2016年人教版高考物理模拟考试题附答案

物理试题

本试卷分第I卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分，第I卷l至3页，第Ⅱ卷4至6页．共100分。

第I卷(选择题共40分)

本卷共8小题，每小题5分，共40分。

一、选择题：本题共8小题，每小题6分，在每小题给出的四个选项中，第1~5题只有一项符合题目要求。第6~8题有多项符合题目要求．全部选对的得6分。选对但不全的得3分．有选错的得0分．

1．2015年12月29日．“高分4号”对地观测卫星升空。这是中国“高分”专项首颗高轨道高分辨率、设计使用寿命最长的光学遥感卫星，也是目前世界上空间分辨率最高、幅宽最大的地球同步轨道遥感卫星。下列关于“高分4号”地球同步卫星的说法中正确的是

A．该卫星定点在北京上空

B．该卫星定点在赤道上空

C．它的高度和速度是一定的，但周期可以是地球自转周期的整数倍

D．它的周期和地球自转周期相同，但高度和速度可以选择，高度增大，速度减小

2．线圈ab、cd绕在同一软铁芯上，如图甲所示，在ab线圈中通以如图乙所示的电流(电流从a流入为正)，已知线圈内部的磁场与流经线圈的电流成正比，则下列描述线圈以中感应电动势U cd随时间变化关系的图中，正确的是

3.如图所示，边长为L的金属框abcd放置在匀强磁场中，磁感应强度

大小为B，方向平行于ab边向上，当金属框绕ab边以角速度 逆时针

转动时，a 、b 、c 、d 四点的电势分别为a b c d ϕϕϕϕ、、、．下列判断正确的是 A ．金属框中无电流，a d ϕϕ=

B ．金属框中电流方向沿a-d-c-b-a ，a d ϕϕ<

C ．金属框中无电流，212

bc U BL ω=-

D ．金属框中无电流，2

bc U BL ω=-

4．如图所示，在x 轴上方存在垂直于纸面向里的匀强磁场，磁感应强度为B ．原点O 处存在一粒子源，能同时发射大量质量为m 、电荷量为q 的带正电粒子(重力不计)，速度方向均在xOy 平面内，与x 轴正方向的夹角θ在0～180°范围内．则下列说法正确的是

A ．发射速度大小相同的粒子，θ越大的粒子在磁场中运动的时间越短

B ．发射速度大小相同的粒子，θ越大的粒子离开磁场时的位置距O 点越远

C ．发射角度θ相同的粒子，速度越大的粒子在磁场中运动的时间越短

D ．发射角度θ相同的粒子，速度越大的粒子在磁场中运动的角速度越大

5．如图所示，竖直放置在水平面上的圆筒，从圆筒上边缘等高处同一位置分别紧贴内壁和外壁以相同速率向相反方向水平发射两个相同小球，直至小球落地，不计空气阻力和所有摩擦，以下说法正确的是 A ．筒外的小球先落地

B ．两小球的落地速度可能相同

C ．两小球通过的路程不一定相等

D ．筒内小球随着速率的增大。对筒壁的压力逐渐增加

6．一电子在电场中仅受静电力作用，从A 到B 做初速度为零的直线运动，其电势能E p 随距A 点的距离x 的关系如图所示，以下说法正确的是

A ．该电子的动能逐渐增大

B ．该电场可能是匀强电场．

C ．A 点电势高于B 点电势

D ．该电子运动的加速度逐渐减小

7．一个质点在外力作用下做直线运动，其速度v 随时间t 变化的图象如图所示．用F 表示质点所受的合外力，x 表示质点的位移，以下四个选项中可能正确的是

8．17世纪，伽利略就通过实验分析指出：在水平面上运动的物体若没有摩擦，将保持这个速度一直运动下去，从而得出力是改变物体运动的原因，这是采用了实验和逻辑推理相结合的方法．在物理学的重大发现中科学家们创造出了许多物理学研究方法，下列关于物理学研究方法的叙述正确的是A．卡文迪许扭秤实验应用了微元的思想方法

B．

F

E

q

=运用了比值定义的方法

C．速度

x

v

t

∆

=

V

，当△t非常小时可表示t时刻的瞬时速度，应用了极限思想方法

D．在探究加速度、力和质量三者之间关系的实验中，应用了控制变量法

第Ⅱ卷(非选择题共60分)

9．(6分)

某同学利用打点计时器做实验时，发现实验数据误差很大，怀疑电源的频率不是50Hz，采用如图甲所示的实验装置来测量电源的频率．已知砝码及砝码盘的质量为m=0.1kg，小车的质量为M=0.4kg，不计摩擦阻力，g取10m／s2．图乙为某次记录小车运动情况的纸带，图中A、B、C、D、E为相邻的计数点，已知相邻的计数点之间还有三个点未画出．

(1)小车的加速度大小为_____m／s2；

(2)根据纸带上所给出的数据，可求出电源的频率为_____Hz；

(3)打纸带上C点时小车的瞬时速度大小为_________m／s．

10．(9分)

C·S史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现，当受到应力作用时电阻率发生变化．这种由于外力的作用而使材料电阻率发生变化的现象称为“压阻效应”．压阻效应被用来制成各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器，把力学量转换成电信号，半导体压阻传感器已经广泛地应用于航空、化工、航海、动力和医疗等部门．某兴趣小组在研究某长薄板电阻R x的压阻效应时，找到了下列器材(已知R x的阻值变化范围大约为几欧到几十欧)：

A．电源E(3V，内阻约为1Ω)

B．电流表A1(0.6A，内阻

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r=Ω)

C．电流表A2(0.6A，内阻r2约为1Ω)

D．开关S，定值电阻R0

(1)为了比较准确地测量电阻R x的阻值，请根据所给器材画出合理的实物连接图(部分导线已画出，电表A1、A2已标出)；

(2)在电阻R x上加一个竖直向下的力F时，闭合开关S，A1的示数为I1，A2的示数为I2，则R x=______(用字母表示)；(3)R x与压力F的关系如图l所示，某次测量时电表A1、A2的示数分别如图2、图3所示，则这时加在薄板电阻R x上的压力为_______N．