《集成电路原理及应用》课后答案
3篇3章习题解答浙大版集成电路课后答案
第三章 反馈放大电路及应用题3.3.1 怎样分析电路中是否存在反馈?如何判断正、负反馈；动态、 静态反馈(交、直流反馈)；电压、电流反馈；串、并联反馈?解：根据电路中输出回路和输入回路之间是否存在信号通路，可判断是否存在反馈。
利用瞬时极性法，可以判断正、负反馈：若反馈信号的引入使放大器的净输入量增大， 则为正反馈；反之为负反馈。
在静态条件下(v i =0)将电路画成直流通路，假设因外界条件(如环境温度)变化引起静态输出量变化，若净输入量也随之而变化，则表示放大器中存在静态反馈。
当v i 加入后，将电路画成交流通路，假定因电路参数等因素的变化而引起输出量变化，若净输入也随之而变化，则表示放大器中存在动态反馈。
利用反证法可判断电压、电流反馈。
假设负载短路后，使输出电压为零，若反馈量也随之为零，则是电压反馈；若反馈量依然存在(不为零)，则是电流反馈。
在大多数电路中(不讨论个别例外)，若输入信号和反馈信号分别加到放大电路的二个输入端上，则为串联反馈；若加到同一输入端上，则为并联反馈。
题3.3.2 电压反馈与电流反馈在什么条件下其效果相同，什么条件下效果不同?解：在负载不变的条件下，电压反馈与电流反馈效果相同；当负载发生变化时，则二者效果不同，如电压负反馈将使输出电压恒定，但此时电流将发生更大的变化。
题3.3.3 在图题3.3.3所示的各种放大电路中，试按动态反馈分析：(1)各电路分别属于哪种反馈类型?(正/负反馈；电压/电流反馈；串联/并联反馈)。
(2)各个反馈电路的效果是稳定电路中的哪个输出量?(说明是电流，还是电压) (4)若要求将图(f)改接为电压并联负反馈，试画出电路图(不增减元件)。
解：(1)，(2) : (a)电压并联负反馈，稳定υo 。
(b)电流串联负反馈，稳定i o 。
(c)电流并联负反馈，稳定i o 。
(d)电压串联负反馈，稳定υo 。
(e)电压并联负反馈，稳定υo 。
(f)电压串联负反馈，稳定υo 。
集成运算放大器原理及应用（含习题）
集成运算放大器原理及应用将电路的元器件和连线制作在同一硅片上，制成了集成电路。
随着集成电路制造工艺的日益完善，目前已能将数以千万计的元器件集成在一片面积只有几十平方毫米的硅片上。
按照集成度（每一片硅片中所含元器件数）的高低，将集成电路分为小规模集成电路(简称SSI) ，中规模集成电路(简称MSI), 大规模集成电路(简称LSI)和超大规模集成电路(VLSI)。
运算放大器实质上是高增益的直接耦合放大电路，集成运算放大器是集成电路的一种，简称集成运放，它常用于各种模拟信号的运算，例如比例运算、微分运算、积分运算等，由于它的高性能、低价位，在模拟信号处理和发生电路中几乎完全取代了分立元件放大电路。
集成运放的应用是重点要掌握的内容，此外，本章也介绍集成运放的主要技术指标，性能特点与选择方法。
一、集成运算放大器简介1. 集成运放的结构与符号1. 结构集成运放一般由4部分组成，结构如图1所示。
142图1 集成运放结构方框图其中：输入级常用双端输入的差动放大电路组成，一般要求输入电阻高，差摸放大倍数大，抑制共模信号的能力强，静态电流小，输入级的好坏直接影响运放的输入电阻、共模抑制比等参数。
中间级是一个高放大倍数的放大器，常用多级共发射极放大电路组成，该级的放大倍数可达数千乃数万倍。
输出级具有输出电压线性范围宽、输出电阻小的特点，常用互补对称输出电路。
偏置电路向各级提供静态工作点，一般采用电流源电路组成。
2. 特点：○1硅片上不能制作大容量电容，所以集成运放均采用直接耦合方式。
○2运放中大量采用差动放大电路和恒流源电路，这些电路可以抑制漂移和稳定工作点。
○3电路设计过程中注重电路的性能，而不在乎元件的多一个和少一个○4用有源元件代替大阻值的电阻○5常用符合复合晶体管代替单个晶体管，以使运放性能最好3. 集成运放的符号从运放的结构可知，运放具有两个输入端v P和v N和一个输出端v O，这两个输入端一个称为同相端，另一个称为反相端，这里同相和反相只是输入电压和输出电压之间的关系，若输入正电压从同相端输入，则输出端输出正的输出电压，若输入正电压从反相端输入，则输出端输出负的输出电压。
1篇1章习题解答浙大版集成电路课后答案
第一章半导体二极管及其电路分析题1.1.1已知二极管2AP9的伏安特性如图题1.1.1（a）所示。
（1）若将其按正向接法直接与1.5V电池相连，估计会出现什么问题？（2）若将其按反向接法直接与30V电源相连，又会出现什么问题？（3）分析二极管、稳压管在电路中常常与限流电阻相连的必要性。
（4）画出两只2AP9二极管[图题1.1.1（a）]在：同向串联、反向串联、同向并联、反向并联四种情况下的合成伏安特性曲线。
图题1.1.1解：(1)烧杯二极管；(2)反向击穿；(3)串联电阻可以限制流过二极管或稳压管的电流超过规定值，使二极管或稳压管安全；(4)同相串联：其正反相的电压分别增加反相串联略去正向压降后都是反向特性；同相并联时：其特性如同一只管子特性反相并联时：两边都是正向特性。
题1.1.2当用万用表电阻档测量二极管[参见图题1.1.1（b）]，分析：（1）所测得的电阻值是二极管的直流电阻还是动态（微变）电阻？（2）设万用表内电池电压为1.5V，R×10Ω档的内阻R iˊ为240Ω，R×100Ω档的内阻R iˊ=2.4kΩ。
试用图解分析法估算：a）用R×10Ω档测得的正向电阻值；b）用R×100Ω档测得的正向电阻值。
从概念上说明，为什么用不同电阻档测得的二极管正向电阻相差悬殊？解：(1) 是二极管的直流电阻。
(2) 在二极管的特性曲线坐标上，作出两条负载线，负载线和特性曲线的交点求得V D和I D，然后求出这二档的电阻。
负载线方程分别为：V D=1.5-0.24I D(R×10Ω档)V D=1.5-2.4I D(R×100Ω档)所以用R×10Ω档测得的二极管正向电阻值为Ω===76mA 7.4V 36.0DDD I V R 用R ×100Ω档测得的二极管正向电阻值为 Ω===500mA 5.0V 25.0D DD I V R由于万用表不同档的内阻不同，使流过二极管的电流相差较大，从而不同档时，测得二极管的正向电阻相差悬珠。
1+X集成电路理论习题库(附参考答案)
1+X集成电路理论习题库（附参考答案）一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.如果焊接面上有（），不能生成两种金属材料的合金层。
A、阻隔浸润的污垢B、氧化层C、没有充分融化的焊料D、以上都是正确答案：D2.激光打字在打标前需要调整（）的位置。
A、场镜和收料架B、场镜和光具座C、显示器和收料架D、光具座和显示器正确答案：B3.进行芯片检测工艺中的编带外观检查时，其步骤正确的是（）。
A、编带固定→固定卷盘→归纳放置→检查外观→编带回料B、归纳放置→固定卷盘→检查外观→编带回料→编带固定C、固定卷盘→归纳放置→检查外观→编带回料→编带固定D、检查外观→归纳放置→固定卷盘→编带回料→编带固定正确答案：B4.引线键合前一道工序是（）。
A、第二道光检B、晶圆切割C、芯片粘接D、晶圆清洗正确答案：C答案解析：晶圆贴膜→晶圆切割→晶圆清洗→第二道光检→芯片粘接→引线键合5.下列关于平移式分选机描述错误的是（）。
A、传送带将料架上层的料盘输送至待测区料盘放置的指定区域B、料盘输送到待测区的指定位置后，吸嘴从料盘上真空吸取芯片，然后转移至“中转站”C、等待芯片传输装置移动到“中转站”接收芯片并将芯片转移至测试区D、当待测区料盘上的芯片全部转移后，需要更换料盘，继续进行上料正确答案：A6.单晶硅生长完成后，需要进行质量检验，其中四探针法可以测量单晶硅的（）参数。
A、少数载流子寿命B、电阻率C、导电类型D、直径正确答案：B7.利用全自动探针台进行扎针测试时，关于上片的步骤，下列所述正确的是（）。
A、打开盖子→花篮放置→花篮下降→花篮到位→花篮固定→合上盖子B、打开盖子→花篮放置→花篮固定→花篮下降→花篮到位→合上盖子C、打开盖子→花篮放置→花篮下降→花篮固定→花篮到位→合上盖子D、打开盖子→花篮放置→花篮到位→花篮下降→花篮固定→合上盖子正确答案：B8.晶圆检测工艺中，在进行上片之前需要进行( )操作。
A、导片B、加温、扎针调试C、扎针测试D、打点正确答案：A答案解析：晶圆检测工艺流程：导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。
集成电路制造技术-原理与工艺 课后习题答案
第二单元
3. 欲对扩散杂质起有效的屏蔽作用,对 SiO2 膜有何要求? 答:硅衬底上的 SiO2 要能够当做掩膜来实现定域扩散，需要 xSiO2 满足 下列条件： 预生长的 SiO2 膜具有一定的厚度， 同时杂质在衬底硅中的 扩散系数 DSi 要远远大于其在 SiO2 中的扩散系数 DSiO2，而且 SiO22 表 面杂质浓度与 Si/ SiO2 界面杂质浓度之比达到一定数值，可保证 SiO2 膜起到有效的掩膜作用。
是在高真空溅射时，在衬底正上方插入一块高纵横比 孔的平板，称为准直器。溅射原子的平均自由程足够 长，则在准直器与衬底之间几乎不会发生碰撞。因 此， 。 。 。
16.以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时，若分别采用真空 蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜， 应分别从哪几个方面来提高其台阶覆 盖特性？ 真空蒸镀： 通过衬底加热和衬底旋转能够改善真空蒸镀的台阶覆盖特 性。P214
磁控溅射：充分升高衬底温度，在衬底上加射频电压，采用强迫填充 技术，采用准直溅射技术。P224
工艺 APCVD (常压 CVD) 反应简单 淀积速度快 低温 高纯度和均匀性， 一致的台阶覆盖能力，大 的硅片容量 优点 缺点 台阶覆盖能力差, 有颗粒沾污 低产出率 高温，低的淀积速率，需 要更多的维护，要求真空 系统支持 应用 低温二氧化硅 (掺杂或不掺杂).
LPCVD (低压 CVD) 等离子体辅助 CVD: 等离子体增强 CVD (PECVD) 高密度等离子体 CVD (HDPCVD)
6. 硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向 , 通常偏离 [100] 或 [111]等晶向一个小角度,为什么?
答： 在外延生长过程中， 外延气体进入反应器， 气体中的反应剂气相输运到衬底，
பைடு நூலகம்
集成电路原理及应用期末复习资料..
1.什么是差动放大电路？什么是差模信号？什么是共模信号？差动放大器对差模信号和共模信号分别起什么作用？差动放大电路是把两个输入信号分别输入到运算放大器的同相和反相输入端，然后在输出端取出两个信号的差模成分，而尽量抑制两个信号的共模成分的电路。
共模信号：双端输入时，两个大小相同，极性相同的信号。
差模信号：双端输入时，两个大小相等，极性相反的信号。
对差模输入信号的放大作用、对共模输入信号的抑制作用2.集成运放有哪几部分组成？各部分的典型电路分别是什么？输入级、中间级、输出级、偏置电路四大部分组成输入级的典型电路是差动放大电路, 利用它的电路对称性可提高整个电路的性能，减小温漂；中间级的典型电路是电平位移电路, 将电平移动到地电平，满足零输入时零输出的要求；输出级的典型电路是互补推挽输出放大电路，使输出级输出以零电平为中心，并能与中间电压放大级和负载进行匹配；偏置电路典型电路是电流源电路，给各级电路提供合适的静态工作点、所需的电压3.共模抑制比的定义？集成运放工作于线性区时，其差模电压增益Aud与共模电压增益Auc之比4.集成运放的主要直流参数：输入失调电压Uos、输入失调电压的温度系数△Uos/△T、输入偏置电流、输入失调电流、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰--峰电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压5.集成运放主要交流参数：开环带宽、单位增益带宽、转换速率、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。
6.理想集成运放的基本条件。
1.差模电压增益为无穷大2.输入电阻为无穷大3.输出电阻为04.共模抑制比CMRR为无穷大5.转换速率为无穷大即Sr=006.具有无限宽的频带7.失调电压·失调电流极其温漂均为08.干扰和噪声均为07.理想集成运放的两个基本特性：虚短和虚断。
代表的实际物理意义。
其实，虚短和虚断的原因只有一个，那就是：输入端输入电阻无穷大。
《DSP原理及应用(修订版)》邹彦主编课后答案(个人终极修订版
《DSP原理及应用（修订版）》邹彦主编课后答案（个人终极修订版声明：1、本人知识能力有限，只能按自己认识来判断答案的正误来编写本资料；2、本资料为《dsp原理及应用（修订版）》邹彦主编的课后答案，仅作参考作用，不一定代表考试方向。
3、请尊重劳动成果，祝大家考试顺利！第一章1、数字信号处理实现方法一般有几种？答：课本p2（2.数字信号处理实现）2、简要地叙述dsp芯片的发展概况。
答：课本p2（1.2.1dsp芯片的发展概况）3、可编程dsp芯片有哪些特点？答：课本p3（1.2.2dsp芯片的特点）4、什么就是哈佛结构和冯诺依曼结构？他们存有什么区别？请问：课本p3-p4(1.使用哈佛结构）5、什么就是流水线技术？请问：课本p5（3.使用流水线技术）6、什么是定点dsp芯片和浮点dsp芯片？它们各有什么优缺点？答：定点dsp芯片按照定点的数据格式进行工作，其数据长度通常为16位、24位、32位。
定点dsp的特点：体积小、成本低、功耗小、对存储器的要求不高；但数值表示范围较窄，必须使用定点定标的方法，并要防止结果的溢出。
浮点dsp芯片按照浮点的数据格式进行工作，其数据长度通常为32位、40位。
由于浮点数的数据表示动态范围阔，运算中不必迁就小数点的边线，因此研发较难。
但它的硬件结构相对繁杂、功耗很大，且比定点dsp芯片的价格低。
通常，浮点dsp芯片采用在对数据动态范围和精度建议较低的系统中。
7、dsp技术发展趋势主要体现在哪些方面？答：课本p9（3.dsp发展技术趋势）8、简述dsp系统的构成和工作过程。
答：课本p10（1.3.1dsp系统的构成）9、简述dsp系统的设计步骤。
答：课本p12（1.3.3dsp系统的设计过程）10、dsp系统有哪些特点？答：课本p11（1.3.2dsp系统的特点）11、在展开dsp系统设计时，应当如何挑选合理的dsp芯片？请问：课本p13（1.3.4dsp芯片的挑选）12、tms320vc5416-160的指令周期是多少毫秒？它的运算速度是多少mips？解：f=160mhz，所以t=1/160m=6.25ns=0.00000625ms；运算速度=160mips第二章1、tms320c54x芯片的基本结构都包括哪些部分？答：课本p17（各个部分功能如下）2、tms320c54x芯片的cpu主要由几部分组成？答：课本p18（1.cpu)3、处理器工作方式状态寄存器pmst中的mp/mc、ovly和drom3个状态智造’c54x的存储空间结构有何影响？请问：课本p34（pmst寄存器各状态位的功能表）4、tms320c54x芯片的内外设立主要包含哪些电路？请问：课本p40（’c54x的片内外设立电路）5、tms320c54x芯片的流水线操作方式共计多少个操作方式阶段？每个操作方式阶段继续执行什么任务？顺利完成一条指令都须要哪些操作方式周期？请问：课本p45（1.流水线操作方式的概念）6、tms320c54x芯片的流水线冲突是怎样产生的？有哪些方法可以避免流水线冲突？答：由于cpu的资源有限，当多于一个流水线上的指令同时访问同一资源时，可能产生时序冲突。
集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第2单元)
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第二单元习题解答1.SiO2膜网络结构特点是什么？氧和杂质在SiO2网络结构中的作用和用途是什么？对SiO2膜性能有哪些影响？二氧化硅的基本结构单元为Si-O四面体网络状结构，四面体中心为硅原子，四个顶角上为氧原子。
对SiO2网络在结构上具备“长程无序、短程有序”的一类固态无定形体或玻璃体。
半导体工艺中形成和利用的都是这种无定形的玻璃态SiO2。
氧在SiO2网络中起桥联氧原子或非桥联氧原子作用，桥联氧原子的数目越多，网络结合越紧密，反之则越疏松。
在连接两个Si-O四面体之间的氧原子掺入SiO2中的杂质，按它们在SiO2网络中所处的位置来说，基本上可以有两类：替代（位）式杂质或间隙式杂质。
取代Si-O四面体中Si原子位置的杂质为替代（位）式杂质。
这类杂质主要是ⅢA，ⅤA元素，如B、P等，这类杂质的特点是离子半径与Si原子的半径相接近或更小，在网络结构中能替代或占据Si原子位置，亦称为网络形成杂质。
由于它们的价电子数往往和硅不同，所以当其取代硅原子位置后，会使网络的结构和性质发生变化。
如杂质磷进入二氧化硅构成的薄膜称为磷硅玻璃，记为PSG；杂质硼进入二氧化硅构成的薄膜称为硼硅玻璃，记为BSG。
当它们替代硅原子的位置后，其配位数将发生改变。
具有较大离子半径的杂质进入SiO2网络只能占据网络中间隙孔（洞）位置，成为网络变形（改变）杂质，如Na、K、Ca、Ba、Pb等碱金属、碱土金属原子多是这类杂质。
当网络改变杂质的氧化物进入SiO2后，将被电离并把氧离子交给网络，使网络产生更多的非桥联氧离子来代替原来的桥联氧离子，引起非桥联氧离子浓度增大而形成更多的孔洞，降低网络结构强度，降低熔点，以及引起其它性能变化。
2.在SiO2系统中存在哪几种电荷？他们对器件性能有些什么影响？工艺上如何降低他们的密度？在二氧化硅层中存在着与制备工艺有关的正电荷。
在SiO2内和SiO2-Si界面上有四种类型的电荷：可动离子电荷：Q m；氧化层固定电荷：Q f；界面陷阱电荷：Q it；氧化层陷阱电荷：Q Ot。
重理工 集成电路设计原理思考题、作业、提问答案大全
重理工集成电路设计原理思考题、作业、提问答案大全1-1思考题典型PN结隔离工艺与分立器件NPN管制造工艺有什么不同（增加了哪些主1-1-1.1-1-1.典型典型PNPN结隔离工艺与分立器件结隔离工艺与分立器件NPNNPN管制造工艺有什么不同管制造工艺有什么不同（）要工序要工序）？增加工序的的目的是什么？答：分立器件NPN管制造工艺：外延→一氧→一次光刻→B掺杂→二氧→二次光刻→P掺杂→三氧→三次光刻→金属化→四次光刻。
典型PN结隔离工艺：氧化→埋层光刻→埋层扩散→外延→二氧→隔离光刻→隔离扩散、推进（氧化）→基区光刻→基区扩散、再分布（氧化）→发射区光刻→发射区扩散、氧化→引线孔光刻→淀积金属→反刻金属→淀积钝化层→光刻压焊点→合金化及后工序。
增加的主要工序：埋层的光刻及扩散、隔离墙的光刻及扩散。
目的：埋层：1、减小串联电阻；2、减小寄生PNP晶体管的影响。
隔离墙：将N型外延层隔离成若干个“岛”，并且岛与岛间形成两个背靠背的反偏二极管，从而实现PN结隔离。
管的电极是如何引出的？集电极引出有什么特殊要求？1-1-2.NPN1-1-2.NPN管的电极是如何引出的？集电极引出有什么特殊要求？答：集成电路中的各个电极均从上表面引出。
要求：形成欧姆接触电极：金属与参杂浓度较低的外延层相接触易形成整流接触（金半接触势垒二极管）。
因此，外延层电极引出处应增加浓扩散。
典型PN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩1-1-3.1-1-3.典型典型PNPN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩散或发射区扩散之后？答：由于隔离扩散深度较深，基区扩散深度相对较浅。
放在基区扩散之前，以防后工序对隔离扩散区产生影响。
1-1作业典型PN结隔离工艺中器件之间是如何实现隔离的？1-1-1.1-1-1.典型典型PNPN结隔离工艺中器件之间是如何实现隔离的？答：在N型外延层中进行隔离扩散，并且扩穿外延层，与P型衬底连通，从而将N型外延层划分为若干个“岛”；同时，将隔离区接最低电位，使岛与岛之间形成两个背靠背的反偏二极管，从而岛与岛互不干涉、互不影响。
集成电路原理第四章习题解答
2 12
10 10 5 0.75 10 W
6 2
3
而由于输入非阶跃信号导致在转换区产生的暂态附加功耗
PA 1 2 f VDD I max t r t f
其中，Imax为转换电平V*=0.5VDD处的P管和N管的峰值电流，则
CMOS与非门为无比电路，输出低电平可达到0V；而NMOS与非门为 有比电路，其输出低电平与输入管和负载管宽长比有关。
CMOS与非门输出高电平可达到VDD，而NMOS与非门输出高电平有阈 值损失，只能达到VDD-Vth NMOS与非门的静态功耗大于CMOS与非门
5、已知： CMOS反相器Vthn= ∣ Vthp∣=0.2VDD，n=p=110-4A/V2，
I max I p I n 1 2 n V Vthn
*
2Leabharlann 1.125 104
A
得
PA 1 2 1 2 f V DD I max t r t f
6
4
10 10 5 1.125 10
20 10
9
0.56 10 W
原来建立的上下极板感应电荷平衡被打破，如要保持沟道区 导电电荷数目不变（强反型），就必须增加上极板的电荷量，
即增大栅压，VG增大，导致Vth增大。表现出来即为体效应。
2、比较E/E饱和负载、E/E非饱和负载和E/D NMOS反相器 的优缺点，哪一种结构能得到较好的功耗速度优值？
3、图中两级反相器I、 II均为E/D NMOS反相器，为了使级 联反相器无电平损失，须保证： Vin=Vout=Vinv 若设定增强型器件阈值电压VTE=0.2VDD，耗尽型器件阈值 电压VTD=-0.6VDD，转换电平Vinv=0.5VDD，则求出反相器II的 负载管（或上拉管）与输入管（或下拉管）的宽长比之比。
集成电路原理及应用答案
第2章 模拟集成电路的线性应用
2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说 明该电路完成什么功能。
RF RF RF RF uO uo1 uI2 ui1 ui2 R1 R2 R1 R2
R
功能：减法运算
R1 R2 Rf
ui1
R
–A 1 uo1 +
Rp1
ui2
Rp2
–A 2 +
2.8 设计一个运放电路，要求运算关系为， uO 5(ui1 ui2 uI3 ui4 ) 指定接于输入、输出端的反馈电 阻为100k，试选定各信号源与放大器输入端之间的电阻 及平衡电阻。
方案一：用两级反相求和电路
20kΩ 100kΩ R1 u
i1
100kΩ Rf1 –A
uO 5(ui2 ui4 ) 5[(ui1 ui3 )]
Rp1 R1 //R3 //R f1 33.3 kΩ
100k 20k R5
1
ui3
R3
100kΩ 20kΩ Rp1
Rf2 100kΩ –A + Rp2
9.1kΩ
+
ui2
20k R2
ui4 R 20k 4
2
uo 8.3kΩ
Rp2 R2 //R4 //R5 //R f 2 6.25kΩ
uO 5(ui1 ui2 uI3 ui4 )
第2章 模拟集成电路的线性应用
方案二：两个同相求和电路和一个差动放大器
100kΩ R2 ui2 R4 ui4 100kΩ Rp1 100kΩ R1 ui1 R3 ui3 100kΩ Rp2
uO 5[(ui1 ui3 ) (ui2 ui4 )]
单片机原理及应用第三版课后答案
单片机原理及应用第三版课后答案1. 第一章题目答案:a) 单片机的定义: 单片机是一种集成电路，具有CPU、存储器和输入输出设备等功能，并且可以根据程序控制进行工作的微型计算机系统。
b) 单片机的核心部分是CPU，它可以通过执行程序指令来完成各种计算、逻辑和控制操作。
c) 存储器分为程序存储器和数据存储器，程序存储器用于存放程序指令，数据存储器用于存放数据和暂存中间结果。
d) 输入输出设备用于与外部环境进行数据交换，如开关、LED、数码管等。
e) 单片机的应用广泛，包括家电控制、智能仪器、工业自动化等领域。
2. 第二章题目答案:a) 单片机中的时钟系统用于提供CPU运行所需的时序信号，常见的时钟源有晶体振荡器和外部信号源。
b) 时钟频率决定了单片机的运行速度和精度，一般通过控制分频器、定时器等来调整时钟频率。
c) 单片机中的中断系统用于处理紧急事件，如外部输入信号、定时器溢出等，可以提高系统的响应能力。
d) 中断源包括外部中断、定时器中断和串口中断，通过编程设置中断向量和优先级来处理不同的中断事件。
e) 中断服务程序是处理中断事件的程序，包括保存现场、执行中断处理和恢复现场等步骤。
3. 第三章题目答案:a) I/O口是单片机与外部设备进行数据交换的接口，包括输入口和输出口两种类型。
b) 输入口用于接收外部信号，如开关、传感器等，可以通过编程设置输入口的工作模式和读取输入口的状态。
c) 输出口用于控制外部设备，如LED、继电器等，可以通过编程设置输出口的工作模式和输出口的状态。
d) I/O口的工作模式包括输入模式、输出模式和双向模式，可以根据具体应用需求设置相应的模式。
e) 串行通信接口是单片机与外部设备进行数据传输的一种常见方式，包括UART、SPI和I2C等多种通信协议。
4. 第四章题目答案:a) 定时器的作用是产生指定时间间隔的定时信号，可以用于延时、计时、PWM等功能。
b) 单片机的定时器一般由计数器和一些控制寄存器组成，通过编程设置定时器的工作模式和计数值。
集成电路原理及应用课后答案
6.4如图1所示，当分别取如下两组参数时，试分别求出该电路的G，，等参数。
（1）R=R=24kΩ，C=940pF，C=470pF，R=。
（2）R=7.3kΩ，R=39.4kΩ，C=C=0.047F，R=4kΩ，R=20kΩ。
(图6.4）
解：由电路得：
则当取⑴参数时：
当取⑵参数时： ，
因两个输入信号均从同相端输入，所以输入阻抗比较高。该电路为高输入阻抗的差动放大器。
2.11求图3所示电路的增益A，并说明该电路完成什么功能。
解：该电路由两个集成运放构成，A1为主放大器接成反相运算放大器，A2为辅助放大器，A2也接成反相放大器，利用A2对A1构成正反馈，是整个电路向信号源索取的电流极少。
解：电路图如下所示：
选择巴特沃斯型滤波器
则 又
令R=R=R, C=C=C取C=0.1F则R=160Ω，
又 ，则=1.586
又 取R=58.6KΩ,则R=100KΩ。
2.16设计一个运算电路，要求运算关系为u=20 。
解：此题设计方法较多，此只列举几种仅供参考
方法一：将求和电路的输出作为积分电路的输入，则积分电路的输出即为u；
方法二：将积分电路的输出作为求和电路的输入,则求和电路的输出即为u；
方法三：反相积分求和电路再加一个倒相器；
方法四：利用同相积分求和电路。
当u<0时，VD截止,VD导通,
对A：u=(1+ )u,对A：u=u=u，
此时u= （R+R 1）u
当 （R+R ）=1时，完成全波整流功能；由于为同相输入，故该电路输入电阻较高。
3.8 设计一个能实现图4所示曲线的二极管函数变换器。
（习题3.8图）
(集成电路原理)作业习题与答案
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第1章 集成电路的基本制造工艺
1. 四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2. 在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件
有何影响？ 3. 简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4. 简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5. 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ 6. 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？
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5. 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？
NPN晶体管电流增益小；
集电极的串联电阻很大;
NPN管C极只能接固定电位，从而限制了NPN管的使用。
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6. 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？
并请提出改进方法。
PMOS
P+ P+ N阱
NMOS N+ N+ P- SUB
SiO2隔离岛
P-well
♣ 淀积氮化硅 光刻有源区 场区氧化 去除有源区氮化硅及二氧化硅
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deposited nitride layer
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有源区
有源区光刻板 N型P型MOS制作区域
(漏-栅-源)
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1） 淀积氮化硅：
P-well
氧化膜生长（湿法氧化）
2） 光刻有源区：
P-well
纵向NPN EB C
N+
N+
P
N阱
在现有N阱 CMOS工艺 上增加一块
掩膜板
优点：
• NPN具有较薄的基区，提高了其性能；
• N阱使得NPN管C极与衬底隔开，可根据电路需要接电位；
DSP原理及应用(李利)第二版课后习题答案.
第1章1.简述DSP芯片的主要特点。
答：哈佛结构；多总线结构；指令系统的流水线操作；专用的硬件乘法器；特殊的DSP指令；快速的指令周期；硬件配置强。
2.请详细描述冯·诺曼依结构和哈佛结构，并比较它们的不同。
答案在P6第一自然段。
3.简述DSP系统的设计过程。
答案依图1-3答之。
4.在进行DSP系统设计时，如何选择合适的DSP芯片？答：芯片运算速度；芯片硬件资源；运算精度（字长）；开发工具；芯片的功耗；其他因素（封装形式、环境要求、供货周期、生命周期等）。
5.TI公司的DSP产品目前有哪三大主流系列?各自应用领域是什么?答案在P8第二自然段。
第2章一、填空题1.TMS320C54x DSP中传送执行指令所需的地址需要用到PAB、CAB、DAB和EAB4条地址总线。
P132.DSP的基本结构是采用哈佛结构，即程序和数据是分开的。
3.TMS320C54x DSP采用改进的哈佛结构，围绕8条16位总线建立。
P134.DSP的内部存储器类型可分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。
其中RAM又可以分为两种类型：双访问RAM,即DARAM和单访问RAM,即SARAM。
P24-2.4节5.TMS320C54xDSP的内部总存储空间为192K字，分成3个可选择的存储空间：64K程序存储器空间、64K数据存储器空间和64KI/O 存储空间。
P23-2.4节6.TMS320C54x DSP具有2个40位的累加器。
7.溢出方式标志位OVM=1，运算溢出。
若为正溢出，则ACC中的值为007FFF FFFFH。
8.桶形移位器的移位数有三种表达方式：5位立即数；ST1中5位ASM域；暂存器T的低6位。
9.DSP可以处理双16位或双精度算术运算，当C16=0为双精度运算方式，当C16=1为双16位运算方式。
10.TMS320C54x系列DSP的CPU具有三个16位寄存器来作为CPU状态和控制寄存器，它们是：ST0、ST1和PMST。
集成电路原理及应用第一章
2. 克服交越失真的互补推挽输出电路
VT4、R1、R2组成固定恒压偏置电路(称VBE 扩大电路)，为VT2、VT3基极提供固定偏压， 克服了交越失真。
图1-1-19 克服交越失真的互补推挽输出电路
3. 具有过载保护的互补推挽输出电路
ห้องสมุดไป่ตู้
由Re2、Re3、 VD1、VD2 组成限流型
目前，集成运放还在向低漂移、低功耗、高速度、高输入阻抗、高放大倍数和高输出功率等高指标 的方向发展。
§1.1 集成运放的基本组成电路
1.1.1 差动输入电路 1.1.2 恒流源电路 1.1.3 有源负载电路 1.1.4 双端变单端电路 1.1.5 直流电平位移电路 1.1.6 互补推挽输出电路
1.1.1 差动输入电路
集成运放的发展从技术性能角度，大致可分为几个阶段： ⑴上世纪60年代初出现原始型 “单片集成”运放μA702。 ⑵1965年出现了第一代集成运放，如μA709。 ⑶1966年出现了第二代集成运放，如μA741。 ⑷1972年出现了第三代集成运放，如AD508。 ⑸1973年出现了第四代集成运放，如HA2900。
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3.集成运放的输入级
集成运放的许多性能指标主要取决于差动输入级。输入级的改进便成为各代集成运放的重要标 志。
(1)普通差动放大电路
普通差放电路作为集成运放的输入级时，其优点是电路结构简单，容易匹配，因此输 入失调电压小。它广泛用于早期产品和第一代集成运放中。
如国产的F001（5G922）、F004（5G23）以及国外的A709等。
缺点： 输入阻抗低，约为50k到300k； 失调电流，约为100nA； 最大差模输入电压低，不超过7V； 差模输入电压范围也较小，常为10V； 电压增益不高，约为30到100倍。
(完整版)二篇4章2浙大版集成电路课后答案
题2.4.18 试用负边沿JK 触发器和“与-或-非”门构成一个四位数码并行寄存和一个四位数码串行输入右移移位寄存器。
解：令C 是并行寄存数据和实现右向移位操作的控制端，其用JK 触发器构成的框图如图所示：令C=1并行存数，C=0时为右移串入后，得出各组合电路的逻辑函数，现以1J 3和1K 3函数为例,列出真值表，求出函数式，其它式子也照此类推。
输 入 输 出 C Q 2 D 3 1J 3 1K 30 0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 11 0233311Q C CD K J +==122211Q C CD K J +==011111Q C CD K J +==SRD C CD K J +==00011由四个函数式画出的电路图如图所示：题2.4.19 图题2.4.19是一个实现串行加法的电路图，被加数11011及加数10111已分别存入二个五位被加数和加数移位寄存器中。
试分析并画出在六个时钟脉冲作用下全加器输出S i 端、进位触发器Q 端以及和数移位寄存器中左边第一位寄存单元的输出波形(要求时间一一对应)。
1D 2D 3DFF3 FF2 FF1 FF0 SR D 1J C1 1K 组合 逻辑电路 1JC1 1K 组合 逻辑电路1J C1 1K 组合 逻辑电路 1J C1 1K 组合 逻辑电路 CP0D0Q 1Q 2Q 3Q C D 1 D S1J QC11K11J Q C11K11J Q C11K11J Q C11K1CPC Q 3Q 2Q 1Q 0D 3 D 2 D 0≥1 &≥1 &≥1 &≥1 &图题2.4.19解：解该题时，注意全加器是一个合逻辑电路，而移位寄存器和触发器是一个时序电路，要注意时序关系。
其波形如图：题2.4.20 (1)试分析图题2.4.20(a)、(b)所示计数器的模是多少?采用什么编码进行计数?(2)若计数脉冲频率f CP 为700Hz 时，从Q 2端、Q 0端输出时的频率各为多少?图题2.4.20解：分析计数器电路有多种方法，列表法：以CP 为顺序，依次列出触发器的初态、输入，和次态，可以得出结论。
1+X集成电路理论习题及参考答案
1+X集成电路理论习题及参考答案一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、以全自动探针台为例，上片过程中，当承重台下降到指定位置时，( )。
A、红色指示灯亮B、红色指示灯灭C、绿色指示灯亮D、绿色指示灯灭正确答案：B答案解析：以全自动探针台为例，承重台前的两个按钮指示灯：绿色表示上升，红色表示下降。
承重台下降到指定位置后，下降指示灯灭，即红色指示灯灭。
2、分选机选择依据是（）。
A、芯片封装类型B、芯片的管脚数量C、芯片的电气特性D、芯片的应用等级正确答案：A3、转塔式分选机常见故障不包括（）。
A、真空吸嘴无芯片B、测试卡与测试机调用的测试程序错误C、料轨堵塞D、IC定位错误正确答案：D4、清洗是晶圆制程中不可缺少的环节，使用DHF清洗液进行清洗时，可以去除的物质是（）。
A、光刻胶B、颗粒C、金属D、自然氧化物正确答案：D5、用重力式选机设备进行芯片检测的第二个环节是( )。
A、分选B、测试C、上料D、外观检查正确答案：B答案解析：重力式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→分选→编带（SOP）→外观检查→真空包装。
6、晶圆进行扎针测试时，测试机将测试结果通过（）传输给探针台。
A、USDB、GPIBC、HDMID、VGA正确答案：B7、下列选项中错误的是（）。
A、客户需求量比较少的情况下，是需要编带的。
客户需要的量比较大，则可以不需要编带B、通常情况下，编带机要设置以下参数：1.编带一格的长度；2.编带一卷的数量；3.载带与盖带一卷长度；4.前空与后空IC数量；5.机械压刀的温度；6.产速C、编带是指利用编带机把散装元器件，通过检测、换向、测试等工位，放入载带中D、编带机的光检区能够运用高速高精度视觉处理技术自动检测芯片，将管脚不良或印章异常的芯片进行剔除正确答案：A8、墨点打点的位置是在( )的中央。
A、PAD点B、晶粒C、晶圆D、切割通道正确答案：B答案解析：打点时，合格的墨点必须控制在管芯面积的1/4~1/3大小，且墨点不能覆盖PAD点。
（集成电路原理）第5章MOS反相器习题与答案
第5章MOS反相器习题与答案1. 说明MOS器件的基本工作原理。
它与BJT基本工作原理的区别是什么？MOS器件基于表面感应的原理，是利用垂直的栅压V GS实现对水平I DS的控制。
它是多子（多数载流子）器件。
用跨导描述其放大能力。
双极器件（两种载流子导电）是多子与少子均起作用的器件，有少子存贮效应，它用基极电流控制集电极电流，是流控器件。
用电流放大系数描述其放大能力。
2. 试以栅介质和栅电极的种类对MOS器件进行分类。
当前VLSI MOSIC工艺的主流采用何种工艺？以SiO2为栅介质时，叫MOS器件，这是最常使用的器件形式。
历史上也出现过以Al2O3为栅介质的MAS器件和以Si3N4为栅介质的MNS 器件，以及以SiO2+ Si3N4为栅介质的MNOS器件，统称为金属-绝缘栅-半导体器件--MIS 器件。
以Al为栅电极时，称铝栅器件。
以重掺杂多晶硅(Poly-Si) 为栅电极时，称硅栅器件。
它是当前VLSI MOS器件的主流器件。
3. 试述硅栅工艺的优点。
①它使|V TP|下降1.1V，也容易获得合适的V TN值并能提高开关速度和集成度。
②硅栅工艺具有自对准作用，使栅区与源、漏交迭的密勒电容大大减小，也使其它寄生电容减小，使器件的频率特性得到提高。
另外，在源、漏扩散之前进行栅氧化，也意味着可得到浅结。
③硅栅工艺还可提高集成度，这不仅是因为扩散自对准作用可使单元面积大为缩小，而且因为硅栅工艺可以使用“二层半布线”即一层铝布线，一层重掺杂多晶硅布线，一层重掺杂的扩散层布线。
4. 画出MOS器件的输出特性曲线。
指出它和BJT输出特性曲线的异同。
何谓厄莱电压？在饱和区MOS器件的电流-电压特性将不再是水平直线的性状，而是向上倾斜，也就是说，工作在饱和区的NMOS器件的电流将随着V DS的增加而增加。
这种在V DS作用下沟道长度的变化引起饱和区输出电流变化的效应，被称为沟道长度调制效应。
衡量沟道长度调制的大小可以用厄莱(Early)电压V A表示，它反映了饱和区输出电流曲线上翘的程度。
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集成电路原理及应用(第3版) 谭博学 苗汇静 主编课后习题答案第二章 模拟集成电路的线性应用2.9 试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设3421R R R R =。
（图1）解：第一级运放为同相放大器。
对A 1：由“虚断”和“虚短”得 i 1=i 2，v -1=v +1=u 1i ，则u 1i =1211R R R u o +，即1121)1(i o u R Ru +=，对A 2：由“虚断”和“虚短”得 i 3=i 4，v -2=v +2=u 2i ， 则42321R u u R u u oi i o -=-，即134234)1(o i o u R R u R R u -+= 代入u 1o 得))(1(1234i i o u u R R u -+=， 因两个输入信号均从同相端输入，所以输入阻抗比较高。
该电路为高输入阻抗的差动放大器。
2.11 求图3所示电路的增益A f ，并说明该电路完成什么功能。
解：该电路由两个集成运放构成，A1为主放大器接成反相运算放大器，A2为辅助放大器，A2也接成反相放大器，利用A2对A1构成正反馈，是整个电路向信号源索取的电流极少。
主放大器A 1：由“虚断”和“虚短”得21R u R u o i -=,则A f =121o o i i u u Ru u R ===- 辅助放大器A2的电压放大倍数：2212222o o VF i o u u RA u u R ===- 该电路为自举电路，目的是提高电路的输入电阻。
由1i ii i U U R I I I==- 由12i o U U R R =-和3212o U UR R =-得32i U U = 所以 1i ii U U I R R=- 因此11i i i U RR R I R R ==- 当1R R =时，i R →∞，1I I =2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说明该电路完成什么功能。
解：对A 1：由“虚断”和“虚短”得Ru R u o i 11-=，即u 1o =-u 1i 。
A 1为倒相器 对A 2：由“虚断”和“虚短”得f oi o R u R u R u -=+2211则u o =)(2211i f o f u R R u R R +-，A 2为反相放大器 将u 1o =-u 1i 代入上式得u o =2211i f i f u R R u R R -故该电路为减法电路。
2.15 如图6所示电路为积分反馈式微分电路，试分析此电路的工作原理，并写出传递函数的表达式。
解：对A 1：由“虚断”得 v -1=v +1由“虚短”得2111R u v R v u o i -=---，41234o R v u R R +=+ 又R 3=R 1，R 4=R 2 整理得221()(()())o o i R u s u s u s R =- 对A 2：由“虚断”和“虚短”得2()1()o o u s u s SC R=-代入上式得()212()A s ()o i u s R u s R R SCR==-+ A 1为差动放大器，A 2以A 1的输出为反相输入，经过积分放大后的输出电压在电阻R 4上的分压作为A 1放大器的同相输入。
.16 设计一个运算电路，要求运算关系为u o=20()()[]dt t u t u i i ⎰+21。
解：此题设计方法较多，此只列举几种仅供参考方法一：将求和电路的输出作为积分电路的输入，则积分电路的输出即为u o ； 方法二：将积分电路的输出作为求和电路的输入,则求和电路的输出即为u o ； 方法三：反相积分求和电路再加一个倒相器；方法四：利用同相积分求和电路。
前三种方法只要电路参数选择合适，即可得出结果，再此简单说明几种，具体如下： 方法一：电路如下u 1o =⎪⎪⎭⎫⎝⎛+-223113i i u R R u R R ，u o =dt u RC o ⎰-11， 则u o =RC1dt u R R u R R i i ⎰⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+223113当R 3=R 1=R 2，RC=201时，u o =20()()[]dt t u t u i i ⎰+21。
方法三：电路如下对A 1：()()1211o i i u dt R t u R t u C -=⎥⎦⎤⎢⎣⎡+⎰， 对A 2：u o =1o u -， 则u o =RC1dt u R R u R R i i ⎰⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+223113， 当RC1=20时，u o =20()()[]dt t u t u i i ⎰+21。
方法四：电路如下u 1i 单独作用时：dtdvC R v u R v u o i +++=-+-531， 又v +=v -,v -=121R R R u o+,整理得，ou '=()dt t u CR R R i ⎰+12121同理，u 2i 单独作用时：()⎰+=''dt t u CR R R u i o22121，则u o =ou '+o u ''=()()[]dt t u t u CR R R i i ⎰++212121，当2121CR R R +=20时，u o =20()()[]dt t u t u i i ⎰+21。
第三章 模拟集成电路的非线性应用3.7 试分析如图3所示电路输出电压与输入电压之间的关系，并说明此电路在什么条件下能完成全波整流功能，此电路有什么特点？(习题3.7图)解：对A 1：u i ≥0时，u -=u +=u i , VD 2导通，VD 1截止 , u 1o =u i对A 2：u -=u +=u i 故流过R 2f 的电流为零，故u o =u i 当u i <0时，VD 2截止,VD 1导通, 对A 1：u 1o =(1+11R R f )u i , 对A 2：u -=u +=u i ，221f io o i R u u R u u -=- 此时u o =21R （R 2+R 2f --11R R f 1）u i当21R （R 2+R 2f 2211f f f R R R R --）=-1时，完成全波整流功能；由于为同相输入，故该电 路输入电阻较高。
3.8 设计一个能实现图4所示曲线的二极管函数变换器。
（习题3.8图）解：设计图为：（可参考课本P 88页）3.10 如图6所示电路为集成块BG307专用电压比较器，画出其传输特性（常温下输出高电平为3.2V ，低电平为-0.5V ）。
（图3.10） 解：由“虚断”和“虚短”得32R U U R U U oi -=-++r U U U ==-+=3V故o i U U 314-= 则：()()()V U V U mh ml 16.45.031493.22.3314≈-⨯-=≈⨯-=其传输特性如下所示：第四章 集成变换器及其应用4.1 求下图所示电路的输入阻抗，假定图中的集成运放满足理想条件。
s R 10k ΩoR 100k ΩZ oC 0.1μF A（图4.1） 解：o ooiii i SC U U R U U I U Z 1••••••-'+'==又'''1o i i o o sU U U U U I R SC R --=+=，i o U U = 则'00o si o s sR SCR R U U R SCR R R +=++将上式代入，则'01i i i s o s sU U I U R R SCR R R -==++因此 0110000100ii o s s iU Z R SCR R R j I ω==++=+ 4.2 求下图所示电路的输入阻抗，假定图中的集成运放满足理想条件。
（图4.2） 解：整体有：SCI U U io i 12=-••• 对2A 有：1222210o o o o U a U Ra U R U -=⇒-= 对1A 有：i o io i U a U a R U U R U 1111)1(=⇒--= 以上各式联立得：()Ca a j I U iiω211(1+=••4.3 求如图3所示电路的输入阻抗，并说明其性质，假定图中的集成运放满足理想条件。
(图4.3） 解：对于A 1有：•-••==i O U U U 1对于A 2有：()o o U R R U ••=-211则U o =•-i U R R 12﹍① 整体有：SCI U U ioi 1=-•••﹍② ①②联立整理得：⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+==••12121111R R c j R R SC I U Z ii ie ω则该电路输入端等效为一电容，等效的电容值为⎪⎪⎭⎫⎝⎛+='121R R C C 该电路为电容倍增器，通过改变12R R 的值，以及C 的大小，可得到任意大小的电容值。
4.12 A/D 转换器的主要技术指标有哪些？D/A 转换器的技术指标有哪些？设某DAC 有二进制14位，满量程模拟输出电压为10V ，试问它的分辨率和转换精度各为多少？答：A/D 转换器的主要技术指标有：①分辨率；②量程；③精度；④转换时间和转换率；⑤输出逻辑电平；⑥对参考电压的要求。
D/A 转换器的技术指标有： ①分辨率；②转换精度；③偏移量误差；④线性度；⑤输入编码方式；⑥输出电压；⑦ 转换时间。
分辨率为10V ×214-≈610.4μV ； 转换精度为21LSB=305.2μV 。
4.13 某一控制系统要使用D/A 转换器，要求该D/A 转换器的精度小于0.25%，那么应选择多少位的D/A 转换器？解：转换精度a=21LSB ，又LSB=b ×2n -（b 为量程，n 为位数） 则21b ×2n -/b<0.25% 得n ≥8 4.14 11位A/D 转换器分辨率的百分数是多少？如果满刻度电压为10V ，当输入电压为5mV 时，写出其输出的二进制代码。
解：211-×100%≈0.49% 因此A/D 转换器的分辨率为10V 0.49%=4.9mV ⨯因此当输入电压为5mV 时，二进制代码为000 0000 0000b第六章 集成有源滤波器6.4 如图1所示，当分别取如下两组参数时，试分别求出该电路的G 0，n ω，ξ等参数。
（1）R 1=R 2=24k Ω，C 1=940pF ，C 2=470pF ，R=∞。
（2）R 1=7.3k Ω，R 2=39.4k Ω，C 1=C 2=0.047μF ，R=4k Ω，R f =20k Ω。
(图6.4）解：由电路得：()22111211112221211,1,1C R C R G C R C R C R C R C C R R W R R G o n fo --+==+=ξ则当取⑴参数时：1≈o G()()4.112,/107.621211232121≈--=⨯≈=C C G C C s rad C C R W o n ξ当取⑵参数时：64201=+=o G ，(),/106.1254132121s rad C C R R W n ⨯≈= ()6.01212112≈--+=R R G R R R R o ξ 6.6设计一个一阶高通滤波器，其截止频率为2kHz 。