公司。
CIDM模式已经有先例，如新加坡TECH公司就是好几家公司联合成立的一个IDM公司（生产存储器为主），其中TECH的“T”是TI德仪，“E”就是新加坡政府EDS经济发展局，“C”是Canon佳能，“H”是Hewlett-Packard惠普。
其中的几家企业当时都需要很多的DRAM。
四家投资一个IDM公司，自己设计、自己生产、自己销售，从第二年开始几乎每年都实现了盈利。
在大陆，有一些规模较小的IDM工厂，其中多数生产150mm芯片、少数生产200mm芯片。
成立先进的IDM公司，光靠一家企业很难做起来。
如果5到10个伙伴一起来合作比运作一个先进的代工厂更容易些，因为分担投资，产品互补，减少了资金的压力，资源共享了，顾客固定，产能利用率有保障，风险大大降低，完全实现了互惠互利，而且产品和技术能力也可以大大提升。
挑战在于CIDM是五个或者更多合作伙伴共有，一方面，Fab要提供技术给这些公司，另一方面，这些公司的产品如何避免同质化竞争，目标市场也要区别。
对于CIDM模式而言，事先做好协同作业（Concordance）尤为重要。
在技术层面，张汝京博士认为，CIDM一开始的时候只需要提供10至20种工艺，力量比较集中，做到40-28nm就足够了，这个节点及以上的工艺，70-80%的产品都可以生产了，有很大的获利市场。
40nm之后接着就上28nm。
IC品牌 中英文对照
ADI 美国仿真器件AD、AMD、美国美商半导体ATMEL (爱特梅尔)、ALTERA (阿尔特拉)、ALLEGROAGILNET (安捷伦)、BROADCOM （博通）CY （赛普拉斯）Dallas （达拉斯）FAIRCHILD (仙童)、Freescale （飞思卡尔）IR、国际整流器Intel 英特尔Intersil 英赛尔ICSI 台湾硅成IDT 美国集成器件ISSI 芯成Linear 凌特LSI 美国逻辑公司Hynix 海力士HP 惠普Hitachi 日立Harrsi 哈利斯MDT 麦肯MAXIN （美信）、MOLEX （莫仕）MOTOROLA （摩托罗拉)、MICRON （美光）Microchip 微芯Mitsubishi 三菱NXP （恩智浦）(飞利浦）NSC NS (国半)ON (安森美)、OKI 日本冲电PHILIPS (飞利浦）、PREWELL 普利微尔Rohm 罗姆Renesas 瑞萨ST、（意法半导体）SHARP (夏普）、SONIX （松翰）STC 单片机Sanyo 三洋Samsung 三星Sony 索尼TI/BB、TOSHIBA (东芝)、VISHAY (威士)、XILINX (赛灵思)、IC厂家大全全名流行缩写官方中文名总部MediaTek MTK 联发科台湾Princeton PTC 普诚科技台湾Richtek / 立崎台湾Sunplus / 凌阳台湾Anapec 茂达台湾EUTech 德信台湾Realtek 瑞煜台湾Winbond 华邦台湾VIA 威盛台湾日本半导体厂家EPSON 爱普生日本Fujitsu 富士通日本NEC 日电日本OKI 冲电子日本ROHM 罗姆日本Renesas 瑞萨日本SHARP 夏普日本Seiko NPC 精工日本YAMAHA 雅马哈日本Toshiba 东芝日本RICOH 理光日本TOREX 特瑞仕日本mitsubishi 三菱日本Sanyo 三洋日本AKM / 日本韩国半导体厂家Samsung 三星韩国Corelogic / 韩国Hynix 海力士韩国LG 乐金韩国Atlab / 韩国美国半导体厂家Analog Device ADI 模拟器件美国Agere System 杰尔美国Agilent 安捷伦美国AMD/Spansion / 美国Atmel 爱特梅尔美国Broadcom 博通美国Cirrus Logic 思睿逻辑美国Fairchild 飞兆美国Freescale 飞思卡尔美国Intel 英特尔美国LSI / 美国Maxim 美信美国Micron 美光美国National NS 国家半导体/国半美国Nvidia 恩维达美国Omnivision OV 豪威美国ON semi 安森美美国Qualcomm 高通美国Sandisk 晟碟美国TI 德州仪器美国Analogic Tech AATI 研诺科技美国VISHAY 威世美国Cypress 赛普拉斯美国Pericom 百利通美国Linear 凌力尔特美国Catlyst 凯特利斯美国Sipex / 美国RFMD / 美国Micrel 迈瑞美国Microchip 微芯美国intersil 英特矽尔美国MPS 芯源美国SIRF 瑟孚科技美国Allegro / 美国Silicon labs / 美国Skyworks 思加讯（中国公司名）美国Conexant 科胜讯美国Dallas 达拉斯美国IR 国际整流美国其他半导体厂家infineon 英飞凌德国ST 意法欧洲Wolfson 欧胜英国ATI / 加拿大NXP 恩智浦欧洲austria microsystems 奥地利微电子无源器件EPCOS 爱普科斯德国Amphenol 安费诺美国Tyco 泰科电子美国Molex 莫仕美国FCI / 美国Innochips ICT / 韩国Yageo 国巨台湾LITEON 光宝台湾JST / 日本SMK / 日本Hirose HRS 广濑电机日本Murata 村田日本TDK / 日本Kyocera 京瓷日本Taiyo Yuden 太阳诱电（太诱）日本Rohm 罗姆日本Nichicon 尼吉康日本ALPS 阿尔卑斯日本Nais 松下电工日本Citizen 西铁城日本MAX产品命名规则Maxim产品命名规则Maxim产品命名规则第二货源型号命名我们提供的第二货源产品采用特定型号最流行的编号，而不是我们自己的命名规则。
半导体通用缩略语abbreviation
半导体缩写单词汇编
36. 37. 38. 39. 40. 41. 42. 43. 44. 45. 46. 47. 48. 49. 50. 51. 52. 53. 54. 55. LOP---Local Operation Procedure---本地操作规程 IPC---In Process Control---过程控制 SPC---Statistical Process Control---统计过程控制 BSA---Build Sheet Assembly---装配图（配料单） MBD---Mounting and Bonding Diagram---焊线图 MKC---Marking Composition---打印结构图 TFI---Testing and Finishing Information---测试包装指导 ESD---Electronic Statistic Discharge---静电释放 8D---一种具有八个指定部分,关于缺陷原因分析及其改 进措施的标准报告 CAR---Cause Analysis Report---原因分析报告 FMEA---Failure Mode & Effect Analysis---失效模式分析 OCAP---Out of Control Action Plan---失控状态行动计划 DOE---Design Of Experiment---实验设计 SAP---一种多功能的企业系统管理软件 PR---Purchase Requisition---采购请求 PO---Purchase Order---采购定单 PCS---Pieces---个数 UM---Unit Measurement---单位 ADCS---Advanced Document Control System---先进文件 控制系统 EDOCS---Enterprise Document Control System---企业文件 控制系统 56. 57. 58. 59. 60. 61. 62. 63. 64. 65. 66. 67. 68. 69. 70. 71. 72. 73. 74. 75. 76. 77. WIP---Waiting In Process---等待生产的产品量 IQC---Incoming Quality Control---来料质量控制 FA---Failure Analysis---失效分析 FW---Factory Work---生产线软件 NCL---Non Conforming Lot---异常产品(不确定产品） PR---Position Reference---参考位置设置 DI---Deionized---去离子的 EMS---Equipment Monitoring System---设备监控系统 ESS---Employee Suggestion System---员工建议系统 NEE---Net Equipment Efficiency---设备净效率 OEE---Overall Equipment Efficiency---设备综合效率 MTBF---Mean Time Between Failure---平均停机间隔时间 MD---Molding---模封 JD---Job Description---工作描述 WI---操作指导书 OQC---出料质量控制 PLAN---控制计划 OJT---On the Job Training---在线培训 Packing------包装 Visual Inspection ----外观检查 RET。--Reject ---拒收 Hold lot----封存产品
半导体工艺英文缩写
半导体工艺英文缩写半导体工艺是半导体行业中的一个重要领域，涉及到半导体材料和器件的制造过程。
由于该领域技术含量高，专业术语较多，因此人们常常使用英文缩写来简化表达。
下面是一些常见的半导体工艺英文缩写及其解释：1.CMOS: 压缩氧化法半导体互补金属-氧化物半导体CMOS是一种常见的半导体工艺，它使用压缩氧化法在半导体材料上形成金属-氧化物半导体结构。
这种结构可以实现低功耗、低电压操作，并且在集成电路中应用广泛。
2.PVD: 物理气相沉积物理气相沉积是一种半导体材料薄膜制备的技术，它利用物理过程将固体材料转化为气体，然后在半导体表面沉积成薄膜。
这种技术可以实现高质量的薄膜制备，并且广泛用于半导体器件的制造。
3.CVD: 化学气相沉积化学气相沉积是一种半导体材料薄膜制备的技术，它利用化学反应将气体转化为固体材料，并在半导体表面沉积成薄膜。
这种技术可以实现较高的沉积速度和较大的沉积面积，并且在集成电路制造中得到广泛应用。
4.RTP: 快速热退火快速热退火是一种半导体工艺，它通过快速升温和冷却的方式来进行热处理。
这种工艺可以实现材料的结晶、再结晶和晶格调控，从而提高半导体器件的电学性能和稳定性。
5.DUV: 深紫外深紫外是一种波长较短的紫外光，通常用于半导体制造中的光刻工艺。
它具有较高的分辨率和较小的曝光误差，可以实现微细结构的制造和高精度印刷。
6.BEOL: 背端工艺背端工艺是指半导体制造中从晶圆电路层到封装层的工艺步骤，主要包括金属线路的布线、电压与数据传输的测试、集成电路封装等工作。
这些工艺步骤对于确保电路的正常运行和稳定性至关重要。
7.FEOL: 前端工艺前端工艺是指半导体制造中从晶圆加工到背端工艺之前的工艺步骤，主要包括晶圆清洁、刻蚀、沉积、光刻、扩散等工作。
这些工艺步骤对于制备高质量的半导体材料和器件起着关键作用。
总结起来，半导体工艺英文缩写是半导体行业中常用的专业术语，它简化了表达，加快了交流。
半导体常用英语词汇
半导体常用英语词汇MFG 常用英文单字Semiconductor半导体导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小，决定了电子的移动速度。
导体：金、银、铜、铁、人、水……导电系数大，传导绝缘体：塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不半导体：硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆：原意为法国的松饼，饼干上有格子状的饰纹，与FAB内生产的芯片图形类Lot 批；一批芯片中最多可以有25片，最少可以只有一片。
ID Identification的缩写。
用以辨识各个独立的个体，就像公司内每一个人有自己的识别证。
Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号，叫Wafer ID。
Lot ID 每一批芯片有自己的批号，叫Lot ID。
Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号，叫Part ID。
WIP Work In Process，在制品。
从芯片投入到芯片产品，FAB内各站积存了相当数量的芯片，统称为FAB内的WIP 。
一整个制程又可细分为数百个Stage和Step，每一个Stage所堆积的芯片，称为Stage WIP。
Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。
Super Hot Run的优先级为1，视为等级最高，必要时，当Lo上一站加工时，本站便要空着机台等待Super Hot RuHot Run的优先级为2，紧急程度比Super Hot Run次一级。
Normal的优先级为3，视为正常的等级，按正常的派货原则视常班向生产指令而Cycle time 生产周期，FAB Cycle Time 定义为：从芯片投入到芯片产生的这一段时间。
Stage Cycle Time：Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截Spec. 规格Specification的缩写。
产品在机台加工过程中，每一站均设定规格。
机台加工后，产品或控片经由量测机台量测，该产品加工后，是否在规格内。
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半导体常用英文缩写
LED – Light Emitting Diode。
FET – Field Effect Transistor。
MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor。
JFET – Junction Field Effect Transistor。
IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor。
BJT – Bipolar Junction Transistor。
MOS – Metal Oxide Semiconductor。
PSP – Power Schottky Diode。
UJT – Unijunction Transistor。
SCR – Silicon-Controlled Rectifier。
SiC – Silicon Carbide。
HBT – Heterojunction Bipolar Transistor。
LDMOS – Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor。
HEMT – High Electron Mobility Transistor。
DFB – Distributed Feedback Laser。
PD – Photodiode。
GaP – Gallium Phosphide。
GaN – Gallium Nitride。
GaAs – Gallium Arsenide。
PJFET – Poly-Junction Field Effect Transistor。
ENSAT – Emitter Switched Bipolar Transistor。
TRIAC – Triode for Alternating Current。
JBS – Junction Barrier Schottky。
FND – Field-effect N-channel Depletion Mode。
FSD – Fast Switching Diode。
D-MOS – Double Diffusion Metal Oxide Semiconductor。
MTJ – Magnetic Tunnelling Junction。
DBR – Distributed Bragg Reflector。
DAR – Double-Edge-triggered D-type Access RAM。
CTT – Capacitance Transistor Logic。
TFT – Thin-Film Transistor。
RTD – Reference Temperature Detector。
LSI – Large-Scale Integration。
VCSEL – Vertical Cavity Surface Emitting Laser。
ASIC – Application Specific Integrated Circuit。
BSI – Backside Illumination。
MSC – MOS Silicon Controlled。
LCD – Liquid Crystal Display。
COSMOS – CMOS Simple-Cell Logic。
PMOS – P-type Metal Oxide Semiconductor。
PSRAM – Pseudo-Static RAM。
VT – Varactor Tuned Oscillator。
ALD – Atomic Layer Deposition。
HVIF – High Voltage Injection Fet。
SC – Superconductor。
VHF – Very High Frequency。
VACNT – Vertically Aligned Carbon Nanotube。
MIM – Metal-Insulator-Metal。
PLD – Programmable Logic Device。
PE – Photovoltaic Effect。
PLX – Planar Lightwave Circuit。
OPT – Operational Transconductance Amplifier。
SIPM – Silicon Photomultiplier。
QD – Quantum Dot。
FEM – Finite Element Method。
STT-MRAM – Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory。
SHE – Spin Hall Effect。
SHMOS – Spin Hall Metal Oxide Semiconductor。