物理气相沉积(PVD)PPT

螺旋丝状加热器要求熔融的蒸发料能 够浸润螺丝或者有足够的表面张力以 防止掉落，它的优点是可以从各个方 向发射蒸气。 箔舟状加热器的优点是可蒸发不浸润 加热器的材料，效率较高（相当于小 型平面蒸发源），缺点是只能向上蒸 发。
图8.2. 4 各种电阻加热蒸发源
（2）电子束加热蒸发源 电子束集中轰击膜料的一部分而进行加热的方法。
电子束加热蒸发源由： 阴极、加速电极、阳极 （膜料）组成。 还有高频加热蒸发源、 激光蒸发源等。
图8.2.5 电子束加热蒸发源
优点:
（1）可以直接对蒸发材料加热；
（2）装蒸发料的容器可以是冷的或者用水冷却，从而 可避免 材料与容器的反应和容器材料的蒸发；
（ 3 ） 可 蒸 发 高 熔 点 材 料 ， 例 如 ： 钨 （ Tm=3380℃ ） 、 钼 (Tm=2610℃)和钽（Tm=3000℃）等耐热金属材料。
在阴极靶面上加一环行磁场，使 B E , 控制二次电子运动轨迹， 电子运动方程：
d e ( E B) dt m
(16)
运动轨迹为一轮摆线，电子在靶面上沿着垂直于E、B的方向前进，电 子被束缚在一定的空间内，减少了电子在器壁上的复合损耗；同时，延长 了电子路径，增加了同工作气体的碰撞几率，提高了原子的电离几率，使 等离子体的密度增大；溅射速率呈数量级的提高； 低能电子，使T基片↘↘，等离子体被磁场约束在靶面附近，也使T基片↘ 工作气压 0.1Pa，减少了碰撞，提高了沉积速率！
（2）多靶共溅射 7.化合物膜的镀制
2. 残存气体对制膜的影响
22 （1）残存气体的蒸发速率Ng： N g 3.513 10
g Pg
M gTg
(13)
（2）到达基片的气体分子与蒸气分子之比(面源)：
Ng Nd

Pg P
Pg MT r 2 K M gTg A cos cos P
(14) （ g）
讨论：减小污染的途径
改进工艺：
1）选择基片温度，使之有利于凝聚而不是分凝； 2）选用几个蒸发源，不同温度下分别淀积，但控制困难；
3）氧化物，可采用反应蒸镀法，引入活性气体。
4. 蒸发源类型
（1）电阻加热蒸发源
选择原则：在所需蒸发温度下不软化，饱和蒸气压小，不发生反应； 一般采用高熔点金属如钨、钽、钼等材质，常作成螺旋丝状或箔舟状，如图 8.2.4所示。 特点：结构简单，造价低，使用广泛；存在污染，也不能蒸镀高Tm材料。
特点：镀膜速率快，可多块同镀，操作方便，参数易于控
制，可适时监控成膜过程，但膜与基片的结合强度不高， 还存在分馏问题。
用途：镀制导电膜、增透膜、Al膜等。
7. 分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy,缩写为MBE) （1）外延技术
外延是指在单晶衬底上生长出位向相同的同类单晶体 （同质外延），或者生长出具有共格或半共格联 系的异类单晶体（异质外延）的技术。 液相外延 外延技术， 分为 气相外延 分子束外延 同质 异质 外延
（1）溅射现象（1842，Grove提出） 当高能粒子（通常是由电场加速的正离子）冲击 固体表面时，固体表面的原子、分子与这些高能粒 子交换能量，从而由固体表面飞溅出来的现象。 溅射镀膜: 1870年，工业应用：1930年以后。 （2）区别： 蒸镀：让材料加热气化（发射出粒子），再沉积到基 片上成膜； 溅射：用离子轰击，将靶材原子打出来，再沉积到基 片上成膜。
（2）封闭体系内的P—T关系：
Lv dP dT TV
（1）
∵
V V汽 V固、 液
1 V汽 RT， P
∴
积分：
dP PLV dT RT 2
LV 1 ln p A R T
（2）
图8.2.2 几种材料的蒸气压——温度曲线
（3）蒸发速率和凝结速率
① 蒸发速率Ne： ——热平衡条件下，单位时间内，从蒸发源每单位 面积上射出的平均原子数。
（ 5 ）沉积温度较高，膜与基片的结合强 度不高。
图8.2.1 蒸镀装置示意图
1.衬底加热器；2.衬底；3. 原料；4.料舟
1. 物理基础 （1）物理阶段： ① (淀积材料的)升华：S→V； ② 输运：蒸发源→基片上； ③ 沉积： V→S ； ④ 重新排列：淀积粒子在基片上重新排列或键合
蒸发淀积——不平衡过程； 恒定条件——高质量膜。
(1/cm2· s)
(6)
β、 θ为蒸气入射方向分别与蒸发 表面和接收表面法向的夹角 。
图8.2.3 、角的意义
（4）蒸发制膜的厚度
∵τ时间内，蒸发材料的总量：m =ANe，密度： ∴ 膜厚：
AN e cos m cos 点蒸发源： t 2 4 r 4 r 2
∴溅射不如蒸镀应用广泛！
2.辉光放电
溅射离子一般来源于气体放电，主要是辉光放电。
设备——真空二极管； 阴极——被溅射的材料； 阳极——基片； 10Pa一1Pa；数百伏的电压。 机制： 放电产生的等离子体中的正离子经阴 极暗区的电场加速而飞向阴极靶，不仅 能打出靶面原子（溅射材料），而且还 会轰击出二次电子，二次电子在飞向阳 极的过程中，又与其它气体分子碰撞使 之电离，使辉光放电持续不断的进行下 去。
a. Te与材料性质有关； b. Te与蒸发速率有关， 蒸发速率↘， Te ↘； c. Te与表面粗糙度有关， 表面粗糙度大， Te↗。
Te低一些好！ 特点：可精确控制膜厚， 获得高洁净度的膜层！
图 8.2.9 蒸发速率和基片温度对 Ge （111） 基片上所镀Ge膜结构的影响
二、溅射镀膜
1.概述
m cos m h2 h3 t cos t 0 3 2 2 2 4r 4h r r
沉积膜相对厚度分布 ：
t [1 ( x / h)2 ] 3 / 2 t0
(点源)
(11)
t 2 2 [1 ( x / h) ] t0
t0可以测量，x↗,t↘
(面源)
(12)
（1）磁控溅射靶 有两种形式：
柱形靶 磁控ห้องสมุดไป่ตู้射靶
矩形平面靶：双线源，应用广泛，大面积，
平面靶
连续镀膜；
圆形平面靶：小型磁控源，制靶简单,科研用
磁控溅射的主要缺点：
靶材利用率不高，一般低于40％。
6.合金膜的镀制 ——不存在分馏问题
（1）溅射法镀合金膜，薄膜成分与靶材相同
AB合金，贫A溅射；与蒸镀不同；
图8.2.10 辉光放电
3. 溅射机理——两种假说 （1）Hippel理论（1926提出） 离子轰击靶产生的局部高温使靶材料（阴 极材料）的局部蒸发，在阳极上沉积制膜。
（2）动能转移机理 （Stark,1909，Langmuir, Henschk）
(I) 溅射出的原子能量比热蒸发原子能量高一个数量级； (II)轰击离子存在一个临界能量，低于这个能量，不能产生溅 射； (Ⅲ)溅射系数=溅射原子数/轰击离子数,既与轰击离子的能量 1 mv 2 有关，也与轰击离子的质量有关 ( ,动能转移 )； 2 (Ⅳ)离子能量过高，溅射系数反而下降,可能是因为离子深入 到靶材内部，能量没有交给表面附近原子的缘故； (Ⅴ)溅射原子出射的角分布，对于单晶靶材，粒子主要沿几个 方向出射。 最强的出射方向对应于晶格中原子最密集排列的方向，这 种现象可用“聚焦碰撞”解释。
（3）特点：
优点： a. 使用范围宽，原则上任何物质均可溅射，尤其是高 Tm、低分解压的材料； b.膜质好，膜密度高，无气孔，附着性好； c.可制备掺杂膜、氧化物膜和超高纯膜等。 缺点： a.设备复杂，沉积参数控制较难； b.沉积速率低，约0.01～0.5m/min， 蒸镀： 0. 1～5m/min
(g/cm2· s)
(4)
② 凝结速Na：
——蒸发源对基片单位面积的沉积速率。 Na与系统的几何形状、源与基片的相对位置、蒸发速率有关
设：a. 忽略碰撞，直线运动；
点源,球面发射： N AN e cos a 2
b.
A r
4r
(1/cm2· s)
(5)
小型圆平面源：
AN e cos cos Nd r 2
一、真空蒸发镀膜（蒸镀）
蒸镀——利用真空泵将淀积室抽成“真空”，然后用高熔
点材料制成的蒸发源将淀积材料加热、蒸发、淀积于基片 上。
特点： （1）操作方便，沉积参数易于控制； （ 2 ）制膜纯度高，可用于薄膜性质研究；
（ 3 ）可在电镜监测下进行镀膜，可对薄 膜生长过程和生长机理进行研究。
（ 4 ）膜沉积速率快，还可多块同时蒸镀；
4. 二级溅射
最早采用的一种溅射方法
原理如图所示 影响溅射工艺的主要因素：
放电气体压强P；放电电压VDC；
放电电流IDC； 可调参量： IDC ； P；
特点：方法及设备简单；
放电不稳， 常因局部放电引 起IDC变化；
图8.2.11 二极溅射装置示意图
沉积速率低；
已渐趋淘汰 ！
5. 磁控溅射
70年代，在阴极溅射基础上发展起来，能有效克服溅射速 率低，电子碰撞使基片温度升高的弱点。 （1）基本原理
§8.2 物理汽相沉积（PVD）
物理气相沉积
—— Physical Vapor Deposition 缩写为： PVD； 通常用于沉积薄膜和涂层 沉积膜层厚度：10-1nm～mm； 一类应用极为广泛的成膜技术，从装饰涂层到 各种功能薄膜，涉及化工、核工程、微电子以 及它们的相关工业工程。 包括 蒸发沉积（蒸镀）、溅射沉积（溅射） 和离子镀等。
∴ 连续加料，保证熔池料为 A1B25, 从而膜料成分为A4B1；
在蒸镀过程中，还应注意使熔池温度和体积保持恒定。
（2）蒸镀难熔化合物膜——多数会分解
例如：A12O3 Al、AlO、(AlO)2、Al2O、O和O2 等， 解决对策——适当通氧 (15)