PNP晶体管阵列
pnp晶体管工作原理
pnp晶体管工作原理PNP晶体管工作原理。
PNP晶体管是一种常用的半导体器件，它在电子设备中起着重要的作用。
了解PNP晶体管的工作原理对于理解电子设备的工作原理至关重要。
本文将介绍PNP晶体管的工作原理，帮助读者更好地理解这一器件的工作原理。
PNP晶体管是一种双极型晶体管，由三个掺杂不同材料的半导体层构成。
它由一层N型半导体夹在两层P型半导体之间组成。
PNP 晶体管的工作原理主要涉及电流的控制和放大。
当在基极端施加正电压时，会导致P型半导体中的空穴向基极流动。
这样就形成了一个电流，称为基极电流。
基极电流的大小取决于基极端的电压，当电压增大时，基极电流也会增大。
当基极电流流入基极时，会引起发射极和集电极之间的电流。
这是因为发射极和集电极之间的结是反向偏置的，当基极电流流入基极时，会减小这个反向偏置，从而使发射极和集电极之间的电流增大。
这样就实现了对发射极和集电极之间电流的控制。
这种控制电流的作用使得PNP晶体管可以被用来放大电流信号。
在PNP晶体管中，发射极和集电极之间的电流是由基极电流控制的。
当基极电流增大时，发射极和集电极之间的电流也会增大。
这种现象被称为电流放大。
PNP晶体管的电流放大作用使得它可以被用来放大弱信号，从而实现对信号的放大和控制。
除了电流放大作用，PNP晶体管还可以被用来实现电流的开关控制。
当在基极端施加足够大的正电压时，会使得基极电流增大，从而导致发射极和集电极之间的电流急剧增大。
这时，PNP晶体管就处于导通状态，可以用来控制电路中的开关。
当去除基极端的正电压时，基极电流减小，发射极和集电极之间的电流也减小，PNP晶体管就处于截止状态，电路中的开关也就关闭了。
综上所述，PNP晶体管的工作原理主要涉及电流的控制和放大。
通过对基极端的电压控制，可以实现对发射极和集电极之间电流的控制，从而实现对信号的放大和控制，同时也可以实现对电路的开关控制。
PNP晶体管在电子设备中有着广泛的应用，了解其工作原理对于理解电子设备的工作原理具有重要的意义。
pnp三极管 工作原理
pnp三极管工作原理
PNP三极管是一种常见的双极型晶体管，由PNP型材料构成，其中P代表正极性，N代表负极性，P代表正极性。
PNP三极管内部有三个区域，分别为集电极（Emitter）、基
极（Base）和发射极（Collector）。
其中基极和发射极之间是
一个PN结，而基极和集电极之间也是一个PN结。
在正常工作状态下，PNP三极管需要一个适当的电压差来驱
动它。
当基极与发射极之间施加一个适当的正向电压时，两个PN结都会正向偏置，这样就形成了一个电流通路。
工作原理如下：
1. 基极电流控制：当集电极与发射极之间施加一个正向电压时，基极与发射极之间的PN结正向偏置，使得基极-发射极之间
形成一个薄反向偏置的空间区域。
在这个区域中，基极电流会控制集电极与发射极之间的电流。
2. 输出电流放大：当基极电流增加时，它会控制集电极和发射极之间的电流。
PNP三极管的放大效应使得输出电流可以显
著大于输入电流。
这意味着PNP三极管可以用来放大电流信号。
3. 转置特性：由于PNP三极管的结构，它的输出信号是与输
入信号进行转置的。
当输入信号为高电平时，输出信号为低电平，反之亦然。
总之，PNP三极管工作原理是利用正向偏置的PN结来控制电流流动，从而实现电流放大和转置特性。
这使得PNP三极管在电子电路中起到了重要的作用。
SC75 SOT416 SC90 PNP 晶体管说明书
2SA1774G, S2SA1774G PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor This PNP transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC−75/SOT−416/SC−90 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium.Features•Reduces Board Space•High h FE, 210−460 (typical)•Low V CE(sat), < 0.5V•Available in 8mm, 7−inch/3000 Unit Tape and Reel•S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable•These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant*MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)Rating Symbol Value Unit Collector − Emitter Voltage V(BR)CBO−60Vdc Collector − Base Voltage V(BR)CEO−50Vdc Emitter − Base Voltage V(BR)EBO−6.0Vdc Collector Current − Continuous I C−100mAdc THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Max Unit Power Dissipation (Note 1)P D150mW Junction T emperature T J150°C Storage T emperature Range T stg−55 ~ +150°C Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage thedevice. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.1.Device mounted on a FR−4 glass epoxy printed circuit board using the minimum recommended footprint.*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting T echniques ReferenceManual, SOLDERRM/D.MARKING DIAGRAMCOLLECTOR1BASE2EMITTERSC−75CASE 463STYLE 1F9= Device CodeM= Date Code*G= Pb−Free Package(Note: Microdot may be in either location)*Date Code orientation may vary dependingupon manufacturing location.Device Package Shipping†ORDERING INFORMATION2SA1774G SC−75(Pb−Free)3,000/T ape & Reel†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our T ape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.2SA1774T1G SC−75(Pb−Free)3,000/T ape & Reel S2SA1774G SC−75(Pb−Free)3,000/T ape & ReelELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)Characteristic Symbol Min Typ Max UnitCollector−Base Breakdown Voltage (I C = −50 m Adc, I E = 0)V(BR)CBO−60−−VCollector−Emitter Breakdown Voltage (I C = −1.0 mAdc, I B = 0)V(BR)CEO−50−−VEmitter−Base Breakdown Voltage (I E = −50 m Adc, I E = 0)V(BR)EBO−6.0−−VCollector−Base Cutoff Current (V CB = −30 Vdc, I E = 0)I CBO−−−0.5m AEmitter−Base Cutoff Current (V EB = −5.0 Vdc, I B = 0)I EBO−−−0.5m ACollector−Emitter Saturation Voltage (Note 2) (I C = −50 mAdc, I B = −5.0 mAdc)V CE(sat)−−−0.5VDC Current Gain (Note 2)(V CE = −6.0 Vdc, I C = −1.0 mAdc)h FE120−560−Transition Frequency(V CE = −12 Vdc, I C = −2.0 mAdc, f = 30 MHz)f T−140−MHzOutput Capacitance(V CB = −12 Vdc, I E = 0 Adc, f = 1 MHz)C OB− 3.5−pF2.Pulse T est: Pulse Width≤300m s, D.C.≤2%.Figure 1. Collector −Emitter Saturation Voltagevs. Collector Current10.1I C , COLLECTOR CURRENT (mA)V C E , C O L L E C T O R −E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E (V )Figure 2. Base −Emitter Saturation Voltage vs.Collector CurrentI C , COLLECTOR CURRENT (mA)V B E (s a t ), B A S E −E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E (V )Figure 3. DC Current Gain vs. CollectorCurrentI C , COLLECTOR CURRENT (mA)h F E , D C C U R R E N T G A I NFigure 4. Saturation RegionI B , BASE CURRENT (mA)V C E (s a t ), C O L L E C T O R −E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E (V )Figure 5. Base −Emitter Turn −ON Voltage vs.Collector CurrentI C , COLLECTOR CURRENT (mA)V B E (O N ), B A S E −E M I T T E R O N V O L T -A G E (V )Figure 6. CapacitanceV R , REVERSE VOLTAGE (V)C , C A P A C I T A N C E (p F )10Figure 7. Current Gain Bandwidth Product vs.Collector CurrentI C , COLLECTOR CURRENT (mA)f t a u , C U R R E N T G A I N B A N D W I D T H P R O D U C T (M H z )Figure 8. Safe Operating AreaV CE , COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (V)I C , C O L L E C T O R C U R R E N T (m A )PACKAGE DIMENSIONSSC −75/SOT −416CASE 463ISSUE GSTYLE 1:PIN 1.BASE 2.EMITTER 3.COLLECTORNOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.DIM MIN NOM MAX MILLIMETERS A 0.700.800.90A10.000.050.10b C 0.100.150.25D 1.55 1.60 1.65E e 1.00 BSC 0.0270.0310.0350.0000.0020.0040.0040.0060.0100.0610.0630.0650.04 BSCMIN NOM MAX INCHES0.150.200.300.0060.0080.012H EL 0.100.150.201.50 1.60 1.700.0040.0060.0080.0600.0630.0670.700.800.900.0270.0310.035ǒmm inchesǓSCALE 10:1*For additional information on our Pb −Free strategy and solderingdetails, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting T echniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent PUBLICATION ORDERING INFORMATION。
multisim常见元件简介
multisim元件库1.点击“放置信号源”按钮，弹出对话框中的“系列”栏如图2所示。
图2(1). 选中“电源(POWER_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图3所示：图3，其“元件”栏下内容如图4所示：(2). 选中“信号电压源(SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES)”图4，其“元件”栏下内容如图5所示：(3). 选中“信号电流源(SIGNAL_CURRENT_SOURCES)”图5(4). 选中“控制函数块(CONTROL_FUNCTION_BLOCKS)”，其“元件”栏下内容如图6所示：图6(5). 选中“电压控源(CONTROLLED_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图7所示：图7(6). 选中“电流控源(CONTROLLED_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图8所示：图82. 点击“放置模拟元件”按钮，弹出对话框中“系列”栏如图9 所示。
图9，其“元件”栏中仅有虚拟比较器、三端虚(1). 选中“模拟虚拟元件(ANALOG_VIRTUAL)”拟运放和五端虚拟运放3个品种可供调用。
(2). 选中“运算放大器(OPAMP)”。
其“元件”栏中包括了国外许多公司提供的多达4243种各种规格运放可供调用。
(3). 选中“诺顿运算放大器(OPAMP_NORTON)”，其“元件”栏中有16种规格诺顿运放可供调用。
(4). 选中“比较器(COMPARATOR)”，其“元件”栏中有341种规格比较器可供调用。
(5). 选中“宽带运放(WIDEBAND_AMPS)”其“元件”栏中有144种规格宽带运放可供调用，宽带运放典型值达100MHz，主要用于视频放大电路。
(6). 选中“特殊功能运放(SPECIAL_FUNCTION)”，其“元件”栏中有165种规格特殊功能运放可供调用，主要包括测试运放、视频运放、乘法器/除法器、前置放大器和有源滤波器等。
三极管npn和pnp
三极管npn和pnp三极管（Transistor）是一种最基本的电子元件，它具有可以放大和开关电流的功能，广泛应用于电子电路中。
三极管可以分为NPN型和PNP型两种。
下面分别介绍NPN型和PNP型三极管的结构、工作原理以及应用。
一、NPN型三极管：NPN型三极管由两个N型半导体和一个P型半导体构成。
其中，N型半导体作为发射极（Emitter），由外界加上正电压。
P型半导体作为基极（Base），控制发射极和集电极（Collector）之间的电流。
另一个N型半导体则构成集电极。
具体来说，当基极与发射极之间的电压大于0.6V时，发射极和集电极之间就会形成一个导通路径，电流可以从发射极流向集电极。
NPN型三极管的工作原理是基于PN结的正向和反向偏置。
当发射极和集电极之间的电压大于0.6V时，PN结就会变为正向偏置，导致大量的电子从N型发射极注入到P型基极，形成发射极电流（Ie）。
同时，这些注入的电子会继续向集电极流动，形成集电极电流（Ic）。
在NPN型三极管中，Ic是由Ie 放大而来的，即放大系数β=Ic/Ie。
NPN型三极管具有放大作用，广泛应用于放大电路。
由于其有一个控制极（基极），可以通过控制电流的大小来控制输出电流，被称为"控制电流小，输出电流大"的电流放大器。
NPN 型三极管还常用于逻辑门电路、计时电路、振荡器电路等。
二、PNP型三极管：PNP型三极管由两个P型半导体和一个N型半导体构成。
其中，P型半导体作为发射极，由外界连结上负电源。
N型半导体作为基极，控制发射极和集电极之间的电流。
另一个P型半导体则构成集电极。
PNP型三极管的工作原理和NPN型三极管相似，区别在于PN结的正向和反向偏置。
当基极与发射极之间的电压小于-0.6V时，PN结就会变为正向偏置，使得发射极电流从发射极流入基极。
同时，由于P型基极中有空穴，这些空穴会向集电极流动，形成集电极电流（Ic）。
在PNP型三极管中，Ic是由发射极电流减少而来的，即放大系数β=Ic/Ie。
pnp与npn工作原理
pnp与npn工作原理小伙伴们！今天咱们来唠唠PNP和NPN这俩在电子世界里超有趣的玩意儿的工作原理，可好玩儿啦。
咱先说说PNP型晶体管吧。
你可以把PNP晶体管想象成一个小小的电子交通警察。
它有三个区域，就像三个不同的街区一样。
中间的区域叫基区，两边的分别是发射区和集电区。
发射区就像是一个电子的大仓库，里面堆满了电子呢。
当我们给PNP晶体管的基极 - 发射极之间加上合适的电压的时候，就像是给这个电子交通警察下达了一个特殊的指令。
这个电压让发射区的电子就像一群听话的小蚂蚁一样，开始朝着基区涌过去。
因为基区很薄呀，这些电子就像超级活跃的小精灵，大部分都能顺利穿过基区，跑到集电区去。
这时候呢，集电区就像一个热情的接待站，把这些跑过来的电子都接收了。
这整个过程就像是一场电子的大迁移，而且是按照我们给的“指令”（电压）来进行的哦。
那NPN晶体管又是怎么回事呢？它呀，和PNP有点像，但是又不太一样，就像双胞胎兄弟，有相似之处，但也各有各的特点。
NPN晶体管的发射区是电子的发射源，不过这里发射的是带负电的电子。
基区呢，就像是一个控制关卡。
当我们在基极 - 发射极之间加上合适的电压，发射区的电子就像得到了出发的信号，纷纷冲向基区。
因为基区比较薄，而且它的结构就像是一个特殊的通道，这些电子很容易就穿过基区，然后朝着集电区奔去。
在这个过程中，电流就像是电子流动形成的河流，源源不断地从发射区经过基区流向集电区。
你看啊，PNP和NPN晶体管在电路里就像两个小魔法师。
比如说在放大电路里，PNP晶体管就像是一个把小信号变成大信号的魔法放大器。
当一个小小的输入信号作用在基极 - 发射极上的时候，就像给了它一个小小的魔法咒语，它就能让发射区到集电区的电流按照一定的比例放大，就像把一个小声音变成了大声音一样神奇。
NPN晶体管在这方面也不逊色呢。
它在电路里也能把微弱的输入信号进行放大。
想象一下，一个小小的电流波动输入到NPN晶体管的基极，就像一颗小石子投入平静的湖面，然后在集电区就会产生一个放大了的电流波动，就像湖面泛起的层层大波浪一样。
晶体管结构与工作原理
晶体三极管知识晶体三极管作为重要的半导体器件，其基本结构和工作原理需要掌握。
下面具体介绍。
三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn两种组合。
三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E)、基极（base，B）和集极（collector, C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致.在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号.三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”（forward active），在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2(a）为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小,射极的电洞会注入到基极,基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的.图2（b）画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下,电洞和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。
以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合.当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极,电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大.基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB? E（这部分是三极管作用不需要的部分）. InB? E在射极与与电洞复合，即InB? E=I Erec.pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3（a）中看出。
Multisim 10 元件库
Multisim 10元件库一、电源库1. Sources(电源库电源库 1.POWER_SOURCES（电源）2. SIGNAL_VOLTAGF_SOURCES（电压信号源）3. SIGNAL_CURRENT SOURCES（电流信号源）4. CONTROL_FUNCTLON_BLOCKS（控制功能模块）5. CONTROLLD_SOURCES（受控电压源）6. CONTROLLED_CURRENT_SORCES（受控电流源）在使用过程中要注意一下几点：（1）交流电源所设置电源的大小皆为有效值。
（2）直流电源的取值必选大于零，大小可以从微伏到千伏，而且没有内阻。
如果它与另一个直流电压源或开关并联使用，必须给直流电压源串联一个电阻。
（3）许多数字器件没有明确的数字接地端，但必须接上地才能正常工作。
用Mul 10进行数字电路仿真时，电路中的数字元件要接上示意性的数字接地端，并且不能与任何器件连接，数字接地端是该电源参考点。
（4）地是一个公共的参考点，电路中所有的电压都是相对于该点的电位差。
在一个电路中，一般来说应当有一个且只能有一个地。
在Mul 10 中，可以同时调用多个接地端，但它们的电位都是0V。
并非所用电路都需要接地，但下列情形应考虑接地：I、运算放大器、变压器、各种受控源、示波器、波特图仪和函数发生器必须接地，对于示波器，如果电路中已有接地，示波器的接地端不可接地；II、含模拟和数字元件的混合电路必须接地，可具体分为模拟地和数字地。
（5）VCC电压源常作为没有明确电源引脚的数字器件的电源，它必须放置在电路图上。
VCC 电压源还可以用做直流电压源。
通过其属性对话框可以改变电源电压的大小，并且可以是负值。
另外，一个电路只能有一个VCC。
（6）对于除法器，若Y端接有信号，X端的输入信号为0，则输出端变为无穷大或一个很大的电压（高达 1.69TV）。
二、Basic（基本元件库）1. BASIC_VIRTUAL（基本虚拟器件）2. RATED_VIRTUAL（额定虚拟器件）3. PACK（排阻）4. SWITCH（开关）5. TRANSFORMER（变压器）6. NONLINEAR_TRANSFORMER（非线性变压器）7. RELAY（继电器）8. CONNERCTOR（连接器）9. SCH_CAP_SYMS（可编辑电路符号10. SOCKT（插座）11. RESISTOR（电阻）12. CAPACITOR（电容）13. INDUCTOR（电感）14. CAP ELECTROLIT（电解电容）15. VARLABLE_CAPACITO（可变电容）16.VARLABLE_INDUCTOR（可变电感）17. POTENTLONMETER（电位器）三、Diodes(二极管库)1. DIODE VIRTUAL（虚拟二极管）2. DIODE（二极管）3. ZENER（齐纳二极管）4. LED（发光二极管）5. FWB（全波桥式整流器）6. SCHOTTKY_DIODE（肖特基二极管）7. SCR（可控硅整流器）8. DIAC（双向开关二极管）9. TRIAC（三端开关可控硅开关）10. VARACTOR（变容二极管）11. PIN（PIN 二极管）四、Transistors(晶体管库)1. TRANSISTORS_VIRTUAL（虚拟晶体管）2. BJT_NPN（NPN 晶体管）3. BJT_PNP（PNP 晶体管）4. DARLINGTON_NPN（达林顿NPN 晶体管）5. DARLINGTON_PNP（达林顿PNP 晶体管）6. DARLINGTON_ARRAY（达林顿晶体管阵列）7. BJT_NRES（带偏置NPN 型BJT 管）8. BJT_PRES（带偏置PNP 型BJT 管）9. BJT_ARRAY（BJT 晶体管阵列）10. IGBT（绝缘栅双极型晶体管）11. MOS_3TDN（三端N 沟道耗尽型MOS 管）12. MOS_3TEN（三端N 沟道增强型MOS 管）13. MOS_3TEP（三端P 沟道增强型MOS 管）14. JFET_N（N 沟道JFET）15. JFET_P（P 沟道JFET）16. POWER_MOS_N（N 沟道功率MOSFET）17. POWER_MOS_P（P 沟道功率MOSFET）18. POWER_MOS_COMP（COMP 功率MOSFET）19. UJT（单结晶体管）20. THERMAL_MODELS（热效应管）五、Analog(模拟集成元件库)1. ANALOG_VIRTUAL（模拟虚拟器件）2. OPAMP（运算放大器）3. OPAMP_NORTON（诺顿运算放大器）4. COMPARATOR（比较器）5. WIDEBAND_AMPS（宽带放大器）6. SPECIAL_FUNCTION（特殊功能运算放大器）六、TTL（TTL 元件库）1. 74STD_IC2. 74STD：是标准TTL 集成电路3. 74S_IC：是低功耗肖特集成电路4. 74S：为肖特基型集成电路5. 74LS：低功耗肖特基型集成电路6. 74F：高速型TTL 集成电路7. 74ALS：先进低功耗肖特基型集成电路8. 74AS：为先进肖特基型集成电路在使用TTL 元件的过程中要注意以下几点：（1）若同一器件有数个不同的封装形式，仿真时，可以随意选择；做PCB 板时，必须加以区分。
三极管工作原理介绍，NPN和PNP型三极管的原理图与各个引脚介绍
三极管工作原理介绍，NPN和PNP型三极管的原理图与各个引脚介绍三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
PNP与NPN两种三极管各引脚的表示：三极管引脚介绍NPN三极管原理图：PNP三极管原理图：常见的三极管为9012、s8550、9013、s8050.单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。
其中9012与8550为pnp型三极管，可以通用。
其中9013与8050为npn型三极管，可以通用。
区别引脚：三极管向着自己，引脚从左到右分别为ebc，原理图中有箭头的一端为e，与电阻相连的为b，另一个为c。
箭头向里指为PNP（9012或8550），箭头向外指为NPN（9013或8050）。
如何辨别三极管类型，并辨别出e（发射极）、b（基极）、c（集电极）三个电极①用指针式万用表判断基极b 和三极管的类型：将万用表欧姆挡置“R × 100” 或“R×lk” 处，先假设三极管的某极为“基极”，并把黑表笔接在假设的基极上，将红表笔先后接在其余两个极上，如果两次测得的电阻值都很小（或约为几百欧至几千欧），则假设的基极是正确的，且被测三极管为 NPN 型管；同上，如果两次测得的电阻值都很大（约为几千欧至几十千欧），则假设的基极是正确的，且被测三极管为 PNP 型管。
如果两次测得的电阻值是一大一小，则原来假设的基极是错误的，这时必须重新假设另一电极为“基极”，再重复上述测试。
②判断集电极c和发射极e：仍将指针式万用表欧姆挡置“R × 100”或“R × 1k” 处，以NPN管为例，把黑表笔接在假设的集电极c上，红表笔接到假设的发射极e上，并用手捏住b和c极（不能使b、c直接接触），通过人体，相当 b 、 C 之间接入偏置电阻，读出表头所示的阻值，然后将两表笔反接重测。
晶体管结构与工作原理
晶体三极管知识晶体三极管作为重要的半导体器件，其基本结构和工作原理需要掌握。
下面具体介绍。
三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn两种组合。
三个接出来的端点依序称为射极〔emitter, E〕、基极〔base, B〕和集极〔collector, C〕，名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致。
在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。
图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差异呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。
以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。
当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。
基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB? E〔这部分是三极管作用不需要的部分〕。
PNP三极管工作原理
PNP三极管工作原理一、引言PNP三极管是一种常用的电子器件，广泛应用于电子电路中。
了解PNP三极管的工作原理对于理解电子电路的基本原理和设计具有重要意义。
本文将详细介绍PNP三极管的工作原理，包括结构、工作模式和特性等方面的内容。
二、PNP三极管的结构PNP三极管由三个掺杂不同类型的半导体层构成，分别是N型半导体层、P型半导体层和N型半导体层。
其中，中间的P型半导体层被称为基区，两侧的N型半导体层分别被称为发射区和集电区。
这种结构使得PNP三极管具有两个PN结，分别是发射结和集电结。
三、PNP三极管的工作模式PNP三极管有三种工作模式，分别是截止区、放大区和饱和区。
下面将详细介绍每种工作模式的特点和工作原理。
1. 截止区当基极电流为零或非常小的时候，PNP三极管处于截止区。
此时，发射结和集电结都处于反向偏置状态，没有电流流过。
截止区的PNP三极管相当于一个开路状态，没有放大作用。
2. 放大区当基极电流适当增大时，PNP三极管进入放大区。
在放大区，发射结正向偏置，集电结反向偏置。
此时，发射区的电流会被放大，从而形成一个放大电流。
放大区的PNP三极管可以作为放大器使用。
3. 饱和区当基极电流进一步增大时，PNP三极管进入饱和区。
在饱和区，发射结和集电结都正向偏置，电流流过。
此时，PNP三极管的集电区电流达到最大值，无法再进一步增大。
饱和区的PNP三极管可以作为开关使用。
四、PNP三极管的工作特性PNP三极管具有一些特殊的工作特性，包括放大倍数、饱和电压和截止电压等。
1. 放大倍数PNP三极管的放大倍数是指集电极电流与基极电流之间的比值。
放大倍数越大，表示PNP三极管的放大能力越强。
放大倍数可以通过电路设计和外部元件的选择来调整。
2. 饱和电压饱和电压是指PNP三极管在饱和区时，发射结和集电结之间的电压差。
饱和电压的大小取决于PNP三极管的具体参数和工作条件。
通常情况下，饱和电压较小，一般在几百毫伏到一两伏之间。
M54562晶体管8阵列
Package type 18P4G(P)
NC
1
20
NC
APPLICATION Drives of relays, printers, LEDs, fluorescent display tubes and lamps, and interfaces between MOS-bipolar logic systems and relays, solenoids, or smaቤተ መጻሕፍቲ ባይዱl motors
Aug. 1999
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <TRANSISTOR ARRAY>
M54562P/FP
8-UNIT 500mA SOURCE TYPE DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
NOTE 1 TEST CIRCUIT
INPUT
IN1→ 2 IN2→ 3 IN3→ 4 IN4→ 5 IN5→ 6 IN6→ 7 IN7→ 8 IN8→ 9 VS 10
19 → O1 18 → O2 17 → O3 16 → O4 15 → O5 14 → O6 13 → O7 12 → O8 11 GND
Test conditions
min — — — — — — — —
Limits typ+ — 1.75 1.50 0.48 2.8 5.6 –1.2 —
max 100 2.4 2.0 0.75 4.7 15.0 –2.4 100
Unit µA V mA mA V µA
VS = 10V, VI = 2.4V, IO = –350mA Collector-emitter saturation voltage VS = 10V, VI = 2.4V, IO = –100mA Input current Supply current Clamping diode forward voltage Clamping diode reverse current VI = 5V VI = 25V VS = 50V, VI = 5V (all input) IF = –350mA VR = 50V
pnp晶体管工作原理
pnp晶体管工作原理PNP晶体管工作原理。
PNP晶体管是一种常用的半导体器件，它具有许多重要的应用，如放大、开关和稳压等。
了解PNP晶体管的工作原理对于理解电子设备的工作原理至关重要。
本文将详细介绍PNP晶体管的工作原理，帮助读者更好地理解这一重要的半导体器件。
PNP晶体管由两个P型半导体夹着一个N型半导体构成。
在PNP晶体管中，P型半导体被称为基极，N型半导体被称为发射极，而另一个P型半导体被称为集电极。
当在基极-发射极之间加上一个正电压时，发射结被正向偏置，同时集电结被反向偏置。
这时，发射结的电子会向基极注入，而集电结的空穴会向基极注入。
这样，基极就会有一个大量的载流子注入，从而形成一个电流。
PNP晶体管的工作原理可以用一个简单的模型来解释。
当在基极-发射极之间加上一个正电压时，发射结的电子会向基极注入，同时集电结的空穴会向基极注入。
这样，基极就会有一个大量的载流子注入，从而形成一个电流。
这个电流会使得集电结处的空穴和发射结处的电子重新组合，从而形成一个电流。
PNP晶体管的工作原理还可以通过电子能级图来解释。
当在基极-发射极之间加上一个正电压时，发射结的电子会向基极注入，同时集电结的空穴会向基极注入。
这样，基极就会有一个大量的载流子注入，从而形成一个电流。
这个电流会使得集电结处的空穴和发射结处的电子重新组合，从而形成一个电流。
总之，PNP晶体管的工作原理是通过控制发射结和集电结之间的电流来实现的。
当在基极-发射极之间加上一个正电压时，发射结的电子会向基极注入，同时集电结的空穴会向基极注入。
这样，基极就会有一个大量的载流子注入，从而形成一个电流。
这个电流会使得集电结处的空穴和发射结处的电子重新组合，从而形成一个电流。
通过本文的介绍，相信读者对PNP晶体管的工作原理有了更清晰的认识。
PNP 晶体管作为一种重要的半导体器件，在电子设备中具有着广泛的应用，因此了解其工作原理对于工程师和电子爱好者来说是非常重要的。
pnp工作原理
pnp工作原理PNP工作原理。
PNP型晶体管是一种常见的半导体器件，其工作原理对于理解电子学和电路设计有着重要的意义。
在本文中，我们将详细介绍PNP型晶体管的工作原理，帮助读者更好地理解这一器件的内部结构和工作方式。
PNP型晶体管由三个掺杂不同的半导体层构成，N型基区、P型发射区和N型集电区。
当外加电压施加在晶体管的发射极和基极之间时，发射结区域的P型半导体会与N型基区形成正向偏置，同时基区与集电极之间的结会呈现反向偏置。
这种电场作用下，发射结区域的载流子（空穴）会向基区扩散，而基区的载流子（电子）会向发射结区域扩散，最终在集电结区域重新结合。
当PNP型晶体管处于工作状态时，发射结区域的空穴会向基区扩散，而基区的电子会向发射结区域扩散，形成发射结电流和集电结电流。
这两种电流之间的比例关系决定了PNP型晶体管的放大特性，同时也决定了晶体管的工作状态。
当发射结电流大于集电结电流时，PNP型晶体管处于放大状态，可以被用作放大器件；当发射结电流小于集电结电流时，PNP型晶体管处于截止状态，不会有放大作用。
PNP型晶体管的工作原理可以用简单的模型来解释，当基极和发射极之间的电压施加在正向偏置时，发射结区域的空穴和基区的电子会向集电极扩散，形成集电结电流。
而当基极和发射极之间的电压施加在反向偏置时，发射结区域的空穴和基区的电子会被阻挡，不会向集电极扩散，此时晶体管处于截止状态。
总的来说，PNP型晶体管的工作原理可以简单概括为，当发射结电流大于集电结电流时，晶体管处于放大状态；当发射结电流小于集电结电流时，晶体管处于截止状态。
这一原理是理解PNP型晶体管工作特性的关键，也是理解整个电子学和电路设计领域的基础。
通过本文对PNP型晶体管工作原理的介绍，相信读者对于这一器件的工作方式有了更深入的理解。
PNP型晶体管作为一种重要的半导体器件，在电子学和电路设计领域有着广泛的应用，对其工作原理的深入理解将有助于读者在相关领域的学习和工作中取得更好的成果。
M54563晶体管8阵列
SWITCHING CHARACTERISTICS (Unless otherwise noted, Ta = 25°C)
Symbol ton toff Parameter Turn-on time Turn-off time CL = 15pF (note 1) Test conditions min — — Limits typ 100 4800 max — — Unit ns ns
(Unless otherwise noted, Ta = –20 ~ +75°C)
min 0
Limits typ — — — — —
max 50 –350
Unit V
IO
Duty Cycle P : no more than 8% FP : no more than 5% Duty Cycle P : no more than 55% FP : no more than 30%
OUTPUT
FEATURES High breakdown voltage (BV CEO ≥ 50V) High-current driving (Io(max) = –500mA) With clamping diodes Driving available with PMOS IC output of 6 ~ 16V or with TTL output Wide operating temperature range (Ta = –20 to +75°C) Output current-sourcing type
+ : The typical values are those measured under ambient temperature (Ta) of 25°C. There is no guarantee that these values are obtained under any conditions. # : Unused I/O pins must be connected to GND.
共阳极pnp
共阳极（common collector）PnP（晶体管）是一种三极管的电路配置。
在该电路中，晶体管的发射极连接到负极，集电极连接到正极，基极则是输入端。
这种配置被称为共阳极，因为集电极与电源的正极共用。
在这种配置中，输入信号通过基极控制晶体管的导通与截止。
当输入信号为低电平时，晶体管处于截止状态，无输出信号；当输入信号为高电平时，晶体管处于导通状态，输出信号可由集电极输出。
因此，该配置具有电流放大和电压反相的特点。
共阳极PnP配置常用于放大电流、转换电流级别以及实现电流反向的电路应用。
在这种配置下，输出电路中的负载连接到集电极，并从电源获得电流供应，从而可以提供较大的输出电流。
需要注意的是，为了保证电路正常工作，所有元件的极性需要正确连接，并且合适的工作点应该通过适当选择偏置电阻来设置。
在设计和使用这种电路时，应遵循相应的电路设计规范和参数限制。