场效应管参数大全
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解场效应管的参数对于正确选用和应用场效应管非常重要。
下面是一些常用的场效应管参数的介绍：1.电荷参数：- 输入电容（Ciss）：指在恒定的源极电压下，栅源电压从0V变化到开启电压时，输入的电荷。
一般情况下，输入电容越小，开关速度越快。
- 输出电容（Coss）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压从0V变化到开启电压时，可以作用在漏极电容上的输出电荷。
输出电容越小，开关性能越好。
2.静态电流参数：-偏置电流（IDSS）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压为零时，漏极的电流。
偏置电流越大，MOSFET的放大能力越强。
- 截止电流（ID(off)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极开路时，导通电流的下限。
3.动态电流参数：- 开关时间（ton和toff）：指从栅源电压达到开启电压到漏源电压达到截止电压的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
- 开关过渡时间（tr和tf）：指从栅源电压从10%到90%或90%到10%的转换时间。
开关过渡时间越短，场效应管的切换速度越快。
4.饱和区电流参数：- 饱和漏源电流（ID(on)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极电压达到饱和时，漏极的电流。
- 饱和压降（VDSat）：指在饱和状态下，漏极电压和源极电压之间的电压降。
5.开关特性参数：- 截止电压（VGS(off)）：指在恒定的源极电压下，栅源电压为零时，漏源电压的电压降。
- 开启电压（VGS(th)）：指在恒定的源极电压下，漏源电压达到截止电压时的栅源电压。
6.热特性参数：-热阻（θJA）：指导热回路中的芯片与环境之间的热阻，表示芯片散热的能力。
- 最大结温（TJmax）：指芯片能够承受的最高结温。
超过最大结温可能会损坏场效应管。
以上是一些常用的场效应管参数的介绍。
了解这些参数可以帮助我们选择和应用场效应管。
在实际应用中，我们通常根据具体的需求和电路要求来选择合适的场效应管，以保证电路性能的稳定和高效。
用场效应管参数大全
用场效应管参数大全场效应管是一种常用的半导体器件，也被称为FET（Field Effect Transistor）。
它是由三个电极组成的，分别是栅极、漏极和源极。
场效应管的工作原理是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流。
以下是场效应管的一些重要参数的详细介绍：1. 负极限电压（VDSmax）：它是场效应管允许的最大漏极与源极之间的电压。
超过此电压会使管子损坏。
2. 正极限电压（VGSmax）：它表示了场效应管允许的最大栅极与源极之间的电压。
超过此电压会引起栅极结击穿。
3. 最大漏极电流（IDmax）：它是场效应管允许的最大漏极电流。
超过此电流会使管子损坏。
4.静态工作点（Q点）：它是场效应管的直流偏置点，通常用IDQ和VGSQ来表示。
正确的偏置点有助于管子的稳定工作。
5. 漏极饱和电压（VDSsat）：它是在饱和状态下，漏极电压与源极电压之间的最小差值。
当漏极电压小于这个值时，管子进入饱和状态。
6. 开启电压（Vth）：它是栅极电压与源极电压之间的最小差值，使场效应管开始导通。
7.电流增益（μ）：它是漏极电流与栅极电流之间的比值。
它表示了栅极电流对漏极电流的放大能力。
8. 输入电阻（Rin）：它是场效应管输入端的电阻。
它表示了输入信号对管子的负载能力。
9. 输出电阻（Rout）：它是场效应管输出端的电阻。
它表示了管子输出信号对负载的影响。
10. 控制转移函数（gfs）：它是栅极电流和源极电流之间的比值。
它表示了控制信号对输出信号的调节能力。
11.反射损耗（RL）：它是输出端与负载之间的阻抗差异引起的信号反射损耗。
12.噪声系数（NF）：它是场效应管的噪声输出与输入之比，描述了场效应管对噪声的放大能力。
这些是场效应管的一些重要参数，它们对于正确选择和应用场效应管至关重要。
不同的场合需要考虑不同的参数，以确保电路的正常工作和性能优化。
场效应管参数大全
场效应管参数大全百度空间无限的未知真心真诚理解真情永恒K2645: 600V,1.2Ω,9A,50WK2141: 600V,1.1Ω,6A,35WK3326: 500V,0.85Ω,10A,40WK1388: 30V,0.022Ω,35A,60WK1101: 450V,0.5Ω,10A,50WK1507: 9A 600V2SK1537 N-FET 900V 5A 100WK2045 600V, 6A , 35W 。
代K1404, K2101, 2SK2118。
K1118,K2645,K2564,K2545,K1507,K2761,K1117,K2333代k214107N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道 8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道 8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道 8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
场效应管系列参数
场效应管系列参数场效应管是一种被广泛应用于电子设备中的半导体器件，具有很多重要的参数。
本文将详细介绍场效应管的系列参数，包括栅极电压(Vgs)、漏极电流(Id)、漏极电压(Vd)、传导电阻(Rds)、增益(Gm)、饱和电流(Idss)、漏极电流温度系数(Idss Temp Coefficient)、漏极电流失调(Drain Current Mismatch)等参数。
1. 栅极电压(Vgs)：栅极电压是控制场效应管工作的重要参数，它决定了栅极与漏极之间的电场强度。
通过调节栅极电压，可以改变漏极电流的大小。
2.漏极电流(Id)：漏极电流是场效应管主要的输出电流，它决定了场效应管能够输出的电流大小。
漏极电流的大小与栅极电压及其他工作条件相关。
3.漏极电压(Vd)：漏极电压是场效应管工作时的主要参考电压，它决定了场效应管的工作状态。
通常情况下，漏极电压要保持在一定的范围内，过高或过低都可能导致失效。
4. 传导电阻(Rds)：传导电阻是场效应管导通状态时产生的电阻，它会对电路的功率损耗产生影响。
传导电阻的大小与场效应管的结构和工艺有关，一般来说，传导电阻越小，导通时的功率损耗越小。
5.增益(Gm)：增益是场效应管的重要参数之一，它表示了场效应管输出电流与输入电压之间的关系。
增益的大小与场效应管的工作状态有关，一般来说，增益越大，表示场效应管具有更好的放大能力。
6. 饱和电流(Idss)：饱和电流是场效应管在栅极电压为零时的最大漏极电流。
它是指场效应管工作在饱和区时，漏极电流的最大可接受值。
饱和电流的大小与场效应管的类型和工作状态有关。
7.漏极电流温度系数：漏极电流温度系数表示了场效应管漏极电流随温度变化的情况。
漏极电流温度系数的大小与场效应管的材料和结构有关，一般来说，漏极电流温度系数越小，表示场效应管对温度的变化越不敏感。
8.漏极电流失调：漏极电流失调是指多个场效应管在相同工作条件下漏极电流的差异。
由于制造工艺和器件本身的不完美性，不同场效应管之间的漏极电流会存在一定的差异。
场效应管参数用途大全
场效应管参数用途大全场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种主要用于放大、开关和调节信号的电子器件。
它是一种三端器件，由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成。
场效应管具有很多参数，下面将详细介绍这些参数的用途。
1.漏极电流（ID）：漏极电流是指通过场效应管的漏极-源极电路的电流。
它可以用来测量和控制场效应管的放大增益和工作状态。
2.栅-源电压（VGS）：栅电压与源电压之间的差值，用于控制场效应管的导通与截止状态。
当VGS小于场效应管的阈值电压时，管子截止；当VGS大于阈值电压时，管子导通。
3.漏-源电压（VDS）：漏电压与源电压之间的差值，用于测量场效应管的电压增益和功耗。
它还用于确定场效应管的工作状态，如饱和区、线性区和截止区。
4. 率定电压（VGS-off）：当栅电压小于阈值电压时，场效应管处于关断状态。
率定电压是指栅电压，使得场效应管完全截止，漏极电流为零。
5.漏极电阻（RD）：漏极电阻是指场效应管的漏极电压和漏极电流之间的比率。
它用于测量和控制场效应管的输出阻抗和信号衰减。
6.栅-漏电流（IGS）：栅-漏电流是指栅极和源极之间的电流。
它表示在截止区域时，栅极上的电流，即零漏极电压条件下的漏极电流。
7.漏极电容（CDS）：漏极电容是指场效应管的漏极电压和变化的漏极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
8.栅电流（IG）：栅电流是指通过场效应管的栅极-源极电路的电流。
栅电流用于测量和控制场效应管的输入阻抗和信号增益。
9.输入电容（CGS）：输入电容是指场效应管的栅极电压和变化的栅极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
10.输出电容（CDS）：输出电容是指场效应管的漏极电压和变化的漏极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
11. 开关速度（Switching Speed）：开关速度是指场效应管在从截止状态到导通状态或从导通状态到截止状态的转换时间。
常用场效应管和晶体管全参数大全
常用场效应管和晶体管全参数大全1.常用场效应管参数：(1)静态参数：a.离子阱截止电压（Vp）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流为零的栅极-源极电压。
b. 饱和漏极电流（Idss）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流的最大值。
c. 调整电压（Vto）：指在栅极与源极间电压为零时，栅极与源极间的电流。
d. 输入电容（Ciss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极之间的电容。
e. 输出电容（Coss）：指当栅极-源极电压为零时，漏极之间的电容。
f. 反馈电容（Crss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极与漏极之间的电容。
(2)动态参数：a.输入电导（Gm）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与栅极-源极电压之比。
b. 输入电阻（Rin）：指在栅极-源极电压为零时，输入电阻的值。
c. 输出电导（Gds）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与漏极电压之比。
d. 输出电阻（Rout）：指在栅极-源极电压为零时，输出电阻的值。
e. 转封闭电压（Breakdown Voltage）：指在栅极-源极电压为零时，输出特性曲线开始变弯的电压。
2.晶体管参数：(1)静态参数：a. 饱和电压（Vce）：指在负载线上工作时，集电极与发射极之间的电压。
b.饱和电流（Ic）：指在负载线上工作时，通过集电极的电流。
c. 漏电流（Iceo）：指在基极与集电极之间断开时，通过集电极的漏电流。
d. 输入电容（Cib）：指输入电容的值。
e. 输出电容（Cob）：指输出电容的值。
(2)动态参数：a. 横向混频增益（hfe）：指输入电流与输出电流之比。
b. 纵向封闭电流放大因数（hie）：指基极-发射极之间的电阻。
c.输出电流（Ib）：指基极电流。
d. 纵向式封闭输出电阻（hre）：指输出电流与输入电流之比。
值得一提的是，晶体管比场效应管多一种参数：工作频率。
此参数指示了晶体管在给定频率下的性能。
这些是常见的场效应管和晶体管的主要参数。
不同的型号和规格的场效应管和晶体管可能会有其他额外的参数依赖于具体应用和要求。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数场效应管是一种晶体管，也称为FET（Field Effect Transistor）。
与双极晶体管（BJT）相比，场效应管具有许多优点，例如高输入阻抗，低噪声，以及高分辨率输入电压等。
主要参数：1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是场效应管工作的一个关键参数。
它表示当输入电压小于该值时，场效应管处于截止区，不导电。
当输入电压大于阈值电压时，场效应管进入饱和区或线性区，开始导通。
2. 饱和电流（Idsat）：饱和电流是指当场效应管工作在饱和区时，通过漏极-源极的电流。
饱和电流取决于场效应管的尺寸和工作电压。
3. 负漏极导纳（Yfs）：负漏极导纳是指场效应管的输入导纳，也称为转导。
它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。
负漏极导纳可以决定输出电流与输入电压的比例关系。
4. 输入电阻（Rin）：输入电阻是指场效应管的输入端电压与输入端电流之间的比值。
由于场效应管的输入电流很小，因此输入电阻较高，可以使得场效应管适用于高阻抗输入的电路。
5. 输出电导（Gds）：输出电导是指场效应管的输出导纳，也称为转导。
它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。
输出电导可以决定输出电流与漏极-源极电压的比例关系。
6.噪声系数（NF）：噪声系数表示场效应管引入的噪声对输入信号的影响程度。
一般来说，噪声系数越低，性能越好。
7. 压控电阻（rDS(on)）：压控电阻表示当场效应管处于线性区时，漏极-源极电阻的大小。
压控电阻越小，漏极-源极电压对漏极-源极电流的影响就越小。
压控电阻与输入电压有关，可以在一定范围内调节。
8.带宽（BW）：带宽是指场效应管工作的频率范围。
带宽可以决定场效应管在不同频率下工作的能力。
9.温度稳定性：温度稳定性是指场效应管在不同温度下的性能变化。
温度稳定性越好，场效应管在不同温度下的性能变化越小。
总结：。
常用功率场效应管参数大全
常用功率场效应管参数大全功率场效应管（Power MOSFET）是常用的功率驱动器件之一，具有高效率、低开关损耗、低驱动电流等优点，广泛应用于功率放大、开关、驱动等领域。
下面将介绍功率场效应管的常用参数。
1.静态参数静态参数用于描述功率场效应管在静止状态下的性能。
(1) 雅功耗（Drain Power Dissipation，Pd）：指功率场效应管在规定条件下最大允许的耗散功率。
(2) 雅耗（Gate Efficacy，η）：指单位面积底板的立体角功率。
(3) 雅-换算导热阻（Outlet Thermal Resistance，Rth,j-ch）：指从场效应管的结到环境之间的温度差与单位功率热流之比。
(4) 输入电容（Input Capacitance，Ciss）：指场效应管的栅结与源结之间的电容。
(5) 输出电容（Output Capacitance，Coss）：指场效应管的漏结与栅结之间的电容。
(6) 反馈电容（Feedback Capacitance，Crss）：指栅结与源结之间的电容。
(7) 静态栅极电压（Gate-Source Voltage，Vgs(th)）：指场效应管在截止与导通之间的栅极电压。
(8) 静态漏极电流（Drain Current，Idss）：指场效应管在最大栅极电压下的静态漏极电流。
2.动态参数动态参数用于描述功率场效应管在动态工作状态下的性能。
(1) 开启时间（Turn-on Time，ton）：指从场效应管的栅极电压上升到90%的开启电平所需的时间。
(2) 关断时间（Turn-off Time，toff）：指从场效应管的栅极电压下降到90%的关断电平所需的时间。
(3) 正向传导电阻（Forward Transconductance，Gfs）：指场效应管在导通状态下，输出电流与栅极电压之间的比值。
(4) 带宽（Bandwidth）：指场效应管在特定条件下能够放大信号的频率范围。
全系列常用场效应管参数大全
全系列常用场效应管参数大全场效应管是一种主要用于放大和开关电路的电子元器件，具有众多的参数。
以下是常用的场效应管参数：1.静态特性参数：(1) 阈值电压（Vth）：场效应管的控制电压，使得其导通或截止的电压值。
(2) 静态漏源电流（Idss）：当栅极电压为零时，漏极电流的最大值。
(3)鼓励因子（μ）：增强型场效应管的漏源电流与栅极电流之比。
2.动态特性参数：(1) 输入电容（Ciss）：输入端的电容值，是栅极与源极之间的电容。
(2) 输出电容（Coss）：输出端的电容值，是漏极与源极之间的电容。
(3) 反馈电容（Crss）：栅极与漏极之间的电容。
(4) 压摆率（Slew Rate）：指场效应管的输出电压在单位时间内的变化速率。
(5) 开关时间（Turn-on/off Time）：指将场效应管从导通状态切换到截止状态或从截止状态切换到导通状态所需的时间。
(6) 最大工作频率（fmax）：指场效应管的最大可靠工作频率。
(7) 功耗（Power Dissipation）：指场效应管在单位时间内消耗的电功率。
3.温度特性参数：(1) 热阻（Thermal Resistance）：指场效应管的散热能力。
(2) 温度系数（Temperature Coefficient）：指场效应管的电性能随温度变化的程度。
(3)工作温度范围：指场效应管能够正常工作的温度范围。
4.包装特性参数：(1)封装类型：常见的封装类型有TO-92、TO-220、SOT-23等。
(2)引脚布局：指场效应管引脚的排列方式。
5.其他特性参数：(1) 最大电压（Maximum Voltage）：指场效应管能够承受的最大电压。
(2) 最大电流（Maximum Current）：指场效应管能够承受的最大电流。
(3) 开关能力（Switching Capability）：指场效应管切换时的能力，包括开关速度和能量转移等方面。
以上是常用的场效应管参数，不同型号的场效应管具有不同的参数范围和性能，使用时需要根据实际需求选择合适的型号。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电子管，有三个电极：栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。
相对于双极晶体管，场效应管在功耗和输入电阻方面具有优势。
下面是常用的场效应管参数的详细解释。
1. 栅源阈值电压（Vth）：栅源电压达到一定值时，场效应管开始导通。
阈值电压的大小决定了在何时开始导通。
有两种类型的场效应管：N 沟道（N-channel）和P沟道（P-channel）。
对于N沟道型FET，阈值电压一般为负值；而对于P沟道型FET，阈值电压一般为正值。
2. 最大漏源电压（Vdsmax）：场效应管能够承受的最大电压。
超过这个电压，管子可能损坏。
3. 漏源饱和电压（Vds(sat)）：当栅源电压为零时，漏源电压的最小值。
超过这个电压，管子可能损坏。
4. 最大漏电流（Idmax）：场效应管能够承受的最大电流。
超过这个电流，管子可能损坏。
5. 最大功率耗散（Pdmax）：场效应管能够承受的最大功率。
超过这个功率，管子可能损坏。
6. 开导通电压（Vgs(th)）：栅源电压达到一定值时，场效应管开始导通。
与栅源阈值电压类似，但是开导通电压表示栅源电压为正值时的情况。
7. 栅源电容（Cgs）：栅源电极之间的电容。
这个参数影响了管子的高频性能，较大的Cgs会使高频性能下降。
8. 漏源电容（Cds）：漏源电极之间的电容。
这个参数影响了管子的高频性能，较大的Cds会使高频性能下降。
9. 反馈电容（Cgd）：栅漏电极之间的电容。
这个参数影响了管子的高频性能，较大的Cgd会使高频性能下降。
10. 输入电阻（Rin）：场效应管的输入电阻。
输入电阻越大，对输入信号的影响就越小。
11. 输出电阻（Rout）：场效应管的输出电阻。
输出电阻越小，对输出信号的影响就越小。
12. 转移导纳（Yfs或Y21）：栅源电压增加时，漏源电流的变化。
它是对管子放大能力的度量。
13.增益（A或hFE）：输出电流（漏源电流）与输入电流（栅源电流）的比值。
场效应管参数大全
场效应管参数大全场效应管（Field Effect Transistor）是一种三端电子器件，由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成。
在场效应管中，栅极控制电流的流动，输出电流由源极到漏极流动。
场效应管广泛应用于电子设备和集成电路中，是数字和模拟电路中最重要的组成元件之一、下面是场效应管的一些重要参数：1. 阈值电压（Threshold Voltage）：场效应管的阈值电压（Vth）是指在栅极电压低于该值时，管子处于截止（OFF）状态，没有漏极电流流过。
阈值电压是场效应管的重要特性之一，对于管子的工作状态和电路设计都有重要影响。
2. 最大漏极电流（Maximum Drain Current）：最大漏极电流（Idmax）是指在给定的栅极-漏极电压下，场效应管可以承受的最大漏极电流。
超过最大漏极电流的电流将损坏管子。
3. 转导电导（Transconductance）：转导电导（gm）是指单位栅极-漏极电压变化时，漏极电流的变化量。
转导电导是场效应管的重要参数，也用来衡量管子的增益和灵敏度。
4. 漏极电压（Drain-Source Voltage）：漏极电压（Vds）是指场效应管的漏极与源极之间的电压差。
漏极电压对场效应管的工作状态和性能有重要影响。
5. 饱和电流（Saturation Current）：饱和电流（Idsat）是指在给定的栅极电压下，场效应管的漏极电流达到饱和状态时的电流值。
6. 耗散功率（Power Dissipation）：耗散功率是指场效应管在工作中消耗的功率。
场效应管的耗散功率深受设计要求和环境温度的影响。
7. 开启时间和关闭时间（Turn-On and Turn-Off Time）：开启时间是指场效应管由截止状态转变为导通状态所需的时间，关闭时间是指从导通状态转变为截止状态所需的时间。
8. 输入和输出电容（Input/Output Capacitance）：输入和输出电容是指场效应管输入和输出端之间的电容。
5000种场效应管参数
ID型号厂家用途构造沟道方式v111(V)区分ixing(A) 12SJ11东芝DC, LF A, C J P D20GDS-10m22SJ12东芝DC, LF A, J P D20GDS-10m32SJ13东芝DC, LF A, C J P D20GDS-100m42SJ15富士通DC, LF A J P18GDO-10m52SJ16富士通DC, LF A J P18GDO-10m62SJ17C-MIC J P20GDO0.5m72SJ18LF PA J(V)P170GDO-582SJ19NEC LF D J(V)P140GDO-100m92SJ20NEC LF PA J(V)P100GDO-10102SJ22C-MIC J P D80GDO0.5m112SJ39三菱LF A J P D50GDO-10m122SJ40三菱LF A,A-SWJ P D50GDO-10m132SJ43松下LF A J P D50GDS20m142SJ44NEC LF LN A J P D40GDO-10m152SJ45NEC LF A J P D40GDO-10m162SJ47日立LF PA MOS P E-100DSX-7172SJ48日立LF PA, HS P MOS P E-120DSX-7182SJ49日立LF PA,HS PS MOS P E-140DSX-7192SJ49(H)日立HS PSW MOS P E-140DSX-7202SJ50日立LF/HF PA,HS MOS P E-160DSX-7212SJ50(H)日立HS PSW MOS P E-160DSX-7222SJ51日立LF LN A J P D40GDO-10m232SJ55日立LF/HF PA,HS MOS P E-180DSX-8242SJ56日立LF/HF PA,HS MOS P E-200DSX-8252SJ56(H)日立HF PA, HS P MOS P E-200DSX-8262SJ68日立LF LN A J P D-40DSX-10m272SJ69日立LF LN A J P D-40DSX-10m282SJ70日立LF LN A J P D-40DSX-10m292SJ72东芝LF LN A J P D25GDS-10m302SJ73东芝LF LN A J P D25GDS-10m312SJ74东芝LF LN A J P D25GDS-10m322SJ75东芝LF LN A J P D25GDS-10m332SJ76日立LF D,HS PSW MOS P E-140DSX-500m342SJ77日立LF D,HS PSW MOS P E-160DSX-500m352SJ77(K)日立HF PA, HS P MOS P E-160DSX-500m362SJ78日立LF D,HS PSW MOS P E-180DSX-500m372SJ79日立LF D, HS PS MOS P E-200DSX-500m382SJ79(K)日立HF PA, HS P MOS P E-200DSX-500m392SJ81日立LF PA MOS P-120DSX-7402SJ82日立LF PA MOS P-140DSX-7412SJ83日立LF PA MOS P-160DSX-7422SJ84松下LF A J P D15GDS-10m432SJ85日立LF PA MOS P442SJ86日立LF PA MOS P452SJ87日立LF PA MOS P462SJ90东芝LF LN A J P D30GDS-10m472SJ91东芝LF PA MOS P-140DSX-8482SJ92东芝LF PA MOS P-140DSX-7492SJ96日立LF/HF PA, H MOS P-60DSX-8502SJ99日立LF/HF PA, H MOS P E-140DSS-8512SJ100日立LF/HF PA, H MOS P E-160DSS-8522SJ101日立LF/HF PA, H MOS P E-40DSS-5532SJ102日立LF/HF PA, H MOS P E-60DSS-5542SJ103东芝LF A,A-SWJ P D50GDS-10m552SJ104东芝LF A, A-SW J P D25GDS-10m 562SJ105东芝LF A,A-SWJ P D50GDS-10m 572SJ106东芝LF A,A-SWJ P D50GDS-10m 582SJ107东芝LF A,A-SWJ P D25GDS-10m 592SJ108东芝LF LN A J P D25GDS-10m 602SJ109东芝LF LN A J P D30GDS-10m 612SJ110东芝LF A,A-SWJ P D25GDS-10m 622SJ111东芝LF LN A J P D25GDS-10m 632SJ112日立HS PSW, RF MOS P E-100DSS-10 642SJ113日立HS PSW, RF MOS P E-100DSS-10 652SJ114日立HS PSW, RF MOS P E-200DSS-8 662SJ115东芝LF PA MSO P E-160DSS-8 672SJ116日立HS PSW, RF MOS P E-400DSS-8 682SJ117日立HS PSW, RF MOS P E-400DSS-2 692SJ118日立HS PSW, RF MOS P E-140DSS-8 702SJ119日立HS PSW, RF MOS P E-160DSS-8 712SJ120(L)日立HS PSW, RF MOS P E-40DSS-2 722SJ122日立HS PSW, RF MOS P E-60DSS-10 732SJ123东芝LF PA, HS S MOS P E-70DSS-10 742SJ125三菱LF PA,A-SW J P D50DGO-10m 752SJ126东芝HS SW MOS P E-60DSX-10 762SJ127日立HS PSW MOS P E-120DSS-10 772SJ128,128Z NEC SW MOS P E-100DSS±2 782SJ129松下LF A J P D50GDS-10m 792SJ130(L)(S日立HS SW MOS P E-300DSS-1 802SJ131SW MOS P E-170DSS-10 812SJ132,132Z NEC SW MOS P E-30DSS±2 822SJ133,133Z NEC SW MOS P E-60DSS±2 832SJ134NEC SW MOS P E-100DSS±6 842SJ135NEC SW MOS P E-100DSS±5 852SJ136NEC SW MOS P E-60DSS±12 862SJ137NEC SW MOS P E-60DSS±10 872SJ138NEC SW MOS P E-100DSS±12 882SJ139NEC SW MOS P E-100DSS±10 892SJ140NEC SW MOS P E-60DSS±19 902SJ141NEC SW MOS P E-60DSS±13 912SJ142NEC SW MOS P E-100DSS±13 922SJ143NEC SW MOS P E-60DSS±16 932SJ144东芝LF A-SW J P D50GDS-10m 942SJ145三菱LF A-SW J P D50GDO-10m 952SJ146松下SW MOS P E-50DSS-100m 962SJ147东芝DDC, Motor MOS P E-60DSS-12 972SJ148东芝HS SW, A-SW MOS P E-60DSX-200m 982SJ151NEC SW MOS P E-100DSS±3 992SJ152NEC SW MOS P E-100DSS±3 1002SJ153NEC SW MOS P E-60DSS±6 1012SJ154NEC SW MOS P E-60DSS±5 1022SJ155松下SW MOS P E-50DSS-3 1032SJ156松下SW MOS P E-50DSS-5 1042SJ157松下SW MOS P E-100DSS-3 1052SJ158松下SW MOS P E-100DSS-5 1062SJ159松下SW MOS P E-160DSS-3 1072SJ160日立LF PA MOS P E-120DSX-7 1082SJ161日立LF PA MOS P E-140DSX-7 1092SJ162日立LF PA MOS P E-160DSX-71102SJ163松下SW J P D65GDS-10m 1112SJ164松下SW J P D65GDS-10m 1122SJ165NEC HS SW MOS P E-50DSS-0.1 1132SJ166NEC HS SW MOS P E-50DSS-0.1 1142SJ167东芝HS SW, A-SW MOS P E-60DSS-200m 1152SJ168东芝HS SW, A-SW MOS P E-60DSS-200m 1162SJ169日立SW-Reg, DDC MOS P E-60DSS-12 1172SJ170日立SW-Reg, DDC MOS P E-80DSS-12 1182SJ171日立SW-Reg, DDC MOS P E-50DSS-9.7 1192SJ172日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-10 1202SJ173日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-15 1212SJ174日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-20 1222SJ175日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-10 1232SJ176日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-15 1242SJ177日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-20 1252SJ178NEC HS SW MOS P E-30DSS±1 1262SJ179NEC HS SW MOS P E-30DSS±1.5 1272SJ180NEC HS SW MOS P E-30DSS±1 1282SJ181(L)(S日立SW-Reg, DDC MOS P E-600DSS-0.5 1292SJ182(L)(S日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-3 1302SJ183东芝Relay-D, DD MOS P E-60DSS-5 1312SJ184NEC HS SW MOS P E-50DSS-100m 1322SJ185NEC HS SW MOS P E-50DSS-100m 1332SJ186日立SW-Reg, DDC MOS P E-200DSS-0.5 1342SJ187三洋SW MOS P E-30DSS-1 1352SJ188三洋SW MOS P E-30DSS-2 1362SJ189三洋SW MOS P E-30DSS-4 1372SJ190三洋SW MOS P E-60DSS-1 1382SJ191三洋SW MOS P E-60DSS-2 1392SJ192三洋SW MOS P E-60DSS-4 1402SJ193三洋SW MOS P E-100DSS-1 1412SJ194三洋SW MOS P E-100DSS-2 1422SJ195三洋SW MOS P E-100DSS-4 1432SJ196NEC SW MOS P E-60DSS±1 1442SJ197NEC SW MOS P E-60DSS±1 1452SJ198NEC SW MOS P E-100DSS±0.5 1462SJ199NEC SW MOS P E-100DSS±1 1472SJ200东芝LF PA MOS P E-180DSS-10 1482SJ201东芝LF PA MOS P E-200DSS-12 1492SJ202NEC SW MOS P E-16DSS-100m 1502SJ203NEC SW MOS P E-16DSS-200m 1512SJ204NEC SW MOS P E-30DSS-200m 1522SJ205NEC SW MOS P E-16DSS±0.5 1532SJ206NEC SW MOS P E-30DSS±0.5 1542SJ207NEC SW MOS P E-16DSS±1 1552SJ208NEC SW MOS P E-16DSS±2 1562SJ209NEC SW MOS P E-100DSS-100m 1572SJ210NEC SW MOS P E-60DSS-200m 1582SJ211NEC SW MOS P E-100DSS-200m 1592SJ212NEC SW MOS P E-60DSS±0.5 1602SJ213NEC SW MOS P E-100DSS±0.5 1612SJ214(L)(S日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-105 1622SJ215日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-35 1632SJ216日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-35 1642SJ217日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-451652SJ218日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-45 1662SJ219(L)(S日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-15 1672SJ220(L)(S日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-20 1682SJ221日立Motor/Relay MOS P E-100DSS-20 1692SJ222日立Motor/Relay MOS P E-100DSS-15 1702SJ223(L)(S日立HS PSW MOS P E-60DSS-2 1712SJ224东芝SW, DDC, Mo MOS P E-60DSS-12 1722SJ225三洋HS SW MOS P E-30DSS-1 1732SJ226三洋HS SW MOS P E-30DSS-2 1742SJ227三洋HS SW MOS P E-30DSS-3 1752SJ228三洋HS SW MOS P E-60DSS-0.8 1762SJ229三洋HS SW MOS P E-60DSS-1.6 1772SJ230三洋HS SW MOS P E-60DSS-2.5 1782SJ231三洋HS SW MOS P E-100DSS-0.5 1792SJ232三洋HS SW MOS P E-100DSS-2.5 1802SJ233三洋HS SW MOS P E-100DSS-2.5 1812SJ234(L)(S日立HS PSW, DDC MOS P E-30DSS-2.5 1822SJ235(L)(S日立HS PSW MOS P E-60DSS-3 1832SJ236日立HS PSW MOS P E-60DSS-10 1842SJ237日立HS PSW MOS P E-60DSS-15 1852SJ238东芝SW, DDC, Mo MOS P E-60DSS-1 1862SJ239东芝SW, DDC, Mo MOS P E-60DSS-5 1872SJ240东芝SW, DDC, Mo MOS P E-60DSS-20 1882SJ241东芝SW, DDC, Mo MOS P E-60DSS-20 1892SJ243NEC SW MOS P E-30DSS±100m 1902SJ244日立HS PSW, DDC MOS P E-12DSS±2 1912SJ245(L)(S日立HS PSW, DDC MOS P E-60DSS-5 1922SJ246(L)(S日立HS PSW, DDC MOS P E-30DSS-7 1932SJ247日立HS PSW MOS P E-100DSS-8 1942SJ248日立HS PSW, DDC MOS P E-100DSS-8 1952SJ250日立HS PSW MOS P E-60DSS-10 1962SJ254三洋HS SW MOS P E-30DSS-8 1972SJ255三洋HS SW MOS P E-30DSS-10 1982SJ256三洋HS SW MOS P E-30DSS-18 1992SJ257三洋HS SW MOS P E-30DSS-10 2002SJ258三洋HS SW MOS P E-30DSS-12 2012SJ259三洋HS SW MOS P E-30DSS-20 2022SJ263三洋HS SW MOS P E-60DSS-6 2032SJ264三洋HS SW MOS P E-60DSS-8 2042SJ265三洋HS SW MOS P E-60DSS-15 2052SJ266三洋HS SW MOS P E-60DSS-8 2062SJ267三洋HS SW MOS P E-60DSS-10 2072SJ268三洋HS SW MOS P E-60DSS-18 2082SJ272三洋HS SW MOS P E-100DSS-4 2092SJ273三洋HS SW MOS P E-100DSS-6 2102SJ274三洋HS SW MOS P E-100DSS-12 2112SJ275三洋HS SW MOS P E-100DSS-6 2122SJ276三洋HS SW MOS P E-100DSS-8 2132SJ277三洋HS SW MOS P E-100DSS-60 2142SJ278日立HS PSW, DDC MOS P E-60DSS-1 2152SJ279(L)(S日立HS PSW, DDC MOS P E-60DSS-5 2162SJ280(L)(S日立HS PSW, DDC MOS P E-60DSS-30 2172SJ281三洋HS SW MOS P E-250DSS-3 2182SJ284三洋HS SW MOS P E-30DSS-0.3 2192SJ285三洋HS SW MOS P E-60DSS-0.22202SJ287三洋HS SW MOS P E-30DSS-0.5 2212SJ288三洋HS SW MOS P E-60DSS-0.5 2222SJ290日立HS PSW MOS P E-60DSS-15 2232SJ291日立HS PSW MOS P E-60DSS-20 2242SJ292日立HS PSW MOS P E-60DSS-30 2252SJ293日立HS PSW MOS P E-60DSS-15 2262SJ294日立HS PSW MOS P E-60DSS-20 2272SJ295日立HS PSW MOS P E-60DSS-30 2282SJ296(L)(S日立HS PSW MOS P E-60DSS-15 2292SJ297(L)(S日立HS PSW, DDC MOS P E-60DSS-20 2302SJ298日立HS PSW MOS P E-20DSS-5 2312SJ299(L)(S日立HS PSW MOS P E-20DSS-5 2322SJ300日立HS PSW MOS P E-20DSS-10 2332SJ302,302Z NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±16 2342SJ303NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±14 2352SJ304东芝HS, SW, DDC MOS P E-60DSS-14 2362SJ306三洋HS SW MOS P E-250DSS-3 2372SJ307三洋HS SW MOS P E-250DSS-6 2382SJ308三洋HS SW MOS P E-250DSS-9 2392SJ312东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-14 2402SJ313东芝LF PA MOS P E-180DSS-1 2412SJ314-01L,富士电机MOS P E-60DSS-5 2422SJ315东芝DDC MOS P E-60DSS-5 2432SJ316三洋HS SW MOS P E-12DSS-1 2442SJ317日立SW, PA MOS P E-12DSS±2 2452SJ318(L)(S日立HS PSW MOS P E-20DSS-5 2462SJ319(L)(S日立HS PSW MOS P E-200DSS-3 2472SJ320三洋HS SW MOS P E-250DSS-4 2482SJ321日立HS PSW MOS P E-60DSS-15 2492SJ322日立HS PSW MOS P E-60DSS-20 2502SJ323日立HS PSW MOS P E-60DSS-30 2512SJ324,324Z NEC SW, DDC MOS P E-30DSS±2 2522SJ325,325Z NEC SW, DDC MOS P E-30DSS±4 2532SJ326, 326NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±2 2542SJ327, 327NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±4 2552SJ328, 328NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±20 2562SJ329NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±15 2572SJ330NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±20 2582SJ331NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±30 2592SJ332(L)(S日立HS PSW MOS P E-20DSS-10 2602SJ333(L)(S日立HS PSW MOS P E-30DSS-7 2612SJ334东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-30 2622SJ337三洋HS SW MOS P E-12DSS-8 2632SJ341日立HS PSW MOS P E-20DSS-5 2642SJ349东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-20 2652SJ350日立HS PSW MOS P E-120DSS-6 2662SJ351日立LF/RF PA, H MOS P E-180DSX-8 2672SJ352日立LF/RF PA, H MOS P E-200DSX-8 2682SJ353NEC MOS P E-60DSS±1.5 2692SJ355NEC MOS P E-30DSS±2 2702SJ356NEC MOS P E-60DSS±2 2712SJ357NEC MOS P E-30DSS±3 2722SJ358NEC MOS P E-60DSS±3 2732SJ359东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-5 2742SJ360东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-12752SJ361日立HS PSW MOS P E-20DSS-2 2762SJ363日立HS PSW MOS P E-30DSS-2 2772SJ365新电元HS SW MOS P E-60DSS-2 2782SJ366新电元HS SW MOS P E-60DSS-5 2792SJ367新电元HS SW MOS P E-60DSS-5 2802SJ368新电元HS SW MOS P E-60DSS-5 2812SJ369新电元HS SW MOS P E-60DSS-10 2822SJ370新电元HS SW MOS P E-60DSS-10 2832SJ371新电元HS SW MOS P E-60DSS-15 2842SJ372新电元HS SW MOS P E-60DSS-15 2852SJ373新电元HS SW MOS P E-60DSS-20 2862SJ374新电元HS SW MOS P E-60DSS-20 2872SJ375新电元HS SW MOS P E-60DSS-30 2882SJ376新电元HS SW MOS P E-60DSS-30 2892SJ377东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-5 2902SJ378东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-5 2912SJ379东芝HS SW, DDC M OS P E-100DSS-8 2922SJ380东芝HS SW, DDC M OS P E-100DSS-12 2932SJ381三洋MOS P E-12DSS-2 2942SJ382三洋MOS P E-12DSS-4 2952SJ383三洋MOS P E-12DSS-8 2962SJ384(L)(S日立HS PSW MOS P E-60DSS-15 2972SJ386日立HS PSW MOS P E-30DSS-3 2982SJ387(L)(S日立HS PSW MOS P E-20DSS-10 2992SJ388(L)(S日立HS PSW MOS P E-30DSS-10 3002SJ389(L)(S日立HS PSW MOS P E-60DSS-10 3012SJ390日立HS PSW MOS P E-60DSS-10 3022SJ399日立HS PSW MOS P E-30DSS-0.2 3032SJ408(L)(S日立HS PSW MOS P E-60DSS-50 3042SJ409(L)(S日立HS PSW MOS P E-100DSS-20 3052SJ410日立HS PSW MOS P E-200DSS-6 3062SJ128Z NEC SW MOS P E-100DSS±2 3072SJ132Z NEC SW MOS P E-30DSS±2 3082SJ133Z NEC SW MOS P E-60DSS±2 3092SJ302Z NEC SW,DDC MOS P E-60DSS±16 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常用功率场效应管参数大全
常用功率场效应管参数大全1. 正向漏源电流（IDss）：指在栅源电压(VGS=0)时，漏源间的电流。
单位为毫安（mA）。
正值表示N型场效应管存在正向导通，负值表示P型场效应管存在正向导通。
2.静态漏源电流（ID）：指在给定的栅源电压和漏源电压下，漏源间的电流。
单位为毫安（mA）。
3.静态栅源电压（VGS）：指在漏源电流为静态电流时，栅极与源极之间的电压。
单位为伏特（V）。
4.漏源电阻（RD）：指在给定的栅源电压和漏源电流下，漏源电阻的大小。
单位为欧姆（Ω）。
5.输出电导（GOUT）：指场效应管的输出电导，即输出电流与输出电压之比。
单位为毫秒（mS）。
6.压降（VDS）：指在漏源电流为给定值时，漏源电压与源极电压之间的差值。
单位为伏特（V）。
7. 阻抗（Zin）：指场效应管的输入阻抗。
单位为欧姆（Ω）。
8.增益（Av）：指场效应管的电压增益，即输出电压与输入电压之比。
9. 开关时间（ts, td）：指场效应管的开关时间，即从输入信号出现到场效应管从导通到截止（或反之）所经历的时间。
单位为纳秒（ns）。
10. 阈值电压（Vth）：指当栅极电压与源极电压之差等于阈值电压时，场效应管开始导通。
单位为伏特（V）。
11.温度系数（TC）：指场效应管的温度特性，即在不同温度下，场效应管的电性能随温度变化的程度。
12.最大耗散功率（PD）：指场效应管能够承受的最大功耗。
单位为瓦特（W）。
13.工作温度（TJ）：指场效应管的工作温度范围，即场效应管能够正常工作的温度区间。
14. 漏源电容（Cgd, Cgs, Cds）：指场效应管的漏源电容。
Cgd为栅极与漏极之间的电容，Cgs为栅极与源极之间的电容，Cds为漏极与源极之间的电容。
15. 存储时间（tsd）：指场效应管在导通状态下，当输入信号消失后，场效应管从导通到截止所经历的时间。
单位为纳秒（ns）。
场效应管的参数
场效应管的参数场效应管（也称为MOSFET）是一种常用的半导体元件，具有高速开关和放大功能。
它是现代电子设备中最重要的元件之一，被广泛应用于各种应用领域，如数字电路、放大器、功率控制器等。
场效应管的参数描述了其性能特点和工作状态，对于设计和选择电路具有重要意义。
以下是常见的场效应管参数的详细介绍。
1. 漏极-源极饱和电压（Vds）：漏极-源极饱和电压是指场效应管工作时，漏极电压和源极电压之间的最大允许值。
超过这个电压将导致场效应管处于饱和状态并损坏。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当栅极电压超过一定值时，场效应管开始导通的电压。
它决定了场效应管的开关特性和工作状态。
3. 输出电导（gds）：输出电导是指场效应管的漏极-源极电流与漏极-源极电压之间的关系。
它反映了场效应管的开关速度和驱动能力，输出电导越大表示场效应管能够提供更大的输出电流。
4. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管的栅极-源极电容。
它表示了场效应管输入端的电荷存储和响应能力。
输入电容越大，场效应管对输入信号的响应速度越慢。
5. 输出电容（Coss）：输出电容是指场效应管的漏极-源极电容。
它表示了场效应管输出端的电荷存储和响应能力。
输出电容越大，场效应管的开关速度越慢。
6. 反馈电容（Crss）：反馈电容是指场效应管的栅极-漏极电容。
它表示了场效应管内部反馈电荷的存储和响应能力。
反馈电容越大，场效应管的增益稳定性越好。
7. 直流电流增益（ID）：直流电流增益是指场效应管在工作点处的漏极电流与栅极电流之间的比值。
它反映了场效应管的放大能力和驱动能力。
8. 开通电压（Vgs）：开通电压是指当栅极电压超过一定值时，场效应管完全导通的电压。
它与阈值电压的差值决定了场效应管的工作状态和开关特性。
以上是场效应管常见的重要参数，它们对于电路设计和选择具有重要意义。
了解和熟悉这些参数将有助于合理应用场效应管，实现电路的高性能和稳定工作。
全系列场效应管参数
. K2843 600V 10A 45W N07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚.A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
场效应管参数大全
场效应管参数⼤全场效应管参数⼤全百度空间⽆限的未知真⼼真诚理解真情永恒K2645: 600V,1.2Ω,9A,50W K2141: 600V,1.1Ω,6A,35WK3326: 500V,0.85Ω,10A,40WK1388: 30V,0.022Ω,35A,60WK1101: 450V,0.5Ω,10A,50WK1507: 9A 600V2SK1537 N-FET 900V 5A 100WK2045 600V, 6A , 35W 。
代K1404, K2101, 2SK2118。
K1118,K2645,K2564,K2545,K1507,K2761,K1117,K2333代k214107N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各⼀,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各⼀,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道⼩贴⽚MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道⼩贴⽚MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L027N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W ⼩贴⽚，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各⼀A04403 30V 6.1A 单P沟道 8脚贴⽚A04404 30V 8.5A 单N沟道 8脚贴⽚A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴⽚A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴⽚A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴⽚A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴⽚A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴⽚A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴⽚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴⽚A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴⽚A04422 30V 11A N 沟道 8脚贴⽚A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各⼀A0D405 30V，18A，P⾼压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P⾼压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P ⾼压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P ⾼压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N⾼压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N ⾼压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N⾼压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N ⾼压板MOS管贴A0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
常用场效应管和晶体管参数大全
常用场效应管和晶体管参数大全一、常用场效应管参数：1.管脚标号和功能：- Gate（栅）：控制场效应管的导通与截止状态；- Drain（漏）：负责从管子中吸引和收集载流子；- Source（源）：提供电子流和空穴流；2. 漏电流（Id）：指在栅源电压（Vgs）和漏源电压（Vds）确定的情况下，从源极到漏极的电流值。
在截止区域，漏电流非常小，而在导通区域，漏电流较大。
3. 饱和漏源电压（Vdsat）：指在栅源电压（Vgs）确定的情况下，达到漏电流（Id）饱和状态所需的漏源电压值。
饱和状态下，增加漏源电压已无法继续提高漏电流。
4. 转导（gm）：指场效应管的输出电流（Id）与输入电压（Vgs）之间的变化率。
转导越大，场效应管的放大能力越强。
5.耗散功率（Pd）：指在工作过程中场效应管所消耗的功率。
通常需要根据该参数来选择散热器以确保器件不会过热。
6. 压降（Vgs th）：指栅极与源极之间的电压差，当超过该电压差的时候，管子开始导通。
常用作管子导通状态的判断依据。
二、常用晶体管参数：1.管脚标号和功能：-集电极（C）：负责收集电流；-基极（B）：控制集电极电流；-发射极（E）：通过向基极注入电子来产生电流。
2.负载特性：负载特性是指晶体管输出特性曲线。
负载特性能够代表晶体管放大的能力。
晶体管常用的负载特性有共发射、共基、共集三种。
3.比例系数：比例系数是指集电极电流变化与基极电流变化的比例关系。
常用的比例系数有α（电流放大系数），β（电流转移放大系数）和γ（电导放大系数）。
4. 最大漏电流（Ic max）：在给定的电压和温度下，晶体管允许通过的最大集电极电流。
超过该值将会烧毁晶体管。
5. 切换频率（ft）：指晶体管能够正常工作的最高频率。
一般来说，切换频率越高，晶体管能够承载的高频信号越多。
6. 射频放大系数（hfe）：指晶体管的电流放大倍数，也就是集电极电流与基极电流之间的比值。
以上是常用场效应管和晶体管参数的一些主要介绍，不同型号和规格的场效应管和晶体管可能还有其他一些特殊参数或性能指标。
全系列场效应管参数
全系列场效应管参数场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关和调节等功能。
场效应管有三种主要类型：结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘体门极场效应管（IGFET）。
（一）结型场效应管（JFET）结型场效应管是最早出现的一种场效应管。
它可以分为N沟道型（N-channel）和P沟道型（P-channel）两种。
1.N沟道型JFET的主要参数：（1）漏极电流（IDSS）：即在栅极与源极之间施加零偏压时，漏级电流的最大值。
它是JFET工作时的参考电流。
（2）增益参数（gm）：漏极电流对栅极-源极电压变化的响应速度，也是电流放大系数。
（3）转导电导（gm）：指沟道中的电流与栅极电压之间的关系。
（4）金属-半导体界面反向电容（Cgd）：栅极-漏极间的电容。
（5）漏极电流温度系数（IDSS/°C）：指漏极电流随温度变化的百分比。
2.P沟道型JFET的主要参数与N沟道型类似。
（二）金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）金属氧化物半导体场效应管是目前最常用的场效应管。
它也可以分为N沟道型和P沟道型两种。
1.N沟道型MOSFET的主要参数：（1）漏极电流（ID）：漏极电流的大小。
（2）增益参数（gm）：漏极电流对栅极电压变化的响应速度，类似于JFET中的增益参数。
（3）沟道电阻（RDSon）：沟道中的电阻。
（4）栅极电压范围（VGS）：栅极电压的最大允许范围。
（5）漏极-源极电流温度系数（ID/°C）：指漏极-源极电流随温度变化的百分比。
2.P沟道型MOSFET的主要参数与N沟道型类似。
（三）绝缘体门极场效应管（IGFET）绝缘体门极场效应管是一种特殊的MOSFET，其中绝缘层用于隔离栅极和沟道。
1.二极管结型（D-MOSFET）的主要参数：（1）漏极电流（ID）：漏级电流的大小。
（2）增益参数（gm）：漏级电流对栅极电压变化的响应速度。
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1412k 代 3332K,7111K,1672K,7051K,5452K,4652K,5462K,8111K 。8112KS2 ,1012K ,4041K 代。 W53 , A6 ,V006 5402K W001 A5 V009 TEF-N 7351KS2 V006 A9 :7051K
W05,A01, Ω5.0,V054 :1011K W06,A53, Ω220.0,V03 :8831K W04,A01, Ω58.0,V005 :6233K W53,A6, Ω1.1,V006 :1412K W05,A9, Ω2.1,V006 :5462K 恒永 情真 解理 诚真 心真知未的限无 间空度百 全大数参管应效场
N A01 V008 61MK01SF N W04 A01 006 21MK01SF V02��SGV�MHO571.0�SDR�A11��V55�数参�管场道沟 P 是 4209UFRI 道沟 P A11 V55 贴�4209RF 插直�道沟�A21�V06 60P71UQF 插直(152-OT W05 A4.9 V001 01P21UQF N W69 A5。4 V009 09N6FAQF N W011 A3。11 V005 05N61FAQF N W311 A7。6 V008 08N01FAQF 8�管 SOM 道沟 N 双。用板压高 5499SDF 应效场道沟 P W5。2 A3。5 V03 5349SDF 封 252-OT 道沟 N A07 A66 V03 0766DDF ,SOM 片贴小 道沟 N W35 V06 A21 5503DF W3 A41 V03 W1187F OI21-54SC N W051 A57 V06 L0607PEC )大(片贴 W05 A04 V03 LA307BEC N W001 A8.3 V008 A08ZUB W57 A32 V05 01ZUB )缀后意注(N W1 A3.0 V052 A452NSB N 置内,片贴脚 8,MG1154PA 同 1154PA A7。4 V06�1 各道沟 N、P 含内 706P0A A5.7 V03,1 各道沟 N,P 含内 506P0A A5.7 V03,1 各道沟 N,P 含内 006P0A 贴管 SOM 板压高 N,A21,V06 444D0A 贴管 SOM 板压高 N,A72/83V06 244D0A 贴管 SOM 板压高 N�A72/83�V06 244D0A 贴管 SOM 板压高 N,A01,V03 024D0A 贴管 SOM 板压高 P A81/62 V06 904D0A 贴管 SOM 板压高 P A81/62 V06 904D0A 贴 管 SOM 板压高 P�A81�V03 804D0A 贴 管 SOM 板压高 P�A81�V03 504D0A 一各管 SOM 道沟 N�道沟 P 含内 00640A 贴脚 8,道沟 P 单 W1.3 A51 V03 32440A 片贴脚 8 道沟 N A11 V03 22440A 片贴脚 8 道沟 N A5.11 V03 81440A 脚 8�道沟 N 单 MW3,A5.8,V03 41440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A51 V03 31440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A51 V03 31440A 脚 8,应效场道沟 P W3 A8 V03 11440A 片贴脚 8 道沟 N 单 A81 V03 01440A 脚 8,应效场道沟 P A51 V03 90440A 片贴脚 8,道沟 N 单 A21 V03 80440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A21 V03 70440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A21 V03 70440A 贴脚 8,道沟 N 单,A5.11,V03 60440A 片贴脚 8 道沟 P 单 W3 A6 V03 50440A 片贴脚 8 道沟 N 单 A5.8 V03 40440A 片贴脚 8 道沟 P 单 A1.6 V03 30440A 一各管 SOM 道沟 N�道沟 P 含内 SC2054FA
A01 V006 道沟 N Nhomakorabeaz06kn01p
N W052 A02 V005 05AN02W 一各管 SOM 道沟 N,道沟 P 含内 1048CPT 一各管 SOM 道沟 N,道沟 P 含内 3M8PS P W321 A6.8 V052 4469PFS N W68 A54 V03 30N54PHP W051 A57 V52 30N57PTM
N W54 A21 V051 5301K W03 A5.6 V052 585J P W52 A5.4 V052 485J P W03 A5 V003 965J P W53 A5.6 V052 615J P W03 A5 V052 215J P W1 A4 V03 305J P W53 A6 V052 944J P W03 A6 V052 703J P W52 A3 V052 603J N W521 A81 V002 G046ILRI 片贴个小 A4。2 V005 024UFRI 管动推行做以可 W52 A7.1 V004 A013UFRI 管动推行做以可 W52 A6.2 V002 B012UFRI W091 A1.6 V0001 05GPFRI W051 A7.4 V009 04FPERI N W051 A4.5 V008 04EPFRI N W081 A01 V006 05CPFRI W04 A9.4 V054 447IFRI N W521 A3 V006 04CBFRI P A11 V002 0469FRI P W47 A3.4 V052 4369FRI P W57 A5.6 V002 0369FRI N W521 A0.8 V005 048FRI N W5214 A9.5 V005 038FRI N W521 A01 V004 047FRI N W47 A5。5 V004 037FRI N W521 A41 V052 446FRI N W521 A81 V002 046FRI N W57 A8 V052 436FRI N W57 A9 V002 036FRI N W04 A5 V002 026FRI N W051 A82 V001 045FRI W002 A08 V006 101J08TG N W002 A52 V0021 101Q52TC N W051 A51 V0021 101Q51TC 道沟 P A11 V55 直�4209UF N W521 A7 V006 21MU7SF N A7 V006 21MT7SF V009 A7 81MK7SF N W04 A7 V008 61MK7SF N W03 A7 V007 41MK7SF N W04 A7 006 21MK7SF
A5 V051 3-JSA5SF N W03 A3 V009 81MK3SF N W03 A3 V008 61MK3SF N W051 A01 V006 21MU01SF N W002 A01 V009 81MS01SF N W002 A01 V008 A61MS01SF
W49 A46 V03 S3013L N W051 A9 V008 659K N W08 A3 V008 409K N W04 A3 V008 309K N W57 A01 V002 098K N W521 A5 V009 727K N W53 A5 V001 307K N W05 A5 V005 355K 道沟 N W54 A01, V006 9653K N W06 A7 V008 4623K N W05 A5 V054 023K N W54 A01 V006 6992K W521 A6 V009 0582K N W58 A8 V009 7482K N W54 A01 V006 3482K N A01 V053 9972K N W05 A9 V006 1672K N W04 A5.2 V009 8172K N W54 A5 V009 7172K N W051 A9 V008 8462K N W05 A8 V006 5462K N W54 A5 V008 5062K N W04 A6 V006 5452K N W041 8 V009 7842K N A6 V007 3332K N W52 A9 V002 1612K N W04 A6 V006 1412K N W53 A5 V006 9312K N W07 A7 V002 4312K N W051 A9 V009 2802K N W051 A9 V008 8702K 全大数参管应效场 W051 A7 V008 N W521 A5 V008 N W07 A6 V006 N W05 A01 V052 N W051 A01 V009 N W052 A04 V005 N W05 A9 V006 N W021 A7 V009 N W08 A8 V009 N W53 A5 V006 N W09 A8 V009 N W521 A5 V0001 N W001 A8 V009 N W001 A6 V009 N W03 A9 V001 N W54 A6 V006 N W001 A6 V006 7702K 8302K 4291K 7191K 6971K 7251K 7051K 2051K 4641K 4041K 3631K 9531K 2431K 1431K 6811K 8111K 7111K
V007 A9 07N9 V006 A9 06N9 新全�片贴小 W85 A53 V81 H6199 W521 A57 V52 30N59 436FRI 同, A8, V052 52N8 20L58 V007 A7 07N7 铁,N A7 V006 06N7 W521 V06 A07 60N07 20L07 A6 V052 52P6 N A6 V007 07N6 N A6 V006 06A6 SOM 片贴小 道沟 N W06 A52 V03 LA306 N W24 A25 V03 XL0306 A5 V052 52P5 V009 A5 09N5 W301 A55 V52 30N55 SOM 片贴小 道沟 N W05 A74 V03 DS(L30N05 ,一各管 SOM 道沟 N,道沟 P 含内 M2354 ,一各管 SOM 道沟 N,道沟 P 含内 2324 N A04 V03 H30N04 N W53.0 A2.0 V06 0007N2 N W53.0 A2.0 V06 0007N2 N W38 A24 V03 L30N51 道沟 N V006 A31 06N31 插直 道沟 P A4.9 V06 60P11 W651 V008 A11 08N11 V006 A01 06N01 管 SOM 道沟 N V002 A01 02N01 N W051 A08 V03 L30N70