上华工艺设计规则关键数据
华润上华发布0.18μm全系列分段式BCD工艺平台
http ：//国内新闻紫光展锐发布5G 通信技术平台———马卡鲁及其首款5G 基带芯片—春藤510紫光集团旗下紫光展锐近日发布了以世界第五高峰马卡鲁命名的5G 通信技术平台及其首款5G 基带芯片———春藤510。
紫光展锐在2018年发布了物联网产品品牌———春藤，助力万物互联。
马卡鲁作为紫光展锐全新5G 通信技术平台，将持续助力展锐春藤物联网产品向5G 蔓延发展。
不久的将来，紫光展锐将陆续推出基于马卡鲁技术平台的春藤产品系列。
同时，紫光展锐也发布了其首款基于马卡鲁技术平台的5G 基带芯片———春藤510，它采用台积电12nm 工艺，支持多项5G 关键技术，可实现2G/3G /4G/5G 多种通讯模式，符合最新的3GPP R15标准规范，支持Sub-6GHz 频段及100MHz 带宽，是一款高集成、高性能、低功耗的5G 基带芯片。
此外，春藤510可同时支持独立组网（SA ）和非独立组网（NSA ）组网方式，充分满足5G 发展阶段中的不同通信及组网需求。
（来自紫光展锐）中芯长电发布超宽频双极化毫米波天线射频芯片集成封装技术SmartAiP TM近日，中芯长电半导体有限公司（中芯长电）发布世界首个超宽频双极化的5G 毫米波天线芯片晶片级集成封装SmartAiP TM （Smart Antennain Pack-age ）工艺技术。
SmartAiP TM 具有集成度高、散热性好、工艺简练的特点，能够帮助客户实现24GHz 到43GHz 超宽频信号收发、达到12.5分贝的超高天线增益、以及适合智能手机终端对超薄厚度要求等的优势，并且有进一步实现射频前端模组集成封装的能力。
在与硕贝德无线科技股份有限公司合作中，利用中芯长电SmartAiP TM 工艺，集成了射频芯片的5G 毫米波天线模块，成功实现了从24GHz 到43GHz 超宽频信号收发，为克服各国和地区不同毫米波频段在5G 技术推广上的困扰提供了重要的技术方案。
仿真芯片设计工艺方案及核心指标优化
仿真芯片设计工艺方案及核心指标优化概述随着现代科技的迅猛发展，芯片技术在各个方面起着至关重要的作用。
仿真芯片设计工艺方案及核心指标优化是芯片设计领域的一个关键环节。
本文将重点讨论仿真芯片设计工艺方案的选择以及如何优化核心指标。
1. 仿真芯片设计工艺方案的选择1.1 工艺流程分析芯片设计的工艺方案选择是一个相对复杂的过程，需要根据具体的设计需求和目标来确定。
首先，我们需要深入了解不同的工艺流程，比如常见的CMOS工艺、SOI工艺和BiCMOS工艺等，分析其特点和适用领域。
然后，根据目标芯片的性能需求、功耗要求和成本预算，综合考虑各方面的因素，选择合适的工艺流程。
1.2 工艺节点选择在进行芯片设计时，选择适当的工艺节点也是非常重要的。
不同的工艺节点对芯片的性能和功耗都有不同的影响。
较小的工艺节点可以提供更高的集成度和更低的功耗，但同时也带来了成本的增加和工艺制造的难度。
因此，需要综合考虑目标芯片的性能需求、功耗要求以及制造成本，选择合适的工艺节点。
2. 核心指标的优化2.1 功耗优化功耗是芯片设计中一个至关重要的指标。
在芯片设计中，通过优化电路的结构和算法，可以有效降低芯片的功耗。
例如，采用低功耗的逻辑风格和时钟管理技术，合理优化功耗相关的电源网络设计等。
此外，还可以采用动态电压调整技术和功耗管理单元等方法，进一步降低芯片的功耗。
2.2 时序优化时序是指芯片内部各个逻辑单元之间的数据传输的时刻顺序。
时序的优化可以提高芯片的工作速度和时钟频率。
在芯片设计中，可以通过减少数据路径长度、优化器逻辑单元的布局方式和优化电路时钟分配等手段来优化时序。
此外，在时序优化中，还需要考虑传输延迟和时钟抖动等问题。
2.3 故障容忍性优化芯片设计中的故障容忍性是指该芯片在面对不可预测的故障或噪声时能够正确地工作。
通过采用冗余设计和错误检测修正编码等技术，可以有效提高芯片的故障容忍性。
此外，还可以通过引入差错检测和纠正技术来增强芯片的可靠性。
中芯国际、华虹NEC和华润上华是2011年中国最成功的三家代工厂
中芯国际、华虹NEC和华润上华是2011年中国最成功的三家代工厂每次和业内朋友聊起集成电路设计产业的总产值，发现这个数字就像姚明的身高或者易建联的年龄一样，成了一个数字“罗生门”：从300亿人民币到700亿人民币，众说纷纭。
“真相只有一个”。
根据IHS iSuppli的调查，2011年中国集成电路设计产业的产值是58亿美元（如果按照美元兑人民币6.5来算，产值为377亿人民币）。
不同的数字来自不同的统计方法，而我主要想从中国代工市场（各个代工厂中中国客户的销售额）看中国集成电路设计业的产值。
因为只有代工来的数据才不会导致重复，夸大或减少计算，比较接近产业的真实状态。
兼评论下这几个代工厂在中国客户中的优势。
根据IHS iSuppli的调查，整个中国代工市场（所有代工厂中国客户的销售额）去年是19.5亿美元。
在业内，一般美国公司因为工艺先进，毛利率比较高，所以从晶圆到芯片大概要乘以3.8到4.2；（考虑到晶圆和封装的成本以及毛利率）；而台湾业界大概是2.7到3.8；根据大陆设计公司的毛利率来看，从晶圆到芯片应该差不多是在2.3-3.3之间。
而去年各代工厂中国客户销售额总共为19.5亿美元，所以集成电路设计行业的产值接近58亿美元。
而在对中国客户的竞争中，各个代工厂则是“八仙过海各显神通”：台积电：先进工艺首选2011年台积电依靠自己在先进工艺（尤以40纳米）上的优势夺回了大陆代工市场第一的位置。
其它代工厂在先进工艺上的落后，以及去年大陆众多做应用处理器的公司和通信芯片的公司加速向先进工艺转型，40纳米忽如一夜春风来，导致中国几乎所有的40纳米的客户都去了台积电。
领先的工艺，完善的IP和专业的服务仍然是台积电的杀手锏，这一点上，值得所有的代工厂学习。
中芯国际：主流工艺首选虽然中芯国际2011年的销售额比2010年有下降，但是中国区的业绩还是保持了增长。
而这与公司管理层调整后，加速重视中国市场，加大支持中国客户是分不开的。
工艺设计一般原则规定
工艺设计一般原则规定SDEP-SPT-PE1001-20061 范围本规定了工艺装置设计中的主要工艺设计原则和一般性要求，包括了腐蚀裕量、备用原则、设计压力、设计温度、隔热、伴热、隔离、安全措施、取样系统和公用物料站等内容。
本规定适用于石油炼制、石油化工装置的工艺设计。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本规定的引用而成为本规定的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用本规定。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规定。
《石油化工钢制压力容器》SH-3074《压力容器安全技术监察规程》国家质量技术监督局锅发[1999] 154号3 静设备设计寿命和腐蚀裕量3.1静设备设计寿命静设备的设计寿命系指在预定的腐蚀裕量情况下，设备达到的服役年限。
除有特殊要求外，静设备的设计寿命可按以下规定确定：厚壁反应器 30年（容器，包括不可拆卸的内件及催化剂支持梁）反应器中可拆卸内件 20年塔器、容器 20年换热器壳体及类似部件 20年球罐 20年储罐 15年高合金钢管束 10年碳钢及低合金钢管束 4年且不低于一个操作周期其它小型设备 4年且不低于一个操作周期3.2静设备的最小腐蚀裕量要求3.2.1腐蚀裕量考虑的原则a) 与工作介质接触的筒体、封头、接管、人(手)孔及内部构件等，均应考虑腐蚀裕量。
b) 下列情况一般不考虑腐蚀裕量：1) 介质无腐蚀作用时(不锈钢、不锈复合钢板或有不锈钢堆焊层的元件)；2) 有可靠的耐腐蚀衬里(如衬铅、衬橡胶、衬塑料等)的基体材料；3) 可经常更换的非受压元件；4) 法兰的密封表面；5) 管壳式换热器的换热管；6) 管壳式换热器的拉杆、定距管、折流板和支持板等非受压元件；7) 用涂漆可以有效防止环境腐蚀的容器外表面及其外部构件(如支座、支腿、底板及托架等，但不包括裙座)。
c) 腐蚀裕量一般应根据材质在介质中的腐蚀速率和设备的设计寿命确定。
化工行业中的工艺设计技术
化工行业中的工艺设计技术化学工艺是化工生产过程的核心，也是实现化工产品质量和工业化生产的关键。
在化工生产中，工艺设计技术是至关重要的。
良好的工艺设计可以提高产品质量，降低生产成本，减少污染物的排放，实现绿色化工生产。
因此，本文将从工艺设计的角度出发，介绍化工行业中的工艺设计技术。
一、化工工艺设计的基本原则（1）安全和环保原则化工生产过程中，必须确保工艺安全和环保，采用符合安全和环保标准的原材料和化学试剂，控制污染物排放，防止事故发生。
（2）经济和实用原则化工生产过程必须考虑成本控制和工艺实用性，合理规划生产线路，优化工艺布局，选择高效的生产设备和技术，降低生产成本。
（3）可持续发展原则化工生产必须考虑可持续发展，提高资源利用效率，减少能源消耗和废弃物排放量，实现资源和环境的有效利用。
二、化工工艺设计的流程化工工艺设计的流程包括前期准备、方案论证、设计方案、施工图纸、安装调试和试生产等步骤。
（1）前期准备在进行工艺设计前，必须充分了解产品的性质和生产工艺，包括原材料的性质、用量和质量要求等，以及设备的选型、布置和工艺流程的设计等，确定工艺流程的基本参数。
（2）方案论证确定工艺流程后，需要进行方案论证，包括工艺可行性、经济性和技术可行性的评估，进行各种可能存在的安全、环保、技术和经济风险的分析和评估，确定合理的生产方案。
（3）设计方案在方案论证确定后，需要进一步制定详细的工艺流程方案和设备选择方案，包括设备的标准和质量要求、设备及管道布局设计、物料流动的控制和排布等。
（4）施工图纸在完成工艺方案设计后，需要制定设备系统的施工图纸和设备配图，以便进行安装调试。
（5）安装调试施工图纸完成后，就可以进行设备的安装调试，确保设备及系统能够正常运行。
（6）试生产在安装调试完成后，就可以进行试生产，以便调整工艺流程和设备参数，达到合理的工艺生产指标。
三、化工工艺设计的技术要点化工工艺设计需要掌握多种技术要点，包括物料传递、分离、反应和控制等技术。
工艺设计的基本原则和程序
工艺设计的基本原则和程序一、工艺设计的基本原则水泥厂工艺设计的基本原则可归纳如下：(1)根据计划任务书规定的产品品种、质量、产量要求进行设计。
计划任务书规定的产品产量往往有一定范围，设计产量在该范围之内或略超出该范围，都应认为是合适的；但如限于设备选型，设计达到的产量略低干该范围，则应提出报告，说明原因，取得上级同意后，按此继续设计。
对于产品品种，如果设计考虑认为计划任务书的规定在技术上和经济上有不适当之处，也应提出报告，阐明理由，建议调整，并取得上级的同意。
例如，某大型水泥厂计划任务书要求生产少量特种水泥，设计单位经过论证，认为大型窑改变生产品种，在技术上和经济上均不合理，建议将少量特种水泥安排给某中小型水泥厂生产，经上级批准后，改变了要求的品种。
窑、磨等主机的产量，除了参考设备说明和经验公式计算以外，还应根据国内同类型主机的生产数据并参考国内外近似规格的主机产量进行标定。
在工厂建成后的较短时期内，主机应能达到标定的产量；同时，标定的主机产量应符合优质、高产、低消耗和设备长期安全运转的要求，既要发挥设备能力，但又不能过分追求强化操作。
(2)选择技术先进、经济合理的工艺流程和设备。
工厂的工艺流程和主要设备确定以后，整个工厂设计可谓大局已定。
工厂建成后，再想改变其工艺流程和主要设备，将是十分困难的。
例如，要把湿法厂改为干法厂，固然困难；要把旧干法厂改为新型干法厂，也非易事。
例如，为了利用窑尾废气余热来烘干原料，生料磨系统也得迁移，输送设备等也得重新建设，诸如此类的情况，在某些条件下就不一定可行。
在选择生产工艺流程和设备时，应尽量考虑节省能源，采用国内较成熟的先进经验和先进技术；但对于新技术、新工艺、新设备，必须经过生产实践鉴定合格后，才可采用于新建厂的设计中。
工艺流程和设备的选择应进行方案对比，以达技术先进、经济合理的目的。
在进行具体设备的选型时，应注意下列一些问题：尽量选用结构新、体型小、重量轻、效率高、消耗省而且操作可靠、维修方便、供应有保证或能自行加工制造的设备。
第二讲集成电路版图设计规则
- 1.5mA 最大电流密度
/um
-
- 禁止并行金属线90度拐角，用135
度拐角代替
a
c.2
b
c.1 c.2
设计规则 via
定义为两层金属之 间的连接孔
符号 尺寸
含义
12.a .7*.7 过孔最小面积
12.b 0.8 过孔间距
12.d~f - 接触孔、poly-poly电容和栅 上不能打过孔
12.g 0.4 金属1对过孔的最小覆盖
6.d 6.e 6.f 6.g
尺寸 1.2 1.0 0.5 3.2 1.5 0.8 -
含义 poly2做电容时的最小宽度 poly2做电容时的最小间距 Poly2与有源区的最小间距 做关键电容时的间距 电容底板对顶板的最小覆盖 电容Poly2对接触孔最小覆盖 Poly2不能在有源区上 Poly2不能跨过poly1边沿
– 上华0.6um DPDM CMOS工艺拓扑设计规则 – 设计规则的运用
• 版图设计准则(‘Rule’ for performance)
– 匹配 – 抗干扰 – 寄生的优化 – 可靠性
引言
• 芯片加工：从版图到裸片
制
加
版
工
是一种多层平面“印刷”和 叠加过程，但中间是否会 带来误差？
引言
一个版图的例子：
习）
VDD
15k
OUT IN 80/0.8
又试问NMOS晶体管的漏极面积和周长是多 少？
设计规则的运用
• TASK3：设计一个简单开关电容电路 （练习）
f1 IN
30/0.6 X
f2 OUT
60/0.6 2pF 6/0.6 12/0.6
又试问X点的寄生电容如何计算？
化工工艺设计原则和PID介绍
化工工艺设计--总图的布置原则 一、装置布置设计必须采取三重安全措施 首先预防一次危险引起的次生危险， 其次是一旦发生危险， 则尽可能限制其危害程度和范围， 第三次是次生危险发生以后，能为及时抢救和安全疏散提供方便条件。 二、装置布置设计应满足工艺设计的要求 （1）满足生产和运输的要求： （2）满足安全和卫生要求： （3）满足有关的标准和规范： 三、装置布置设计应满足操作、检修和施工的要求 1、可操作和管理。 2、一个装置能够长期运转，需要对设备仪表和管道进行经常性的维护和 检修。 3、可施工。 4、在装置布置设计时应将上述操作、检修、施工所需要的通道、场地、 空间结合起来综合考虑。在竖向布置和管线布置的要求： （1）竖向布置主要满足生产工艺布置和运输，装卸对高程的要求。 （2）管线布置，工程技术管网的布置及敷设方式等的合理对生产过程中的动力消耗以及投 资具有重要意义。 四、装置布置设计应满足全厂总体规划的要求，考虑工厂发展，留有余地。 五、装置布置设计应适应所在地区的自然条件 1、结合所在地区的气温、降雨量、风沙等气候条件和生产过程特点以及某些设备的特殊要 求。 2、结合所在地区的地形特点。 3、装置布置设计应结合地质条件。 4、装置布置设计考虑风向的影响，主要为了尽可能避免因风向而引起的火灾和尽量减少因 风向而造成的污染。 六、装置布置设计应力求经济合理 1 、节约占地减少能耗 2、经济合理的典型布置 七、装置布置设计应满足用户要求 八、装置布置设计应注意外观美和绿化环境 绿化，美化环境，可减少粉尘等危害，应与平面布置一起设计。 PID 介绍 管道和仪表流程图又称为 P&ID， PIPING AND INSTRUMENTATION DIAGRAM 的缩写。 是 P&ID 的设计是在 PFD 的基础上完成的。 它是化工厂的工程设计中从工艺流程到工程施工设 计的重要工序，是工厂安装设计的依据。 化工工程的设计，从工艺包、基础设计到详细设计中的大部分阶段，P&ID 都是化工工艺及 工艺系统专业的设计中心，其他专业（设备、机泵、仪表、电气、管道、土建、安全等）都 在为实现 P&ID 里的设计要求而工作。 广义的 P&ID 可分为工艺管道和仪表流程图（即通常意义的 P&ID）和公用工程管道和仪表 流程图（即 UID）两大类。 由于 P&ID 的设计千变万化，对同一工艺流程的装置，也可以因为外界因素的影响（如用户 要求、地理环境的差异、以及操作人员的经验不同等） ，需要在设计 P&ID 时作出相应对策，
第二讲集成电路版图设计规则
（第二讲）一. 集成电路设计基础1.4 版图设计规则 Design Rule李福乐 清华大学微电子所上一讲主要内容• 课程介绍 • 集成电路设计背景知识 • 硅栅CMOS集成电路版图流程 • CMOS工艺中集成元件的版图、结构和电特性版图设计规则Design Rule• 引言 • 设计规则(Topological Design Rule)– 上华0.6um DPDM CMOS工艺拓扑设计规则 – 设计规则的运用• 版图设计准则(‘Rule’ for performance)– 匹配 – 抗干扰 – 寄生的优化 – 可靠性引言• 芯片加工：从版图到裸片制加版工是一种多层平面“印刷”和 叠加过程，但中间是否会 带来误差？引言一个版图的例子：引言加工后得到的实际芯片版图例子：1引言• 加工过程中的非理想因素– 制版光刻的分辨率问题 – 多层版的套准问题 – 表面不平整问题 – 流水中的扩散和刻蚀问题 – 梯度效应引言• 解决办法– 厂家提供的设计规则(topological design rule)，确保完成设计功能和一定的芯片成 品率，除个别情况外，设计者必须遵循– 设计者的设计准则(‘rule’ for performance)，用以提高电路的某些性 能，如匹配，抗干扰，速度等设计规则(topological design rule)基本定义(Definition) WidthEnclosure设计规则ExtensionExtensionSpace SpaceOverlap1.请记住这些名称的定义 2.后面所介绍的 layout rules 必须熟记，在画layout 时须遵守这些规则。
上华0.6um DPDM CMOS工艺拓扑 设计规则版图的层定义N-well P+ implantpoly1contactvia High Resistoractive N+ implantpoly2 metal1metal2设计规则 Nwell符号 尺寸含义1.a 3.0 阱的最小宽度1.b 4.8 不同电位阱的阱间距1.c 1.5 相同电位阱的阱间距P+ Active gb P+ fe N+ ActiveN+ c da2设计规则 Nwell符号 尺寸含义1.d 0.4 阱对其中N+有源区最小覆盖1.e 1.8 阱外N+有源区距阱最小间距1.f 1.8 阱对其中P+有源区最小覆盖1.g 0.4 阱外P+有源区距阱最小间距P+ Active gb P+ fe N+ ActiveN+ c da设计规则 active符号 尺寸含义2.a 0.6 用于互连的有源区最小宽度2.b 0.75 最小沟道宽度2.c 1.2 有源区最小间距aN+ c.4b P+P+ c.2ac.3 N+c.1 N+b设计规则 poly1可做MOS晶体管栅极、 导线、poly-poly电容的 下极板符号 尺寸含义4.a 0.6 用于互连的poly1最小宽度4.b 0.75 Poly1最小间距4.c 0.6 最小NMOS沟道长度4.d 0.6 最小PMOS沟道长度eeN+fbgcP+fbgadb设计规则 poly1可做MOS晶体管栅极、 导线、poly-poly电容的 下极板符号 尺寸含义4.e 0.6 硅栅最小出头量4.f 0.5 硅栅与有源区最小内间距4.g 0.3 场区poly1与有源区最小内 间距eeN+fbgcP+fbgadb设计规则 High Resistor在Poly2上定义高阻区符号 尺寸含义5.a 2.0 高阻最小宽度5.b 1.0 高阻最小间距5.c 1.0 高阻对poly2的最小覆盖5.d 1.0 高阻与poly2的间距d/f ce ha bf设计规则 High Resistor其上禁止布线 高阻层定义电阻长度 Poly2定义电阻宽度d/f c符 尺寸 号含义5.e 0.6 高阻与poly2电阻接触孔间距5.f 0.8 高阻与低阻poly2电阻的间距5.g 0.5 高阻与有源区的间距5.h 1.0 高阻与poly1电阻的间距a behf3设计规则 poly2可做多晶连线、多晶 电阻和poly-poly电容 的上极板符号 6.a 6.b 6.c6.d 6.e 6.f 6.g尺寸 1.2 1.0 0.5 3.2 1.5 0.8 -含义 poly2做电容时的最小宽度 poly2做电容时的最小间距 Poly2与有源区的最小间距 做关键电容时的间距 电容底板对顶板的最小覆盖 电容Poly2对接触孔最小覆盖 Poly2不能在有源区上 Poly2不能跨过poly1边沿c j ibdea设计规则 poly2可做多晶连线、多晶 电阻和poly-poly电容 的上极板符号 6.h 6.i 6.j 6.k 6.l 6.m尺寸含义0.8 poly2做导线时的最小宽度1.0 poly2做电阻时的最小间距1.0 Poly2电阻之间的最小间距- Poly2不能用做栅0.5 电阻Poly2对接触孔最小覆盖- 除做电容外，Poly2不能与 poly1重叠c j ibdea设计规则 implantb a符号 尺寸含义8.a 0.9 注入区最小宽度8.b 0.9 同型注入区最小间距8.c 0.6 注入区对有源区最小包围8.d 0.6 注入区与有源区最小间距Hc d N+Ef设计规则 implant符号 尺寸含义8.E 0.75 N+(P+)注入区与P+(N+)栅 间距8.f 0.75 N+(P+)注入区与N+(P+)栅 间距8.H 0 注入区对有源区最小覆盖 （定义butting contact）Hb ac d N+Ef设计规则 contact定义为金属1与扩散 区、多晶1、多晶2 的所有连接！符号 尺寸含义10.a .6*.6 接触孔最小面积10.a.1 .6*1.6 N+/P+ butting contact面积10.b 0.7 接触孔间距dgcafaba.1 ec.3g设计规则 contact符号 尺寸含义10.c 0.4 有源区,(d, e)Poly1, Poly2对最小孔最小覆盖10.c.3 0.8 有源区对butting contact最小覆盖10.f 0.6 漏源区接触孔与栅最小间距10.g 0.6 Poly1,2上孔与有源区最小间距dgcafaba.1 ec.3g4设计规则 metal1符号 尺寸含义11.a 0.9 金属1最小宽度11.b 0.8 金属1最小间距11.c.1 0.3 金属1对最小接触孔的最小覆盖11.c.2 0.6 金属1对butting contact的最小覆盖- 1.5mA 最大电流密度/um-- 禁止并行金属线90度拐角，用135度拐角代替ac.2bc.1 c.2设计规则 via定义为两层金属之 间的连接孔符号 尺寸含义12.a .7*.7 过孔最小面积12.b 0.8 过孔间距12.d~f - 接触孔、poly-poly电容和栅 上不能打过孔12.g 0.4 金属1对过孔的最小覆盖12.h 0.5 过孔与接触孔的最小间距建议 12.k0.5 Poly与有源区对过孔的最小 间距或覆盖1.5mA 单个过孔的最大电流agbhh设计规则 metal2可用于电源线、地 线、总线、时钟线 及各种低阻连接符号 尺寸含义13.a 0.9 金属2最小宽度13.b(e) 0.8 金属2最小间距13.c 0.4 金属2对过孔的最小覆盖13.d 1.5 宽金属2与金属2的最小间距13.f - 禁止并行金属线90度拐角，用 135度拐角代替13.h 1.5mA 最大电流密度 /umac be dd Width>10um设计规则 power supply line由于应力释放原符号 尺寸含义则，在大晶片上会17.a 20.0 金属2最小宽度存在与大宽度金属17.b 300.0 金属2最小长度总线相关的可靠性 问题。
工艺设计的原则和工艺计算培训教材(PPT 35页)
2019/4/12
施工图设计分资料图和成品图两个步骤，每个 车间分别进行设计。工艺专业根据初步设计的 各车间工艺布置图和审批修改意见，绘制出工 艺施工资料图，供各配合专业设计之用，待各 专业设计后，进行查对、修改和补充，绘制成 成品图。
施工图包括工艺布置图(平面图、剖面图)、局
部放大图、非标准件图等。施工图和施工图
其它专业配合设计
2019/4/12
施工图
16/30
全厂生产车间总平面轮廓图(方块图)，主要表示 各车间的相互位置，是总图专业进行工厂总平面 布置图设计的主要依据。
各车间工艺布置图，表示车间的主要平、剖面， 供土建、通风除尘等公用专业配合设计之用。
全厂生产车间平、剖面图，表示全厂生产工艺流 程，主要设备和辅助设备台数和定位尺寸，厂房 楼层、地面标高和检修设施等。是初步设计的图 纸部分，它和设备表、说明书和概算一起组成初 步设计的文件。
第十章 工艺设计的原则和工艺计算
工艺设计是整个工厂设计的重要环节， 是最关键的部分。
工艺设计就是从具体的工艺技术上，生
产设备的配置上，车间劳动力和车间的组 织上来保证工艺正常、稳定生产，保证产 品在质量和数量上全面完成生产计划。为 此必须要了解各制品的生产工艺流程。
2019/4/12 1
MgO-C砖生产 工艺流程
预算是组成施工图设计的文件，是作为工艺设 备安装和控制建设投资额的依据。
2019/4/12 18/30
第二节
一、物料平衡
物料平衡计算
目的：计算各种原料、燃料、材料的需要量以及从 原料进厂至成品出厂各工序所需加工处理的物料量。 物料平衡计算结果作为确定工厂原料需要量、运输 量、工艺设备选型、计算各种仓库的容量和物料平 衡系数的依据。 物料平衡计算是根据生产工艺参数和各车间的工作 制度进行的。生产工艺参数指的是产品产量和品种、 工艺流程、制品的配合比和泥料水分、燃料的种类、 发热值和消耗量等。车间工作制度包括生产年制度 (连续或不连续工作日)，生产班制度(指每日的生产 班数和每班的生产小时数)。
CMOS两级运放设计解读
I I I SR min{ DS5 , DS7
DS 5}
CC
CL
为了测量转换速率，将运算放大器输出端与反相输入端相连，如下图所示，
7 有一部分电流 DS5 要留
C I I C 过 ，所以只有
的电流经过 。这样一来，对于正的输入阶跃，
C
DS 7
DS 5
L
M M I I C 4 的漏端电压会下降， 也会减少流经
6 的电流。 电流 DS 7
DS5 对 L 充
电，导致一个正的电压梯度，斜率为
SRext
I I DS7
DS 5
CL
所以总的 SR 是这两个中的最小值 SR min{ SRint , SRext} , 得到
2.1 电路图
2 电路分析
2.2 电路原理分析
两级运算放大器的电路结构如图 1.1 所示，偏置电路由理想电流源和 M8 组成。 M8 将电流源提供的电流转换为电压， M8 和 M5 组成电流镜， M5 将电压信号转 换为电流信号。输入级放大电路由 M1～ M5 组成。 M1 和 M2 组成 PMOS 差 分输入对，差分输入与单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰； M3 、M4 电 流镜为有源负载，将差模电流恢复为差模电压。 ； M5 为第一级提供恒定偏置电 流，流过 M1 ，2 的电流与流过 M3,4 的电流 I d1,2 I d 3,4 I d5 / 2 。输出级放大电路 由 M6 、M7 组成。 M6 将差分电压信号转换为电流，而 M7 再将此电流信号转 换为电压输出。 M6 为共源放大器， M7 为其提供恒定偏置电流同时作为第二级 输出负载。相位补偿电路由 Cc 构成，构成密勒补偿。
ds5
。如果
C
7 提供足够的电流给
华润上华工艺原理图仿真 集成电路工艺
实验教程一、反相器原理图的输入与仿真实验目的：利用华润上华0.5um工艺库做反相器原理图的仿真练习。
声明：在阅读过程中如果觉得跨度较大的话，请参考第5章的用gpdk180工艺库做反相器的仿真教程部分的内容（更详细）.1、新建一个名为inv3的库。
将新建inv3库加载在st02工艺库上，如下图所示操作。
st02工艺库的导入与gpdk180工艺库导入完全一样。
（请参考gpdk180工艺库的导入教程）。
2、新建一个名为inv3的原理图类型的cellview放在inv3库中。
如图所示。
3、如果操作顺利的话，就进去Virtuoso Schematic视图界面了，如图所示。
4、在Virtuoso Schematic编辑器中添加反相器所需的元件，如图所示。
5、在弹出的窗口中选择元件所在的Library，点击"Browse"按钮。
选择st02工艺库，在cell单元视图中找到nMOS管，这里的nMOS为"mn"，如图所示。
在st02库中找见nmos管后，在view中选择symbol，就可以往编辑器视图中放置元件了，如图所示。
6、用同样的方法在st02工艺库找到pMOS管，这里的pMOS为"mp"，如图所示。
7、修改元件的属性，将pMOS器件的几何尺寸修改为如图所示的大小。
8、修改元件的属性，将nMOS器件的几何尺寸修改为如图所示的大小。
9、放置电源地和电源，一般在系统自带的元件库analogLib中，如图所示。
10、现在我们可以为这个电路指定输入输出引脚。
具体操作见下图。
11、增加输入输出引脚会弹出下面的画面窗口，在窗口中要输入引脚的名字以及设置引脚的输入输出方向。
是否给网络标号(Attach Net Expression)（先不给网络标号）。
先指定输入引脚吧，命名为“Vin”，方向输入，如图所示。
12、接着开始设置输出引脚，操作如图所示。
13、这是设置好后的画面，如图所示。
化工设备的工艺设计
生产计划控制概述培训资料1. 介绍生产计划控制是指企业为实现生产目标，制定合理的生产计划，并通过有效的控制措施，确保生产计划的顺利执行。
本培训资料将介绍生产计划控制的基本概念、原则及重要性。
2. 生产计划控制的基本概念2.1 生产计划生产计划是指为了实现生产目标，根据市场需求、资源情况等因素，合理安排和组织生产活动的计划。
生产计划包括生产的时间安排、产量安排、资源需求等内容。
2.2 控制控制是指通过采取控制措施，使生产计划按照预定的要求进行执行，达到预期的生产目标。
控制包括监控生产进度、调整生产方案、优化资源配置等。
3. 生产计划控制的原则3.1 合理性原则生产计划控制要保证生产计划的合理性，即根据市场需求和资源情况制定出合理的生产计划，确保生产能力得到最大程度的发挥。
3.2 灵活性原则生产计划控制要具备一定的灵活性，能够根据市场的变化和生产情况的变化，及时调整生产计划，以保证生产目标的实现。
3.3 统一性原则生产计划控制要求各部门协作，形成统一的生产计划和控制措施，确保整个生产过程的协调和顺利执行。
3.4 高效性原则生产计划控制要高效，即通过优化资源配置、精细化管理等措施，提高生产效率，降低生产成本。
4. 生产计划控制的重要性4.1 提高生产效率通过生产计划控制，企业能够合理安排生产活动，优化资源配置，提高生产效率，实现生产目标。
4.2 降低生产成本生产计划控制可以避免生产过程中的浪费，减少资源的浪费，降低生产成本，提高企业的竞争力。
4.3 提高产品质量通过生产计划控制，企业能够对生产过程进行监控，及时发现和纠正问题，提高产品质量，满足市场需求。
4.4 提高客户满意度通过生产计划控制，企业能够按时交付产品，提高客户满意度，增强客户的信任和忠诚度。
5. 生产计划控制的实施步骤5.1 制定生产计划根据市场需求、资源情况等因素，制定合理的生产计划，明确生产时间、数量和资源需求等内容。
5.2 监控生产进度通过对生产过程进行监控，及时了解生产进度，发现并解决问题，确保生产计划的顺利执行。
最完整的全差分运算放大器设计
I DC =
PStatic 15mw = ≈ 3mA Vdd − Vss 5.0V − 0V
（2）
我们将该电流分配到电路的不同的地方去。 例如， 100µA 给偏置电路， 2900µA 给两级放大电路。 这里完全是根据设计人员的经验来确定，有可能电流的分配并不能使整个电路达到全局最优。 4. 等效输入噪声 ≤ 20 nV/ HZ (thermal noise)
Hz
Vb1
M11
M13
M12
Vin+
M1
M2
Vin-
Vo+
Vo-
M3
Vb2
M4
CL
CC RC
RC CC
CL
M5
Vb3
M6
M9
M7Biblioteka VcmfbM8M10
图 1 共源共栅两级运算放大器
1
《通信系统混合信号 VLSI 设计》课程设计报告
2003 年 12 月 31 日
作者: 唐长文, 菅洪彦
运 算 放大 器的的 结构主要 有 三种 : (a) 简单两级运 放， two-stage ； (b) 折叠 共源 共栅， folded-cascode; (c)共源共栅，telescopic。该运算放大器的设计指标要求差分输出摆幅为 ± 4V， 即输出端的所有 NMOS 管的 VDSAT , N 之和小于 0.5V， 输出端的所有 PMOS 管的 VDSAT , P 之和也必须 小于 0.5V。对于单级的折叠共源共栅和直接共源共栅两种结构，都比较难达到该要求，因此我 们采用两级运算放大器结构。另外，简单的两级运放的直流增益比较小，因此我们采用共源共 栅的输入级结构。考虑到折叠共源共栅输入级结构的功耗比较大，故我们选择直接共源共栅的 输入级，共源的输出级的结构，如图 1 所示。两级运算放大器设计必须保证运放的稳定性，这 里 Miller 补偿或者 Cascode 补偿技术用来进行零极点补偿。 三、性能指标分析 1. 差分直流增益 Adm>80dB 该运算放大器存在两级： （1） 、 Cascode 级增大直流增益（ M1 － M8 ） ； （ 2） 、共源放大器 (M9-M12) g m1 g m 3 g m 5 , A1 = −Gm1 Ro1 = − g m1 ( g m 3 ro1ro 3 // g m 5 ro 5 ro 7 ) = − 第一级增益 g m 5 g o1 g o 3 + g m 3 g o 5 g o 7 第二级增益
华润上华推出高性价比0.25微米Scalable BCD工艺平台
华润上华推出高性价比0.25 微米Scalable BCD 工艺平台华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司宣布已完成0.25 微米Scalable BCD 工艺平台开发，其更低成本和更高的可移植性可满足客户多样化的产品设计需求，进一步提高了华润上华BCD 系列工艺平台的技术优势。
华润上华的0.25 微米Scalable BCD 工艺平台为0.5 微米前段制程与0.25 微米后段制程，由之前0.25 微米24V BCD 工艺平台延伸而来，核心器件工作电压为5V，提供DMOS 工作电压为12V 至45V 的高压器件与功率器件，其击穿电压由20V 延伸到80V。
该工艺广泛应用于DC-DC 电源转换、LED 照明驱动及LED 背光驱动IC。
该工艺后段采用铝制程，最多可支持5 层铝连线，具有低Rdson 的优秀性能表现，提供多种优化的器件结构，以帮助客户提升成本效益的设计优势。
与华润上华的0.25 微米24V BCD 工艺相比，0.25 微米Scalable BCD 工艺平可以将芯片DMOS 工作电压延伸更高至45V。
同时该工艺能提供多段式电压的选择，可藉由调整设计而不额外增加光罩层数，具有低成本、高可移植性的优势，能够满足多样化的产品设计需求。
与此同时，华润上华0.25 微米Scalable BCD 工艺平台可提供经验丰富的ESD 解决方案与ESD 设计支持，设计支持部分可提供完整的PDK 与优化的设计流程，以满足客户芯片设计的需求。
关于华润微电子有限公司华润微电子有限公司(以下简称华润微电子)是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的高科技企业，亦是中国本土规模和影响力最大的综合性微电子企业之一，连续7 年被国家工业和信息化部评为中国电子信息百强企业之一。
公司以振兴民族微电子产业为己任，矢志成为中国本土最具竞争。
华润上华第二代200V SOI工艺实现量产
华润上华第二代200V SOI 工艺实现量产华润微电子有限公司(华润微电子)附属公司华润上华科技有限公司(华润上华)近日宣布，继2010 年首颗200V SOI CDMOS 产品量产后，日前更高性价比的第二代SOI 工艺实现量产。
该工艺是一种集成多种半导体器件的集成电路制造技术，由华润上华在2010 年实现量产的一代工艺基础上作了工艺升级，达到更高的性价比，这在国内尚属首家。
第二代工艺的推出显示了华润上华已经全面掌握了SOI 工艺技术，具备了根据市场需求持续开发具有自主知识产权的SOI 工艺技术能力。
华润上华的这项技术填补了国内技术空白，并已成功打入国际市场，为三星、长虹等国内外著名PDP 电视厂家提供芯片。
200V SOI CDMOS 第一代工艺技术依托华润上华现有的低压CMOS 工艺平台，结合深槽刻蚀技术及SOI 介质隔离技术，开发了200V NLDMOS 以及200V PLDMOS 以及200V 高压特种器件NLIGBT，实现了芯片高电压大电流驱动能力。
该工艺所采用的深槽刻蚀、填充方法与传统的CMOS 工艺生产线基本兼容，开发成本低，不需要增加专用的深槽填充与平坦化设备，能较好地实现器件之间的隔离，是实现高压器件工艺与普通低压CMOS 工艺相兼容的关键技术之一。
二代工艺与一代工艺一样，集成了多种MOS 器件，包括：低压5V 标准CMOS、200V 高压NLDMOS、200V 高压PLDMOS、200V 高压IGBT 及作为ESD 保护器件200V 高压二极管。
与一代工艺相比，二代工艺采用0.5μm 后段并对关键器件做了优化调整，达到了更高的性价比。
在研发过程中，该技术已累计申请涉及SOI 的器件、结构、工艺、制造、测试验证等多个方面的发明专利105 项。
华润上华的200V SOI CDMOS 工艺可满足国内设计公司对高压、高功率产品的开发需求，同时也可满足客户对高压电源驱动管理LED 和PDP 驱动及。
L-Edit与layout
Metal1：金属1
Contact：接触孔
版图的层次定义
PMOS 版图层次（ CMOS P衬N阱工艺）
Active：有源区 P select：P+注入 Poly：栅 Metal1：金属1
Contact：接触孔
N-Well：n阱
版图的设计
■用到的设计规则 L-Edit自带的DRC设计规则
版图的设计
版图的设计
信号连线对称的图例
■
N管的周围应该加吸收少子电子的N型保护环（ntap），ntap环接 vdd；P管的周围应该加吸收少子空穴的P型保护环（ptap），ptap 环接gnd。双环对少子的吸收效果比单环好。 下图是一个N管保护环的例子。
nmos管
N阱
ptap保 护 环， 提供 衬 底 电 位 ntap保 护 环
■
在处理匹配性要求高的对管（如差分输入对管）时，采 用交叉对称的结构比较好 。下图为晶体管交叉对称 。
一般性注意事项
■ ■
■
■ ■ ■
Grid网格的大小不宜随意改动 。 引线孔千万不要叠在一起，应该并排放在一起 ，影响成 品率 。 走线相接触的地方，最好是overlap一下，以保证良好接 触 。 不要处处要求最小尺寸，应该略有冗余。 引脚的命名需要规范化，尽量都用英文字母 。 走线尽量多用M3、M4（电流承受能力强，电阻率小）。
CMOS管的宽长比定义
MOS W(um) L(um)
P1
N1
14
6
2
2
版图的设计规则
目的：使芯片尺寸在尽可能小的前提下，避免线条宽度的 偏差和不同层版套准偏差可能带来的问题，尽可能地提高 电路制备的成品率。 定义：考虑器件在正常工作的条件下，根据实际工艺水平 (包括光刻特性、刻蚀能力、对准容差等)和成品率要求， 给出的一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制， 主要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则， 分别给出它们的最小值，以防止掩膜图形的断裂、连接和 一些不良物理效应的出现。
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上华工艺0.5um CMOS Twin well double poly double metal 5V/18V embedded high voltage technology.
版图设置：be digitized on 0.05 micron grid.
以下数据为低压器件数据，单位为微米。
N阱（TB）：
1. 最小宽度
2.5；
2. 不同电势N阱最小间距4.0；
3. 相同电势N阱最小间距1.25（或0）。
有源区（TO）：
1. 最小宽度0.6 ；
2. 同类型（或不同类型）有源区最小间距0.9（或1.0）；
3. N阱与N阱里的（用于N阱接触的）N+有源区的最小包围0.3；
4. N阱与N阱外的N+有源区的最小间距1.5；
5. N阱与N阱里的P+有源区的最小包围2.4；
6. N阱与N阱外的（用于P阱接触的）P+有源区的最小间距0.3；
7. N阱里的P+有源区与P阱里的N+有源区的最小间距3.9；
多晶硅1（GT）
1. （用于MOS管的沟道长度）最小宽度0.6
2. （用于互连）最小宽度0.5；
3. 最小间距0.6；
4. 作为栅极的多晶硅的最小延伸0.5；；
5. 与栅极多晶硅相关的有源区的最小延伸0.6；
6. 作为电容下极板的多晶硅与有源区的最小间距0.65。
7. 位于场氧区的多晶硅与有源区的最小间距0.25；
N注入（SN）
1. N注入与有源区的最小包围0.3；
2. 最小宽度0.8；
3. 最小间距0.8；
4. N注入与有源区的最小间距0.6；
5. N注入与多晶硅栅极的最小间距0.6；
P注入（SP）
1. P注入与有源区的最小包围0.3；
2. 最小宽度0.8；
3. 最小间距0.8；
4. P注入与有源区的最小间距0.6；
5. P注入与多晶硅栅极的最小间距0.6；
高阻（IM）
1. 最小宽度10；
2. 最小间距1；
3. 高阻对多晶硅2的最小包围4；
4. 高阻与多晶硅2的接触孔的最小间距0.6；
5. 高阻与（低阻）多晶硅2电容的最小间距0.8；
6. 高阻与有源区的最小间距2.0；
多晶硅2（PC）
1. （用于电容）最小宽度1.9；
2. （用于电容）最小间距0.9；
3. （用于电容）在多晶硅2下的多晶硅1的最小延伸1.4；
4. （用于电容）多晶硅2与接触孔的最小包围0.7；
5. （用于电容）多晶硅2 与位于多晶硅1上的接触孔的最小间距1.5；
6. （用于电阻）最小宽度2.0；
7. （用于电阻）最小间距2.0；
8. （用于电阻）多晶硅2与有源区的最小间距2.0；
9. （用于电阻）多晶硅2与多晶硅1的最小间距2.0；
10. （用于电阻）多晶硅2与接触孔的最小包围0.4；
接触孔1（W1）
1. 接触孔与有源区内的多晶硅1（栅极）的最小间距0.4
2. 位于场区的多晶硅1上的接触孔（通常为栅电极引出）与有源区的最小间距0.5；
3. 有源区对接触孔的最小包围0.35；（自动满足）
4. 多晶硅1对接触孔的最小包围0.35；（自动满足）
5. N+（P+）对接触孔的最小包围0.35；
6. （用于阱接触）N+（P+）对接触孔的最小包围0.35；
7. 禁止在（有源区内的）栅极上布置接触孔；
8. 最大和最小宽度0.5；（自动满足）
9. 最小间距0.5；
金属1（A1）
1. 最小宽度0.6；
2. 最小间距0.6；
3. （若金属线宽大于10um）最小间距1.0；
4. 金属1对接触孔的最小包围0.3；
5. 金属1的布线密度30%~50%；
6. 金属1的电流密度0.8mA/um;
金属2（A2）
1. 金属2对过孔的最小包围0.3；
2. 最小宽度0.7；
3. 最小间距0.7；
4. （若金属线宽大于10um）最小间距1.0；
5. （若金属线宽大于10um）金属2对过孔的最小包围0.8；
6. 金属2的布线密度30%~50%；
7. 金属1的电流密度0.8mA/um;
过孔（W2）金属1与金属2的接触孔
1. 最小宽度0.6；
2. 最小间距0.6；
3. 金属对过孔的最小包围：0.3（金属线宽<10um）0.5（金属线宽>10um）。