晶闸管参数说明
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数
1.额定正向平均电流I F
它是指在规定的环境温度、标准散热和全导通的条件下，阴极和阳极间通过的工频正弦电流的平均值。
I F=0.637I，式中I是该正弦电流的有效值。
2.正向阻断峰值电压（U DRM）
它是指在控制极开路、正向阻断条件下，可以重复加在元器件上的正向电压峰值。
3.反向阻断峰值电压
它是指当控制极开路，结温为额定值时允许重复加在器件上的反向峰值电压，按规定为最高反向测试电压的80%。
4.正向平均压降（U F）
它是指在规定条件下，通过额定正向平均电流时，在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5.维持电流（I H）
维持电流是保持晶闸管处于导通状态时所需要的最小正向电流。
控制极和阴极电阻越小，维持电流越大。
6.控制极触发电压（U G）
它是指在规定的环境温度和阳极、阴极间为一定的正向电压条件下，使晶闸管从阻断转变为导通状态时，控制极上所加的最小直流电压。
7.控制极触发电流（I G）
当阳极与阴极之间加一定的直流电压时，使晶闸管完全导通所需要的最小控制极直流电流。
晶闸管的参数说明
晶闸管（thyristor）其派生器件有，快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管，是一种大功率开关型半导体器件，V，Vt ，旧标准中用的是SCR，重要参数说明1．断炉重复峰值电压，udrm ,，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A,K 间的电压。
此电压为不重复峰值电压udsm的90%。
2．反向重复峰值电压urrm，在控制极断路时，允许重复加在晶闸管上的反向峰值电压，称为反向阻断峰值电压。
此电压约为不重复峰值电压udsm的90%。
udrm ,和urrm在数值上一般相近，统称为晶闸管的阻断峰值电压，通常把其中较小的那个数值作为该型号器件上的额定电压值，由于瞬时过电压也会使晶闸管损坏，因此晶闸管的乖宝宝电压应选为正常工作峰值电压的，2-3倍以确保安全。
3．额定正向平均电流if在规定的标准散热条件和环境温度40度下，晶闸管的阳极和阴极间允许连接贯通过的工频正统半波电流的平均值。
称为额定正向平均电流。
由于晶闸管的过载能力小，选用晶闸管的额定正向平均电流时，至少应大于正常工作平均电流的1.5-2倍以留有一定的余地。
4．维持电流ih：在室温下，控制极开路时，维持晶闸管继续导通所必须的最小电流，称为维持电流，当正向电流于ih值时，晶闸管就自行判断，ih值一般为几十至一百多毫安。
5．控制极触发电压VG，触发电流IG在室温下，阳极加正向电压为直流6V 时，使晶闸管由阻断变为导通所需要的最小控制极电压和电流，称为控制极触发电压和触发电流。
VG一般为1/ 23.5-5V，IG约为几十至几百毫安。
实际应用时，加到控制极的触发电压和触发电流应比额定值稍微大点，以保证可靠触发。
6．电压上升率DV/DT，晶闸管阻断时其阴阳极之间相当于一个结电容当突加阳极电压时会产生充电电容电流，此电流可能导致晶闸管误导通，因此对管子的最大正向电压上升率，必须加愉限制，一般采用阻容吸收元件并联在晶闸管两端的办法加以限制。
7．电流上升率DI/DT，晶闸管开通时电流是从靠近门极区的阴极开始然后逐渐2/ 2。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数一、额定电压（VDRM/VRRM）额定电压是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电压。
在电力控制中，晶闸管通常用于控制交流电压，因此额定电压是一个重要的参数。
当晶闸管的电压超过额定电压时，可能会发生击穿现象，导致器件损坏。
二、额定电流（IDRM/IRRM）额定电流是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电流。
晶闸管通常用于控制大电流，因此额定电流是一个关键参数。
当晶闸管的电流超过额定电流时，可能会导致器件过热甚至烧毁。
三、触发电流（IT）触发电流是指晶闸管正向电流达到一定数值时，晶闸管开始导通。
触发电流的大小决定了晶闸管的触发灵敏度和可靠性。
如果触发电流过高，会增加控制电路的复杂度和成本；如果触发电流过低，可能会导致误触发。
四、保持电流（IH）保持电流是指晶闸管在导通状态下需要供给的最小电流。
保持电流的大小决定了晶闸管的稳态工作能力。
过低的保持电流可能导致晶闸管无法稳定导通，而过高的保持电流会增加功耗和热损失。
五、封装类型晶闸管的封装类型决定了其外形和安装方式。
常见的封装类型有TO-220、TO-247等。
不同的封装类型适用于不同的应用场景，例如TO-220适用于小功率应用，而TO-247适用于大功率应用。
六、工作温度范围工作温度范围是指晶闸管能够正常工作的温度范围。
晶闸管在高温环境下工作时，可能会出现性能降低甚至失效的情况。
因此，工作温度范围是一个重要的参数。
七、开关速度开关速度是指晶闸管在从关断到导通或从导通到关断的切换速度。
开关速度的快慢影响着晶闸管的响应速度和效率。
较快的开关速度可以提高系统的响应速度，但也会增加开关损耗。
八、导通压降（VCE）导通压降是指晶闸管在导通状态下的正向电压降。
导通压降的大小直接影响着晶闸管的导通损耗和功率损耗。
较低的导通压降可以提高系统的效率。
九、关断电流（ICRM）关断电流是指晶闸管在关断状态下的漏电流。
关断电流的大小决定了晶闸管的关断能力和可靠性。
较小的关断电流可以减小系统的功耗。
晶闸管知识
(2) 反向重复峰值电压 URRM
信息来源:
门极开路，元件额定结温时，从晶闸管阳极伏安特性反向阻断高阻区(图 1-10 中曲线④) 反向漏电流急剧增长的拐弯处所决定的的电压称为反向不重复峰值电压 URSM，这个电压是 不能长期重复施加的。取反向不重复峰值电压的 90%定义为反向重复峰值电压 URRM，这个电 压允许重复施加。
(2) 线路采用过流检测装置，由过流信号控制触发器抑制过流，或接入过流继电器。 (3) 安装快速熔断器。快速熔断器的动作时间要求在 10ms 以内，熔断体的额定电流 IKR 可
按以下原则选取： 1.57IT(AV)≥IKR≥IT IT(AV)为元件额定电流，IT 为元件实际工作电流有效值 四. 晶闸管门极触发 参数表中所给晶闸管 IGT、VGT 为能触发元件至通态的最小值，实际使用中，晶闸管门 极触发 IGT、VGT 应远大于此值。 应用中门极触发电流波形对晶闸管开通时间、开通损耗以及 di/dt 承受能力，都有较大 影响。为保证元件工作在最佳状态，并增强抗干扰性能，对仪元公司所有晶闸管，建议 门极触发脉冲电流幅值：IGM=2～5A(<10A)，上升率：diG/dt≥2A/μs，上升时间： tr≤1μs。即采用极陡前沿的强触发脉冲(见图四)。
流过其有效值 I 的 2-3 倍来考虑，即
IT(AV)=(2-3)I/1.57 假设逆变器直流输入电流为 Id，则所选器件 I 为 T(AV) IT(AV)=(2-3)×Id/(1.57 )
(3) 关断时间 tq
并联逆变线路中，KK 元件的关断时间选择要根据触发引前时间 tf 和换流时间 tr 来决定。 一般取：
(4) 通态平均电压 UT(AV)
信息请登陆:输配电设备网
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数为了正确选用晶闸管元件，必需要了解它的主要参数，一般在产品的名目上都给出了参数的平均值或极限值，产品合格证上标有元件的实测数据。
（1）断态重复峰值电压UDRM在掌握极断路和晶闸管正向阻断的条件下，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压称为断态重复峰值电压UDRM，其数值比正向转折电压小10%左右。
（2）反向重复峰值电压URRM在掌握极断路时，可以重复加在晶闸管元件上的反向峰值电压称为反向重复峰值电压URRM，此电压数值规定比反向击穿电压小10%左右。
通常把UDRM与URRM中较小的一个数值标作器件型号上的额定电压。
由于瞬时过电压也会使晶闸管遭到破坏，因而在选用元件的时候，额定电压一般应当为正常工作峰值电压的2～3倍作为平安系数。
（3）额定通态平均电流（额定正向平均电流）IT在环境温度不大于40oC和规定的冷却条件下，晶闸管元件在电阻性负载的单相工频半波电路中导通角不小于170°，即全导通的条件下，可以连续通过的电流（在一个周期内）的平均值，称为额定通态平均电流IT，简称额定电流。
即这里需要特殊说明的是，晶闸管允许流过的电流的大小主要取决于元件的结温，而在规定的环境温度和冷却条件下，结温的凹凸仅与发热有关，晶闸管管芯的发热又由流过其电流的有效值打算。
因此，在使用时应根据工作中晶闸管实际流过的电流的有效值与通态平均电流所对应的电流有效值相等的原则来选取晶闸管的额定电流。
（4）维持电流IH在规定的环境温度和掌握极断路的条件下，维持元件连续导通的最小电流称为维持电流IH 。
一般为几十毫安～一百多毫安，其数值与元件的温度成反比，在120℃时维持电流约为25℃时的一半。
当晶闸管的正向电流小于这个电流时，晶闸管将自动关断。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数作者：jesse 文章来源：本站原创点击数：273 更新时间：2007-12-6 ★★★【字体：小大】晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压V DRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
（一）正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极（G）开路的条件下，在其阳极（A）与阴极（K）之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。
（二）断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K（或T1、T2）极间最大的峰值电压。
此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。
（三）通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K（或T1、T2）极间所允许通过电流的平均值。
（四）反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。
（五）反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。
此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。
（六）正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。
（七）门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。
(八)门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。
晶闸管（可控硅）参数符号说明
晶闸管（可控硅）参数符号说明晶闸管(可控硅)参数符号说明以下参数符号说明的1～11符合1985年颁布的国家标准GB4940-851、断态及反向重复峰值电压VDRM和VRRM控制极断路，在⼀定的温度下，允许重复加在管⼦上的正向电压为断态重复峰值电压，⽤VDRM表⽰。
这个数值是不重复峰值电压VDSM的90％，⽽不重复峰值电压即为正向伏安特性曲线急剧弯曲点所决定的断态峰值电压。
反向重复峰值电压⽤VRRM表⽰，它也是在控制极开路条件下，规定⼀定的温度，允许重复加在管⼦上的反向电压，同样，VRRM为反向不重复峰值电压VRSM的90％。
“重复”是指重复率为每秒50次．持续时间不⼤于10ms。
VDRM和VRRM随温度的升⾼⽽降低，在测试条件中，将对温度作严格的规定。
⽣产⼚把VDRM和VRRM中较⼩的⼀个数值作为管⼦的额定电压。
2、断态漏电流IDRM和反向漏电流IRRM对应VDRM和VRRM的漏电流为断态漏电流和反向漏电流，分别⽤IDRM 和IRRM表⽰。
这个数值⽤峰值表⽰。
3、额定通态电流IT在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，在单相⼯频(即50Hz)正弦半波电路中，导通⾓为不⼩于170°，负载为电阻性，当结温稳定且不超过额定结温时，管⼦所允许的最⼤通态电流为额定通态电流。
这个值⽤平均值和有效值分别表⽰。
4、通态电压VTM在规定环境温度和标准散热条件下，管⼦在额定通态电流IT时所对应的阳极和阴极之间的电压为通态电压，即⼀般称为管压降。
此值⽤峰值表⽰。
这是⼀个很重要的多数，晶闸管导通时的正向损耗主要由IT与VTM之积决定，希望VTM越⼩越好。
5、维持电流IH在室温下，控制极开路，晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最⼩电流。
也就是说，在室温下，在控制极回路通以幅度和宽度都⾜够⼤的脉冲电流，同时在阳极和阴极之间加上电压，使管⼦完全开通。
然后去掉控制极触发信号，缓慢减⼩正向电流，管⼦突然关断前瞬间的电流即为维持电流。
kp100-3晶闸管参数
kp100-3晶闸管参数KP100-3晶闸管是一种常用的电子元件，具有许多独特的特性和应用领域。
本文将从多个角度对KP100-3晶闸管进行介绍，以展示其鲜为人知的一面。
一、KP100-3晶闸管简介KP100-3晶闸管是一种高压、大电流的晶闸管，具有可靠性高、损耗小等特点。
它采用高纯度硅材料制造，具有良好的导电和绝缘性能，能够在高温、高压的环境下正常工作。
它广泛应用于电力、电子、通信、工业等领域，是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分。
二、KP100-3晶闸管的特性1. 高压能力：KP100-3晶闸管能够承受较高的电压，可达数千伏特，适用于高压电力系统和电力传输领域。
2. 大电流能力：KP100-3晶闸管具有较大的电流承载能力，可达数千安培，适用于工业控制和电力驱动等高电流应用。
3. 快速开关速度：KP100-3晶闸管的开关速度非常快，能够迅速响应输入信号，实现高效的电力控制和调节。
4. 低功耗：KP100-3晶闸管在工作过程中能够有效降低能量损耗，提高能源利用效率，节约电力资源。
5. 可靠性高：KP100-3晶闸管采用先进的封装技术和工艺，具有良好的抗电磁干扰和抗击穿能力，能够在恶劣的环境下长时间稳定工作。
三、KP100-3晶闸管的应用领域1. 电力系统：KP100-3晶闸管广泛应用于电力输配电、电力变压器控制、电力电容补偿等领域，能够实现对电力系统的精密控制和调节。
2. 工业控制：KP100-3晶闸管在工业自动化控制系统中扮演着重要角色，能够实现对电机、变频器、变压器等设备的精确控制和调节。
3. 电子通信：KP100-3晶闸管可用于通信设备中的电源控制、电池充电、电路保护等方面，确保通信设备的稳定工作。
4. 汽车电子：KP100-3晶闸管在汽车电子系统中应用广泛，如发动机控制、电池管理、电机驱动等，提高了汽车的性能和安全性。
5. 其他领域：KP100-3晶闸管还可用于家电、医疗设备、航空航天等领域，满足不同领域对电力控制和调节的需求。
晶闸管原理以及参数介绍
晶閘管結構可等效為一個 NPN型和一個PNP型三極管， 根據其連接方式等效電路 可以基本瞭解到晶閘管控 制導通方式
控制極G加正 向脉衝電壓
NPN管導通
PNP管導通
PNP管關閉
Y
N
NPN管關閉
IT>IH?
整個晶閘管關閉
整個晶閘管 導通
晶閘管的分類
基本分類
按关断导通控制 方式 普通晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT)、门极关断晶闸 管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管(LTT)等多种。
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整 流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可 以构成可控整流电路。
晶閘管的基本應用
1.单相半波相控整流电路 下图为单相半波相控整流电路（Single-phase half wave
controllable rectifier），整流变压器二次电压有效值用U2表 示，瞬时值用u2表示，负载上输出电压用uo表示。
（2）维持电流IH（Holding current） 指在室温和门极开路时，逐渐减小导通状态下晶闸管的
阳极电流，最后能维持晶闸管持续导通所必须的最小阳极电 流，结温越高，维持电流IH越小，晶闸管越难关断。
晶閘管的參數介紹
2. 晶闸管的电流参数
（3）掣住电流IL（Latching current） 指晶闸管触发后，刚从正向阻断状态转入导通状态，在立
（6）通态正向平均电压UF
在规定的环境温度和标准散热条件下，器件正向通过正弦 半波额定电流时，其两端的电压降在一周期内的平均值，又称 管压降，其值在0.6~1.2V之间。
晶閘管的參數介紹
2. 晶闸管的电流参数
可控硅参数说明
可控硅参数说明可控硅是一种常见的半导体器件，也被称为晶闸管。
它具有可控性强、效率高、性能稳定等优点，在电力控制和电子控制领域得到广泛应用。
下面是对可控硅参数的详细说明：1.最大额定电压（VRRM）：可控硅能够承受的最大电压。
超过这个额定电压时，可控硅可能会出现击穿现象，导致失效或损坏。
2.最大平均整流电流（IOAV）：在特定条件下，可控硅能够持续稳定工作的最大平均电流。
该参数与可控硅的热稳定性和功率特性有关。
3.最大重复峰值反向电压（VRSM）：可控硅能够承受的最大峰值电压。
超过这个峰值电压时，可控硅可能会出现击穿现象，导致失效或损坏。
4.最大峰值水平电流（IPP）：可控硅在极端工作条件下能够承受的瞬时峰值电流。
该参数与可控硅的电流承载能力和热稳定性有关。
5.最大正向门极触发电流（IFGT）：为了激活可控硅，需要施加正向的门极触发电流。
该参数表示可控硅的最大门极触发电流。
6.最大正向临界触发电流（IFRM）：当可控硅被正向触发时，电流开始流过器件，达到临界触发电流的值。
该参数表示可控硅的最大正向临界触发电流。
7.最大漏极电流（IRM）：未施加触发电流时，可控硅漏极的泄露电流。
该参数表示可控硅的泄露电流水平。
8.最大导通电压降（VTM）：在可控硅正向导通状态下，器件两端的电压降。
该参数对于功耗和电压稳定性非常重要。
9.最大反向漏电流（IRRM）：在可控硅反向电压下，漏极的最大反向泄露电流。
该参数表示可控硅的漏路电流水平。
10. 最大引出电阻（Rth）：可控硅的热阻值，表示器件在工作过程中产生的热量与温度之间的关系。
较小的热阻值有利于可控硅的散热和长时间稳定工作。
以上是对可控硅参数的详细说明，这些参数在可控硅的选择和应用中非常重要。
在使用可控硅时，需要根据具体的应用需求和工作环境来选择合适的可控硅型号和参数。
晶闸管的主要电参数
晶闸管的主要电参数晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
可参见图5标识。
（一）晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极（G）开路的条件下，在其阳极（A）与阴极（K）之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。
（二）晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K（或T1、T2）极间最大的峰值电压。
此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。
（三）晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K（或T1、T2）极间所允许通过电流的平均值。
（四）反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。
（五）晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。
此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。
（六）晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K 之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。
（七）晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。
(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。
浅析晶闸管参数选择
浅析晶闸管参数选择
1. 主要参数：
（1）额定电流（ID）：晶闸管的额定电流是指在正常工作条件下，晶闸管可以承受的最大电流。
在选择晶闸管时，应根据电路中的最大负载电流选择晶闸管的额定电流。
（2）导通压降（VTO）：晶闸管导通时的压降，通常指的是正向电压下的导通压降。
在选择晶闸管时，应根据电路要求和功率损耗来确定导通压降是否满足要求。
（3）关断电流（IH）：晶闸管的关断电流是指晶闸管在关断状态下通过的最小电流。
较小的关断电流可以减小晶闸管的功耗。
2. 参数选择方法：
（2）根据功率损耗确定导通压降：根据电路要求和功率损耗来确定晶闸管的导通压降。
一般来说，导通压降越小，功耗越小。
（4）根据电路控制信号确定触发电压：根据电路控制信号的要求来确定晶闸管的触发电压。
触发电压应满足电路控制信号的幅值和频率要求。
晶闸管参数的选择应综合考虑电路要求、功耗和可靠性等因素。
根据电路中的负载电流、功率损耗、关断电流和触发电压等要求，选择合适的晶闸管参数，以确保电路的性能
和稳定性。
晶闸管参数名词解释
晶闸管参数名词解释1.反向重复峰值电压（V RRM）：反向阻断晶闸管两端出现的重复最大瞬时值反向电压，包括所有的重复瞬态电压，但不包括所有的不重复瞬态电压。
注：反向重复峰值电压（V RRM）是可重复的，值大于工作峰值电压的最大值电压，如每个周期开关引起的毛疵电压。
2.反向不重复峰值电压（V RSM）：反向阻断晶闸管两端出现的任何不重复最大瞬时值瞬态反向电压。
1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的反向不重复峰值电压额定值。
2）测试条件：a）结温：25℃和125℃；b）门极断路；c）脉冲电压波形：底宽近似10mS 的正弦半波；d)脉冲重复频率：单次脉冲；e)脉冲次数：按有关产品标准规定；f)测试电压：反向不重复峰值电压注：反向不重复峰值电压（V RSM）是外部因素偶然引起的，值一般大于重复峰值电压的最大值电压。
通常标准规定V RSM=1.11V RRM。
应用设计应考虑一切偶然因素引起的过电压都不得超过不重复峰值电压。
3.通态方均根电流：通态电流在一个周期内的方均根值。
4.通态平均电流：通态电流在一个周期内的平均值。
5.浪涌电流（I TSM）：一种由于电路异常情况（如故障）引起的，并使结温超过额定结温的不重复性最大通态过载电流。
1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态（不重复）浪涌电流额定值。
2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)反半周电压：80％反向重复峰值电压；d)每次浪涌的周波数：一个周波，其导通角应在160度至180度之间6.通态电流临界上升率（di/dt）：在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。
1)测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态电流临界上升率额定值。
2）测试条件：a)加通态电流前结温：125℃；b)门极触发条件：I GM=3～5I GT；c)开通前断态电压V DM=2/3V DRM ；d)开通后通态电流峰值：2 I T（A V）～3I T（AV）；e)t1≥1us；f)重复频率：50HZ；g)通态电流持续时间：5s。
3ct4s双向晶闸管800e参数
3ct4s双向晶闸管800e参数
（原创版）
目录
1.3ct4s 双向晶闸管简介
2.800e 参数详解
3.应用领域及注意事项
正文
【3ct4s 双向晶闸管简介】
3ct4s 是一款双向晶闸管，具有双向导通特性，可在正负电压下工作。
它具有三极管的结构，但其电气特性与场效应晶体管相似，广泛应用于交流电路、逆变器、整流器等电子设备中。
【800e 参数详解】
800e 是 3ct4s 双向晶闸管的其中一种型号，它的参数如下：
- 峰值重复反向电压：800V
- 反向重复峰值电压：800V
- 直流阻尼因子：0.02
- 静态阻尼因子：0.02
- 反向漏电流：0.5uA
- 正向电压：1V
- 正向电流：5A
【应用领域及注意事项】
3ct4s 双向晶闸管广泛应用于交流电路、逆变器、整流器、电机控制、照明电路等电子设备中。
在使用时，需要注意以下几点：
1.选择合适的型号，以满足电路的电压、电流等参数要求。
2.在使用前，需要检查晶闸管的外观是否有破损、引脚是否接触良好等问题。
3.避免在高温、潮湿、有腐蚀性气体的环境中使用。
4.在电路设计时，需要考虑晶闸管的散热问题，以保证其正常工作。
kp100-3晶闸管参数
kp100-3晶闸管参数标题: KP100-3晶闸管的特性与应用引言：晶闸管是一种电子元件，具有可控的导通和封锁特性，广泛应用于电力电子设备和工业控制系统中。
本文将介绍KP100-3晶闸管的参数、特性以及应用领域。
一、KP100-3晶闸管的参数KP100-3晶闸管是一款具有高压、大电流承受能力的器件。
其最大额定电压可达1000V，最大额定电流为100A。
此外，KP100-3晶闸管还具有较低的导通压降和封锁电流，以及较高的导通和封锁能力。
二、KP100-3晶闸管的特性1. 可控性能强：KP100-3晶闸管具有可控的导通和封锁特性，通过控制晶闸管的触发电压和电流，可以实现精确的开关控制。
2. 快速开关速度：KP100-3晶闸管具有较快的开关速度，可在微秒级别实现导通和封锁。
3. 低功耗：KP100-3晶闸管具有较低的导通和封锁压降，能够有效减少能量损耗。
4. 耐高温特性：KP100-3晶闸管能够在高温环境下正常工作，具有较好的耐热性能。
三、KP100-3晶闸管的应用1. 电源控制：KP100-3晶闸管可用于电源的开关控制，实现电能的快速调节和保护。
2. 变频调速：KP100-3晶闸管可以用于交流电机的变频调速控制，提高电机的效率和精度。
3. 电流控制：KP100-3晶闸管可用于电流的控制和限制，实现对电路的精确调节。
4. 电焊设备：KP100-3晶闸管广泛应用于电焊设备中，通过控制晶闸管的导通和封锁，实现焊接电流的稳定和可控。
结论：KP100-3晶闸管作为一种高压、大电流承受能力的电子元件，具有可控性强、快速开关速度和低功耗等特点。
它在电源控制、变频调速、电流控制和电焊设备等领域有着广泛的应用。
通过了解KP100-3晶闸管的参数和特性，我们可以更好地应用它，提高电子设备的性能和效率。
晶闸管(可控硅)参数符号说明
晶闸管(可控硅)参数符号说明以下参数符号说明的1～11符合1985年颁布的国家标准GB4940-851、断态及反向重复峰值电压VDRM和VRRM控制极断路，在一定的温度下，允许重复加在管子上的正向电压为断态重复峰值电压，用VDRM表示。
这个数值是不重复峰值电压VDSM的90％，而不重复峰值电压即为正向伏安特性曲线急剧弯曲点所决定的断态峰值电压。
反向重复峰值电压用VRRM表示，它也是在控制极开路条件下，规定一定的温度，允许重复加在管子上的反向电压，同样，VRRM为反向不重复峰值电压VRSM的90％。
“重复”是指重复率为每秒50次．持续时间不大于10ms。
VDRM和VRRM随温度的升高而降低，在测试条件中，将对温度作严格的规定。
生产厂把VDRM和VRRM中较小的一个数值作为管子的额定电压。
2、断态漏电流IDRM和反向漏电流IRRM对应VDRM和VRRM的漏电流为断态漏电流和反向漏电流，分别用IDRM 和IRRM表示。
这个数值用峰值表示。
3、额定通态电流IT在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，在单相工频(即50Hz)正弦半波电路中，导通角为不小于170°，负载为电阻性，当结温稳定且不超过额定结温时，管子所允许的最大通态电流为额定通态电流。
这个值用平均值和有效值分别表示。
4、通态电压VTM在规定环境温度和标准散热条件下，管子在额定通态电流IT时所对应的阳极和阴极之间的电压为通态电压，即一般称为管压降。
此值用峰值表示。
这是一个很重要的多数，晶闸管导通时的正向损耗主要由IT与VTM之积决定，希望VTM越小越好。
5、维持电流IH在室温下，控制极开路，晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最小电流。
也就是说，在室温下，在控制极回路通以幅度和宽度都足够大的脉冲电流，同时在阳极和阴极之间加上电压，使管子完全开通。
然后去掉控制极触发信号，缓慢减小正向电流，管子突然关断前瞬间的电流即为维持电流。
6、控制极触发电流IGT和触发电压VGT在室温条件下，晶闸管阳极和阴极间施加6v或12v的直流电压，使管子完全开通所必须的最小控制极直流电流为控制极触发电流IGT。
晶闸管参数
晶闸管参数晶闸管是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解晶闸管的参数对于正确选择和使用晶闸管至关重要。
本文将介绍晶闸管的几个重要参数，并对其进行详细解析。
1. 电压参数晶闸管的电压参数包括最大可承受电压和触发电压。
最大可承受电压是指晶闸管能够承受的最大电压，超过该电压会导致晶闸管失效。
触发电压是指使晶闸管进入导通状态所需的最小电压值。
2. 电流参数晶闸管的电流参数包括最大可承受电流和触发电流。
最大可承受电流是指晶闸管能够承受的最大电流值，超过该电流会导致晶闸管损坏。
触发电流是指使晶闸管进入导通状态所需的最小电流值。
3. 功率参数晶闸管的功率参数包括最大可承受功率和触发功率。
最大可承受功率是指晶闸管能够承受的最大功率值，超过该功率会导致晶闸管损坏。
触发功率是指使晶闸管进入导通状态所需的最小功率值。
4. 开关特性晶闸管的开关特性包括导通电压降和关断电压降。
导通电压降是指晶闸管在导通状态下的电压降，关断电压降是指晶闸管在关断状态下的电压降。
这两个参数会影响晶闸管的能效和发热情况。
5. 响应时间晶闸管的响应时间是指从触发信号到晶闸管完全进入导通状态所需的时间。
响应时间越短，晶闸管的响应速度就越快，适用于高频开关电路。
6. 温度特性晶闸管的温度特性包括温度系数和工作温度范围。
温度系数是指晶闸管参数随温度变化的程度，工作温度范围是指晶闸管正常工作的温度范围。
了解晶闸管的温度特性有助于正确选择和使用晶闸管。
7. 封装形式晶闸管的封装形式包括直插式封装、表面贴装封装等。
不同的封装形式适用于不同的应用场景，需要根据实际需求选择合适的封装形式。
晶闸管的参数对于正确选择和使用晶闸管至关重要。
通过了解晶闸管的电压参数、电流参数、功率参数、开关特性、响应时间、温度特性和封装形式等参数，可以更好地应用晶闸管于各种电路中，提高电路的稳定性和可靠性。
在实际应用中，还需注意晶闸管的工作条件，避免超过其最大可承受电压、电流和功率，以免损坏晶闸管。
电力电子晶闸管参数选择
电力电子晶闸管参数选择电力电子晶闸管是一种可以控制电流的半导体器件，是电力电子技术中必不可少的核心组件之一。
在使用电力电子晶闸管时，正确的参数选择是至关重要的。
本文将介绍电力电子晶闸管的常用参数及其选择方法。
一、电力电子晶闸管常用参数1.承受电压：晶闸管所能承受的最大电压。
2.承受电流（额定电流）：晶闸管所能承受的最大电流。
3.阈值电流：晶闸管开启所需的最小触发电流。
4.保持电流：晶闸管开启后，在门控电压为零时，需要在其下流经保持电流的条件下才能保持通态。
5.反向电流：晶闸管关闭时的反向电流。
6.延迟角：晶闸管在被触发后到通电的时间。
7.触发电压：晶闸管开启所需的门控电压。
二、选择电力电子晶闸管的参数1.根据负载电流选择：在选择晶闸管时，需要考虑所需控制的负载电流。
根据负载电流来选择承受电压和承受电流（额定电流）。
2.根据负载特性选择：在选择晶闸管时，需要考虑负载的性质，比如负载的耐压及电阻等。
如果负载是低电阻的，应选择容量更大的晶闸管。
3.根据负载工况选择：在选择晶闸管时，需要考虑负载的实际工作情况，比如初始电流、升压和降压等。
4.根据触发器电压选择：在选择晶闸管时，需要考虑所用触发电路的电压。
选择门控电压相对低的晶闸管，可以更容易地触发。
5.根据环境温度选择：在选择晶闸管时，需要考虑环境温度对其特性参数的影响。
通常情况下，晶闸管的性能参数都会随着环境温度的升高而发生改变。
三、注意事项1.正确选择晶闸管的参数：不同的应用要求不同的晶闸管参数。
只有正确地选择晶闸管的参数，才能实现最佳电路性能。
2.检查电路：在实际的应用中，应当检查电路是否符合设计要求，以确保晶闸管的安全使用和可靠性。
3.合理布局散热器：晶闸管在使用过程中会发热，如果散热不好，则会损坏晶闸管。
因此，在使用过程中需要合理安装散热器，保持晶闸管的正常工作温度。
4.应根据需求选择适合的触发电路：根据不同需求和应用场景选择适当的触发电路具有重要意义。
KS型 双向晶闸管 说明书
KS20 20 ≤2.2
≤10 ≤3 ≤100 ≤100
≤1 SZ17
KS50 50 ≤2.4
≤20 ≤3 ≤200 ≤200
≤0.4 SL16
2.2 KS200P~KS500P凸台平板形，KS200F~KS500F凹台平板形双向晶闸管。
数值 参数
系列
通态方均根电流IT(RMS)
KS300 (P.F) 300 ≤2.6
≤50 ≤3.5 ≤350 ≤300
≤0.08 5.3~10 SF13 SS11
KS100
100 ≤2.6
≤40 ≤3.5 ≤250 ≤200
KS200
200 ≤2.6
≤40 ≤3.5 ≤350 ≤200
≤0.2 SL17
≤0.11 SL18
KS500(P.F) 500 ≤2.6
A
通态峰值电压 VTM
V
断态重复峰值电压 VDRM V
断态重复峰值电流 IDRM mA
门极触发电压 VGT
V
门极触发电流 IGT
mA
维持电流 IH
mA
换向电压临界上升率 dv/dt V/us
工作结温 Tj
℃
结壳热阻 Rjc
℃/W
紧固力
kN
推荐用散热器型号
KS200(P.F)
200 ≤2.6 100~2000 ≤40 ≤3.5 ≤350 ≤200 ≥100 -40~+125 ≤0.11 5.3~10 SF12 SS11
门极触发电流 IGT
mA
维持电流 IH
mA
换向电压临界上升率 dv/dt V/u壳热阻 Rjc
℃/W
推荐用散热器型号
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IEC标准中用来表征晶闸管、二极管性能、特点的参数有数十项，但用户经常用到的有十项左右，本文就晶闸管、二极管的主要参数做一简单介绍。
1．正向平均电流I F(A V)( 整流管)
通态平均电流I T(A V)( 晶闸管)
是指在规定的散热器温度THS或管壳温度T C时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值。
此时，器件的结温已达到其最高允许温度Tjm。
台基公司产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度THS或管壳温度T C值，用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件。
2．正向方均根电流I F（RMS）( 整流管)
通态方均根电流I T（RMS）( 晶闸管)
是指在规定的散热器温度THS或管壳温度TC 时,允许流过器件的最大有效电流值。
用户在使用中，须保证在任何条件下，流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值。
3．浪涌电流I FSM(整流管)、I TSM(晶闸管)
表示工作在异常情况下，器件能承受的瞬时最大过载电流值。
用10ms底宽正弦半波峰值表示，台基公司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许结温下，施加80% V RRM条件下的测试值。
器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的，用户在使用中应尽量避免出现过载现象。
4．断态不重复峰值电压V DSM
反向不重复峰值电压V RSM
指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压，一般用单脉冲测试防止器件损坏。
用户在测试或使用中，应禁止给器件施加该电压值，以免损坏器件。
5．断态重复峰值电压V DRM
反向重复峰值电压V RRM
是指器件处于阻断状态时，断态和反向所能承受的最大重复峰值电压。
一般取器件不重复电压的90%标注（高压器件取不重复电压减100V标注）。
用户在使用中须保证在任何情况下，均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压。
6．断态重复峰值（漏）电流IDRM
反向重复峰值（漏）电流IRRM
为晶闸管在阻断状态下，承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时，流过元件的正反向峰值漏电流。
该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
7．通态峰值电压V TM(晶闸管)
正向峰值电压V FM(整流管)
指器件通过规定正向峰值电流I FM(整流管)或通态峰值电流I TM(晶闸管)时的峰值电压，也称峰值压降。
该参数直接反映了器件的通态损耗特性，影响着器件的通态电流额定能力。
器件在不同电流值下的的通态（正向）峰值电压可近似用门槛电压和斜率电阻来表示：
V TM=VTO+rT*I TM V FM=VFO+rF*I FM
台基公司在产品手册中给出了各型号器件的最大通态（正向）峰值电压及门槛电压和斜率电阻，用户需要时，可以提供该器件的实测门槛电压和斜率电阻值。
8．电路换向关断时间t q（晶闸管）
在规定条件下，在晶闸管正向主电流下降过零后，从过零点到元件能承受规定的重加电压而不至导通的最小时间间隔。
晶闸管的关断时间值决定于测试条件，台基公司对所制造的快速、高频晶闸管均提供了每只器件的关断时间实测值，在未作特别说明时，其对应的测试条件如下：
l 通态峰值电流ITM等于器件ITA V；
l 通态电流下降率di/dt=-20A/μs；
l 重加电压上升率dv/dt=30A/μs；
l 反向电压VR=50V；
l 结温Tj=115°C。
如果用户需要在某一特定应用条件下的关断时间测试值，可以向我们提出要求。
9．通态电流临界上升率di/dt（晶闸管）
是指晶闸管从阻断状态转换到导通状态时，晶闸管所能承受的通态电流上升率最大值。
器件所能承受的通态电流临界上升率di/dt受门极触发条件影响很大，因此我们建议用户应用中采用强触发方式，触发脉冲电流幅值：IG≥10IGT；脉冲上升时间：tr≤1μs。
10．断态电压临界上升率dv/dt
在规定条件下，不会导致晶闸管从断态转换到通态所允许的最大正向电压上升速度。
台基公司产品手册中给出了所有品种晶闸管的最小dv/dt值，当用户对dv/dt有特殊要求时，可在订货时提出。
11．门极触发电压VGT
门极触发电流IGT
在规定条件下，能使晶闸管由断态转入通态所需的最小门极电压和门极电流。
晶闸管开通过程中的开通时间、开通损耗等动态性能受施加在其门极上的触发信号强弱影响很大。
如果在应用中采用较临界的IGT去触发晶闸管，将不能让晶闸管得到良好的开通特性，某些情况下甚至会引起器件提前失效或损坏。
因此我们建议用户应用中采用强触发方式，触发脉冲电流幅值：IG≥10IGT；脉冲上升时间：tr≤1μs。
为了保证器件可靠工作，IG必须远大于IGT。
12．结壳热阻R jc
指器件在规定条件下，器件由结至壳流过单位功耗所产生的温升。
结壳热阻反映了器件的散热能力，该参数也直接影响着器件的通态额定性能。
台基公司产品手册中对平板式器件给出了双面冷却下的稳态热阻值，对半导体功率模块，给出了单面散热时的热阻值。
用户须注意，平板式器件的结壳热阻直接受安装条件的影响，只有按手册中推荐的安装力安装，才能保证器件的结壳热阻值满足要求。